Prosiding Pertemuan dan Presentasi I/miah P3TM-BATAN. Yogyakarta 14 -15 Juti 1999
PEMBUATAN LAPISAN DENGAN MENGGUNAKAN
BukuI
47
TIPIS TIT~IUM NITRIDA METODA DC SPUTTERING
Sigit Hariyanto, Sudjatmoko, Anwar Budianto, Subarkah P3TM-Batan,Kotak Pos 1008,Yogyakarta55010
ABSTRAK PEMBUATAN LAPISAN TIPIS TITANIUM NITR/DA DENGAN MENGGUNAKAN METODA DC SPUTTERING. Telah dilakukan proses pembuatan ./apisan tipis Titanium Nitrida dengan menggunakan metoda dc sputtering. Target Titanium murni diletakkan pada katoda, sedangkan substrat diletakkan pada anoda.Proses sputtering terjadi pada target setelah timbul lucutan pijar antara katoda-anoda,tegangan 3,5 V Kj;': arus 30 mA Perbandingan campuran gas Ar dan N 2 divariasi antara 140 ..20 sampai dengan 140 ..120, tekanan pada tabung plasma 12 10-2 Torr. Dari hasil pengujian XRD menunjukkan bahwa pada cuplikan stainlesstel terdapat tiga puncak intensitas difraksi yang muncul. Dua puncak merupakan latar dari substratnya, sedangkan satu puncak merupakan difraksi lapisan tipis Titanium Nitrida pada jarak bidang 1,1393 A. Pengujian kekerasan menunjukkan pada kamposisi campuran Ar dan N 2 dengan perbandingan 140 ..60 kekersan baja 410 KHN, sedangkan kekerasan Stain/esstel 335 KHN pada perbandingan Ar/N 2 40 .. 80. Untuk pengujian kekerasan pada berbagai perubahan suhu substrat, kekerasan optimum pada baja adalah 495 KHN dan kekerasan stain/esstel adalah 390 KHN pada suhu substrat sekitar 350"C. Pengamatan mikrqskop elektron dengan perbesaran 2000 kali menunjukkan bahwa pada posisi yang berbeda ketebalan Japisan tipis Titanium Nitrida sekitar 1,6 JJm.
ABSTRACT TITANIUM NITRIDE THIN FILM DEPOSITIONBY DC SPUTTERINGMETODE. Titanium nitride thin film depositionhave been done by dc sputteringmetode. The pure titanium target was placed on the cathode,and the substratewasplaced on the anode.Thesputteringprocessappearedon the target, when therewereglow dischargebetweencathode-anode, the voltagewas 3.5kV; the current was30 mA. Theratio ofgas mixture ofAr andN 2 werevaried between140 : 120 until 140 : 120. Thepressure oftheplasma tube was 12 10-2torr. The result ofXRD testingshowedthat there were threepeaks ofdiffraction intensity of V stainless steel substrate. Two of three peaks were background of the substrate,while the other was diffraction oftitanium nitride at theplane distance of1.1349A. The hardnesstestingshowedthat the ratio ,~ ofAr/N2 = 140/60 have hardness410 KHN for steel, thenthe hardnessofstainlesssteel was 335 KHN at the ratio ofAr/N2 = 140 /80. Thehardnesstesting ofthesubstrateat varioustemperatureshowedoptimum hardnessofsteel495 KHN andstainlesssteelhardnessat 390 KHN at the temperaturesubstrate350"C. The observation ofelectronmicroscopeof2000 magnificationshowedthat the thickness oftitanium nitride thin film was 1.6.urnat differenceposition.
PENDAHULUAN D
ewasaini pemakaianbahanlapisantipis telah menjangkauhampirpadasemuabidangdisiplin ilmu daD semakinbanyak dilakukan. Di bidang mekanika dimanfaatkan untuk membuat suatu lapisan tipis yang mempunyai sifat keras dipakai sebagai pelindung serta mempunyai daya tahan keausan daD tahan korosi. Dalam bidang elektronika, lapisan tipis untuk piranti elektronik, dielektrik, bahan pizoelektrik daD gel surya serta banyakpemakaianlainnya. Ada beberapa cara untuk menghasilkan deposisilapisantipis, padaprinsipnyadenganproses PVD (physical vapor deposition)dan prosesCVD (chemical vapor deposition). Proses PVD dapat dibagi menjadi dua katagori, yaitu pepenguaapan panasdaDprosessputtering. PadaprosespenguaPan panas,bahanyang akan dibuat lapisandipanaskan dahulu sampaiterjadi penguapan.Prosesini dapat ISSN0216-3128
dilakukan dengan cara dialiri arus listrik, menggunakan berkas laser daya tinggi yang difokuskan pada permukaannya, atau juga menggunakan mesin berkas elektron. Proses sputteringbiasanyadisebutmetoda plasma dingin, dimana plasma dalam keadaan tidak setimbang termal antarasuhu elektron clan suhugas. Plasma dingin tersebutdapat dihasilkan dengan beberapa teknik, antara lain teknik lucutan pijar, lucutan frekuensi tinggi clan teknik lucutan gelombang mikro. Dalam prakteknya plasma dingin banyak digunakansebagaiteknik deposisilapisantipis atau pembuatanlapisantipis. Preparasi lapisan tipis dengan teknik sputtering, dapat dikategorikan menjadi beberapa jenis : sistemsputteringdiode pC, sputteringdiode RF, sistem magnetron sputtering. Dalam perkembangannya dapat juga, dilakukan penggabungandari beberapa sistem diatas, yaitu sistem sputtering diode DC magnetron clan Sigit Hariyanto,dkk.
sputteringRF magnetron.Sistemsputteringdiode rf memerlukanmatchingimpedanceantara catu daya rf clanruang lucutan. Impedansidari catu daya rf hampir selalu 50 n sedangkanimpedansilucutan pijar berorde I sampai dengan 10 Kn.(I,2). Pada sistemsputtering diode rf, frekuensi operasiyang digunakan adalah 13,56 Mhz. Dalam metoda sputtering untuk proses deposisi lapisan tipis terdapatbeberapaparameteryang menentukansifat lapisantipis yang terbentukpada substrat(bahan), Parametertersebutantaralain adalahlaju aliran gas, tekanan, rapat daya, suhu substrat clan lamanya prosesdeposisi.(1,2,3) Lapisan tipis TiN (Titanium Nitrida) pemakaiannya antaralain sebagaifilm pelapis(wear resistant film) yaitu untuk pelapisan peralatan mekanik, maupun peralatan kedkteran sehingga diperoleh kualitas lebih baik antara lain tahan kekerasanmaupunkorosi. Selain itu dimanfaatkan juga sebagai "diffusion Barrier" untuk kontak dengansilikon dalam industri.(4)Pemakaianteknik sputtering untuk deposisi lapisantipis TiN pada permukaanbesiclanstainlessteluntuk mendapatkan sifat mekanik yang lebih baik dan tahan terhadap korosi. Salah satu keistimewaan dari proses deposisilapisan tipis TiN dapat dibuat pada suhu relatifrendahclanprosesdeposisiberlangsungrelatif cepat. Pada penelitianini akan dibuat lapisantipis TiN pada pennukaanbaja dan stainlesstelldengan metoda DC sputtering. Target yang digunakan adalahTitaniummurni sertagas isianAr sebagaigas sputter dan Nitrogen sebagaigas pencampuragar terbentukpaduanTiN
DASAR TEORI Suatu pennukaanpadat atau disebut target dijadikan sasaranpenembakanpartikel (ion) yang berenergitinggi, makaatom-atompennukaanbahan memperolehenergi yang cukup untuk melepaskan diri dari pennukaannya,proses seperti ini disebut sputtering ( Kiyata Wasa) Terjadinya proses sputteringdiawali oleh adanyatumbukanion Argon dan atom-atom pennukaan target yang diikuti tumbukanke dua,ke tiga danseterusnyaantaratomatom itu yang berada pada pennukaan target, sehingga akan diperoleh suatu tumbukan yang berhasilmelepaskanatom pennukaantarget. Pada gambar I. ditunjukkan tumbukan ion pada pennukaantargetpadaprosessputtering. Sesuai dengan teori elastis, kemungkinan energimaksimumyang dipindahkanpadatumbukan pertama(Tm) Tm=
4MI,M2
(M1 + M2)
E
(1)
Dimana M1 adalah massa ion datang, M2 masa atom target, E adalah energi ion datang. Jumlah atom yang lepas dari permukaan target setiap terjadi tumbukan didetinisikan dengan S, secarapendekatannilainya sebandingdenganenergi yang dipindahkan pada tumbukan pertama, dinyatakandenganpersamaan : Atom tersputter Ion datang Il1n tM2et
I ,,~""'" target
""'. 0
Ion terpental
Gambar 1.
Proses sputtering pada permukaan
target. S=rk
MiM2
E
.(2)
l(E)cosB(MiM2)2 Dimana k adalah konstata yang nilainya tergantungpadabahantarget, A adalahjejak bebas rerata untuk turnbukan elastik dekat permukaan target,daDe adalahsudutantaranormal permukaan targetdaDarabion datang. Ion-ionyang terbentukdalamplasmalucutan pijar dipercepatdalam daerahcathoda fall menuju ke katoda daD menumbuk permukaantarget daD menimbulkan peristiwa sputtering. Atom-atom targetyangtersputterbertumbukandenganmolekulmolekul gas daDakhirnya tersebarpadapermukaan substrat. Jumlah partikel bahan target yang tersputter kemudian terdeposit pada samail luas permukaansubstratadalah:
W=k -Wo I
pd
(3)
Dimana kt adalah suatu konstanta, W 0 adalah jumlah partikel yang terseputter dari satuan luas , p adalah tekanan gas lucutan, d adalah jarak elektroda dan t adalah waktu sputter. Sedangkanpartikel yang tersputter dari satuan luasan target dituliskan dalam bentuk persamaan:
J
A
Wo = (-:!:..)St(-) A.
N
(4)
Dimana J+ adalahrapatarus ion pada target (katoda),e adalahmuatanelektron,A adalah berat
atom target yang tersputter,dan N adalahbilangan
avogadro.
TAT A KERJA DAN PERCOBAAN Dalam pembuatanlapisan tipis TiN acta beberapatahapanyanghamsdijalankan, antaralain persiapanbahan substrat, deposisilapisantipis ke permukaan substrat daTi target logam titanium dengan D.C. Sputtering dan karakterisasibahan basil pembuatanlapisantipis TiN. Pactapenelitian ini substratyang digunakan daTi kaca , lempengan baja, dan stainlesstell. Preparasisubstratkacadilakukandenganmemotong empatpersegipanjangdenganukuran I cm x 2,5 cm ,tebalnya I mrn. Kemudiankaca dicuci denganair dan rinso untuk menghilangkan kotoran ataunoda minysk ysng menempel pacta permukaan dan diultrasonik , lalu dibersihkandenganalkohol dan dikeringkan. Bahan baja dan stainlesstellbentuk pejal diameter:4 mrn <;!ipotong -potong setebal1,5 mrn. Substratyang masih kasar permukaannya tersebut diampelas menggunakan kertas abrasif secarabertingkatmulai dengannomor 800, 1000, 1500 , 2000 , digosok dengan autosaldan kain beludru. Substratyang telah halusdibersihkandan dikeringkan. Bahan target daTititanium bentuknya bundar dengan diameter 6 cm , tebal 3 mm dibersihkan lebih dahulu permukaannyasebelum dipasang. PeralatanD.C. sputteringterdiri daTitabung reaktor plasma terbuat daTi bahan stainlesstell, dilengkapidengankeduaelektrodanyadenganjarak yang dapatdiatur,pactapenelitian ini jaraknya3,65 cm. Pompa turbo molekul untuk menghampakan udara,alat ukur kevakuman,sumbertegangantinggi yang dilengkapi dengan pengukur tegangandan ams. Selain itu dilengkapi juga dengan sistem pemanasuntuk memanasisubstrat,sertapengontrol suhu untuk menjaga suhu konstandan pendingin target. Gambar 1 ditunjukkan bagan peralatan sistemDC sputteringdilengkapisistemmasukangas sputter. Sebelum melakukan deposisi pada pennukaan substrat, target Titanium dibersihkan kemudian dipasangpada katoda yang pada bagian bawahnya dilengkapi sistem sirkulasi air untuk mendinginkantarget. Substratdipasangdan dijepit agar tidak terlepaskemudiandipasangpadaanoda yang dilengkapi dengan sistem pemanas. Suhu substrat dapat diatur oleh pemanas dan dapat dikontrol secaraotomatis sesuaiyang dikehendaki. Padapenelitianinisuhu substratdiatur mulai 100°C, 150°C,200°C,250°C,daD300°C. Setelah susunan tabling plasma, substrat, target,pompa vakum,tersus~ sepertipadagambar I, tabling plasma dihampakan oleh pompa turbo ISSN 0216-3128
molekul sampai kehampaan mencapai 10-6 torr, pemanas substrat dioperasikan. Kemudian dialirkan gas argon dan gas nitrogen ke dalam tabung dengan mengatur perbandingan sesuai dikehendaki yang dapat diatur oleh ketinggiaQ bola ukur clan tekanannya dikontrol oleh kran pengatur secara perlahan antara 9,5 10-2 Torr -12 10-2 Torr. Tegangan tinggi searah dinyalakan sampai terjadi lucutan pijar, dalam hal ini tegangan, arus, clan dayanya dapat divariasi sesuai yang dikehendaki sampaipada bataskemampuan sumber dayanya. Proses sputtering akan terjadi pada pennukaan target, dimana ion argon arahnya daTi anoda ke katoda dan diperkuat adanya medan listrik akan menumbuk target titanium. Terjadinya perpindahan energi ini mengakibatkan atom titanium terseputter clan bertumbukan dengan molekul gas lnitrogen yang akhirnya tersebar pada pennukaan substrat, sehingga terbentuklah lapisan tipis titanium nitrida. Proses sputtering ini berlangsung selama waktu yang diinginkan, setelah selesai seluruh peralatan dimatikan clan tekana, suhu tabung plasma kembali ke kedaan nonnal, substrat yang sudah terlapisi diambil daTitempatnya.
I:IASIL DAN PEMBAHASAN Pembuatan lapisan tipis TiN dilakukan dengan metoda DC sputtering pada permukaan substratkaca,baja dan stainlesstel. Target titanium menempel pada katoda sedangkan substrat diletakkan pada anoda,jarak antara katoda dan anoda2,75 cm. Tekana.lgaspadatabungplasma12 x 10-2Torr, merupakangas campuranantaragas Ar dan N2. Tegangansearahantarakedua elektroda adalah3,5 KY, arus listrik 30 mA, dimana pada tabung plasma sudah terjadi lucutan pijar. Pada penelitian pembuatanlapisan tipis ini dilakukan variasi perbandingangas Ar dan N2, dan variasi suhusubstrat. Untuk menguji terbentuknya lapisan tipis TIN basil sputteringdilakukan beberapapengujian antaralain denganXRD, mikroskopelektron,danuji kekerasan.Pengujian'difraksi sinar X dimaksudkan untuk mengetahuistruktur kristalnya serta apakah lapisan yang terbentuk sudah sesuaidengan yang dimaksudkan,Pada gambar 3 ditunjukkan basil pengujian XRD dari bahan substrat stainlesstel, spektrum ini dimaksudkan untuk mengetahui puncakyang muncul sebelumdilapisi oleh TIN dan merupakansinyallatar. Selanjutnyapadagambar4 dan gambar 5 ditunjukkan basil XRD dari lapisan TIN pada permukaan stainlesstell. Lapisan ini dibuatpadaperbandingangasAr dan N2 adalah7 : 3, masing-masingdenganwaktu deposisiIjam dan 1,5jam.
Sigit Hariyanto,dkk.
1'0..111'
paduan TiN pacta permukaan baja, stainlesstell terhadap pengaruh komposisi campuran gas Ar dan N2 sertapengaruh suhu substrat. Pactagambar 6 dan gambar 7 ditunjukkan hasil pengukuran kekerasan terhadap komposisi gas dan suhu substrat.
~ss
III"
'+".;J
rn
ill
ss
'-Q) 311 TiN
-
"w~ ~ .~\ItII~J/'H-~~.~~~~~
U)
rn
"i/)
c:
ZII-
~
Q)
EI
111
""".'-""'"-..,..,..., tl
51
U
, 71
,
, II
,..,, I'Ztl
Sudut difraksi Gambar5. SpektrumXRD lapisanTiN padasubstrat stainless tell selama1,5Jam. Dari hasil pengamatan spektrum XRD lapisan TiN muncul intensitas yang agak tinggi sebanyaktiga puncak, sedangkan pada latar yang merupakan substratnya ada 2 puncak. Setelah ditelitijarak antarbidang(d) keduapuncakyangada di substatsarnadengandua puncakyang terdapat pada lapisan TiN yaitu puncak dari stainlesstel, sehingga terdapat satu puncak dari lapisan hasil sputtering. Puncak yang muncul dari bahan substrat stainlessteelpada sudut difraksi 43,42° dan 50,5°, sedangkandari hasil sputtering lapisan tipis TiN dengansudut difraksi 44,47°. Munculnya puncak stainles steel pada bahanyang sudahdilapisi oleh lapisantipis TiN dimungkinkankarenatidak semua permukaanterlapisi(terutamapadabagiantepi) atau lapisantipis yang dihasilkanterlalu tipis. Selainitu puncak difraksi hasil sputtering dilakukan indentifikasi terhadap bahan penelitian lainnya selamamelakukaneksperimen(Ar, Fe, SS,N2. AI) yang dimungkinkan muncul puncaknya, temyata hasil perekamanXRD (ganbar4 dan 5) pada sudut difraksi 44,47° mempunyaijarak bidang 1,1393 A bersesuaian denganjarak bidang TiN yang adapada datapowerdiffraction (5) Terlihat dari gambar 4 dan gambar 5 penambahan waktu deposisi akan menambah intensitaspuncak difraksi. Hal ini menunjukkan bahwalapisanyang terbentukolehprosessputtering pada permukaan substrat merupakan lapisan titaniumnitrat. Salah satu penggunaanlaisan tipis TiN di bidang mekanik adalah sebagaipelindung untuk memperolehsifat yang lebih keras. Pengujian kekerasandilakukan dengan menggunakannicro hardnesstesterdenganbebanminimum, yaitu 10gr. menggunakanidentor dan skala knoop. Pada penelitian ini akan dilakukan pengujiankekerasan
In
2/7 3/7 4/7 5/7 6/7
PERBANDINGAN NzlAr Garnbar 6 : Pengaruhkonposisi gas N2 clan Ar terhadapkekerasanlapisanTiN. Dari basil percobaan komposisi campuran gas terlihat bahwa kekerasan optimum pada perbandinganAr : N2 adalah 140 : 60. Hal ini dimungkinkankarenapadakondisi tersebutatomN2 ikut bereaksi dengan titanium clan membentuk paduanyang tepat denganstruktur bidang tertentu mempunyaisifat keras. Tetapijika terlalu sedikit atauterlalubanyaknitrogen,paduanyang dihasilkan akan mengurangikekerasannya. Untuk itu perlu diketahui kondisi carnpurangas yang ideal agar mendapatkan lapisanyang cukupkeras. Dari basil pengamatan pengaruh suhu substratterhadapkekerasanpada garnbar7, terlihat bahwadenganbertarnbahnyasuhu substratternyata kekerasan paduan TiN basil sputtering juga meningkatclanmencapaikekerasanoptimal sebesar sebesar495 KHN untuk baja sedangkanuntuk stinlesstel400 KHN. Kekerasanoptimum tersebut dicapaipada suhu350 °C. Denganbertarnbahnya suhu substratmaka akan menarnbahenergi vibrasi atom-atomnyasertajarak antaratomsemakinlebar, atom-atomTiN menyisipclanlarutke dalamsubstrat sampai batas tertentu sehinggakekerasanyaakan meningkat.
terlihat bahwa ketebalan lapisan TiN pacta permukaan $tainlesstel adalah 1,6 I.1m sedangkan pacta permuJcaan baja adalah 1,4 I.1m. Hal ini disebabkan ! saat pengamatan pacta permukaan stainlesstel ~osisinya lebih dekat dengan pusatnya dibandingk~ saat mengamati permukaan baja.
550
-~c Z
500
:I:
450
rn CI)
rn 400 ... Qj
~
Qj ~ 350
300 150 200 250 300 350 400 450 Suhu Substrat (der. C)
Garnbar7.
Pengaruh suhu substrat terhadap kekerasanlapisan
Gambar 9.
1
Pengamatan lapisan TiN pada stainlessteldenganmikrokoppada perbesaran2000kali.
Namun posisi substrat pada anoda masih cukupsesuaitidak terlalu jauh daTipusatnya,karena ketebalankedua permukaan tersebut tidak terlalu jauh bedanya,sehinggaagihan lapisan yang terjadi belumterjadipenurunansecara°drastis.
KESIMPULAN Dari basil pembuatan lapisan tipis TiN Gambar 8.
Pengamatan. lapisan TiN pacta stainlessteldenganmikroskoppacta perbesaran2000kali.
Tetapi hila dicapaikeadaanjenuh yaitu suhu diatas 350°C atom-atomnitrogen akan cenderung terdifusi lebih dalam daDmakin melebaratau atom nitrogen sudah menguap, sehingga kekerasannya cenderungmenurun. Untuk mengetahui k~tebalan atau agihan lapisantipis TiN pactapermukaannya,substratyang sudah terlapisi dilihat secara melintang dengan menggunakanmikroskopelektron. Pactagambar8 daDgambar 9 ditunjukkan basil pemotretandengan perbesaran2000 kali pactasubstratstainlessteldaD baajawaktu sputteringselama1jam. Untuk melihatsecaramelintang,sampelyang sudahterlapisidibungkusdenganresin,dan digosok permukaannya secara .melintang. Hasil perekamanmikroskop terdiri daTidaTiresin, lapisan TiN daD substrat. Ketebalan lapisan TiN diukur dengancaramembandingkan skalayangterterapacta basilrekamansebesar10Ilm. Dari basil pengamatanpactagambar diatas e Sigit Hariyanto,dkk.
dengan menggunakan metoda dc sputtering dapat disimpulkan sebagai berikut : e
Telah berhasil dibuat lapisan tipis TiN pada pemukaan substrat baja, stainlesstel, clan kaca dengan menggunakan target Titanium, sebagai bahan penseputter gas Ar clan gas N2 menyisip pada lapisan tersebut.
e
Hasil pengujian XRD pada substrat stainlestel yang sudah terlapisi menunjukkanbahwa telahdiperoleh satu spektrum puncak lapisan TiN dengan jarak bidang 1,1395A clan dua puncak basil difraksi substratnya.
e
Kekerasan optimum terjadi pada perbandingan komposisi Ar : N2 = 140 : 60 dengan derajat kekerasan 410 KHN untuk substrat baja, sedangkan untuk substrat stainlestel derajat kekerasan 335 KJ;iN dengan perbandingan Ar : N2 = 140 : 80. .
e
Pada perubahan suhu substrat 350°C diperoleh kerasan optimum baja 495 KHN clan kekerasan
stanileste1390 KHN. e.
Diperoleh ketebalan basil sputering hampir merata yaitu 1,6 ~m.
ISSN 0216-3.128
ProsidingPertemuandan PresentasiItmiah P3TM-BATAN; Yogyakarta 14 -15 Juti 1999
Buku I
53
UCAPAN TERIMAKASIH
J. Karmadi
Pada kesempatanini penulis mengucapkan terimakasihkepdasemuateknisi Fisika Atom yang telah membantudalammenyelesaikan penelitianini.
*
Mengapa :pembuatanlapisan tipis titanium nitrida dehgan target titanium murni harns menggunakan gas argon dan nitrogen. Bagaimana pengaruhnya untuk gas dengan masaion yanglebihberat.
*
Apa peng~
DAFT AR PUSTAKA 1.
WASA, K, HAY AKA WAS., Handbook of Sputter Deposition Technology, Technology and Application, Noyes Publications, New Jersey,1992.
2.
KONUMA, M., Film Deposition by Plasma Techniques,Springer-verlag,Berlin,
3.
OHRING, M., The Materials Scienceof Thin Films, AcademicPressInc., New York, 1982.
4.
J P ZHAO, X WANG, Z Y CHEN,S Q YANG, T S SHI, X H Lill, Overall EnergyModel For PreferredGrowthOf TIN Films During Filtered Arc Deposition,J. .Phys.D , Appl. Phys. 30 (1997).
sputtering. Sigit HaryantJ * Tidak harus menggunakangas argon yang penting menggunakangas yang tidak reakti misalnyaKr, Xe, He,Ar. *
*
Sigit Haryanto * Padapercobaanini cara mengukurnyasebagai berikut; *
Sampel dipotong melintang diberi resin, kemudiandigosok sampai halus, baru dilihat denganmikroskoppadaperbesaran2000 kali.
*
Dengan cara lain yaitu menggunakanmetode dengan berkas laser He-Ne,yang disorotkan langsung pada saat proses sputtering. Dan secara mekanik dengan.menggunakanjarum stylusyang digoreskanpada lapisan.
ISSN0216-3128
Pengaruh jarak elektroda terhadap hasil sputteringantara lain; .distribusi lapisanyang menempel padasubstrat .Jumlah atomtargetyang terdeposisi kesubstrat
Yunanto
TANYAJAWAB Supandi * Berapa tebal lapisantipis titanium nitrida daD dengancara apa mengukumya(dari percobaan ini)
jirak elektroda terhadaphasill
Setelah terbentuk lapisan tipis titanium nitrida keuntungan apa yang diperoleh pada bahan yang dilapisi
*
Apakah pada semua kondisi terjadi senyawa titanium nitrida.
Sigit Haryanto *
Setelah
~apisan
tipis.
TiN
terbentuk,
keuntungan11}lasifat me./caniknyaakan berubah antara lain;kekerasannya menjadi baik; tahan korosi sehingga amat bermanfaat untuk perbaikan mutu peralatan mekanik don peralatan kedokteran. *
Tidak semua kondisi terjadi senyawa TiN sebagai contoh, apabila tekanan terlalu tinggi, substrat akan terbentuk lapisan tetapi setelah dicek dengan XRD bukan lapisan TiN
Sigit Hariyanto,ill.
