80
KONSTRUKSI DAN un KARAKTERISTIK SISTEM RFSPUTTERING UNTUK PREPARASI LAPISAN TIPIS Trimardji Atmono, Widdi Usada,Suryadi, Agus Purwadi P3TM-BATAN.Kotak Pos1008. Yogyakarta55010
ABSTRAK KONSTRVKS/DAN VJ/ KARAKTER/ST/KS/STEMRF-SPUTTER/NGVNTVK PREPARAS/LAP/SAN T/P/S.TelahberhasildibuatsuatusistemRF-Sputteringyang bekerjapadafrekuensi/3,56 MHz. Komponen utama dari sistem ini, RF-generatordon matchbox.adalah buatan komersial Fa. Hut/inger-Germany. Dengan menggunakankombinasipompa rotary don pompa turbo, serra denganpengetahuanteknologi vakum,bisa dicapai tekanan10-7mbar,sehinggabisa diperolehthin films denganimpurity rendah.Sistem targetyang dibuat "match"dengangeneratordan menggunakan pendinginair memungkinkan preparasi thin films dari berbagaimaterial target,baik konduktormaupunisolator.Parameteryang sangatpenting adalah teganganDC-selfbias yang timbulpada katoda.Padasistemyang telahdibuat ini berhasildicapai tegangan DC-self Vsbbias sampaidengan-2000 f-: Dilakukanpengukuranteganganself bias sebagaifungsi tekanan Argon pada berbagai daya. Pada daya tetapdiperolehpenurunanVsb. menyerupailinier dengansudut kemiringankecil hila tekanandiperbesar.Teganganini akan naik denganbertambahnyadaya generator, besarnyadisesuaikandenganjenis materialtarget.
ABSTRACT CONSTRUCTION AND CHARACTERlZ4TION OF RF-SPUTTERING SYSTEM FOR THE PREPARATION OF THIN fiLMS. The construction and characterization ofsputtering-system which is operated at frequency of 13.56 MHz has been done successfully. The main components of this system are RF-Generator and Matchbox. Using the combination of rotary and turbo pumps and also using the knowledge of the vacuumtechnology, we get the pressure of10-7 moor, low impurity thin films can be produced. Target-system is made in proper condition with the generator and byflowing water for cooling the target, so it is possible to sputter the particles from all kinds of target, conductor as well as isolator. The DC-self bias which is created in the cathode is very important parameter. The DC-selfbias of2 kV is acheived by this RF-Sputtering system. The measurement of the potential se/fbias as function of the argon-pressure with the variation of RF-power is carried out. When the power is keep constant, the DC-self bias is decreased by the increasing of argon pressure (almost linear with small tangential angle). On the other hand, this potential increases with increasing the power of the generator, corresponding to the kind ofmaterial-target
PENDAHULUAN
isolator.
S Puttering pada zat padat dengan cara
ProsesRF-sputteringadalah sangatterkenal daDcepatberkembangkarenasifatnya yang sangat tleksibel. Dari targetyang bersifatkonduktor, semi konduktor bahkan isolator memungkinkanorang membuat lapisan tipis yang komplex dengan menggunakan satuataubeberapamacamgasreaktif
penembakanion-ion atau atom-atomtelah lama teramati pada eksperimenpertamaglow-discharge dalam bentuk erosi dari permukaankatoda /1/. Semua bentuk discharge baik buatan manusia maupun alamiah selalu berhubunganerat dengan timbulnya plasma. Barn pada akhir tabun limapuluhan ditemukan perkembanganbarn bahwa sputteringtersebutdapatditerapkanuntuk pelapisan dan modifikasi permukaan bahan serta untuk memperolehmaterialbarn danjuga thin films yang berbedasifatnyadenganmaterialkatoda/21. Sistem peralatan sputtering yang pertama bekerja berdasarkan prinsip diode dan dengan menggunakan tegangan searah (DC-diode). Beberapa tabun kemudian diperkenalkan sistem sputtering yang juga berdasarkanprinsip diode tetapi dengan menggunakantegangan frekuensi tinggi 13,56 MHz. (RF-diode) /3/. Dengan menggunakan frekuensi radio ini, orang bisa membuat lapisan tipis teristimewa dari material
(umpama Nitrogen) daD dengan persyaratan lain
Garakelektroda,teganganbias, tekanansputtergas
dll.). Pembuatan lapisan di alas substrat mempunyai/berdasarkanbemacam-macamtujuan pada aplikasinya antara lain: Lapisan tipis daTi logam (pelapisan plastik daTi logam, pelapisan kertas dan plastikfoil), lapisan tipis bahan ker~ untuk peralatanrumah tangga, pertanian, lapisan tipis denganefek optik (cermin, filter jendela dll), thin films untuk datastorage,lapisantipis sel surra dll. Pada pelapisan di alas permukaan plastik diinginkanefek optik yang sesuaidengansifat-sifat logamyang melapisi. Juga imitasi daTilogam atau pembuatanmanipulasi daTi berbagai corak wama.
Pembuatan imitasi dengan permukaan emas merupakan hal yang istimewa/banyak dilakukan. Hal ini bisa direalisasi dengan metode sputtering menggunakan target kuningan dengan komposisi yang sesuai. Permukaan logam yang lembek kemudian dilapisi dengan bahan yang transparan. Tujuan dari cara ini adalah untuk memperoleh emas tiruan pada keseluruhan permukaan. Oleh karena tidak ada batasan material target(isolator/konduktor) maka bermacam-macam lapisan dekoratif memungkinkan untuk dibuat dengan metode RF-
katoda dengan tenaga yang mencukupi agar berlangsungproses sputtering,yaitu "melepaskan" atom-atomtargetdari katoda.
sputtering. Di dalam makalah ini dibahas pembuatan sistem RF-sputtering untuk tujuan preparasi thin films, parameter yang terlibat pada proses sputtering terutama tegangan self-bias, beserta teori yang mendasari proses preparasi lapisan tip is pada frekuensi radio.
TEORI Fase keempat dari materi, yaitu plasma, memegang reran sangat renting pada pembentukan lapisan tipis melalui metode sputtering. Pengertian secara umum plasma merupakan campuran dari tiga komponen yaitu elektron-elektron bebas, ion-ion positif clan atom-atom netral atau molekul-molekul. Jumlah muatan-muatan positif clan negatif adalah sarna, berarti plasma secara keseluruhan adalah netral. Meskipun demikian ditinjau secara mikroskopis bisa timbul medan listrik. Tenaga yang dimiliki plasma merupakan penjumlahan tenaga kinetik dari partikel-partikel bermuatan clan tenaga elektrostatik akibat dari interaksi diantara partikelpartikel bermuatantersebut. Proses sputtering bermula dari terjadinya ionisasi gas (biasanya digunakan Argon, Helium atau gas mulia lainnya) dengan tekanan par~ial di dalam tabung plasma kira-kira 10-3mbar. Sputtering dengan menggunakan RF-glow discharge bekerja berdasarkan prinsip bahwa elektroda-elektroda kapasitif yang terkopel dengan plasma bermuatan negatifterhadap plasma. Plasma yang terbentuk dinamakan plasma
tekanan rendah, karena tekanan dalam tabung plasma lebih kecil dari 0.1 mbar. Apabila kita menghubungkan target yang terisolasi oleh sebuah kondensator dengan sumber RF yang frekuensinya tinggi (biasanya 13,6 MHz) maka ion-ion tidak bisa mengikuti variasi tegangan clan lebih banyak elektron-elektron akan mencapai target (pada setengahgelombang negatit) dari pada ion-ion pada setengah gelombang positif. Dengan demikian akan timbul tegangan negatif self-bias pada target yang besarnya bisa mencapai -2 kV (gambar I). Tegangan searah ini berfungsi untuk mempercepat ion-ion sputtergas agar menumbuk
Gambar I : Karakter yang harus dimiliki oleh RFSputtering, yaitu tegangan bias yang timbul pada katoda. Apabila di dalam plasma kita pasang elektroda dari logam atau substrat dengan penahan dari logam yang dihubungkan dengan ground, maka arus elektron akan mengalir melewatinya daD menuju ground (selama setengab perioda). Ion-ion positip "melihat" hanya tegangan negatif pada target daD menembakinya (dengan tenaga dalam orde beberapa ratus eV) selama proses berlangsung secara kontinyu. Atom-atom target (dengan tenaga ikat lebih kecil dari 10 eV) yang terpental memiliki tenaga kinetik daD bergerak secara statistik ke segala arab. Mereka juga mencapai substrat daD membentuk lapisan tipis. Hal tersebut merupakan prinsip dari RF-sputtering daD dengan proses ini thin-fi/m dari segala bentuk material bisa dihasilkan/dibuat. Kita juga bisa memasang tegangannegatif pada substrat sehingga lapisan tipis yang sedang tumbuh ditembaki oleh ion-ion Argon. Dengan cara ini maka morphologi dari thin-film bisa dimanipulasi (umpama timbulnya magnetik anisotropie pada FeTb). Akhimya orang bisa memasang tegangan yang terbalik, dimana target terhubung dengan ground daD daerab di sekitar substrat diberikan tegangan RF. Cara ini dipergunakan dengan tujuan sputtercleaning pada substrat sehingga memperbesar daya tempel thinfilm pada substrat. Sedangkan dengan menggunakan DC-sputtering proses tersebut tidak bisa berjalan untuk target yang bersifat isolator. Ditinjau plasma tekanan rendab berada dalam kontak dengan 2 elektroda planar dari baban metal (katoda daD anoda). Kerapatan berkisar kira-kira IOIO/cm3,tenaga kinetik rata-rata 3/2 kT jauh lebih besar daripada tenaga interal'3i antar partikel, sehingga tenaga interaksi (elektrostatik) ini bisa diabaikan dibanding tenaga kinetik. Akibatnya adalab babwa partikel plasma bisa dipandang sebagai gas ideal yang mengikuti distribusi Maxwell-Boltzmann. Bila perbedaan tegangan antara plasma daD elektroda negativ adalab sebesar
Pro.viding Pertemuan don Presentasi llmiah P3TM-BATAN. Yogyakarta 14 -15 Ju/i /999
.Buku I
82
Us, maka akan terbentuk lapisan muatan positiv disekitar permukaanelektroda dengan kerapatan diberikanolehpersamaanChild-Langmuir/3/:
d- { 4 --s
( 2Iel 0 0 -
T AT A KERJA DAN PERCOBAAN
)J i ..i !2 j -2U-'
,.
M;
11. Besarnyaalirangasyangmenujutabungplasma 12. Carapembersihan substrat
dengan Mj adalah berat atom sputtergas dan ji arus ion jenuh. Lapisan ini dikenal sebagai ruang gelap katoda. Ruang di antara plasma dengan ruang gelap tsb. terdapat daerah quasinetral, dimana terjadi penurunan potensial sebesar:
kT i\U="2"j";"i
Komponen vital daTi sistem RF-Sputtering adalah Generator (menggunakanarus 3 phase), Matchbox clan sistem target yang meghasilkan impedansi plasma yang tepat. Dipergunakan pembangkitosilatorpada frekuensi13,56 MHz type HUttinger600 PFG besertaHUttingerPFM 1500 A sebagai matchbox. Daya maksimal yang bisa dihasilkanadalahsebesar600 W. Sistemtargetyang harns match dengan generator bertujuan untuk menghasilkandaya maksimalkepadaplasma,daya refleksi = O. BaganselengkapnyadaTisistemRFsputteringditunjukkanpadagambar1.
Sehingga akan terjadi penurunan kerapatan ion sebesar n° yang bisa dihitung daTi distribusi MB menghasilkan : j
n '=nl el-2~ _O.6n
Sehingga besarnya arus jenuh elektron diberikanoleh Gambar 2 Dengan
demikian
tenaga
ion
yang
menumbukkatodaadalahsebesar lelu..+leIAU=lelu..+
-kTe 21el
Oleh tumbukan ion-ion, maka partikelpartikel katoda akan "tersputter" keluar. Tenaga kinetik partikel tsb, yang merupakanselisih tenaga ion dengantenaga ikat atom dalam target, akan memungkinkanpartikel terhambur,sebagianbesar menujusubstratuntukmembentukthin films. RF-sputteringclanjuga lapisantipis yang dihasilkan sangatdipengaruhiolehbanyakparameter,yaitu : 1. Dayagenerator 2. Teganganself-bias 3. FrekuensidaTimedanelektromagnetik 4. Jarakantaraelektroda 5. Perbandinganluas elektroda 6. Kekuatan medan magnet luar terutamauntuk magentikthin films 7. Posisisubstratdalamplasma-chamber 8. Suhusubstrat 9. Tekanangas (Argon, Helium, Kripton, Nitrogen dU.) 10. TekananparsiildaTimasing-masing gas
Blok sistem RF-Sputtering untuk preparasithin films
DengankombinasipompaRotary clanTurbo berhasildicapai vakum 10-7mbar, denganharapan diperolehthin films denganimpurity rendah.Derajat kevakuman
diukur
dengan
High-pressure
Messrl)hrenIMR-300 clan Pirani-MeBrl)hrenTPR 010. Pompa turbo dari Pfeiffer langsung digantungkan di bawah sputter-chamberdengan menggunakan O-ring clanklem dari bahanSS,agar effektif menghampakan chamber..Sebagaipengatur laju gas dipergunakan ventil Balzers yang memungkinkanpengaturandosis Sputtergas.Sistem target sebanyak2 buah dibuat permanendibawah untuk memberikankemudahanpembuatanmosaiktarget disamping kemudahanpengaturan sistem pendingin. Dengan posisi substrat di atas memungkinkanpemutaransubstrat-holderdengan rotary-feedthrogh sesuai dengan posisi target di bawahnya.Sampaisaatini masih belum ditemukan sistem yang paling baik untuk mendinginkan substrat. Dibuat 3 macam substrat-holderyang memungkinkanpreparasi1 thin film di tengah, 3 thin films atausebanyak16 lapisantipis sekaligus.
HASIL DAN PEMBAHASAN Parameter yangbisa diaturagarprosespembentukari lapisantipis bisaberlangsungadalah: I. Daya, yaitu powerdari generatoryang "diserap" olehplasma
2. u.
Delta-P (merupakanjumlahandaya masukdan dayarefleksi) 3. Teganganself-bias 4. TeganganRF-Peak,yang merupakantegangan keluarangenerator Gambar 3 adalah hasil pengukuran daya keluaran generator (sumbu X) dan kelakuan signal (sumbu V). Pada titik 1 mula-mula daya pada posisi ON daD dinaikkan pelan-pelan, sid orde 50 W. Daya ini naik secara linier daD pada saat belum terjadi discharge maka sistem HF tidak terimbangi, sehingga refleksi PRsangatbesar.
Gambar 3. Kelakuan sinyal keluaran pacta variasi daya delta-P Pacta posisi 2 daya refleksi mencapai maksimum dan mencapai harga limit (orde 80-90 W), diikuti oleh discharge sehingga daya keluaran generator menja9i 2 bagian, yaitu daya PL diserap plasma dan refleksi PR /6,7/. Pacta point 3, plasma sudah menyala sehingga timbul DC-bias, kecil beberapa ratus V biasanya belum cukup untuk terjadinya proses pembentukan lapisan tipis. Daya PR kemudian turun mencapai minimal. Hal ini dikerjakan dengan pengaturan CL (Lastkondensator=kapasitor beban) dan CT (Abstimmkondensator=kapasitor pengepas) pacta matchbox. Pacta point 4 pacta terjadi kenaikan tegangan self-bias Usb. Dengan pengaturan secara halus daTi CT dan CL maka PR semakin kecil. Pacta titik 5, Usb mencapai harga batas dan konstan sesuai dengan limit yang diinginkan. Harga limit ini
Posisi4 menunjukkanDC-biasyangtelah mencapai harga yang diinginkan. Apabila setelah terjadi discharge,teganganbias naik melebihi harga yang diinginkan (sesuai denganjenis target) maka ini berarti bahwa PL tidak akan bisa naik, justeru kembalike point 3, turun untuk menghasilkanDCbias yang sesuai tsb. Bila sebaliknya terjadi penurunanteganganbias (posisi 5), maka PL segera menyesuaikan diri, yaitu naik untuk mengembalikan hargaDC-self bias sesuaidenganharga yang telah diinginkanyang bergantungdarijenis katoda (point 6) /6,7/.
Gambar4: Hasil pengamatanteganganpactavariasi RF-PeakdanDC-bias Beberapa parameter penting yang lain juga telah diuji, antara lain daya, tegangan self-bias, tekanan argon. Parameter penting dari matchbox adalah kapasitor beban (Lastkondensator) daD kapasitor pengepas (Abstimmkondensator). Telah dicoba beberapajenis target, seperti Fe, Ti, TiO2 daD juga Si. Gambar 5 menunjukkan hubungan antara tegangan self-bias sebagai fungsi dari tekanan
argon.
tergantungdaTi material katoda. Untuk aluminium umpamanya diperlukan kira-kira 800 V, sedangkan Titanium membutuhkan 1000V. Pactagambar 4 ditunjukkan hasil pengamatan teganganhila parameter yang diatur adalah RF-P"ak atau DC-Bias. Pactatitik 1 generator dan matchingnetwork dalam posisi ON dan kemudian dinaikkan pelan-pelan. Daya yang terserap dan daya refleksi naik secara tinier. Pacta point 2, PR mencapai harga limit sehingga membatasi besarnya PL. Pacta titik berikutnya (3) plasma menyala sehingga PL naik.
Gambar 5. Teganganself-bias sebagaifungsi dari tekananargon Baik pada daya 200 maupun 500 watt teramatiadanyakecenderungan penurunantegangan
bias dengan naiknya tekanan sputtergas. Dengan bertambahnya tekanan argon berarti mean free path dari partikel-partikel penyusun plasma akan semakin pendek karena frekuensi tumbukan bertambah besar. lni berarti bahwa temperatur partikel termasuk elektron akan naik. Dengan naiknya suhu elektron maka tegangan negatif yang timbul pada katoda akan berkurang menurut persamaanberikut /4/: U sb=-[
dengan parameter sputtering: daya 150 Watt, tegangan self bias 1000 Y, tekanan Argon 3x1O_2 mbar. Tampak puncak pada tenaga 4,51 keY, yang merupakan karakter unsur Ti, daDpuncak hamburan Compton.
.j
Uhf -ffiln(2.3~)J 2e M;
'='
,;
denganUhcadalahteganganRF-generator. Pada pengukuranUsbkadang-kadangterjadi fluktuasi meskipundaya generatortelah dilewatkan matcboxuntuk memperolehdaya refleksi o. Hal ini mungkin disebabkankarena proses yang sangat komplex yang melibatkan banyak parameterpada proses sputtering. Apabila salah satu besaran mengalami gangguan (faktor eksternal, umpama tekananargon, teganganPLN) daD menyebabkan fluktuasi, maka besaran"terukur (daya, tegangan bias)akansangatterpengaruh. Bahwa teganganself-bias akan naik dengan bertambahnyadaya generator,seperti ditunjukkan padagambar6, adalahsesuaidenganformula yang dipublikasikanoleh Oechsner /4/. Kurva ini memperkuat basil yang ditunjukkan oleh gambar 5, yaitu bahwa membesarnya tekanansputtergasakanmenghasilkan Usbyang lebih kecil untuk suatu proses preparasi thin films pada daya konstan. Menurut Bunschach /5/, RF-peak yang timbul pada proses sputtering sangatdipengaruhioleh faktor external,antara lain jarak elektroda,jenis material target dan tekanan argon. Oleh karena RF-peak sangat menentukan besamya tegangan self-bias, maka jelas bahwa teganganini dipengaruhioleh faktor eksternaltsb.
Gambar 6: Tegangan bias sebagai fungsi daya keluarangenerator. Gambar 7 adalah basil pengamatan menggunakanXRF dari lapisan tipis Titanium
T- (bV) Gambar7. Hasil pengamatan XRF dari lapisantipis Titaniumyang dihasilkandenganmetode RF-sputtering
KESIMPULAN Salah satu metoda preparasi lapisan tipis yang terpentingadalahmenggunakanRF-sputtering yangbekerjapactafrekuensi13,56MHz. Komponen utama dari sistem ini, RFgeneratordaD matchbox,adalah buatan komersial Fa. HUttinger yang merupakan bantuan hibah pemerintahJerman. Sebagiankomponen mekanik dibuat di PPNY-BATAN. Sifat yang vital yang dimiliki oleh sistem ini adalah terbentuknya teganganself bias pactaelektrodanegatif yang bisa mencapai
-2
kV.
Tegangan
searah
ini
memungkinkan arusion menembakitarget,sehingga atom-atom target akan tersputter. Merupakan keunggulanRF-sputteringdibandingDC-sputtering ialah bahwa material katoda/target tidak harus bersifatkonduktor (DC-sputtering)melainkanjuga materialyang bersifatisolator. Karakterdari sistem sputteringpacta frekuensi radio ini telah berhasil dikerjakan,antara lain teganganself bias sebagai fungsi daya, potensial self bias sebagai fungsi tekanan sputtergas. Pacta daya tetap diperoleh penurunantegangan self bias menyerupai linier dengan sudut kemiringan kecil hila tekanan diperbesar. Tegangan ini akan naik dengan bertambahnyadaya generator, besarnya sesuai denganjenis materialtarget. Beberapathin films telah berhasildibuatdaDdiuji, salahsatunyadengan menggunakanXRF. Dari data basil karakterisasi sistemRF-sputeringdan identifikasi lapisan tipis, maka bisa disimpulkan bahwa sistem ini telah berfungsidenganbaik daDbisa dimanfaatkanuntuk tujuan utama yaitu pembuatanlapisan tipis, baik bersifatkonduktormaupunisolator.
ProsidingPertemuandon Presentasillmiah P3TM-BATAN,Yo¥}'akarta14 -15 Juli 19~
Buku I
85
UCAP AN TERIMAKASIH
*
Dapatkahpancarantargetdifokuskan/diarahkan sehinggadapatuntuk menggambar dll.
Penulis mengucapkan terimakasih kepada pemerintah Jerman lewat Yayasan Alexander von Humboldt yang telah memberikan peralatan hibah
Tri Mardji A. *
Alasan komunikasi, agar tidak menggangu frekuensi yang digunakan untuk komunikasi. Alasan yang lain adalah untuk memperoleh tegangan self-bias maksimum pada katoda berdasarefekperbedaanmassaantara elektron don ion.
*
Tergantungtenagaion yang menembakitarget, makin tinggi teganganself bias maka makin tinggi pula suhu target,partikel-partikel target yang terpental akan pula memiliki tenaga kinetikyang tinggi untukmenujusubstrat.
*
Terutamaplatik dengantitik leleh yang tinggi untuk bisa disesuaikandengantenaga kinetik partikel yang berubahmenjadipanasterkumpul di alasplastik tersebut.
*
Untuk soot ini belum bisa, untuk waktu mendatangbisa dipikirkan perkembanganke arah tersebut.
berupa komponen utama RF-Sputtering. Kepada para teknisi Sdr. Giri Slamet clan Sdr. Kasiyo, Sdr. Setyo Atmodjo clan Sdr. Akhmad Zaenuri penulis mengucapkan terimakasih alas bantuan dalam ide clanpembuatan komponen mekanik/listrik.
Wibisono *
Apakah alat ini telah dapat digunakanuntuk pangsa pasar yang besar mengingat kegunaannya yang sangatluas.
*
Apakah metode lain yang telah diterapkan bagaimanaperbandingannyadengametode ini dari segipinansialkhususnya?
*
Apakah kendala yang masih ada untuk pengembangan lebih lanjut
TANYAJAWAB J. Karmadi *
Untuk mendapatkan(Iapisantipis, jarak katode dananodekira-kiraberapacm ?
*
Apakahbedatargetjaraknya sam
Tri Mardji A. *
Proses yang besar adalah skala industri, sedangsistemRF-sputteringyang komi bangun adalah skala laboratorium untuk penelitian. Meskipun demikian untuk pelapisan bahan denganukurankecil (perhiasan,mota bar, dll.) bisa komi kerjakandenganolaf tersebut
*
Metode evaporasi, keuntungannya bahwa metode ini sederhana, merupakan proses thermal (sputtering adalah proses elektrik), sputtering masih lebih unggul karena 1 buah target katodabisabisa digunakanlebihdari 100 kali. Jugaprosespenempelanpada bahanjauh lebih kuat,mengakibatkanusiayang lebih lama (> 15 tahun)
*
Bahan target yang sulit diperolehharus dibeli di luar negeri, untuk memperolehthin film permukaan luas yang homogenmasih harus dikaji. Kendalayang lain adalah karakterisasi, karena alar-alar karakterisasi belum kami miliki.
Tri Mardji A. *
2 sid 4 cm tergantungdari besarnyategangan self-bias,tekanangas sputer don teganganRF sertajenis material target.
*
Berlainan lihar gombar,tetapi bisajuga soma, namun menimbulkanefek kerugian yang lain (antara lain sputter-rate lebih rendah, inhomogenitas). Jadi sebaiknya disesuaikan denganparameter sputtering yang lain agar diperolehefeksputteryang optimum.
Hero Susetyadi *
Apakahalasandantujuan memakai13,56MHz.
*
BerapasuhureaksiRF-sputteringmaksimum?
*
Jenisplastikapayangbisa dilapisi ?
