MTE-InBoX Věnováno nejpočetnějšímu živočišnému druhu na ČVUT-FEL
Lama glama, neboli lama krotká
Poděkování: M, za pomoc s podivnými příklady. Člověku (?) ;-), který téměř celý semestr fotil přednášky, a které jsou (možná ještě nyní) ke stažení: 1-9 10-12 13-14 Tvůrcům OpenOffice za pohodlný editor rovnic.
Své komentáře, nadávky a hlášení chyb směřujte na mail:
[email protected]
MTE-InBoX
1/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
Serie otázek (2) 2. otázka (1 bod) - Eutektická slitina PbSn má (přibližnou) hodnotu teploty fázové transformace (výsledek vložte ve stupních Celsia, jako celé číslo):
183 2. otázka (1 bod) - Teplota fázové transformace slitiny PbSn obsahující 38,1 hm.% Pb je:
183 2. otázka (1 bod) - PbSn slitina má eutektickou teplotu:
183 2. otázka (1 bod) - Obsah Pb v eutektické slitině PbSn (vložte v % jako celé číslo):
38,1 2. otázka (1 bod) - Obsah Sn v eutektické slitině PbSn (vložte v % jako celé číslo):
61,9 2. otázka (1 bod) - Mezní rozpustnost Pb v Sn je při teplotě 183 ° C. (výsledek vložte v % ,s přesností na 1 desetinné místo (např.31,9):
2,5
(100 – 97,5)
2. otázka (1 bod) - Eutektická slitina PbSn obsahuje: 19%Pb a 81%Sn 19%Sn a 81%Pb
62%Sn a 38%Pb 62%Pb a 38%Sn 2. otázka (1 bod) - PbSn slitina je systém: s neomezenou rozpustností v kapalné i tuhé fázi
eutektický s omezenou rozpustností v tuhé fázi eutektický systém s neomezenou rozpustností v tuhé fázi peritektický systém 2. otázka (1 bod) - Mezi nejrozšířenější bezolovnaté pájky patří systém: Sn95Sb5
Sn96Ag4 Sn96Sb4 In90Ag10 2. otázka (1 bod) - Mezi nejrozšířenější bezolovnaté pájky patří systém: Sn95Sb5
Sn95,5Ag4Cu0,5 Sn96Sb4 In90Ag10 MTE-InBoX
2/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
Serie otázek (3) 3. otázka (1 bod) - Stanovte velikost počáteční relativní permeability vzorku, jestliže tečna vedená z počátku souřadnic ke křivce prvotní magnetizace prochází bodem 0,1 T a 150 A/m. Výsledek zadejte jako celé číslo. B=r . 0 H 1 B r.poč.= 0 H r.poč. =
r−relativní permeabilita 0− permeabilita vakua=4. .10−7 H /m
kde H 0∧ B 0
1 B 1 0,1 = =530,516=530 .. nezaokrouhlovat −7 0 H 4. .10 150
3. otázka (1 bod) - Ve vzorku materiálu byla při intenzitě pole H=1,5.E+3 A/m změřena magnet. indukce B=1,25 T. Stanovte magnetickou susceptibilitu daného prostředí. Výsledek vložte s přesností na 2 desetinná místa (např. 123,45).
=0 r H B =0 1m H
1m =r
m =
M H
−magnetizace M H −intenzita mag. pole
B =1 m 0 H m =
B 1,25 1,25 −1= −1= −1=662,145=662,14 3 −7 3 0 H 0 1,5.10 4. .10 1,5 .10
Podle hodnoty magnetické susceptibility lze rozdělit materiály na: – – –
diamagnetické, pro ně −1m1 paramagnetické, pokud 0m ≪1 feromagnetické, jestliže m ≫1
3. otázka (1 bod) - Vzorek materiálu vykazuje ve vnějším magnet. poli H=1.E+6 A/m hodnotu magnetické polarizace Jm=-6.28E-6 T. Stanovte typ magnetika a velikost magnet. susceptibility. Výsledek vložte ve tvaru 2,45e-8.
Jm= 0 .m . H m =
Jm −6,28.10−6 −6 = =−4,99746 .10 =−4,99e-6 −7 6 0 . H 4 .10 . 1.10
MTE-InBoX
3/30
>> diamagnetikum
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
3. otázka (1 bod) - Stanovte pomocí aproximačního polynomu velikost počáteční relativní permeability vzorku feromagnetika, jehož křivka prvotní magnetizace je znázorněna na obrázku.Výsledek zadejte jako celé číslo .
r.poč. =
1 B 0 H
kde H 0∧ B 0
B=a 5 H 5a 4 H 4 a 3 H 3a 2 H 2 a 1 H r.poč. =
a 1=0,0001
„Poctivější“ způsob je B zderivovat podle H, a dosadit zaň 0 - tím dostanete směrnici tečny tg
1 B a 1 0,0001 = = =79,57=79 0 H 0 4 .10−7
3. otázka (1 bod) - Stanovte pomocí aproximačního polynomu velikost počáteční relativní permeability vzorku feromagnetika, jehož křivka prvotní magnetizace je znázorněna na obrázku.Výsledek zadejte jako celé číslo.
1 B a1 = 0 H 0 0,00038 r.poč. = =302,39=302 4 .10−7 r.poč. =
3. otázka (1 bod) - Křivku prvotní magnetizace lze v oblasti vratného pohybu Blochových stěn popsat výrazem B=2.17.E-3.H2+4,714E-4.H. Stanovte počáteční relativní permeabilitu vzorku.
r.poč. =
MTE-InBoX
1 B a 1 4,714 .10−4 = = =375,12=375 0 H 0 4 .10−7
4/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
3. otázka (1 bod) - Vypočítejte velikost intenzity magnetického pole odpovídající energetickému součinu (BH)max magnetické slitiny Nd2Fe14B, jejíž hysterezní křivka ve na obrázku a je aproximována vztahem B = kA.m-1.
1,3977.10-6.H
II. kvadrantu je znázorněna
+ 1,23. Výsledek vložte jako celé číslo v
B H =1,3977 .10−6 H 1,23 BH =B H . H =1,3977 .10−6 H 2 1,23 H ...a vyšetříme extrémy d BH =2.1 ,3977 .10−6 H 1,23=2,7954 .10−6 H 1,23 dH −6
2,7954 .10 H 1,23=0
H=
−1,23 =−440008,5855 A.m−1=−440 kAm−1 ⇒ 440 −6 2,7954 .10 ...do testu zadávejte jako kladné!
3. otázka (1 bod) - Vypočítejte velikost indukce magnetického pole odpovídající energetickému součinu (BH)max magnetické slitiny Nd2Fe14B, jejíž hysterezní křivka ve II. kvadrantu je znázorněna na obrázku a je aproximována vztahem B = 1,3977.10-6.H + 1,23. Výsledek vložte s přesností na 3 desetinná místa (např. 1,229) v jednotkách T. H viz výše
B H =1,3977 .10−6 H 1,23=1,3977 .10−6 .−440008,58551,23=0,615 T ⇒ 0,615
3. otázka (1 bod) - Vypočítejte energetický součin (BH)max magnetické slitiny Nd2Fe14B, jejíž hysterezní křivka ve II. kvadrantu je znázorněna na obrázku a je aproximována vztahem B = 1,3977.10-6.H + 1,23. Výsledek vložte jako celé číslo v kJ/m3. H a B viz výše
B.H max =0,615 .−440,0085855=−270,60 kJ.m
MTE-InBoX
5/30
−3
⇒ 270
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
3. otázka (1 bod) - Vypočítejte měrnou energii hysterezních ztrát materiálu s pravoúhlou hysterezní křivkou. Br=0.8T,Hc=130A/m, f=50Hz, s=7680kg/m3 v Jm-3. Výsledek vložte jako celé číslo.
w h=2.Br .2. H c =2.0,8 .2.130=416 J.m−3
3. otázka (1 bod) - Měrné ztráty vířivými proudy při 50Hz činí 0.25 W/kg.Stanovte měrné ztráty víř. proudy pro frekvenci f=200 Hz u téhož vzorku.Výsledek vložte ve W/kg s přesností na jedno desetinné místo (např. 2,8).
P~ f 2 ⇒
P 200 200
2
=
P 50 50
2
⇒ P 200 =
P50 50
2
2002=
0,25 2002 =4 W.kg −1=4,0 2 50
3. otázka (1 bod) - Z měření na kvazistatické hysterezní smyčce byla stanovena ztrátová hysterezní energie 1430 J/m3. Vypočtěte měrné hysterezní ztráty vzorku při f=50Hz a s=7680 kg/m3. Výsledek vložte ve W/kg s přesností na jedno desetinné místo (např. 5,6).
P= f.
MTE-InBoX
wh 1430 =50. =9,3 W s 7680
6/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
Serie příkladů (4) ...všechy příklady (4) na toto brdo.... 4. otázka (1 bod) - Spočtěte mezní úhel pro vstup optického svazku do optického vlákna měřeno vzhledem k ose vlákna. Index lomu jádra n1= 1.49 a index lomu vlákna n2=1,46. Výsledek vložte v úhlových stupních s přesností na jedno desetinné místo (např. 1,2).
sin m= n21−n22 sin m = 1,492−1,46 2 m=sin−1 1,492−1,46 2 =17,3
MTE-InBoX
7/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
Serie příkladů (5) 5. otázka (1 bod) - Stanovte koncentraci příměsi v monokrystalu Si připravený metodou letmé zóny ve vzdálenosti 30 cm od zárodku po jednom průchodu zóny 50 mm široké. Koncentrace příměsi v roubíku Si před průchodem zóny byla N0=2.1013cm-3. Statický rozdělovací koeficient příměsi je 0,002. Celková délka krystalu je 800 mm. Výsledek vložte v m-3 ve tvaru 1,23e14. ohřívač Přetavená část
Pro letmou zónu platí:
[
n x =n0 1−1−k 0 exp
] −k 0 x b
Nepřetavená část
x
b L
k 0−statický rozdělovací koeficient n 0−koncentrace příměsi před průchodem zóny n x −koncentrace příměsi po průchodu zóny ve vzd x
+vertikální upořádání +možnost vícenásobného průchodu -ve srovnání s Czoch. méně ef. -existuje konečné rozdělení
[
n x =2.1013 .10−2.−3 1−1−0,002 exp
−2
−0,002 .30.10 −3 50.10
]
=2,78 .1017 m−3=2,78e17
5. otázka (1 bod) - Na monokrystalu Si připraveném metodou letmé zóny nalezněte místo, kde koncentrace příměsi dosáhne hodnoty 0,01 N0 původní koncentrace příměsi a to po jednom průchodu zóny 50 mm široké. Koncentrace příměsi v roubíku Si před průchodem zóny byla N0=2.1013cm-3. Statický rozdělovací koeficient příměsi je 0,002. Celková délka krystalu je 500 mm. Vzdálenost měřenou od zárodku krystalu vložte v m.
[
n x =n0 1−1−k 0 exp
]
[
−k 0 x b
0,01 . n0=n0 1−1−0,002 exp
1−0,01 −0,002 x =exp 1−0,002 50.10−3 ln
ln
−0,002 x 50.10−3
]
1−0,01 −0,002 x = −3 1−0,002 50.10
1−0,01 1−0,002
50.10−3 =x −0,002 x=0,2012 m
MTE-InBoX
8/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
5. otázka (1 bod) - Vypočtěte vzdálenost měřenou od počátku krystalu připraveného směrovou krystalizací, kde je koncentrace příměsi rovna její původní koncentraci v kapalné fázi před tažením krystalu. Statický rozdělovací koeficient příměsi k0=5. Výsledek vložte ve tvaru podílu vzdálenosti k celkové délce krystalu (0 až 1), např. 0,885. Pro směrovou krystalizaci platí (Czochralského metoda) n x =k 0 n0 1− g k −1 0
Směr pohybu krystalu
S
L−délka krystalu x L k 0−stat. segregační rozd. koef. n x −koncentrace přímesi v místě kryst. fronty n 0−výchozí koncentrace přímesi g − podíl ztuhlé fáze g =
L
x L
T T>Tf
T
n x =5 n0 1− g
5−1
L
1=5 1−g 4
4
-doba tažení 10-20h -příkon topidla 100 kW
1 =1−g 5
-čistota prostředí 100 000 částic/stopu3 -průměr krystalu 100-300mm
1 5 g =0,331259695 ⇒ 0,331 g =1−
4
-krystalografická orientace 111, 100
5. otázka (1 bod) - Vypočtěte vzdálenost měřenou od počátku krystalu připraveného směrovou krystalizací, kde je koncentrace příměsi rovna její původní koncentraci v kapalné fázi před tažením krystalu. Statický rozdělovací koeficient příměsi k0=3. Výsledek vložte ve tvaru podílu vzdálenosti k celkové délce krystalu (0 až 1), např. 0,885. g =1−
k 0−1
1 2 1 =1− =0,42264973 ⇒0,42264973 ...bere pouze v této podobě k0 3
5. otázka (1 bod) - Vypočtěte vzdálenost měřenou od počátku krystalu připraveného směrovou krystalizací, kde je koncentrace příměsi rovna její původní koncentraci v kapalné fázi před tažením krystalu. Statický rozdělovací koeficient příměsi k0=0,5. Výsledek vložte ve tvaru podílu vzdálenosti k celkové délce krystalu (0 až 1), např. 0,856. g =1−
MTE-InBoX
k 0−1
1 −0,5 1 =1− =0,750 ⇒ 0,750 k0 0,5
9/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
5. otázka (1 bod) - Stanovte statický segregační koeficient příměsi v monokrystalu Si p-typu vodivosti připravený Czochralského metodou. Koncentrace akceptorových příměsí ve vzdálenosti 20 mm od počátku krystalu je NA=5,019069854.1020m-3 a ve vzdálenosti 80 mm od počátku krystalu je je NA=6,622702373.1020m-3. Celková délka krystalu je 100 mm.
n x1 =k 0 n0 1−g 1 k −1 0
k 0−1
n x =k 0 n0 1− g
n x1 1−g 1 = n x2 1−g 2
⇒
n x2 =k 0 n 0 1−g 2k −1 0
k 0−1
log
⇒
log k 0=1 log
n x1 1−g 1 =log n x2 1−g 2
n x1 n x2
log
1−g 1 1−g 2
=1
k 0−1
⇒
n x1 1−g 1 = n x2 1−g 2 k −1 0
k 0−1
log
⇒
5,019069854 6,622702373 =0,7995 1−0,2 log 1−0,8
n x1 1−g 1 =k 0−1. log n x2 1−g 2
g=
x L
5. otázka (1 bod) - Stanovte statický segregační koeficient příměsi v monokrystalu Si p-typu vodivosti připravený Czochralského metodou. Koncentrace akceptorových příměsí ve vzdálenosti 20 mm od počátku krystalu je NA=1,249.1017m-3 a ve vzdálenosti 80 mm od počátku krystalu je je NA=4,984.1017m-3. Celková délka krystalu je 100 mm.Výsledek vložte ve tvaru 1,456e4. log k 0=1 log
MTE-InBoX
n x1 n x2
1−g 1 1−g 2
1,249 4,984 =1 =1,7347.10−3=1,734e-3 1−0,2 log 1−0,8 log
10/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
5. otázka (1 bod) - Rezistivita intrinzického Ge při teplotě 300 K je ρ=0,46 Ωm. Pohyblivost elektronů při této teplotě je be=0,38 m2/V.s a pohyblivost děr bp=0,18 m2/V.s. Vypočtěte intrinzickou koncentraci nosičů. Výsledek vložte ve tvaru 4,55e23. i= N i . q. bnb p i q.bn b p
N i=
pozn.: Jde o intrinsický polovodič tzn. vlastní, proto počítáme s pohyblivostí minoritních i majoritních nosičů
N i−intrinzická koncentrace nosičů[m−3 ] b p− pohyblivost děr [ m2 /V.s] b n− pohyblivost el.[m2 /V.s ] q−elementární náboj=1,602 .10−19 C −koduktivita [S /m] −rezistivita [. m]
1 1 = =2,42 .1019 m−3 =2,42e19 −19 . q.b nb p 0,46.1 ,602 .10 .0,380,18
N i=
5. otázka (1 bod) - Na počátku monokrystalu Si P typu vodivosti připraveného Czochralského metodou byla čtyřbodovou metodou při 300 K změřena resistivita ρ=0,56 Ωm. Pohyblivost elektronů při této teplotě je be=0,13 m2/V.s a pohyblivost děr bp=0,05 m2/V.s. Vypočtěte statický rozdělovací koeficient příměsi,jestliže její koncentrace v kapalné vsázce činila 2,7866.1020m-3.
k 0=
Ns Ns = =¿ N l 2,7866
...bacha na pana Vlacha .. jedná se o vodivost typu P, takže nás zajímá jen
N i=
1 1 20 −3 = =2,229356162 .10 m . q.b p 0,56 .1,602 .10−19 .0 ,05
k 0=
N s 2,229356162 = =0,8 Nl 2,7866
bp
2. otázka (1 bod) - Na počátku monokrystalu Si P typu vodivosti připraveného Czochralského metodou byla čtyřbodovou metodou při 300 K změřena resistivita ρ=0,56 Ωm. Pohyblivost elektronů při této teplotě je be=0,13 m2/V.s a pohyblivost děr bp=0,05 m2/V.s. Statický rozdělovací koeficient příměsi je 0,8. Spočítejte její koncentraci v kapalné vsázce. Výsledek vložte v m-3 ve tvaru 5,786e12. k 0=
Ns N N ⇒ N l = s = s =¿ Nl k 0 0,8
N s=
1 1 = =2,229356162 .1020 m−3 . q.b p 0,56 .1 ,602.10−19 .0 ,05 20
N l=
MTE-InBoX
2,229356162 .10 =2,786695203 .10 20 m−3=2,786e20 0,8 11/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
5. otázka (1 bod) - Stanovte pohyblivost děr v Si p-typu vodivosti s konduktivitou σ=75,29 S/m při 300 K. Koncentrace akceptorových příměsí NA=1.1022m-3.Předpokládáme, že všechny příměsi jsou při teplotě měření konduktivity (300K) plně ionizovány.Výsledek vložte v m2/(Vs)s přesností na 3 desetinná místa ve tvaru 1,456.
i =N i . q.b p i 75,29 2 −1 −1 b p= = =0,04699 m . V . s =0,046 22 −19 N i . q. 1.10 .1 ,602.10 ... nezaokrouhlovat !
6. otázka (1 bod) - Stanovte koncentraci elektronů v Si n-typu vodivosti s konduktivitou σ=22,91 S/m při 300 K. Předpokládáme, že všechny příměsi jsou při teplotě měření konduktivity (300K) plně ionizovány a pohyblivost elektronů je 0,13 m2/(Vs).Výsledek vložte v m-3 přesností na 2 desetinná místa ve tvaru 1,23E45.
i =N i . q.b n i m−3 N i= =22,91 =1,10 .1021=1,10E21 −19 q.bn 1,602.10 .0 ,13
6. otázka (1 bod) - Stanovte koncentraci děr v Si p-typu vodivosti s konduktivitou σ=88,11 S/m při 300 K. Koncentrace akceptorových příměsí NA=1.1022m-3.Předpokládáme, že všechny příměsi jsou při teplotě měření konduktivity (300K) plně ionizovány.Výsledek vložte v m2/(Vs)s přesností na 3 desetinná místa ve tvaru 1,456.
WTF? m2/(Vs) je pohyblivost přece! Omg... i =N i . q.b p i 88,11 …nebere … b p= = =0,055 22 −19 N i . q. 1.10 .1 ,602.10
MTE-InBoX
12/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
Serie otázek (6) 6. otázka (1 bod) - Konduktivitu intrinzického (s vlastní vodivostí) polovodiče σi lze (pomocí intrinzické konc. nosičů Ni, elementárního náboje q a pohyblivosti nosičů bn a bp) vyjádřit vztahem: σi=1/Ni2.q.(bn+bp) σi=Ni/q.(bn+bp)
σi=Ni.q.(bn+bp) σi=1/Ni.q.(bn + bp) 6. otázka (1 bod) - Odvoďte rozměr pohyblivosti nosičů: m/(Vs2)3
m2/(Vs) m2/(Vs2) m2/(2Vs) 6. otázka (1 bod) - Teplotní závislost pohyblivosti volných nosičů v oblasti jejich rozptylu na tepelných kmitech mřížky lze vyjádřit jako: bT = b300.(T/300)r (r je konst. pro příslušný materiál) bT = b300.(T/300)-1 bT = b300.(T/300)
bT = b300.(T/300)-r (r je konst. pro příslušný materiál) 6. otázka (1 bod) - Jednoduchý výraz pro stanovení resistivity vzorku polovodiče čtyřbodovou metodou, ρ = (U/I)2πs (s je vzdálenost hrotů), lze v použít v případě že: vzorek je homogenní vzorek je homogenní a kontakt kov polovodič je ohmický
vzorek je homogenní a tlouštka h>3s, přičemž měřené místo je vzdáleno více než 4s od kraje vzorku vzorek má konst. tlouštku a libovolný tvar 6. otázka (1 bod) - Za předpokladu,že ke stanovení resistivity (ρ) monokrystalu použijeme čtyřbodovou metodu a je splněna podmínka, že rozteč hrotů s vyhovuje podmínce h>3s, kde h je tloušťka monokrystalu,pak z proudu vzorkem I a napětí na vnitřních hrotech U vypočteme resistivitu takto: ρ = (I/U)/2s ρ = (I/U)/2πs ρ = (U/I)/2s
ρ = (U/I).2πs MTE-InBoX
13/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
6. otázka (1 bod) - Statický rozdělovací koeficient příměsi B binárního systému AB, jehož fázový diagram je zobrazen na obrázku A je (uveďte výraz pro stat. rozdělovací koeficient):
menší než 1
menší než 1
větší než 1
větší než 1 roven 1 roven 0
roven 1 roven 0
6. otázka (1 bod) - Pro teplotní závislost konduktivity intrinzického polovodiče lze použít aproximační vztah: (Eg je šířka zakázaného pásu, k je Boltzmannova konstanta a T je termodynamická teplota] : σT=σ[o].exp(-Eg/(kT)) σT=σ[o].exp(Eg/(2kT))
σT=σ[o].exp(-Eg/(2kT)) σT=σ[o].exp(-Eg
6. otázka (1 bod) - Statický rozdělovací koeficient příměsi je definován jako k0=Ns/Nl, kde Ns je koncentrace příměsi v pevné fázi, Nl je koncentrace příměsi v kapalné fázi. V případě, že k0 < 1 se budou příměsi po průchodu letmé zony : celková koncentrace v objemu krystalu se sníží jejich distribuce se nezmění
hromadit na konci krystalu hromadit na začátku krystalu
MTE-InBoX
14/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
Serie příkladů (7) II. Fickův zákon HowTo - aneb tohle má Sedláček ve slidech blbě Řešení parciální diferenciální rce 2. řádu za okrajových podmínek - viz img.,
difuzní rohraní
ns
distribuce difundujících částic po čase t
nx n0 n s=konst. n0 t=0
n s=konst. n x t0
0
x
vzdálenost
vede na: n s−n x x =erf n s−n0 2 D.t
x
, kde erf x=
2 exp − y 2 dy ∫ 0
…inteligentnější kalkulačky přechroupou ;-) n 0− počáteční rovnoměrá koncentrace difundujících častic v materiálu syceného tělesa n s−koncentrace difundujících častic na povrchu tělesa n x −koncentrace difundujících častic ve vzd. x pod povrchem v čase t erf −chybová funkce , erfc−komplementární chybová funkce aproximační vztahy pro erf 2 erf x = x ; pro x 0 −x 2 1 erf x =1− . exp x
můžeme-li n0 zanedbat, pak nx x 1− =erf ns 2 D.t
nx x =erfc ns 2 D.t
; pro x ≫1
, kde erfc x=1−erf x
A tohle se bude hodit.... teplotní závislost difuzního koeficientu D... D=D0 .exp
−Q R.T
D=D0 .exp
nebo
−E k.T
D−difuzní koeficient [m2 /s ] D0 − frekvenční faktor konstanta pro daný systém difundujících částic[ m2 /s ] Q−aktivační energie difuze [ J /mol ] E−aktivační energie difuze [ J ] R−univerzální plynová konstanta [ J / mol.K ]=8,314 k − Boltzmannova konstanta [ J / K ]=1,38 .10−23 T −termodynamická teplota [ K ] MTE-InBoX
15/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
7. otázka (1 bod) - Vypočtěte dobu sycení cementace ocelové součásti s obsahem C= 0,1%. Požadovaná koncentrace C v hloubce 0,2 cm pod povrchem je 0,45%. Cementace je prováděna z plynné atmosféry s konstantním obsahem C=1,2% při teplotě 1000°C. Aktivační energie difuze je 32900 cal/mol,D0= 0,23 cm2/s.R - 1,987 cal/mol.K. Výsledek vložte v minutách jako celé číslo.
D=D0 .exp
−Q −32900 =0,23 . exp =5,171574 .10−7 cm2 . s−1 R.T 1,987 .1000273,15
n s−n x x =erf ns −n 0 2 D.t
n 0− poč. rovn. konc. dif.č. v mat. n s−konc. dif.č. v mat. na povrchu n x −konc. dif.č. v mat. ve vzd. x pod povrchem v čase t
1,2−0,45 0,2 =erf 1,2−0,1 2 D.t
nyní nalezneme 1,2−0,45 erf −1 =erf −1 0,68182 1,2−0,1
erf x =
2 x
0,2 2 D.t 0,2 2 D.t ≈ 0,71 0,2 D.t ≈ 0,71 .2
0,71≈
; pro x 0
0,2 D.t≈ 0,71 .2
2 x=0,68182 ≈0,6 x=0,68182 2 kalkulačka vyplivla 0,71
2
1 0,2 t≈ −7 5,171574 .10 0,71 .2
2
t≈38358,41 s≈639 min
! vzhledem k tomu, že Sedláček má toto blbě ve slidech, jeho výsledky v
testu se liší … a proto vám tyto příklady bude hlásit (test a asi i Sedláček :) jako chybné … kdo nevěří, ať tam běží – podívejte se do skript: http://volt.feld.cvut.cz/vyuka/MTE/skripta/VTM - kapitola 1.pdf
7. otázka (1 bod) - Vypočtěte dobu sycení cementace ocelové součásti s obsahem C= 0,1%. Požadovaná koncentrace C v hloubce 0,2 cm pod povrchem je 0,45%. Cementace je prováděna z plynné atmosféry s konstantním obsahem C=1,2% při teplotě 900°C.Aktivační energie difuze je 32900 cal/mol,D0= 0,23 cm2/s.R - 1,987 cal/mol.K. Výsledek vložte v hodinách s přesností na jedno desetinné místo (např.12,1). 7. otázka (1 bod) - Při sycení Fe uhlíkem z plynné atmosféry o ef. koncentraci (konst.) 1% se ve vzdálenosti 0,1 mm pod povrchem vzorku vytvořila koncentrace uhlíku 0,8%. Počáteční koncentrace C v Fe je 0,1%. Stanovte dobu difuze pro dané okrajové podmínky, Q=137 kJ/mol, T= 1200 K, D0=0,12 cm2/s.Výsledek vložte v sekundách jako celé číslo.
...tato zadání se mnohorát opakují pro různé hodnoty a jednotky energie... MTE-InBoX
16/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
7. otázka (1 bod) - Stanovte hloubku přchodu PN v Si desce N typu vodivosti s koncentrací donoru N(D)= 5 E+16 m-3, zhotoveného difuzí B. Difuzant je veden do reaktoru v plynné fázi s konstantní koncentrací Ns=2 E+18 m-3. Difuze probíhá při teplotě 1260 °C po dobu 7200 s. Aktivační energie difuze je 5,91 E-19 J a frekvenční faktor D0= 1,05 E-3 m2/s. Výsledek vložte v mikrometrech s přesností na 2 desetinná místa (např. 45,77).
D=D0 .exp
n s−n x x =erf n s−n0 2 D.t
n 0 nás nepálí
⇒ 1− 1−
nyní nalezneme 5.1016 erf −1 1− =erf −1 0,975 18 2.10
x
2 erf fň =inv exp− y 2 dy ∫ 0 ...prostě za x sázejte než se strefíte kalkulačka vyplivla ~1,6
nx x =erf ns 2 D.t
5.1016 x =erf 18 2.10 2 7,760135533 .10−16 .7200
1,6≈ −1
−19
−E −5,91 .10 =1,05.10−3 . exp =7,760135533.10−16 m2 s−1 −23 k.T 1,38 .10 . 1260273,15
x 2 7,760135533 .10−16 .7200
x≈1,6. 2 7,760135533.10−16 .7200 x≈7,563988846 .10−6≈7,56 m
PS: U zk bude k dispozici tabulka hodnot erf(), takže nemusíte tolik kejklit.
7. otázka (1 bod) - Stanovte hodnotu difuzního koeficientu pro teplotu 1200 K, je-li aktivační energie difuze 137kJ/mol a frekvenční faktor D0= 0,12 cm2/s. D=D0 .exp
−Q −137.103 =0,12 .10−4 . exp =1,3047 .10−11 m2 s−1=1,30e-11 R.T 8,314 .1200
7. otázka (1 bod) - Stanovte hloubku přechodu PN, jestliže byl identifikován na šikmém výbrusu (úhel zbroušení α = 5° ) přechodu ve vzdálenosti 740µm od hrany výbrusu. h−hloubka −úhel zbroušení l−vzdálenost od hrany výbrusu
h=tg . l h=tg 5.740=64,495 m ... vysledek je potřeba zadat ve tvaru 64,95e-6
MTE-InBoX
17/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
Serie otázek (8)
8. otázka (1 bod) - 1.Fickův zákon popisující difuzní tok částic při zanedbání vnějších sil lze popsat vztahem (N je koncentrace difundujících částic,D je difuzní koeficient): J=-div N J=D.div N
J= -D.grad N J=D.grad N 8. otázka (1 bod) - Distribuci koncentrace difundujících částic v polonekonečném prostoru v závislosti na době t difuze (za podmínky, že difuzní zdroj ma konstantní, časově nezávislou hodnotu koncentrace N0 a počáteční koncentrace difuzantu v prostředí N(x,0) je nulová) lze vyjářit následovně: N(x,t) = N0 erf(x/2 (Dt)1/2),kde erf je chybová funkce N(x,t) = N0 exp(-x/2 (Dt)1/2), kde exp je exponenciální funkce N(x,t) = N0 exp(x/2 (Dt)1/2), kde exp je exponenciální funkce
N(x,t) = N0 erfc(x/2 (Dt)1/2), kde erfc je komplementární chybová funkce 8. otázka (1 bod) - Teplotní závislost difuzního koeficientu D lze vyjádřit vztahem (W(J) resp Q(J/mol) je aktivační energie difuze, D0 frekvenční faktor (m2/s), k je Boltzmannova konstanta a T je termodynamická teplota (K) : D = D0.exp (-Q/(k.T))
D = D0.exp (-W/(k.T)) D = D0.exp (Q/(R.T)) D = D0.exp (W/(k.T)) 8. otázka (1 bod) - 2.Fickův zákon lze (při zanedbání vnějších sil) popsat následujícím vztahem (N je koncentrace difundujících částic, D je difuzní koeficient, t je čas, x je vzdálenost): dN/dt =-rot.(D grad N) dN/dt =-div.(D grad N)
dN/dt = div.(D grad N) dN/dt = rot.(D grad N) MTE-InBoX
18/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
8. otázka (1 bod) - Difuzní koeficient má rozměr:
m2/s m 2s 1/m2s2 1/m2/s
8. otázka (1 bod) - Difuzní tok ve smyslu definice 1.Fickova zákona má rozměr: m3/s m2/s
1/(m2.s) m/s
8. otázka (1 bod) - V oblasti přechodu PN se resistivita polovodičového materiálu prudce zvyšuje v důsledku: vysoké koncentraci nosičů v oblasti přechodu vysoké pohyblivosti nosičů v oblasti přechodu
kompenzace donorů a akceptorů nízké pohyblivosti nosičů v oblasti přechodu
MTE-InBoX
19/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
Serie otázek (9) 9. otázka (1 bod) - Kondenzátorová keramika I.typu vykazuje: (P je vektor dielektrické polarizace, E je vektor intenzity el. pole, T je termodynamická teplota, αC je teplot. souč. kapacity ) nelineární závislost P = f(E) a vysokou objemovou kapacitu nelineární závislost P = f(E),
lineární závislost P = f(E), nelineární závislost αC = f(T), 9. otázka (1 bod) - Výchozí surovinou pro přípravu kondenzátorové keramiky I. typu je: sloučenina BaTiO3 Al2O3 (korund) tuhý roztok BaTiO3 a jiných oxidů(Ca,Sr,.)
TiO2 (rutil) 9. otázka (1 bod) - Kondenzátorová keramika I.typu je charakteristická: vysokým tgδ(5E-3 až 75E-3) a εr(až 50000),εr=f(E), nelineární teplotní charakteristikou elektrických parametrů, vysokou objemovou kapacitou (C/m3) nízkým tgδ,vysokou εr(až 5.E4),nezávislou na napětí, má definovaný teplotní koeficient kapacity vysokým tgδ (5E-3 až 75E-3) a vysokou εr (až 50000), εr=f(E),nelineární teplotní charakteristikou elektrických parametrů
nízkým tgδ a ε r (max.470), nezávislou na napětí, má definovaný teplotní koeficient kapacity 9. otázka (1 bod) - Normou stanovený teplotní interval pro stanovení teplotního součinitele kapacity kond. keramiky I.typu je: -15°C až +85°C -5°C až +100°C -5°C až +85°C
-5°C až +85°C ….a teď babo raď …ale...d) to bere... MTE-InBoX
20/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
9. otázka (1 bod) - Výchozí surovinou pro přípravu kondenzátorové keramiky
II. typu je:
TiO2 (rutil) sloučenina BaTiO3 Al2O3 (korund)
tuhý roztok BaTiO3 a jiných oxidů 9. otázka (1 bod) - Kondenzátorová keramika II.typu je charakteristická: nízkým tgδ,vysokou εr (až 50000), stabilní elektrické parametry nezávislé na napětí, má definovaný teplotní koeficient kapacity
vysokým tgδ (5E-3 až 75E-3),εr (až 50000),εr=f(E), nelineární teplotní charakteristikou elektrických parametrů nízkým tgδ,vysokým εr (až 50000), stabilitou elektrických parametrů nezávislých na napětí, má definovaný teplotní koeficient kapacity nízkým tgδ a εr (max.470), stab.el. parametrů nezáv.na napětí,má def. teplotní koef. kapacity
9. otázka (1 bod) - Kondenzátorová keramika III.typu je charakteristická: nízkým tgδ,vysokou εr(až50000),stab. el. param. nezávislou na napětí, má def. teplot. koef. C
vysokým tgδ (5E-3 až 75E-3), εr(až 50000),εr=f(E), nelineární teplotní charakteristikou elektrických parametrů, vysokou objemovou kapacitou C/m3 nízkým tgδ,vysokou εr(až50000), stabilní elektrické parametry nezávislé na napětí, má definovaný teplotní koeficient kapacity nízkým tgδ a εr(max.470), stabilní elektrické parametry nezávislé na napětí, má definovaný teplotní koeficient kapacity
9. otázka (1 bod) - Kondenzátorová keramika III. typu má tyto vlastnosti:(P je vektor dielektrické polarizace, E je vektor intenzity el. pole, T je termodynamická teplota, αC je tepl. souč. kapacity ) lineární závislost P = f(E), nelineární závislost P = f(E),
nelineární závislost P = f(E),a vysokou objemovou kapacitu lineární závislost αC = f(T),
MTE-InBoX
21/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
9. otázka (1 bod) - Teplotní koecifient kapacity αC je definován: (dC je diferenciál kapacity, dT je diferenciál teploty, C je kapacita):
αC=(dC/dT)1/C αC=1/C.(dT/dC) αC=1/C.(dT2/dC) αC=C.dC/dT
9. otázka (1 bod) - Ztrátový činitel dielektrika tgδ lze pomocí složek komplexní permitivity a při uvážení jeho konduktivity σ ( je úhlový kmitočet) vyjádřit vztahem:
tgδ=(ε''/ε')+(σ/ε0. ω ) Tenhle vztah se naučte k ústní se všim všudy, i jednotky … Sedláček je na něj nadrženej
tgδ=(ε''/ε')+(σ. ω /ε0) tgδ=(ε'/ε'')+(σ. ω /ε0).2 tgδ=(ε'/ε'')+(σ/ε0. ω)
9. otázka (1 bod) - Mezi feroelektrické materiály zahrnujeme kondenzátorovou keramiku: pouze III. typu
II. a III. typu pouze I. typu pouze II. typu
MTE-InBoX
22/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
Serie otázek (10)
10. otázka (1 bod) - Pozitivní teplotní koeficient polymerního kompozitu je zapříčiněn zejména: vzrůstem pohyblivosti vodivostních elektronů generací vodivostních elektronů elektron-fononovou interakcí
destrukcí grafitické sítě v polymerní matrici
10. otázka (1 bod) - Elektronová struktura polymeru s příměsí se vyznačuje: pásovým diagramem obdobného charakteru jako u kovů diskrétními hladinami energie
pásovým diagramem obdobného charakteru jako u polovodičů silnou delokalizací elektronů v konjugovaných systémech
10. otázka (1 bod) - Teplotní závislost resistivity polymerního kompozitu polyetylen - saze: je konstantní
je monotonní závislostí s kladnou derivací vykazuje při překročení perkolačního prahu lokální extrém vykazuje negativní teplotní koeficient
10. otázka (1 bod) - Polymerní kompozit polyetylen-saze dosahuje ve srovnání s kovovými materiály hodnoty koeficientu αR: nejméně o tři řády nižší stejný
nejméně o dva řády vyšší nejméně o dva řády nižší
MTE-InBoX
23/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
10. otázka (1 bod) - Perkolační práh polymerního kompozitu definuje: teplotní mez při jejímž překročení dojde k narušení vodivé grafitické sítě kompozitu procentuální objem sazí při jehož překročení dojde k strmému nárustu vnitřní resistivity kompozitu
procentuální objem sazí při jehož překročení dojde k strmému nárustu vnitřní konduktivity kompozitu teplotní mez do níž lze kompozit technicky používat
10. otázka (1 bod) - Resistivita polymerního kompozitu polyetylen - saze s rostoucím podílem sazí: lineárně roste v závislosti na klesajícím obsahu sazí lineárně klesá v závislosti na rostoucím obsahu sazí
strmě klesá po překročení tzv. perkolačního prahu klesá exponenciálně s danou aktivační energií
10. otázka (1 bod) - Regresní přímka změřené teplotní závislosti odporu polymerního kompozitu polyetylen-saze je dána RT= 18,545.T + 1261,7. Stanovte hodnotu αR. Výsledek vložte 1/K s přesností na dvě desetinná místa ve tvaru 4,56e3. R=
1 dR 1 d 18,545 .T 1261,7 1 = = .18 ,545=14,69 .10−3 K −1=1,46e-2 R0 dT 1261,7 dT 1261,7
10. otázka (1 bod) - Stanovte teplotní koeficient odporu polymerního kompozitu z následujících bodů teplotní závislosti R=f(T), R(23,8 °C)=1647 Ω a R(42,4 °C)=2074 Ω. =
R−R 0 2074−1647 = =0,01393866985 K −1 ⇒0,013 nebere....0 ,0139 nebere R0 − 0 1647 42,4−23,8 ...ale je to dobře!
10. otázka (1 bod) - Konduktivita polymeru s vlastní vodivostí jako např. polytiofen, polyacetylen a pod., dosahuje hodnoty (výsledek vložte v S/m):
1e-8
MTE-InBoX
...tak tohle byla slušná tipovačka :)
24/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
Serie otázek (11) 11. otázka (1 bod) - Magneticky měkké ferity mají obecný chemický vzorec: Fe2O3
MeO.Fe2O3 (Me je dvojmocný kov) MeO.6Fe2O3 (Me je dvojmocný kov) MeO.FeO (Me je dvojmocný kov) 11. otázka (1 bod) - Curieova teplota feritů charakterizuje: teplotu přechodu materiálu z ferimagnetického do diamagnetického stavu
teplotu přechodu materiálu z ferimagnetického do paramagnetického stavu teplotu přechodu materiálu z feromagnetického do diamagnetického stavu teplotu přechodu materiálu z feromagnetického do paramagnetického stavu 11. otázka (1 bod) - Počáteční permeabilita feritu je určena jako: permeabilita měřená těsně nad Curieovou teplotou permeabilita meřená v okamžiku vzniku spontánní, magnetizace, tj. těsně pod Curieovou teplotou permeabilita měřená ihned po provedení stabilizačního žíhání
Směrnice tečny ke křivce prvotní magnetizace v bodě H=0, B=0 11. otázka (1 bod) - U směsných feritů se ve srovnání s původním ferimagnetickým materiálem Curieova teplota s přídavkem příměsí: prudce stoupá
snižuje zvyšuje nemění 11. otázka (1 bod) - Podmínkou existence vysoké permeability magnetických materiálů je zejména: nízká resistivita materiálu vysoká hodnota součinitele magnetostrikce a konstanty magnetické krystalové anizotropie vysoká resistivita materiálu
malá napětová a krystalová anizotropie MTE-InBoX
25/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
11. otázka (1 bod) - Hexaferity MO.(Fe2O3)6, (kde M je Ba,Sr,Pb..} se v aplikacích používají převážně jako: magneticky tvrdé materiály pro záznam informací
magneticky tvrdé materiály pro trvalé magnety magneticky měkké materiály pro točivé stroje magneticky měkké materiály pro transformátory 11. otázka (1 bod) - V oblasti nízkých kmitočtů (50 Hz) se téměř nepoužívají ferimagnetické materiály, protože ve srovnání s materiály feromagnetickými mají: nízké ztráty vířivými proudy nízkou resistivitu
nízkou hodnotu nasycené indukce vysokou resistivitu 11. otázka (1 bod) - Pracovní teplota feritů je definována:
teplotou při které permeabilita dosáhne poloviny hodnoty při 20 °C teplotou uvedenou v katalogovém listu teplotou při které permeabilita dosáhne dvojnásobku hodnoty při 20 °C teplotou počátku poklesu permeability feritu 11. otázka (1 bod) - Počáteční permeabilitu feritu spočteme podle následujícího vztahu (L(H) je indukčnost,lsmje střední délka závitu, S(m2) je průřez jádra a N je počet závitů cívky: µr poč = L.ls2/S.N2 µr poč = L.ls/µ0.S.N µr poč = L.ls/µ0.S2.N
µr poč = L.ls/µ0.S.N2 11. otázka (1 bod) - Feritové materiály typu MeO.Fe2O3 mají strukturu: sfaleritu
spinelu wurtzitu diamantu 11. otázka (1 bod) - Feritové materiály dosahují v oblasti středních a vysokých frekvencí (do 1GHz) velmi nízkých ztrát z důvodů jejich resistivity, která dosahuje hodnoty (výsledek vložte v Ωm):
1e5 MTE-InBoX
(100000)
26/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
Seznam otázek k ústní (1) ….statisticky vzato, je zde 99% všech otázek.... 1. otázka (0 bodů) - Technologie zobrazovacích prvků na bázi LCD. Materiály LCD. Kapalné krystaly nematické, smektické, cholesterické. 1. otázka (0 bodů) - Technologie zobrazovacích prvků na bázi LCD. Funkce a principiální uspořádaní zobrazovacího prvku. 1. otázka (0 bodů) - Technologie materiálů pro optoelektroniku. Technologie LED a LD, vlnová délka emitovaného záření, mřížkové přizpůsobení OE struktur. 1. otázka (0 bodů) - Technologie materiálů pro optoelektroniku.Technologie výroby optického vlákna. Technologie detektorů optického záření. 1. otázka (0 bodů) - Technologie materiálů pro optoelektroniku. Materiálové složení optických vlnovodů pro dálkové telekomunikace, vlnovodů na bázi skla, polymerů a PCS vlnovodů. Typy ztrát v optických vláknech. 1. otázka (0 bodů) - Technologie zobrazovacích prvků na bázi LCD. Funkce a principiální uspořádání barevného TFT displeje.
1. otázka (0 bodů) - Technologie magnetik.Technologie výroby magneticky tvrdých ocelí, ALNICO, slitin s kovy vzácných zemin. 1. otázka (0 bodů) - Technologie magnetik. Technologie výroby magneticky měkkých feritů. 1. otázka (0 bodů) - Technologie magnetik. Technologie výroby magneticky měkkých ocelí, význam křemíku, vznik Gossovy a kubické textury.
1. otázka (0 bodů) - Solidifikace. Definice, sloučenina, roztok, směs. Fázové diagramy, jednosložkový, binární, kvarterní. 1. otázka (0 bodů) - Solidifikace.Změna objemu, entalpie, entropie při fázové přeměně. Velikost kritického zárodku.Kritické podchlazení. 1. otázka (0 bodů) - Solidifikace.Homogenní a heterogenní nukleace. Planární a dendridický růst. 1. otázka (0 bodů) - Solidifikace. Precipitace. Aplikace FD Pb-Sn, Al-Si.
MTE-InBoX
27/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
1. otázka (0 bodů) - Stárnutí materiálu. Podmínky elektrochemické koroze. Podstata a příklady katodické a anodické ochrany. 1. otázka (0 bodů) - Stárnutí materiálu.Elektromigrace. Podstata stárnutí rozhraní Si-Al. 1. otázka (0 bodů) - Stárnutí materiálu. Oxidace kovu, podmínka vzniku kompaktní a porézní oxidické vrstvy, princip pasivace povrchu. 1. otázka (0 bodů) - Stárnutí materiálu.Podstata vodíkové koroze mědi a ocelí. Termooxidační stárnutí polymerů.
1. otázka (0 bodů) - Difúze. Podmínky a hnací síla difúze, molekulární mechanismy difúze, frekvence a aktivační energie přeskoků atomů. 1. otázka (0 bodů) - Difúze. 1. Fickův zákon, teplotní závislost difúzního koeficientu. Aplikační oblasti difuze. 1. otázka (0 bodů) - Difúze. 2. Fickův zákon, řešení 2.Fickova zákona pro difúzi do polonekonečného prostoru. Aplikační oblasti difuze.
1. otázka (0 bodů) - Vrstvy.Princip vakuového napařování. 1. otázka (0 bodů) - Vrstvy. Definice tenké a tlusté vrstvy. Podmínky vzniku amorfní, polykrystalické, monokrystalické a epitaxní vrstvy. Stadia růstu vrstev. Epitaxe.Kapalá epitaxe. 1. otázka (0 bodů) - Vrstvy.Princip vakuového naprašování. Reaktivní, vf a magnetronové naprašování. 1. otázka (0 bodů) - Vrstvy.CVD metody, aplikace silanů. Dotování vrstev. MO CVD. Molekulární svazková epitaxe.
1. otázka (0 bodů) - Technologie výroby tlustých vrstev. Morfologie vrstev. Plošný odpor vrstev. 1. otázka (0 bodů) - Technologie výroby tlustých vrstev.Pasty pro pájení. 1. otázka (0 bodů) - Technologie výroby tlustých vrstev.Dielektrické a izolační pasty. 1. otázka (0 bodů) - Technologie výroby tlustých vrstev. Sítotisk, tixotropní chování pasty, složení pasty pro tlustovrstvé vodiče a odpory.
MTE-InBoX
28/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
1. otázka (0 bodů) - Spojování materiálů. Svařování: základní metody, struktura svaru, svařování hliníku. 1. otázka (0 bodů) - Spojování materiálů.Pájky a tavidla, bezolovnaté pájky.Teplotní diagram pájecího procesu. 1. otázka (0 bodů) - Spojování materiálů.Pájení vlnou. Reflow –proces. Pájení v parách. 1. otázka (0 bodů) - Spojování materiálů.Termokomprese (wire-bonding). Lepené spoje.
1. otázka (0 bodů) - Technologie materiálů pro supravodiče. Postup výroby vláknového supravodiče Nb3Sn. Zpracování keramických supravodičů. 1. otázka (0 bodů) - Technologie materiálů pro supravodiče. Materiály a typy supravodičů. Stabilizace supravodivého stavu (j-B-T diagram). 1. otázka (0 bodů) - Technologie materiálů pro supravodiče. Výroba planárních supravodičů Nb3Sn difúzní a CVD technologií. 1. otázka (0 bodů) - Technologie materiálů pro supravodiče. Materiály a typy supravodičů. Stabilizace supravodivého stavu (j-B-T diagram).
1. otázka (0 bodů) - Technologie materiálů pro polovodiče.MOS technologie. 1. otázka (0 bodů) - Technologie materiálů pro polovodiče. Vytváření P a N typu vodivosti v křemíku epitaxí, difúzní technologií a iontovou implantací. 1. otázka (0 bodů) - Technologie materiálů pro polovodiče. Bipolární technologie.
1. otázka (0 bodů) - Technologie materiálů pro kondenzátory.Keramická dielektrika. Piezoelektrika na bázi BaTiO3. 1. otázka (0 bodů) - Technologie materiálů pro kondenzátory.Polymerní dielektrika.
1. otázka (0 bodů) - Technologie materiálů pro převodníky a aktuátory. PZT keramiky. Zpracování PZT keramiky pro převodníky. Senzory a aktuátory. 1. otázka (0 bodů) - Technologie plošných spojů, volba materiálu. Povrchová montáž. 1. otázka (0 bodů) - Technologie pouzdření integrovaných obvodů.Základní typy pouzder. 1. otázka (0 bodů) - Technologie kontaktů a spojů. Porovnání spojů rozebiratelných a metalurgických. Volba materiálu kontaktů. Mechanismy znečištění kontaktů.
MTE-InBoX
29/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
1. otázka (0 bodů) - Krystalizační metody.Pásmová rafinace, podmínky pro aplikaci letmé zóny. Porovnání metod CZ a LZ, koncentrační profily. 1. otázka (0 bodů) - Krystalizační metody. Usměrněná krystalizace. Segregace, statický a efektivní rozdělovací koeficient. Aplikace Czochralského metody pro růst krystalů polovodičů, LEC.
To je vše. (Zbývající kus papíru můžete uplatnit na místě, kde se nejlépe přemýšlí.)
MTE-InBoX
30/30
22-02-2007 QWY pr_v1.1f
