PENGARUH LAPISAN PENYANGGA AlN DAN DAYA PLASMA PADA SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING

PENGARUH LAPISAN PENYANGGA AlN DAN DAYA PLASMA PADA SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING

SKRIPSI Disusun dalam rangka penyelesaian Studi Stata 1 untuk memperoleh gelar Sarjana Fisika S1 pada Universitas Negeri Semarang

Oleh ROHADIANA DWI NOFIANTI NIM 4250401032

JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM UNIVERSITAS NEGERI SEMARANG 2006

PERSETUJUAN PEMBIMBING

Skripsi ini telah disetujui oleh pembimbing untuk diajukan ke sidang panitia ujian skripsi.

Semarang, 27 Februari 2005

Pembimbing I

Pembimbing II

Dr. Sugianto, M.Si

Dr. Putut Marwoto, M. S.

NIP 132046850

NIP 131764029

ii

PENGESAHAN KELULUSAN Skripsi ini telah dipertahankan di dalam sidang Ujian Skripsi Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri Semarang pada: Hari : Senin Tanggal : 27 Februari 2005 Panitia Ujian: Ketua

Sekretaris

Drs. Kasmadi Imam S, M.S NIP 130781011

Drs. M. Sukisno, M.Si NIP 130529522

Pembimbing I

Penguji I

Dr. Sugianto, M.Si NIP 132046850

Dr. Wiyanto, M.Si NIP 131764032

Pembimbing II

Penguji II

Dr. Putut Marwoto, M. S

Dr. Sugianto, M.Si

NIP 131764029

NIP 132046850 Penguji III

Dr. Putut Marwoto, M. S NIP 131764029 iii

PERNYATAAN Saya menyatakan bahwa yang tertulis dalam skripsi ini benar-benar hasil karya saya, bukan jiplakan dari karya tulis orang lain, baik sebagian atau seluruhnya. Pendapat atau temuan orang lain yang terdapat dalam skripsi ini dikutip atau dirujuk berdasarkan kode etik ilmiah.

Semarang, 24 Februari 2005 Penulis,

Rohadiana Dwi Nofianti NIM 4250401032

iv

MOTO DAN PERSEMBAHAN “Dialah Allah yang telah menciptakan mati dan hidup untuk menguji kalian siapakah di antara kalian yang terbaik amalnya” (Q. S. Al – Mulk : 02) “Jangan menganggap tugas belajarmu sebagai kewajiban, melainkan pandanglah itu sebagai sebuah kesempatan untuk menikmati betapa indahnya ilmu pengetahuan, kepuasan hati yang diberikannya serta manfaat yang akan diterima oleh masyarakat apabila jerih payahmu berhasil” (Albert Einstein)

Skripsi ini kupersembahkan sebagai bentuk pengabdian dan rasa syukur ku kepada Allah SWT. Sebagai rasa hormat kepada orang tuaku, guruku, saudaraku, generasi penerusku dan smua yang menyayangiku.

v

ABSTRAK

Gallium nitrida (GaN) merupakan bahan semikonduktor yang memiliki celah pita energi lebar (3,4 eV) dengan sifat direct band gap yang berpotensi untuk membuat piranti optoelektronik seperti LED (light emitting diode), LD (laser diode) dan detektor UV (ultra violet). Film tipis GaN ditumbuhkan di atas substrat safir dengan metode dc magnetron sputtering. Substrat dietsa dengan campuran larutan H2SO4 : H3PO4 : H2O2 dengan perbandingan 3 : 1 : 1 selama 15 menit untuk memperhalus permukaan. Proses penumbuhan film tipis GaN dilakukan pada tekanan chamber 1 Torr selama 3 jam dengan temperatur 650o. Parameter penumbuhan yang divariasikan adalah perbedaan ketebalan lapisan penyangga GaN ataupun AlN dan daya plasma selama penumbuhan. Hasil karakterisasi XRD menunjukkan bahwa film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas lapisan penyangga GaN memiliki struktur amorf, sebaliknya film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas lapisan penyangga AlN memiliki struktur kristal yang terorientasi pada bidang (0002) dan (0004). Puncak bidang (0002) lebih dominan sehingga kristal mempunyai kecenderungan tumbuh dengan derajat orientasi tinggi (highly oriented) sejajar permukaan substrat safir (0001). FWHM film tipis GaN di atas lapisan penyangga AlN pada umumnya mempunyai lebar lebih rendah dibandingkan tanpa lapisan penyangga yang menunjukkan bahwa kualitas film GaN lebih baik. Hasil analisis karakterisasi sifat optik dengan spektrometer Uv-vis menunjukkan bahwa film tipis GaN mempunyai nilai

vi

transmitansi yang hampir serupa. Celah pita energi film tipis GaN menunjukkan nilai mendekati referensi ketika ditumbuhkan dengan ketebalan lapisan penyangga yang optimal (sekitar 40 nm) dan dengan daya plasma yang relatif rendah (50 watt). Dari spektrum absorpsi terhadap energi foton tampak adanya karakteristik eksponensial (urbach tail) yang berkaitan dengan adanya impuritas atau dislokasi struktur atom dalam film tipis. Energi urbach film tipis GaN di atas lapisan penyangga AlN pada ketebalan sekitar 40 nm mempunyai nilai lebih rendah, yang menunjukkan bahwa kualitas film GaN yang dihasilkan lebih baik. Kata kunci: GaN, dc magnetron sputtering, lapisan penyangga, energi urbach

vii

DAFTAR ISI HALAMAN JUDUL .......................................................................................

i

PERSETUJUAN PEMBIMBING ...................................................................

ii

PENGESAHAN KELULUSAN .....................................................................

iii

PERNYATAAN ..............................................................................................

iv

MOTTO DAN PERSEMBAHAN ..................................................................

v

KATA PENGANTAR ....................................................................................

vi

ABSTRAK ......................................................................................................

viii

DAFTAR ISI ...................................................................................................

ix

DAFTAR TABEL ...........................................................................................

xi

DAFTAR GAMBAR ......................................................................................

xiii

DAFTAR LAMPIRAN ...................................................................................

xv

BAB I PENDAHULUAN ..............................................................................

1

1.1 Latar Belakang Permasalahan .....................................................

1

1.2 Rumusan Masalah .......................................................................

6

1.3 Tujuan Penelitian ........................................................................

6

1.4 Manfaat Penelitian ......................................................................

6

1.5 Sistematika Skripsi ......................................................................

7

BAB II KAJIAN PUSTAKA .........................................................................

8

2.1 Material GaN ..............................................................................

8

2.1.1 Struktur GaN Kubik ...........................................................

9

2.1.2 Struktur GaN Heksagonal .................................................

10

2.2 Substrat ......................................................................................

11

2.3 Lapisan Penyangga (Buffer Layer).............................................

12

2.4 Sifat Optik ..................................................................................

16

2.5 Plasma ........................................................................................

20

2.6 Sputtering ...................................................................................

23

2.6.1 Dc Magnetron Sputtering .................................................

24

viii

BAB III METODE PENELITIAN ................................................................

26

3.1 Pelaksanaan Eksperimen .............................................................

28

3.1.1 Pembuatan Target GaN dan AlN .......................................

28

3.1.2 Preparasi Substrat .............................................................

28

3.1.3 Penumbuhan film tipis GaN dengan lapisan penyangga GaN ...................................................................................

28

3.1.4 Penumbuhan film tipis GaN dengan lapisan penyangga AlN.....................................................................................

30

3.1.5 Optimasi daya plasma .......................................................

33

3.2.Karakterisasi dan Metode Analisa Data Film Ttipis GaN ..........

34

3.2.1 XRD ..................................................................................

34

3.2.2 Spektrometer UV-vis ........................................................

36

BAB IV HASIL PENELITIAN DAN PEMBAHASAN ...............................

37

4.1 Hasil Analisis Struktur dan Orientasi Kristal dengan XRD ........

38

4.1.1 Spektrum Kristal Target GaN ............................................

38

4.1.2 Pengaruh Ketebalan Penyangga GaN terhadap Struktur Kristal.................................................................................

39

4.1.3 Pengaruh Ketebalan Penyangga AlN terhadap Struktur Kristal.................................................................................

42

4.1.4 Pengaruh Perbedaan Daya Plasma terhadap Struktur Kristal ................................................................................

46

4.2 Hasil Analisis Sifat Optik Film Tipis GaN .................................

48

4.1.1 Sifat Optik Film Tipis GaN ...............................................

48

4.2.2 Penentuan Lebar Celah Pita Energi Film Tipis GaN .........

51

BAB V KESIMPULAN DAN SARAN .........................................................

57

5.1 Kesimpulan .................................................................................

57

5.2 Saran ...........................................................................................

58

DAFTAR PUSTAKA .....................................................................................

59

Lampiran .........................................................................................................

63

ix

DAFTAR TABEL Tabel 2.1.

Perbandingan ketidaksesuaian parameter kisi dan koefisien termal dari AlN dan GaN pada substrat safir (Al2O3) ..................

Tabel 2.2.

Perbandingan parameter kisi dan koefisien termal GaN, AlN dan Safir........................................................................................

Tabel 4.1.

13

14

Penumbuhan film tipis GaN pada substrat safir (0001) dengan parameter ketebalan lapisan penyangga GaN dan AlN serta daya plasma yang berbeda ............................................................

37

Tabel 4.2.

Data FWHM penumbuhan film GaN...........................................

41

Tabel 4.3.

Data FWHM penumbuhan film GaN...........................................

44

Tabel 4.4.

Data FWHM penumbuhan film GaN...........................................

47

Tabel 4.5.

Hasil perhitungan celah pita energi dan energi urbach pada film tipis GaN .......................................................................................

Tabel 4.6.

Sudut puncak difraksi film tipis GaN tanpa lapisan penyangga (GaN #a) .......................................................................................

Tabel 4.7.

63

Sudut puncak difraksi film tipis GaN di atas lapisan penyangga GaN dengan ketebalan 40 nm (GaN-GaN #c)............

Tabel 4.9.

63

Sudut puncak difraksi film tipis GaN di atas lapisan penyangga GaN dengan ketebalan 20 nm (GaN-GaN #b) ...........

Tabel 4.8.

54

63

Sudut puncak difraksi film tipis GaN di atas lapisan penyangga AlN dengan ketebalan 20 nm (GaN-AlN #d) ...............................

x

63

Tabel 4.10. Sudut puncak difraksi film tipis GaN di atas lapisan penyangga GaN dengan ketebalan 40 nm (GaN-AlN #e) dan daya plasma 50 watt...........................................................................................

64

Tabel 4.11. Sudut puncak difraksi film tipis GaN di atas lapisan penyangga AlN dengan ketebalan 60 nm (GaN-AlN #f)................................

64

Tabel 4.12. Sudut puncak difraksi film tipis GaN di atas lapisan penyangga AlN dengan ketebalan 40 nm (GaN-GaN #g) dan daya plasma 70 watt...........................................................................................

64

Tabel 4.13. Data JCPDS (02-1078) Gallium nitrida .......................................

65

Tabel 4.14. Data JCPDS (02-1078) Aluminium nitrida..................................

66

xi

DAFTAR GAMBAR

Gambar 2.1. Struktur sel satuan kubik dari GaN ..........................................

9

Gambar 2.2. Struktur sel satuan heksagonal dari GaN .................................

10

Gambar 2.3.

Mekanisme penumbuhan GaN di atas lapisan penyangga .......

15

Gambar 2.4.

Distribusi impuritas ..................................................................

19

Gambar 2.5. Spektrum absorpsi optik pada penumbuhan AlxGa1-xN pada safir dengan MOCVD ..............................................................

20

Gambar 2.6. Elektroda akan menarik partikel dengan muatan yang berlawanan dengan dirinya..........................................................................

22

Gambar 3.1.

Diagram alir penelitian.............................................................

17

Gambar 3.2.

Sistem reactor dc magnetron sputtering ..................................

18

Gambar 4.1. Spektrum hasil karakterisasi target GaN..................................

38

Gambar 4.2. Spektrum XRD film tipis GaN yang ditumbuhkan tanpa lapisan penyangga ................................................................................ Gambar 4.3.

Spektrum XRD film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan perbedaan ketebalan lapisan penyangga GaN..........................

Gambar 4.4.

40

40

Spektrum XRD film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan perbedaan ketebalan lapisan penyangga AlN ..........................

43

Gambar 4.5. Pengaruh ketebalan lapisan penyangga AlN terhadap strain...

45

Gambar 4.6.

Gambar 4.7.

Spektrum XRD film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas lapisan penyangga AlN dengan daya plasma 70 watt..............

47

Spektrum transmisi film tipis GaN ..........................................

50

xii

Gambar 4.8. Spektrum absorpsi film tipis GaN tanpa lapisan penyangga....

51

Gambar 4.9. Spektrum absorpsi film tipis GaN di atas lapisan penyangga AlN 20 nm................................................................................

52

Gambar 4.10. Spektrum absorpsi film tipis GaN di atas lapisan penyangga AlN 40 nm................................................................................

52

Gambar 4.11. Spektrum absorpsi film tipis GaN di atas lapisan penyangga AlN 60 nm................................................................................

53

Gambar 4.12. Spektrum absorpsi film tipis GaN di atas lapisan penyangga AlN 40 nm dengan daya plasma 70 watt .........................................

53

Gambar 4.13. Reaktor dc magnetron sputtering.............................................

67

xiii

DAFTAR LAMPIRAN

Lampiran 1. sudut-sudut puncak difraksi film tipis GaN................................

63

Lampiran 2. Data JCPDS (02-1078) Gallium nitrida......................................

65

Lampiran 3. Data JCPDS (02-1078) Aluminium nitrida.................................

66

Lampiran 4. Reaktor dc magnetron sputtering................................................

67

xiv

BAB I PENDAHULUAN 1.1

Latar Belakang Permasalahan Sejak ditemukannya silikon (Si) dan germanium (Ge) sebagai material semikonduktor, berbagai penelitian dilakukan untuk memperoleh material semikonduktor lain melalui tehnik rekayasa. Penelitian tersebut bertujuan menghasilkan material semikonduktor dalam pembuatan komponen berkualitas tinggi sebagai upaya pemenuhan kebutuhan manusia yang semakin komplek. Dalam perkembangan teknologi yang berbasis elektronika dibutuhkan suatu material dasar berkualitas tinggi untuk pembuatan piranti elektronika dan optoelektronika sesuai dengan tujuan aplikasi. Penelitian terhadap material Si, II-VI seperti ZnSe, SiC dan material III-nitrida seperti GaN, AlN, InN dilakukan dalam upaya pembuatan piranti optoelektronika yang berkualitas tinggi. Light emitting diode (LED) dan laser diode (LD) merupakan piranti optoelektronik yang sedang diminati untuk dikembangkan, baik warna ataupun kemampuan yang dimiliki seperti tampilan yang full color, indikator full color dan lampu berdaya tahan tinggi (Bernard, 1998). Kemajuan dalam bidang optoelektronik yang dicapai dengan menghasilkan LED dan LD warna hijau menggunakan material II-VI (Bernard, 1998). Waktu hidup yang pendek menghalangi material II-VI digunakan sebagai material komersial. Waktu hidup yang pendek disebabkan perambatan cacat kristal pada kerapatan 103/cm2. SiC merupakan material dengan celah pita

1

2

energi (band gap) yang lebar untuk aplikasi LED warna biru dengan brightness berkisar 10 - 20 mcd. SiC memiliki sifat indirect band gap (celah pita energi tak langsung) yang menyebabkan elektron kehilangan sebagian energinya dalam proses rekombinasi yang digunakan untuk osilasi kisi (fonon) (Wolfe et al, 1989). Sifat indirect band gap hasilnya kurang menguntungkan untuk aplikasi piranti optoelektronik (Manasreh, 1997) karena brightness yang dihasilkan rendah. Selain itu terdapat material lain yang telah diteliti mempunyai sifat celah pita energi langsung, yaitu material paduan semikonduktor III-nitrida. Penelitian terhadap material III-nitrida semakin menarik perhatian sejak ditemukan bahwa GaN mempunyai efisiensi yang tinggi sebagai material dasar pembuatan LED (Grandjean et al,1996). Material semikonduktor III-nitrida terdiri dari tiga jenis, yaitu 1) binnary (GaN, AlN, InN), 2) ternary (AlxGa1-xN, InGa1-xN), dan 3) quarternary (AlGaInN) yang semuanya memiliki sifat celah pita energi langsung (direct band gap). Material III-nitrida mempunyai celah pita energi yang dapat diatur dari 1,9 eV - 6,2 eV. Sifat inilah yang digunakan untuk aplikasi piranti optoelektronika daerah warna cahaya tampak sampai ultraviolet (Steude et al, 1999). Material golongan III-nitrida dengan karakteristik celah pita energi yang lebar membuktikan bahwa nitrida berpotensi untuk piranti light emitting dengan panjang gelombang pendek (Grandjean et al, 1996). Celah pita energi GaN pada temperatur ruang adalah 3,41 eV yang merupakan dasar aplikasi piranti optoelektronik, seperti pada pembuatan LED dan LD

3

warna biru-hijau-ultraviolet (Paterson, 1997) dan detektor UV (Shen,1999) dengan respon tinggi pada panjang gelombang lebih kecil dari 365 nm. Pengembangan fotodetektor UV memperoleh perhatian besar untuk aplikasi di bidang industri (deteksi kebakaran dan monitoring proses pembakaran), lingkungan (monitoring sinar UV matahari), aerospace (komunikasi satelit dan astronomi) dan bidang medis (Yosuke, 2000). Selain sifat optik, material GaN juga mempunyai sifat listrik yang menarik untuk diteliti. Material GaN memiliki kecepatan saturasi elektron yang tinggi, celah pita energi yang lebar, konduktivitas termal yang tinggi dan kemampuannya dalam heterojunction sehingga cocok digunakan sebagai piranti elektronik daya tinggi (high power) dan temperatur tinggi (Cui et al, 2000). Contoh aplikasi GaN adalah sebagai piranti penguat gelombang mikro seperti pada high electron mobility transistor (HMET) dan heterostructure field effect transistor (HFET) (Ping, 1998). Pembuatan film tipis GaN dapat dilakukan dengan berbagai metode, antara lain; metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD) (Kim et al, 1999), molecular beam epitaxy (MBE) (Grandjean et al, 1999), rf plasmaenhanced chemical vapour deposition (PECVD) (Park et al, 1998), electroncyclotron-resonance plasma-excited molecular beam (ERC-MBE) (Murata et al, 1998), metalorganic molecular beam expitaxy (MOMBE) (Kim et al, 2000) dan metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) (Yamaguchi, 2001). Pada penelitian ini, film GaN ditumbuhkan dengan mengunakan metode dc magnetron sputtering yang telah ada di Laboratorium Fisika Material

4

FMIPA Unnes. Metode ini relatif lebih sederhana dan lebih murah bila dibandingkan dengan metode penumbuhan film tipis yang lain. Metode dc magnetron sputtering di laboratorium Fisika Unnes telah digunakan untuk penumbuhan film tipis Ga2O3 diatas substrat silikon (Syahid, 2004). Penelitian ini merupakan pengembangan dari penelitian sebelumnya yang dilakukan Sugeng (2005) tentang studi pengaruh rasio laju alir gas argon dan nitrogen terhadap struktur kristal dan sifat listrik film tipis gallium nitrida yang ditumbuhkan dengan metode dc magnetron sputtering. Film GaN pada umumnya ditumbuhkan secara heteroepitaksi pada substrat safir, silikon karbida (SiC), gallium arsenat (GaAs) dan yang lainnya, karena belum tersedia substrat GaN dalam ukuran besar. Salah satu penghalang pengembangan GaN adalah karena ketidaksesuaian parameter kisi dan koefisien termal antara film GaN dan substrat. Substrat safir dipilih karena stabil pada temperatur tinggi

(± 1000 oC), sehingga

digunakan untuk penumbuhan secara epitaksi berbagai tehnik penumbuhan terhadap GaN. Safir dengan sifatnya yang transparan terhadap cahaya tampak menjadikan safir ideal untuk beberapa aplikasi fotodetektor (Cui et al, 2000). Penggunaan substrat safir selain karena kemampuannya, harganya yang relatif murah dibandingkan SiC dan mudah preparasinya, sehingga hampir semua material III-nitrida ditumbuhkan diatas substrat safir. Penumbuhan film tipis GaN pada substrat safir menemui masalah utama yaitu, adanya ketidaksesuaian parameter kisi antara GaN dan substrat safir cukup besar, yaitu sekitar 16% (Bernard, 1998) yang dapat menurunkan

5

kualitas kristal film yang dihasilkan. Permasalahan mengenai ketidaksesuaian antara GaN dan substrat safir dapat diatasi dengan menggunakan lapisan penyangga (buffer layer) AlN (Jeon et al, 2002) atau GaN (Sumiya et al, 2003) yang ditumbuhkan dengan temperatur yang relatif rendah. Ketebalan lapisan penyangga akan mempengaruhi kualitas film yang dihasilkan. Ketebalan lapisan penyangga yang optimal diperlukan untuk memperoleh film tipis yang berkualitas. Oleh karena itu menarik untuk dikaji bagaimana pengaruh ketebalan lapisan penyangga terhadap kualitas film tipis. Pada penelitian ini digunakan lapisan penyangga AlN. Bahan tersebut mempunyai parameter kisi yang lebih dekat dengan safir dibanding GaN terhadap safir dan ketebalan AlN tidak terlalu kritis dibandingkan jika menggunakan lapisan penyangga GaN (Bernard, 1998). Kualitas film GaN yang ditumbuhkan dengan dc magnetron sputtering dipengaruhi oleh parameter penumbuhan lainnya, misal daya plasma. Daya plasma merupakan salah satu parameter penumbuhan yang menentukan atmosfir penumbuhan sehingga berpengaruh pada kualitas film yang ditumbuhkan. Pemberian daya plasma yang berbeda akan berpengaruh pada energi dan momentum ion penumbuk Daya plasma yang tinggi akan meningkatkan hasil sputtering dikarenakan atom target yang tersputter menuju substrat berada dalam jumlah lebih besar (Syahid, 2004). 1.2

Permasalahan Pada penelitian ini permasalahan yang diteliti adalah bagaimana pengaruh lapisan penyangga AlN dan perbedaan daya plasma terhadap

6

struktur kristal dan sifat optik film tipis GaN yang ditumbuhkan pada substrat safir dengan metode dc magnetron sputtering. Sifat optik yang akan dikaji adalah transmitansi dan koefisien absorpsi untuk menentukan celah pita energi dan urbach tail. 1.3

Tujuan Tujuan penelitian ini adalah mempelajari pengaruh lapisan penyangga AlN dan daya plasma terhadap struktur kristal dan sifat optik film tipis GaN yang ditumbuhkan pada substrat safir. Sifat optik yang akan dipelajari mencakup transmitansi, koefisien absorpsi, celah pita energi dan urbach tail.

1.4

Manfaat Manfaat penelitian ini adalah untuk mengetahui informasi mengenai struktur kristal dan sifat optik serta parameter yang mempengaruhi penumbuhan, yaitu ketebalan lapisan penyangga AlN dan besarnya daya plasma yang optimal untuk memperoleh film tipis GaN yang berkualitas serta aplikasinya dalam bidang teknologi, khususnya optoelektronik.

1.5

Sistematika Skripsi Skripsi ini diawali dengan halaman judul, abstrak, halaman pengesahan, halaman motto, halaman persembahan, kata pengantar, daftar isi, daftar gambar dan daftar tabel. Latar belakang masalah penelitian, rumusan masalah, batasan masalah yang diteliti, tujuan penelitian, manfaat penelitian dan sistematika skripsi diuraikan pada pendahuluan di bab I. Bab

7

II dibahas kajian pustaka yang mendasari penelitian ini berisi penjelasan mengenai struktur kristal, material GaN, lapisan penyangga, plasma, tehnik sputtering, penumbuhan film tipis, sifat-sifat optik. Bab III membahas metode penelitian yang dilakukan meliputi alur penelitian, pembuatan target GaN, preparasi substrat, penumbuhan lapisan tipis, karakterisasi film tipis GaN dan contoh analisis data. Bab IV dibahas mengenai analisis dan pembahasan data hasil penelitian. Analisis dan pembahasan hasil penelitian meliputi analisis dan pembahasan struktur kristal dan sifat optik film tipis GaN terhadap pengaruh lapisan penyangga AlN dan daya plasma. Bab V berisi simpulan hasil penelitian yang telah dilakukan dan saran untuk penelitian lebih lanjut. Bagian akhir skripsi ini adalah bagian penutup yang berisi daftar pustaka bahan kajian pustaka dan lampiran hasil-hasil penelitian.

BAB II KAJIAN PUSTAKA 2.1. Material GaN GaN merupakan bahan semikonduktor paduan golongan III-nitrida. Jarak antar atomik (atom tetangga terdekat) relatif kecil, sehingga GaN mempunyai celah pita energi sebesar 3,4 eV. Ada tiga struktur kristal yang terbentuk oleh golongan III-nitrida, yaitu struktur wurtzite (heksagonal), zincblande (kubik) dan rocksalt. Karakteristik kristal dari golongan III-nitrida tergantung dari kondisi penumbuhannya. Konstanta kisi GaN merupakan fungsi dari kondisi deposisi, konsentrasi pengotor dan stoikiometri film (Morkoc, 1999). Perbedaan utama antara GaN struktur heksagonal dan kubik adalah pada rangkaian tumpukan (stacking sequence) bidang atom paket tertutup (closest packed) (Morkoc, 1999). GaN struktur heksagonal dengan bidang kristal (0001) arah bidang [0001] (searah bidang c) memiliki stacking sequence AaBbAaBb. Ini berarti bahwa terjadi penumpukan searah bidang c. GaN struktur kubik dengan bidang (111) arah bidang [111] mengalami rotasi dengan sudut sebesar 60o. Hal ini menyebabkan GaN struktur kubikmemiliki stacking sequence AaBbCc AaBbCc. 2.2. Struktur GaN Kubik Struktur GaN kubik dihasilkan dari penumbuhan lapisan tipis secara epitaksi pada substrat kubik, seperti GaAs, Si dan SiC. Untuk struktur kristal

8

9

kubik besar a = b = c dan besar sudut untuk masing-masing adalah α = β = γ = 90o. Pada temperatur ruang parameter kisi GaN struktur kubik adalah a =4.52 Å. GaN struktur kubik memiliki sel satuan kubik yang mengandung empat atom Ga dan empat atom N. Struktur ini memiliki kisi kubus pusat sisi (face center cubic). Masing-masing atom pada struktur ini terletak di tengahtengah sisi tetrahedron yang memiliki empat atom tetangga terdekatyaitu atom-atom yang terletak di masing-masing sudut tetrahedron. GaN struktur kubik masing-masing atom Ga berikatan dengan empat atom N tetangga terdekat, seperti ditunjukkan pada Gambar 2.1. GaN struktur kubik lebih menguntungkan untuk pembuatan piranti elektronik karena sifat simetri kristalografi yang tinggi (Okumura et al, 1997) dan tidak mengalami polarisasi spontan

(Yoshida, 2000), tetapi film tipis GaN struktur

kubik tidak stabil terhadap temperatur tinggi (Manasreh, 1997). 2.3 Struktur GaN Heksagonal GaN dengan struktur kristal heksagonal, masing-masing atom N berikatan dengan empat atom Ga tetangga terdekat, seperti ditunjukan pada Gambar 2.2. GaN struktur wurzite memiliki sel satuan heksagonal. Untuk struktur kristal heksagonal a = b ≠ c, dan besar sudut masing-masing adalah α = β = 90o, γ = 120o. Masing-masing sel satuan heksagonal memiliki 6 atom dan memiliki dua konstanta kisi, yaitu a dan c. Film tipis GaN yang ditumbuhkan pada substrat safir dengan sel satuan heksagonal, memiliki sel satuan heksagonal (Nahm et al, 2000). GaN struktur heksagonal memiliki

10

berat molekul 83,728 g/mol. Pada temperatur ruang parameter kisi GaN adalah a = 3,1892 ± 0,0009 Å dan c = 5,5180 ± 0,0005 Å. Pada temperatur 300K, GaN memiliki indeks bias 2,29. Film tipis GaN bersifat insulator jika ditumbuhkan pada tekanan gas nitrogen tinggi dan bersifat lebih konduktif jika ditumbuhkan pada tekanan gas nitrogen rendah. Ini disebabkan karena ada kekosongan (vacancy) nitrogen pada film tipis GaN (Molnar and Moustakas, 1993).

= Atom N = Atom Ga

Gambar 2.2. Struktur sel satuan heksagonal GaN (Pankove & Moustakas, 1998:168) 2.4 Substrat Kualitas kristal film tipis yang dihasilkan bergantung pada substrat yang digunakan dalam penumbuhan film tipis GaN. Film GaN pada umumnya ditumbuhkan secara heteroepitaksi pada substrat karena belum tersedia substrat GaN dalam ukuran besar. Safir sering digunakan untuk penumbuhan material III-nitrida termasuk GaN. Safir bersifat transparan, stabil pada suhu tinggi, harganya relatif lebih murah dibandingkan SiC dan tersedia kristal tunggal dalam ukuran besar dengan kualitas baik. Penumbuhan di atas safir

11

telah menghasilkan kualitas film yang baik dengan kesalahan bidang orientasi yang kecil dan tidak menunjukkan fase GaN kubik. Subtrat lain yang dipergunakan dalam penumbuhan film GaN adalah SiC, Si, ZnO, GaAs, MgAl2O3 dan quartz. SiC sebagai substrat dalam penumbuhan GaN sangat potensial dikarenakan mempunyai struktur heksagonal dengan ketidaksesuaian parameter kisi sekitar 3,5 % (Bernard, 1998) dan koefisien termal yang sesuai dengan GaN. SiC stabil pada temperatur tinggi dan mempunyai konduktifitas termal yang baik dan celah pita yang lebar. Namun harga SiC sangat mahal dibandingkan safir dan beberapa kesulitan dalam preparasi permukaan substrat. Si merupakan kristal tunggal yang tersedia dalam ukuran besar dengan harga yang lebih murah dibandingkan dengan subtrat lain yang lazim digunakan untuk epitaksi GaN. Si mempunyai sifat konduktifitas termal yang baik dan laju etsa yang tinggi. Penumbuhan GaN di atas substrat Si agak sulit dilakukan karena adanya ketidaksesuaian parameter kisi, struktur kristal dan koefisien termal (Zhou, 1996). Subtrat ZnO mempunyai struktur yang sama yaitu heksagonal terhadap GaN dengan ketidaksesuaian kisi sekitar 2%. Namun ZnO tidak tersedia secara komersial dan sulit memperoleh permukaan ZnO yang halus dalam pengetsaan. Subtrat GaAs mempunyai sifat tidak stabil terhadap kenaikan temperatur dan celah pita energi yang sempit dengan ketidaksesuain kisi 20% (Zhou, 1999). Sifat subtrat GaAs tersebut tidak cocok untuk piranti elektronik yang bekerja pada daya dan temperatur tinggi.

12

2.5 Lapisan Penyangga (Buffer Layer) Film GaN yang ditumbuhkan secara heteroepitaksi pada substrat safir secara langsung akan menghasilkan film yang berkulitas rendah. Kualitas lapisan GaN yang dihasilkan dapat lebih baik jika menggunakan lapisan penyangga (Li et al, 1995). Fluktuasi mikroskopis dari orientasi kristal dan kekasaran dari film GaN yang disebabkan oleh besarnya ketidaksesuaian kisi dapat diminimalisir dengan menggunakan lapisan penyangga (Kozawa et al, 1995) Lapisan penyangga ini akan meningkatkan kualitas lapisan GaN secara substansial. Lapisan penyangga adalah suatu lapisan yang digunakan untuk mengatasi ketidaksesuaian (mismatch) antara substrat dan film tipis yang akan ditumbuhkan.

Tabel

2.1

menunjukkan

perbandingan

ketidaksesuaian

parameter kisi dan koefisien termal dari AlN dan GaN pada substrat safir (Al2O3). Penumbuhan film GaN dengan lapisan penyangga telah dilakukan dengan metode metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD), molecular beam epitaxy (MBE) (Morkoc, 1999) dan metalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE) (Doverspike et al, 1995). Lapisan GaN yang ditumbuhkan bersifat sensitif terhadap kondisi penumbuhan, salah satunya adalah ketebalan dan temperatur penumbuhan lapisan penyangga (Doverspike, 1995).

13

Tabel 2.1. Perbandingan Ketidaksesuaian Parameter Kisi dan Koefisien Termal dari AlN dan GaN pada Substrat Safir (Al2O3) Lapisan Epitaksi

Substrat

Ketidaksesuaian Kisi

Safir (Al2O3)

Ketidaksesuaian Termal -28%

AlN GaN

Safir (Al2O3)

-23%

16.1%

13.3%

(Saxler et al, 1993)

Lapisan penyangga yang digunakan untuk mengatasi ketidaksesuaian (mismatch) antara substrat dan film yang akan ditumbuhkan harus mempunyai parameter kisi dan koefisien thermal yang relatif sama. Tabel 2.2 menunjukkan perbandingan parameter kisi dan koefisian termal pada GaN, AlN dan safir. Material yang sering digunakan sebagai lapisan penyangga pada penumbuhan film GaN adalah AlN (Jeon et al, 2002) atau GaN (Sumiya et al, 2003). Kondisi penumbuhan lapisan penyangga, seperti ketebalan, temperatur penumbuhan dan rasio III/V, merupakan faktor penting yang menentukan kualitas film GaN (Lee et al, 1996). Pada material lapisan penyangga GaN mempunyai struktur heksagonal dengan rentang tebal yang kritis antara 200-250 Ǻ untuk menghasilkan film tipis GaN yang berkualitas tinggi (Bernard, 1998). AlN juga mempunyai struktur kristal yang sama, yaitu heksagonal, tetapi dengan parameter kisi yang lebih dekat antara GaN dan safir. Penumbuhan film tipis GaN yang berkualitas baik menggunakan lapisan penyangga AlN dapat dilakukan pada rentang penumbuhan yang lebar sekitar 400 Ǻ (Bernard, 1998).

14

Tabel 2.2. Perbandingan Parameter Kisi dan Koefisian Thermal pada GaN, AlN dan Safir. Material GaN AlN Safir

Koefisian thermal (x 10-6K-1) 5.59 3.17 4.15 5.27 7.50 8.50

Parameter Kisi (Å) a=3.1891 c=5.1855 a=3.1120 c=4.9820 a=4.7580 c=12.990

(Perry et al, 1997) Penumbuhan lapisan penyangga pada MOCVD dan MBE menggunakan temperatur yang rendah, untuk AlN digunakan temperatur sekitar 480-600oC agar terjadi optimalisasi transisi antara substrat dan film tipis yang akan ditumbuhkan (Morkoc, 1999). Optimalisasi transisi ini meliputi kerapatan inti yang tinggi (laju nukleasi) dan fleksibilitas terhadap arah penumbuhan kristal yang bergantung pada temperatur penumbuhan. Pada proses penumbuhan film tipis di atas substrat yang menggunakan lapisan penyangga (proses epitaksi) melalui dua tahap, yaitu tahap pertama pada temperatur rendah untuk menumbuhkan lapisan penyangga dan tahap kedua pada temperatur yang tinggi untuk penumbuhan film utama

(Morkoc, 1999).

Mekanisme penumbuhan film GaN di atas lapisan penyangga berpengaruh pada kerapatan nukleasi (Gb.2.3.a). Nukleasi akan tumbuh membentuk pulau-pulau kecil heksagonal, seperti pada saat GaN ditumbuhkan pada safir. Pulau-pulau berkembang secara lateral dan terjadi penggabungan (coalesence) heksagonal

(Gb.2.3.b&c). menimbulkan

Mekanisme

pertumbuhan

penggabungan dua

dimensi.

pulau-pulau

Pada

akhirnya

permukaan substrat dipenuhi film GaN secara merata (Gb.2.3.d). Morfologi

15

permukaan dari film yang ditumbuhkan tanpa lapisan penyangga akan didominasi oleh pulau-pulau heksagonal yang tidak homogen, yang nampak terpisah satu dengan yang lainnya yang disebabkan karena ketidaksesuaian konstanta kisi antara GaN dan substrat.

Gambar 2.3. Mekanisme penumbuhan GaN diatas lapisan penyangga 2.6. Sifat Optik Sifat-sifat optik film GaN dapat dipelajari melalui spektrum transmisi dan absorpsi. Sifat optik tersebut penting untuk mengetahui interaksi material dengan cahaya datang. Spektrum transmisi menunjukkan fungsi transmitansi terhadap panjang gelombang. Spektrum absorpsi menunjukkan fungsi koefisien absorpsi terhadap energi foton cahaya. Ketika cahaya datang pada semikonduktor, terjadi fenomena optikal yaitu absorpsi, refleksi dan transmisi. Nilai transmitansi film tipis diperoleh dalam bentuk spektrum transmisi (dalam %) terhadap panjang gelombang (λ). Hubungan antara panjang

16

gelombang dengan energi gelombang cahaya dirumuskan secara matematis seperti persamaan 2.2. E = h

c

(2. 2)

λ

E = Energi gelombang cahaya (Joule) h = Konstanta Planck (6,626. 10-34 Js) c = Kecepatan cahaya dalam ruang hampa (3. 108 ms-1) λ = Panjang gelombang cahaya (m) Adapun hubungan antara transmitansi dengan absorptansi dapat diturunkan dari persamaan 2.3.

T=

I Io

(2.3)

T = Transmitansi (%) I = Intensitas cahaya mula-mula. I0= Intensitas cahaya setelah melewati film tipis T = e −αx

(2.4)

α = Koefisien absorpsi linier (cm-1) x = Tebal film tipis (meter)

αx = − ln T

α=

− ln T x

(2.5)

(2.6)

Foton yang berenergi tinggi dalam semikonduktor akan terabsorpsi oleh elektron yang bertransisi dari kondisi pita valensi yang penuh ke pita

17

konduksi yang kosong. Energi yang lebih rendah dari celah pita energi terlarang akan diabsorpsi dikarenakan formasi transisi eksiton dan elektron yang berada di antara kedudukan pita energi dan impuritas. Transisi dari pembawa bebas dalam pita energi menghasilkan absorpsi yang kontinyu. Peristiwa absorpsi akan bertambah dengan berkurangnya energi foton. Kisi kristal pada semikonduktor juga dapat menyerap radiasi pada peristiwa optik fonon dengan melepaskan energi. Transisi optik pada proses absorpsi terdiri dari dua jenis, yaitu transisi langsung (direct band-to-band transition) dan transisi tidak langsung (indirect band-to-band transition). Transisi elektron secara langsung ditentukan oleh energi foton dan struktur pita energi (Wolfe et al, 1989). Pada transisi elektron secara tidak langsung terjadi absorpsi atau emisi dari fonon. Penambahan derajat kebebasan oleh fonon akan menyebabkan transisi dapat terjadi lebih banyak lagi pada suatu kedudukan pita energi. Secara matematis, jika semikonduktor sempurna tanpa cacat, celah pita energi dapat ditentukan dengan persamaan 2.7.

α ( E ) = α o ( E − Eg ) 0,5 , E > Eg.

(2.7)

dengan α (E) adalah koefisien absorpsi film tipis GaN, E adalah energi foton, Eg adalah celah pita energi (Lawrence & Jeremiah, 1997). Besar koefisien absorpsi untuk material yang baik adalah 104-105 (cm-1). Celah pita energi film tipis GaN dapat ditentukan dengan menarik garis linear dari puncak kurva Eg- α2 sampai berpotongan dengan sumbu E (α2 = 0).

18

Pada grafik antara celah pita energi dengan kuadrat E dapat menunjukkan nilai energi urbach (urbach tail). Energi urbach merupakan kemiringan kurva spektrum absorpsi. Energi urbach terbentuk karena ada cacat kristal atau konsentrasi impuritas yang tinggi dan bergabung ke dalam pita konduksi atau pita valensi. Ketika semikonduktor kelebihan doping terjadi penyempitan celah pita energi. Dalam hal ini, susunan kisi mengalami kerusakan disebabkan atom impuritas. Atom impuritas berdistribusi secara random dan berfluktuasi secara acak pada tepi pita energi dan menyebabkan terjadinya ekor pada pita energi, seperti terlihat pada Gambar 2.4. Efek ini menghasilkan tepi absorpsi eksponensial dalam bahan (Sugianto, 2004). Besar kecilnya nilai energi urbach, sebanding dengan kualitas dari film tipis yang dihasilkan. Stoikiometri dari film yang ditumbuhkan akan berpengaruh pada penambahan jumlah kedudukan terlokalisasi pada pita energi. Kerapatan kedudukan dari ekor pada umumnya mencapai tingkat energi terlarang, yang dapat mempersempit celah pita energi optik (Muller et al, 2006). Secara matematis, persamaan celah pita energi semikonduktor yang terdapat cacat seperti pada persamaan 2.8, yaitu :

α ( E ) = α 1 exp [( E − Eg ) / Eu ]

(2.8)

dengan Eu adalah energi urbach (eV) dan Eu dapat dicari dengan menggunakan persamaan 2.9 (Lawrence & Jeremiah, 1997)

α ( E ) = α o (0.5 Eu ) 0.5 ( ln{1 + exp [2( E − Eg ) / Eu ]0.5 })

(2.9)

19

Gambar 2.4. Distribusi impuritas

Energi Foton (eV)

Gambar 2.5. Spektrum absorpsi optik pada penumbuhan AlxGa1-xN pada sapphire dengan MOCVD. Grafik dengan garis penuh merupakan celah pita energi dengan fungsi α ( E ) = α o (0.5 Eu ) 0.5 ( ln{1 + exp [2( E − Eg ) / Eu ]0.5 }) . Grafik di atasnya merupakan celah pita energi dengan fungsi α ( E ) = α 1 exp [( E − Eg ) / Eu ] . Grafik di bawahnya merupakan celah pita

energi dengan fungsi α ( E ) = α o ( E − Eg ) 0,5 .

20

2.7. Plasma

Plasma merupakan materi fase keempat (setelah padat, cair dan gas) yang terdiri dari elektron, ion dan molekul netral yang mempunyai sifat quasineutral dan kolektif (Grill, 1993). Plasma dibedakan menjadi dua, yaitu plasma suhu tingi dan plasma suhu rendah. Plasma suhu tinggi dipelajari dalam rangka pembuatan reaktor fusi untuk pembangkit tenaga yang ramah lingkungan. Plasma suhu rendah diantaranya digunakan dalam proses sputtering, plasma etching dan pembuatan ozon yang berguna dalam bidang teknologi pangan dan lingkungan (Suryadi, 2003). Plasma terdiri dari partikel-partikel bermuatan. Pada saat partikel bermuatan bergerak, maka akan memungkinkan terjadinya konsentrasi muatan positif atau negatif di suatu titik yang akan mengakibatkan timbulnya medan listrik. Gerakan partikel bermuatan akan menimbulkan arus listrik sehingga timbul medan magnet. Medan listrik dan medan magnet ini akan mempengaruhi gerak partikel-partikel bermuatan yang berada di tempat lain. Jika dalam gas terdapat dua daerah konsentrasi muatan A dan B yang berjarak r, maka gaya Coulomb yang diberikan oleh A kepada B akan berkurang sebanding dengan 1/r2. Gaya Coulomb yang berjangkau panjang akan menyebabkan kelakuan kolektif. Sifat kolektif berarti partikel plasma dengan muatan sejenis akan mengumpul dan terpisah dengan partikel dengan muatan berlawanan, di samping itu gerak partikel bermuatan tidak hanya ditentukan oleh kondisi lokal, tetapi juga ditentukan oleh kondisi plasma di tempat lain.

21

Plasma mudah dipengaruhi oleh tegangan listrik dari luar. Jika kita masukkan dua elektroda penghantar yang dihubungkan dengan sumber tegangan ke dalam plasma (Gambar 2.4), kedua elektroda akan menarik partikel yang mempunyai muatan yang berlawanan dengan dirinya. Awan elektron dengan cepat akan mengelilingi elektroda positif dan awan ion positif akan mengelilingi elektroda negatif. Jumlah ion dalam plasma relatif sama dengan jumlah elektron, sehingga plasma dikatakan quasineutral. Dalam plasma, gaya elektromagnetik memegang peranan yang cukup penting, sehingga tumbukan antara partikel bermuatan dengan partikel netral tidak berpengaruh. Pergerakan Elektron dan ion dalam plasma tidaklah statis, tetapi selalu bergerak secara acak.

Plasma +

+++ ++ ++ ++ +++ ++ +++ ++ ++ ++ +++ ++

Gambar 2.6. Elektroda akan menarik partikel dengan muatan yang berlawanan dengan dirinya. (Suryadi, 2003)

Fluks partikel dalam plasma dapat dinyatakan dengan persamaan 2.10 (Suryadi, 2003), yaitu : J=

1 nv ………….(2.10) 4 dengan n adalah jumlah ion dan v adalah kecepatan ion.

22

Persamaan 2.10 berlaku untuk ketiga komponen di dalam plasma, yakni elektron, ion positif dan molekul netral (tereksitasi). Dalam kesetimbangan termodinamika, fluks elektron jauh lebih besar dibanding dengan fluks ion. Hal ini disebabkan oleh massa elektron yang lebih kecil dibanding massa ion, sehingga pergerakan elektron lebih cepat daripada pergerakan ion. Je ≈ 38 mA/cm2 Ji ≈ 21 μA/cm2 Proses interaksi partikel-partikel dalam plasma sangat rumit karena menyangkut partikel-partikel netral dan partikel bermuatan dengan jangkau kecepatan yang sangat lebar. Interaksi yang terjadi dapat dibedakan menjadi proses tumbukan elastis dan non elastis. Tumbukan elastis terjadi bila tenaga partikel yang berinteraksi lebih kecil dibandingkan dengan tenaga internal masing-masing partikel. Pada proses ini berlaku hukum kekekalan momentum dan energi kinetik. Pada tumbukan non-elastis tidak berlaku hukum kekekalan momentum dan energi kinetik, karena ada sebagian energi yang diubah menjadi energi internal partikel. Tenaga internal atom atau molekul dapat berupa energi eksitasi, ionisasi, vibrasi, rotasi dan disosiasi. ........ 2.8. Sputtering

Permukaan material padat (target) ketika ditumbuk oleh partikel (atom atau ion) berenergi tinggi, atom-atom permukaan target tersebut memperoleh energi untuk melepaskan diri dan terhambur dari permukaan

23

target. Fenomena terhamburnya atom-atom dari permukaan target akibat tumbukan dengan partikel (atom, molekul atau ion) penumbuk disebut dengan sputtering (Konuma, 1992). Proses sputtering terjadi ketika muncul lucutan listrik pada ruang antara katoda dan anoda dan tumbukan terjadi secara terus menerus antara ionion penumbuk dengan atom-atom permukaan target. Atom-atom target yang terhambur berpindah ke permukaan substrat. Perpindahan atom-atom permukaan target pada permukaan substrat menjadi isotropik, sehingga terbentuk film tipis pada permukaan substrat. Hasil sputtering dipengaruhi oleh beberapa faktor, yaitu material target, energi ion penumbuk, sudut tumbukan ion penumbuk dan struktur kristal target

(Wasa & Hayakawa, 1992).

Keunggulan metode sputtering ialah sebagai berikut: (a) lapisan yang terbentuk mempunyai komposisi yang serupa dengan bahan target, (b) kualitas, struktur dan keseragaman hasil lapisan dikendalikan oleh tingkat homogenitas target, (c) mempunyai rapat arus yang besar sehingga memungkinkan laju deposisi yang tinggi, (d) lapisan yang terbentuk mempunyai kekuatan rekat yang tinggi terhadap permukaan substrat (Sudjatmoko, 2003). 2.9. Dc magnetron sputtering

Teknik penumbuhan film tipis yang sederhana adalah dengan metode dc magnetron sputtering dengan biaya pengoperasian yang relatif murah. Metode ini menggunakan catu daya searah (dc) tegangan tinggi yang

24

menghasilkan medan listrik antara katoda dan anoda. Gas argon sering digunakan sebagai bahan pembentuk plasma, karena gas argon mempunyai massa lebih berat dan mudah terionisasi dari pada gas-gas mulia lain seperti neon (Ne), helium (He), xenon (Xe) dan kripton (Kr) (Purwaningsih, 2003). Gas argon dan nitrogen yang melalui ruang antara elektroda dipecah oleh medan listrik tinggi menjadi plasma yang mengandung elektron (e-), ion Ar, ion N dan atom N. Ion-ion positif Ar dan N dipercepat oleh medan listrik menuju elektroda negatif (katoda), sehingga ion-ion positif menumbuk atomatom permukaan target yang dipasang di atas anoda. Ion-ion penumbuk memiliki energi sangat besar sehingga atom-atom permukaan target terlepas dari permukaan target terhambur ke segala arah. Atom-atom target yang terpental menempel pada permukaan substrat sehingga membentuk film tipis. Untuk

meningkatkan

derajat

ionisasi

dan

mencegah

terjadi

resputtering oleh elektron pada permukaan film tipis yang terbentuk, maka di bawah target dipasang magnet permanen untuk membuat perangkap elektron dengan medan magnet yang dihasilkan (Joshi, 2003). Untuk menguji keadaan elektron, anggap medan magnet B sejajar dengan permukaan target dan medan listrik E tegak lurus terhadap permukaan target. Elektron-elektron dalam plasma dipercepat oleh medan listrik pada arah tegak lurus terhadap permukaan target. Jika medan magnet cukup kuat untuk membelokan elektron, maka elektron akan terhenti pada permukaan target. Jumlah elektron yang menuju anoda berkurang karena elektron banyak terperangkap dan bergerakdi daerah dekat target oleh interaksi medan magnet dengan medan listrik. Proses

25

sputtering menghasilkan panas pada daerah target akibat dari tumbukan antara ion-ion penumbuk dengan atom-atom permukaan target dan pengaruh pemanasan substrat dengan pemanas (heater). Sistem magnet harus dialiri air pendingin untuk menjaga kekuatan magnet agar tidak hilang karena pengaruh panas selama proses penumbuhan film tipis.

BAB III METODE PENELITIAN

Penelitian dilakukan dengan metode eksperimen. Untuk penumbuhan film tipis GaN dengan lapisan penyangga GaN dan film tipis GaN di atas lapisan penyangga AlN dilakukan di Laboratorium Fisika Material Jurusan Fisika UNNES menggunakan reaktor dc magnetron sputtering. Karakterisasi struktur kristal film tipis GaN yang telah ditumbuhkan dilakukan di laboratorium laboratorium PPTM (Pusat Penelitian dan Pengembangan Mineral) dan karakterisasi sifat optik dilakukan di laboratorium Jurusan Kimia ITB. Eksperimen ini dilakukan dengan membuat target dan penumbuhan film tipis GaN di atas lapisan penyangga GaN dan AlN dengan ketebalan yang divariasi. Penumbuhan film tipis GaN dilakukan dengan parameter variasi daya plasma. Film tipis GaN dikarakterisasi dengan menggunakan XRD dan spektrometer UV-vis. Karakterisasi hasil penumbuhan film tipis GaN dengan metode XRD bertujuan untuk mengetahui struktur kristal film tipis GaN. Sifat optik dan lebar celah pita energi film tipis GaN dikarakterisasi dengan spektrometer UV-vis. Alur penelitian dengan metode eksperimen penumbuhan lapisan film tipis GaN di atas permukaan substrat safir (0001) dan karakterisasinya ditunjukkan pada gambar 3.1.

26

27

Mulai Persiapan Bahan dan Alat Pembuatan target GaN

Preparasi Substrat Safir

Pembuatan target AlN Penumbuhan GaN dengan Buffer Layer GaN

Penumbuhan GaN dengan Buffer layer AlN

Karakterisasi Film

XRD

Spektrometer UV-vis

Transmitansi, Celah pita energi & Energi urbach

Arah kristal & Struktur kristal

Analisa Hasil dan Pembahasan Optimasi Variasi Daya Analisa Hasil & Pembahasan Selesai

Gambar 3.1. Diagram Alir Penelitian

28

3.1 Pelaksanaan Eksperimen 3.1.1 Pembuatan target GaN dan AlN

Target dibuat dalam bentuk pellet dari serbuk GaN dengan kemurnian 99,99% yang diproduksi oleh Aldrich Chemical Ltd. Serbuk GaN dihaluskan terlebih dahulu, kemudian dibentuk pellet dengan cara dipres dengan diameter 2,5 cm. Pellet kemudian disentering pada temperatur 620 oC dengan dialiri gas nitrogen selama 12 jam dengan tujuan untuk mengurangi oksigen. Mekanisme pembuatan target AlN sama dengan pembuatan target GaN. 3.1.3 Preparasi Substrat

Substrat yang digunakan dalam penelitian ini adalah substrat safir double side dengan orientasi bidang kristal (0001). Substrat dipotong dengan ukuran kurang lebih (1x1) cm. Tahap pertama, substrat dicuci dengan aseton untuk menghilangkan kotoran (minyak dan lemak) yang menempel pada permukaan substrat. Substrat dibilas dengan air DI (de ionized). Substrat dietsa dengan campuran larutan H2SO4 : H3PO4 : H2O dengan perbandingan 3 : 1 : 1 selama 15 menit yang bertujuan untuk menghaluskan permukaan substrat. Tahap akhir, substrat dibilas dengan air DI dan dikeringkan dengan menyemprotkan gas N2 ke seluruh sisi permukaan substrat. 3.1.4 Penumbuhan film tipis GaN dengan lapisan penyangga GaN

Penumbuhan film tipis GaN dengan lapisan penyangga GaN dilaksanakan di Laboratorium Fisika Material FMIPA Unnes. Langkah-

29

langkah yang dilakukan pada proses penumbuhan film tipis GaN dengan lapisan penyangga GaN dengan perbedaan waktu deposisi selama 10 dan 20 menit di atas permukaan substrat safir dengan metode dc magnetron sputtering sebagai berikut. (a)

target GaN dipasang pada katoda dan substrat safir pada anoda dengan perekat pasta perak,

(b)

substrat safir dan pellet GaN dipanaskan pada temperatur sampai 100

O

C

dengan

menghidupkan

catu

daya

heater

untuk

mengeringkan pasta perak. Kemudian dimasukan ke dalam chamber dengan memasang tutup reaktor dan shutter ditutup, (c)

sistem pendingin dihidupkan dengan menghidupkan pompa air,

(d)

tabung reaktor divakumkan sampai tekanan di bawah 10 mTorr dengan menghidupkan pompa pemvakum,

(e)

temperatur

chamber

dinaikkan

sampai

300

O

C

untuk

menumbuhkan lapisan penyangga GaN dengan menghidupkan catu daya heater pada tegangan 20 volt dan mengatur panel kontrol temperatur, (f)

gas Ar dan N2 dialirkan ke dalam chamber dengan membuka kran saluran gas,

(g)

plasma dibangkitkan dengan menghidupkan catu daya tegangan tinggi dc sampai tegangan mencapai 600 volt kemudian shutter dibuka ketika plasma sudah stabil dan proses deposisi lapisan penyangga GaN dimulai,

30

(h)

shutter ditutup setelah waktu deposisi lapisan penyangga GaN selesai, kemudian plasma dimatikan dengan menurunkan tegangan catu daya plasma hingga mencapai 0 volt kemudian dimatikan dan kran saluran gas Ar dan N2 ditutup,

(i)

setelah proses penumbuhan lapisan penyangga GaN selesai, temperatur dinaikkan sampai pada suhu 650 oC untuk penumbuhan film tipis GaN.

(j)

gas Ar dan N2 dialirkan lagi ke dalam reaktor dengan membuka kran saluran gas,

(k)

plasma dibangkitkan dengan menghidupkan catu daya tegangan tinggi dc sampai tegangan mencapai 600 volt dan shutter dibuka kembali ketika plasma sudah stabil dan proses deposisi film GaN dimulai,

(l)

shutter ditutup setelah waktu deposisi mencapai 3 jam kemudian plasma dimatikan dengan menurunkan tegangan catu daya plasma hingga mencapai 0 volt kemudian dimatikan dan kran saluran gas Ar dan N2 ditutup,

(m) temperatur heater diturunkan dengan menurunkan catu daya hingga mencapai 0 volt kemudian dimatikan dan mengatur penurunan temperatur sampai 30 oC, (n)

pompa pemvakum, pompa air, panel tekanan dan panel kontrol temperatur dimatikan setelah temperatur heater mencapai 30 oC dan tutup reaktor dibuka dengan membuka kran aliran udara masuk, kemudian substrat diambil.

31

3.1.5 Penumbuhan film tipis GaN dengan lapisan penyangga AlN

Penumbuhan film tipis GaN dengan lapisan penyangga AlN dilaksanakan di Laboratorium Fisika Material FMIPA Unnes. Langkahlangkah yang dilakukan pada proses penumbuhan film tipis GaN dengan lapisan penyangga AlN dengan perbedaan waktu deposisi selama 10, 20 dan 30 menit di atas permukaan substrat safir dengan metode dc magnetron sputtering sebagai berikut. Tahap I, yaitu penumbuhan lapisan penyangga AlN, dengan langkahlangkah : (a)

target AlN dipasang pada katoda dan substrat safir pada anoda dengan perekat pasta perak,

(b)

substrat safir dipanaskan pada temperatur sampai 100oC dengan menghidupkan catu daya heater untuk mengeringkan pasta perak. Kemudian dimasukan ke dalam chamber dengan memasang tutup reaktor dan shutter ditutup,

(c)

sistem pendingin dihidupkan dengan menghidupkan pompa air,

(d)

tabung reaktor divakumkan sampai tekanan di bawah 10 mTorr dengan menghidupkan pompa pengisap,

(e)

temperatur chamber dinaikkan sampai 300oC untuk menumbuhkan lapisan penyangga AlN dengan menghidupkan catu daya heater pada tegangan 20 volt dan mengatur panel kontrol temperatur,

(f)

gas Ar dan N2 dialirkan ke dalam chamber dengan membuka kran saluran gas,

32

(g)

plasma dibangkitkan dengan menghidupkan catu daya tegangan tinggi dc sampai tegangan mencapai 600 volt kemudian shutter dibuka ketika plasma sudah stabil dan proses deposisi lapisan penyangga AlN dimulai

(h)

shutter ditutup setelah waktu deposisi lapisan penyangga AlN berakhir, kemudian plasma dimatikan dengan menurunkan tegangan catu daya plasma hingga mencapai 0 volt kemudian dimatikan dan kran saluran gas Ar dan N2 ditutup,

(i)

gas Ar dan N2 dialirkan lagi ke dalam chamber dengan membuka kran saluran gas,

(j)

temperatur chamber diturunkan dengan menurunkan catu daya heater hingga mencapai 0 volt kemudian dimatikan dan mengatur penurunan temperatur sampai 30oC,

(k)

pompa pemvakum, pompa air, panel tekanan dan panel kontrol temperatur dimatikan setelah temperatur chamber mencapai 30oC dan tutup reaktor dibuka dengan membuka kran aliran udara masuk, kemudian target AlN diambil.

Tahap II, yaitu penumbuhan film tipis GaN, dengan langkah-langkah : a)

target AlN yang telah diambil diganti dengan target GaN

b)

sistem pendingin dihidupkan dengan menghidupkan pompa air,

c)

tabung reaktor divakumkan sampai tekanan di bawah 10 mTorr dengan menghidupkan pompa pengisap,

33

d)

temperatur chamber dinaikkan sampai 650oC untuk menumbuhkan lapisan penyangga GaN dengan menghidupkan catu daya heater pada tegangan 20 volt dan mengatur panel kontrol temperatur,

e)

gas Ar dan N2 dialirkan lagi ke dalam chamber dengan membuka kran saluran gas,

f)

plasma dibangkitkan dengan menghidupkan catu daya tegangan tinggi dc sampai tegangan mencapai 600 volt dan shutter dibuka kembali ketika plasma sudah stabil dan proses deposisi film GaN dimulai,

g)

shutter ditutup setelah waktu deposisi mencapai 3 jam kemudian plasma dimatikan dengan menurunkan tegangan catu daya plasma hingga mencapai 0 volt kemudian dimatikan dan kran saluran gas Ar dan N2 ditutup,

h)

temperatur chamber diturunkan dengan menurunkan catu daya heater hingga mencapai 0 volt kemudian dimatikan dan mengatur penurunan temperatur sampai 30oC,

i)

pompa pemvakum, pompa air, panel tekanan dan panel kontrol temperatur dimatikan setelah temperatur chamber mencapai 30oC dan tutup reaktor dibuka dengan membuka kran aliran udara masuk, kemudian substrat diambil.

Parameter waktu deposisi lapisan penyangga yang ditumbuhkan di atas permukaan substrat safir selama 10, 20 dan 30 menit telah dikonversikan ke dalam ketebalan sekitar 20 nm, 40 nm dan 60 nm.

34

3.1.6 Optimasi daya plasma

Karakterisasi film tipis GaN dilaksanakan secara berulang karena adanya perlakuan optimasi daya plasma. Hal ini dilaksanakan guna mengetahui pengaruh optimasi daya plasma pada struktur kristal dan sifat optik film tipis GaN. Setiap film tipis GaN hasil experimen dengan variasi

daya

plasma

(dalam

watt),

akan

dikarakterisasi

baik

menggunakan XRD ataupun spektrometer UV-vis.

Pressure

Heat

Substrat

Shutter

target

Magnet

Catu daya plasma

N2

Ar

Catu Daya Heater

Pompa

Panel tekanan

Pompa

Panel temperatur

Gambar 3.2. Sistem reaktor dc magnetron sputtering 3.2 Karakterisasi dan Metode Analisa Data Film Tipis GaN

Karakterisasi dilakukan dengan tujuan untuk mengkaji sifat-sifat film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas permukaan substrat safir (0001)

35

dengan metode dc magnetron sputtering. Sifat-sifat yang dikaji adalah struktur kristal dan sifat optik film tipis GaN. Data yang diperoleh dari pengujian dengan menggunakan XRD dan spektrometer UV-vis diolah dengan bantuan grafik kemudian dianalisis secara kualitatif dengan interpretasi. 3.2.1 XRD

XRD merupakan alat karakterisasi yang dapat menghasilkan sinar-X dan digunakan untuk mengidentifikasi struktur kristal. SinarX dihasilkan dari sepasang elektroda yang terdapat di dalam tabung sinar-X. Elektron-elektron dihasilkan dengan pemanasan elektroda bertegangan rendah (katoda) yang terbuat dari filamen tungsten. Elektron-elektron dipercepat dengan kecepatan sangat tinggi ke arah anoda. Elektron-elektron yang menumbuk anoda kehilangan energi dan menghasilkan sinar-X dalam jumlah kecil (kurang dari 1%) yang lainnya terdesipasi menjadi panas (Suryanarayana, 1998). Sinar-X dimanfaatkan untuk mengidentifikasi struktur kristal. Untuk menggambarkan proses difraksi ada tiga hal yang harus diketahui yaitu hamburan (scattering), interferensi dan difraksi. Hamburan adalah radiasi penumbuk diserap dan dipancarkan kembali dengan arah yang berbeda. Interferensi adalah superposisi dari dua atau lebih gelombang yang terhambur. Difraksi adalah interferensi konstruktif dari gelombang yang terhambur. Sinar-X yang mengenai bidang kristal akan dihamburkan ke segala arah.

36

Sinar-sinar pantul yang sefase berbeda lintasan sebesar kelipatan bulat dari panjang gelombang akan menimbulkan interferensi saling menguatkan. Pemantulan dan interferensi bergabung menjadi difraksi. Difraksi akan saling menguatkan jika terpenuhi persamaan Bragg sebagai berikut:

2 d sin θ = n λ

(3.1)

dengan n adalah bilangan bulat, λ adalah panjang gelombang sinar-X, d adalah jarak antar atom dalam bidang kristal dan θ adalah sudut difraksi. Data hasil karakterisasi dengan XRD adalah intensitas dan sudut hambur 2θ. Analisis data dilakukan dengan bantuan grafik antara intensitas dengan sudut hambur 2θ. Hasil difraktogram muncul puncak-puncak intensitas pada sudut tertentu yang menunjukkan bidang kristal tertentu. Data hasil difraktogram dibandingkan dengan data hasil penelitian sebelumnya JCPDS (joint committee on powder diffraction standar) untuk identifikasi kristal

yang terdeposit pada substrat. Hasil penelitian sebelumnya yang dijadikan pembanding dalam analisis data hasil dari karakterisasi GaN dengan XRD. 3.2.2 Spektrometer UV-vis

Karakterisasi

sifat

optik

film

tipis

GaN

dengan

menggunakan spektrometer UV-vis. Spektrometer UV-vis digunakan untuk mengetahui spektrum transmisi dan spektrum absorpsinya.

37

Spektrum transmisi menunjukkan karakteristik film tipis terhadap panjang gelombang cahaya yang melewatinya, sehingga transmitansi film tipis dapat diketahui. Transmitansi yang diperoleh, digunakan untuk mencari spektrum absorpsi film tipis GaN sesuai dengan persamaan 2.6. Data hubungan antara panjang gelombang cahaya dan transmitansi (dalam %) selanjutnya diolah menjadi data antara energi gelombang cahaya dengan kuadrat koefisien absorpsi lapisan tipis GaN. Pengukuran dengan spektrometer UV-vis menunjukkan data

hubungan

transmitansi

lapisan

tipis

terhadap

panjang

gelombang cahaya. Energi foton cahaya ditentukan dari panjang gelombangnya. Koefisien absorpsi lapisan tipis GaN dihitung dari besar transmitansi sesuai persamaan 2.6. Kurva antara energi foton dan

kuadrat

koefisien

absorbsi

(spektrum

absorpsi)

dapat

menunjukkan celah pita energi lapisan tipis GaN dengan menarik garis ekstrapolasi linear dari puncak kurva E - α2 hingga berpotongan dengan sumbu E.

BAB IV HASIL PENELITIAN DAN PEMBAHASAN Film tipis GaN telah dideposisi dengan cara penumbuhan atom-atom target GaN di atas permukaan substrat safir (0001) menggunakan metode dc magnetron sputtering. Proses penumbuhan film GaN dilakukan pada temperatur substrat

650°C mengunakan lapisan penyangga GaN dan AlN dengan temperatur 300oC. Tekanan chamber selama proses penumbuhan film sekitar 10 mTorr. Penumbuhan film tipis GaN dilakukan selama 3 jam. Parameter penumbuhan film tipis mengunakan lapisan penyangga GaN dan AlN dengan perbedaan ketebalan dan daya plasma yang divariasi ditunjukkan pada Tabel 4.1.

Tabel 4.1. Penumbuhan film tipis GaN pada substrat safir (0001) dengan parameter ketebalan lapisan penyangga dan daya plasma yang berbeda. Sampel GaN GaN-GaN GaN-GaN GaN-AlN GaN-AlN GaN-AlN GaN-AlN

Material Lapisan Penyangga #a #b #c #d #e #f #g

Ketebalan Lapisan Penyangga (nm) 20 40 20 40 60 40

GaN GaN AlN AlN AlN AlN

Daya Plasma (watt) 50 50 50 50 50 50 70

Pada eksperimen ini dipelajari sifat-sifat film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas permukaan substrat safir (0001) dengan menggunakan lapisan penyangga

38

39

GaN dan AlN serta daya plasma berbeda selama proses penumbuhan berlangsung. Analisis struktur dan orientasi kristal dilakukan dengan membandingkan hasil difraktogram dari difraksi sinar-X dengan data yang dihasilkan pada penelitian sebelumnya (JCPDS). Analisis sifat optik dilakukan dengan menggunakan bantuan grafik koefesien absorpsi (α2) terhadap energi foton (E) untuk menentukan besarnya celah pita energi (Eg) dan parameter urbach. Analisis sifat optik dilakukan secara kuantitatif dengan menggunakan persamaan-persamaan yang dibutuhkan. 4.1 Hasil Analisis Struktur dan Orientasi Kristal dengan XRD 4.1.1 Spektrum Kristal Target GaN

Gambar 4.1 merupakan hasil karakterisasi target GaN dengan XRD yang menunjukkan bahwa target GaN memiliki arah orientasi kristal acak atau dapat dikatakan memiliki struktur polikristal. Material yang memiliki struktur polikristal dikatakan mengalami disorientasi yang memiliki arah tidak sejajar antara bidang kristal satu dengan yang lain (Cullity,1997).

(0004)

(1013)

(1022)

(2021)

1000

(1120)

(1012)

2000

(1011)

(1010)

3000

(1010)

Intensitas (cps.)

(0002)

4000

0 25

30

35

40

45

50

55

60

2-theta (derajat)

Gambar 4.1. Spektrum XRD target GaN

65

70

75

80

40

4.1.2 Pengaruh Ketebalan Lapisan Penyangga GaN terhadap Struktur Kristal

Gambar 4.2 merupakan hasil karakterisasi film tipis GaN dengan XRD yang ditumbuhkan pada substrat safir tanpa lapisan penyangga baik GaN ataupun AlN, menunjukkan adanya kristal pada sudut 2θ = 34,28° dan 72,88o. Hasil analisis dengan membandingkan data XRD pada sampel serbuk (JCPDS) (02-1078) mengindikasikan bahwa sampel GaN #a berurutan memiliki bidang kristal dengan orientasi (0002) dan (0004). Pada penumbuhan film tipis GaN tanpa lapisan penyangga menunjukkan orientasi dominan searah sumbu kristal yaitu pada bidang orientasi (0002) dan (0004) dengan struktur kristal heksagonal. Gambar 4.3 merupakan hasil karakterisasi film tipis GaN dengan XRD untuk sampel film tipis GaN-GaN #b dengan ketebalan lapisan penyangga GaN 20 nm yang menunjukkan adanya kristal pada sudut 2θ = 34,30° dan 36,44° dengan indikasi bahwa kristal film GaN berada pada bidang orientasi (0002) dan (1011). Sampel film tipis GaNGaN #c dengan ketebalan lapisan penyangga GaN 40 nm menunjukkan adanya kristal film GaN pada sudut 2θ = 34,54° dan 36,80°. yang mengindikasikan bidang orientasi (0002) dan (1011). Film tipis GaN dengan lapisan penyangga GaN yang ditumbuhkan menunjukkan adanya sifat amorf pada sudut 2θ < 37o. Sifat ini berkaitan dengan kondisi penumbuhan pada film GaN yang

41

dikarenakan proses re-kristalisasi yang kurang sempurna berkaitan

GaN #a

Safir (0006)

GaN (0004)

GaN (0002)

Intensitas (arb.u.)

dengan temperatur penumbuhan (Sahar, 2000).

30

40

50

60

70

80

Intensitas (arb.u)

GaN (1011)

Safir (0006)

GaN (0002)

2-theta (deg) Gambar 4.2. Spektrum XRD film tipis GaN yang ditumbuhkan tanpa lapisan penyangga

GaN-GaN #b

GaN-GaN #c

30

40

50

60

70

2-theta (deg)

Gambar 4.3. Spektrum XRD film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan ketebalan lapisan penyangga GaN

80

42

Pada saat film GaN ditumbuhkan di atas lapisan penyangga GaN 20 nm dan 40 nm menunjukkan bidang orientasi film GaN yang serupa. Intensitas puncak yang dominan berada pada bidang (0002), tetapi masih menunjukkan bidang (1011) dengan puncak yang relatif rendah. Dari Gambar 4.3 dapat dilihat bahwa penambahan ketebalan lapisan penyangga GaN menjadi 40 nm, menjadikan intensitas pada bidang orientasi (0002) semakin melemah dengan diikuti intensitas yang semakin menguat pada bidang orientasi (1011). Pada ketebalan lapisan penyangga GaN yang optimal, dapat menghasilkan kualitas kristal yang baik (Li et al,1995). Dalam eksperimen ini penggunaan lapisan penyangga GaN belum menunjukkan karakteristik kristal yang baik. Namun dari Gambar 4.3 tampak bahwa lapisan penyangga GaN dengan ketebalan 20 nm menghasilkan film yang mempunyai kualitas lebih baik dibandingkan film dengan ketebalan 40 nm. Paterson, 1998 dan Chen et al, 1999 juga telah menunjukkan bahwa ketebalan lapisan penyangga GaN yang optimal sekitar

20 nm. FWHM menyatakan kualitas kristal, semakin sempit lebar

FWHM semakin baik kualitas kristal. Hasil analisis dengan XRD dari masing-masing sampel menunjukkan adanya perubahan FWHM (full

width at half maximum) film tipis GaN pada bidang orientasi (0002), yang ditunjukkan pada Tabel 4.2.

43

Tabel 4.2. Data FWHM pada penumbuhan film GaN Sampel FWHM (o) GaN #a 0.40 GaN-GaN #b 0.47 GaN-GaN #c 0.70 Dari Tabel 4.2 dapat ditunjukkan bahwa FWHM pada film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas lapisan penyangga GaN mempunyai kualitas kristal yang kurang baik dibandingkan ketika film tipis GaN ditumbuhkan tanpa lapisan penyangga. Hal ini ditunjukkan dengan lebar FWHM yang lebih besar. Hasil eksperimen yang telah dilakukan dengan metode dc

magnetron sputtering menunjukkan bahwa film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas lapisan penyangga GaN menghasilkan kualitas kristal yang masih rendah. Oleh karena itu dilakukan eksperimen penumbuhan film tipis GaN di atas lapisan penyangga AlN. 4.1.3.Pengaruh Ketebalan Lapisan Penyangga AlN terhadap Struktur Kristal

Gambar 4.4 merupakan hasil karakterisasi film tipis GaN dengan XRD untuk sampel film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas lapisan penyangga AlN dengan ketebalan sekitar 20 nm, 40 nm dan 60 nm. Ketiga sampel menunjukkan adanya kristal pada sudut 2θ sekitar 34,34° ; 36,46° dan 72,88°, secara berurutan mengindikasikan tumbuhnya kristal GaN pada bidang orientasi (0002), (1011) dan (0004). Ketiga sampel juga menunjukkan adanya puncak dominan pada bidang orientasi (0002). Film juga tumbuh pada arah bidang (0004) sehingga secara

44

umum dapat dikatakan bahwa film GaN yang ditumbuhkan di atas lapisan penyangga AlN mempunyai kecenderungan tumbuh dengan

GaN-AlN #d

Safir (0006)

GaN (1011)

GaN (0002)

derajat orientasi tinggi (highly oriented) sejajar permukaan substrat safir.

Intensitas (arb.u.)

GaN-AlN #e

GaN (0004)

GaN-AlN #f

30

40

50

60

70

80

2-theta (deg)

Gambar 4.4. Spektrum XRD film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan perbedaan ketebalan lapisan penyangga AlN Pada penumbuhan film GaN di atas lapisan penyangga AlN menunjukkan puncak dominan pada bidang orientasi (0002) dan sifat amorf tidak tampak terlihat. Pada lapisan penyangga AlN dengan ketebalan 20 nm, terlihat intensitas bidang orientasi (0002) yang tinggi, tetapi dengan bertambahnya lapisan penyangga AlN menjadi 40 nm dan 60 nm, terlihat intensitas pada bidang orientasi (0002) menurun diikuti dengan munculnya intensitas yang semakin kuat pada bidang orientasi (1011), sedang bidang orientasi (0004) mulai muncul pada ketebalan

45

lapisan penyangga AlN 60 nm. Pada film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan menggunakan lapisan penyangga AlN, tidak nampak intensitas yang menunjukkan bidang orientasi AlN. Kenyataan ini diduga karena lapisan penyangga AlN merupakan film tipis dengan ketebalan yang amat rendah sehingga tidak terdeteksi oleh XRD. FWHM menyatakan kualitas kristal, semakin sempit FWHM semakin baik kualitas kristal. Hasil analisis dengan XRD dari masing-masing sampel menunjukkan adanya perubahan FWHM film tipis GaN pada bidang orientasi (0002), yang ditunjukkan pada Tabel 4.3. Tabel 4.3. Data FWHM pada penumbuhan film GaN FWHM (o) 0.40 0.38 0.36 0.44

Sampel GaN #a (tanpa l.p) GaN-AlN #d GaN-AlN #e GaN-AlN #f

Tabel 4.3, menunjukkan bahwa film tipis GaN mempunyai kualitas yang lebih baik jika ditumbuhkan di atas lapisan penyangga AlN 40 nm. Pada umumnya film GaN yang ditumbuhkan dengan lapisan penyangga AlN mempunyai FWHM yang lebih rendah ketika ditumbuhkan dengan ketebalan tertentu. Pada ketebalan lapisan penyangga yang optimum, AlN dapat menghasilkan kualitas kristal yang baik (Li et al,1995) dan lebih unggul baik dalam kristal dan sifat optik (Amano et al, 1985). Kenyataan di atas menunjukkan

bahwa

ketebalan

lapisan

penyangga

AlN

akan

menghasilkan kualitas film yang lebih baik pada ketebalan sekitar 40 nm, kondisi ini sesuai dengan penelitian yang dilakukan oleh Morkoc (1998).

46

Berdasarkan data acuan JCPDS menunjukkan bahwa GaN dengan bidang orientasi (0002) berada pada sudut 2θ sebesar 34,604°. Kondisi ini menunjukkan adanya pergeseran sudut 2θ sebesar 0,262°; 0,064o dan 0,220° pada ketebalan lapisan penyangga AlN 20 nm, 40 nm dan 60 nm secara berturut-turut. Pergeseran sudut 2θ menunjukkan adanya perubahan parameter kisi akibat perbedaan konstanta kisi antara film GaN dan substrat safir. Perbedaan parameter kisi dan koefisien termal dari film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas substrat safir dapat menyebabkan terjadinya strain (Yamaguchi et al, 2001). Strain yang lebih besar ditandai dengan pergeseran sudut 2θ yang lebih besar pula.

Strain dapat ditentukan dari perubahan konstanta kisi hasil pengukuran XRD pada puncak GaN(0002) yang besarnya Δc/co, yang mengacu pada data referensi safir (0001). Hasil perhitungan besarnya

Strain (x10-3)

strain diperlihatkan pada Gambar 4.5.

10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0

Tensile

-20

0

20

40

60

80

Ketebalan (nm)

Gambar 4.5. Pengaruh ketebalan lapisan penyangga AlN terhadap strain Gambar 4.5 menunjukkan bahwa film GaN yang ditumbuhkan tanpa lapisan penyangga maupun dengan ketebalan lapisan penyangga

47

AlN 20 nm, 40 nm dan 60 nm mengalami tensile strain. Pada ketebalan lapisan penyangga AlN sekita 40 nm, strain berada pada keadaan paling rendah. Rendahnya strain disebabkan oleh homogenitas orientasi kristal berkaitan dengan kualitas kristal yang bersesuaian dengan besarnya FWHM yang rendah. Penggunaan lapisan penyangga AlN dengan ketebalan yang optimal dapat mengurangi terjadinya strain dalam film GaN. 4.1.4 Pengaruh Perbedaan Daya Plasma terhadap Struktur Kristal

Gambar 4.6 merupakan hasil karakterisasi film tipis GaN dengan XRD yang ditumbuhkan pada substrat safir menggunakan ketebalan lapisan penyangga AlN 40 nm dengan 70 watt. Sampel film tipis GaNGaN #g menunjukkan adanya kristal pada sudut 2θ = 34,44°; 36,64° dan 73,2o dengan indikasi bahwa kristal film GaN berada pada bidang orientasi (0002), (1011) dan (0004). Pada saat film tipis GaN ditumbuhkan pada daya plasma 50 watt dapat dilihat pada Gambar 4.4. Pada film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan daya plasma 50 watt dan 70 watt menunjukkan bidang orientasi yang sama. Namun intensitas puncak bidang (0002) terhadap safir (0006) nampak lebih tinggi pada film GaN yang ditumbuhkan dengan daya plasma 70 watt. Daya plasma yang lebih besar mengakibatkan laju deposisi menjadi lebih tinggi. Penumbuhan film dengan daya plasma yang lebih tinggi mengakibatkan ion argon memiliki energi dan momentum yang tinggi. Hal ini dapat menghasilkan atom target yang tersputter menuju substrat memiliki jumlah yang lebih besar, yang berkaitan dengan besarnya gaya ikatan antar atom penyusun pada target GaN. Besarnya

48

daya plasma yang diberikan selama penumbuhan berpengaruh terhadap laju penumbuhan film yang juga menentukan kualitas film GaN yang ditumbuhkan.

30

40

GaN (0004)

Safir (0006)

GaN (1011)

GaN (0002)

Intensitas (arb.u.)

GaN-AlN #g

50

60

70

80

2-theta (deg.)

Gambar 4.6. Spektrum XRD film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas lapisan penyangga AlN dengan daya plasma 70 watt Tabel 4.4. Data FWHM pada penumbuhan film GaN Sampel GaN-AlN #e GaN-AlN #f

FWHM (o) 0.36 0.40

Pada Tabel 4.4, terlihat bahwa film tipis GaN mempunyai kualitas yang lebih baik jika ditumbuhkan dengan daya plasma yang relatif rendah (laju penumbuhannya lebih rendah). Dengan demikian dapat dikatakan bahwa daya plasma yang relatif rendah (50 watt) akan menghasilkan kualitas film GaN yang lebih baik. Gambar 4.4 dan 4.6 menunjukkan bahwa puncak kristal film tipis GaN dengan daya plasma 50 watt dan 70 watt pada bidang orientasi (0002) berada pada sudut 2θ antara 34,56° dan 34,44°. Kondisi ini menunjukkan adanya pergeseran sudut 2θ sebesar 0,044° dan 0,164°. Daya plasma yang relatif tinggi 70 watt menghasilkan pergeseran sudut

49

yang lebih besar dibandingkan daya plasma 50 watt. Pergeseran sudut 2θ menyatakan besarnya strain yang mengindikasikan kualitas kristal yang dihasilkan. Semakin besar sudutnya maka strain yang terjadi semakin besar dan kualitas kristalnya kurang baik. 4.2 Hasil Analisis Sifat Optik Film Tipis GaN

Transparansi film tipis GaN yang dideposisikan pada substrat safir dikarakterisasi untuk mengetahui sifat optik dan menentukan celah pita energi serta energi urbach. Analisis sifat optik terfokus pada film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas lapisan penyangga AlN. Hal ini dikarenakan film GaN yang ditumbuhkan di atas lapisan penyangga GaN mempunyai sifat kristal yang kurang baik. Oleh karena itu untuk membandingkan sifat optik film GaN, karakterisasi dilakukan pada sampel film tipis yang ditumbuhkan tanpa lapisan penyangga dan yang menggunakan lapisan penyangga AlN serta variasi daya plasma. 4.2.1 Sifat Optik Film Tipis GaN

Sifat optik film tipis dapat diteliti dari spektrum transmisinya terhadap panjang gelombang cahaya yang melewatinya. Sifat optik film tipis diantaranya dicirikan dengan spektrum transmisi dan spektrum absorpsinya. Spektrum transmisi merupakan kurva yang menunjukkan fungsi transmitansi terhadap panjang gelombang cahaya. Spektrum absorpsi menunjukkan besarnya serapan optis film tipis terhadap energi foton gelombang cahaya yang melewatinya. Dari Gambar 4.7 ditunjukkan bahwa semakin besar panjang gelombang cahayanya, transmitansinya juga semakin besar, hal ini dikarenakan transmitansi merupakan fungsi dari panjang gelombang. Transmisi terjadi mulai panjang gelombang 250 nm yang termasuk dalam daerah panjang gelombang ultraviolet dan 400 nm sampai 700 nm yang merupakan daerah panjang gelombang tampak.

50

100

100

80

80

Transmitansi (%)

Transmitansi (%)

Hasil pengukuran transmitansi optik film tipis GaN yang ditumbuhkan tanpa dan dengan lapisan penyangga memperlihatkan transmitansi maksimum yang hampir sama sekitar sebesar 85 %. Film tipis dengan daya plasma 70 watt menunjukkan transmitansi pada nilai 64 %. Sifat ini berkaitan dengan kualitas kristal film tipis GaN. Secara umum transmisi bergantung pada panjang gelombang dan ketebalan film tipis GaN. Namun pada penambahan ketebalan lapisan penyangga AlN tidak menambah nilai transmisi. Hal ini dikarenakan penambahan ketebalan lapisan penyangga yang relatif kecil, sehingga tidak memberikan kontribusi yang berarti.

GaN #a

60

40

40

Tanpa lapisan penyangga

20

0 200

400

600

800

GaN-AlN #d

60

AlN : 20 nm

20 0 200

1000

80

80

Transmittansi (%)

100

GaN-AlN #e

40

AlN : 40 nm D l 40

20

0 200

400

600

60

600

GaN-AlN #f

AlN : 60 nm

tt

0 200

1000

400

600

60

GaN-AlN #g 40

AlN : 40 nm D l 70 200

800

P a n ja n g ge lo m b a n g ( n m )

80

0

1000

20

800

20

800

40

P a n ja n g ge lo m b a n g ( n m )

Transmittansi (%)

Transmittansi (%)

100

60

400

P a n ja n g ge lo m b a n g ( n m )

P a n ja n g ge lo m b a n g ( n m )

400

600

800

tt 1000

P a n ja n g ge lo m b a n g ( n m )

Gambar 4.6. Spektrum transmisi film tipis GaN

1000

51

4.2.2 Penentuan Lebar Celah Pita Energi Film Tipis GaN

Lebar celah pita energi film tipis GaN dapat ditentukan melalui spektrum absorpsi film tipis terhadap energi foton gelombang cahaya yang melewatinya.

Spektrum absorpsi adalah kurva yang

menunjukkan fungsi kuadrat koefisien absorpsi terhadap energi foton cahaya. Lebar celah pita energi film tipis GaN dapat ditentukan dengan menggunakan persamaan α f ( E ) = α o ( E − Eg ) 0,5 untuk E >

Eg. αf (E) adalah koefisien absorpsi film tipis GaN, E adalah energi foton, Eg adalah celah pita energi (Lawrence & Jeremiah, 1997). (E-

Eg) dalam satuan eV dan αf (E) dalam satuan (cm)-1. Dengan menarik garis ekstrapolasi dengan

α2 = 0 dapat ditentukan titik

potongnya terhadap sumbu horisontal (energi foton). Titik potong ini menunjukkan lebar celah pita energi film tipis GaN. 1.0E+09

Tanpa lapisan penyangga

6.0E+08

2

-2

(cm )

8.0E+08

4.0E+08

2.0E+08

0.0E+00 1.5

3

4.5

6

Energi foton (eV)

Gambar 4.8. Spektrum absorpsi film tipis GaN tanpa lapisan penyangga

52

1.0E+09

AlN : 20 nm

6.0E+08

2

-2

(cm )

8.0E+08

4.0E+08

2.0E+08

0.0E+00 1.5

3

4.5

6

Energi foton (eV)

Gambar 4.9. Spektrum absorpsi film tipis GaN diatas lapisan

1.2E+09

AlN : 40 nm

8.0E+08

2

-2

+ (cm )

1.0E+09

6.0E+08 4.0E+08 2.0E+08 0.0E+00 1.5

3

4.5

6

Energi foton (eV)

Gambar 4.10. Spektrum absorpsi film tipis GaN diatas lapisan

53

1.0E+09

AlN : 60 nm

6.0E+08

2

2

(cm )

8.0E+08

4.0E+08

2.0E+08

0.0E+00 1.5

3

4.5

6

Energi foton (eV)

Gambar 4.11. Spektrum absorpsi film tipis GaN diatas lapisan

AlN : 40 nm Daya Plasma 70 watt

1.4E+09

1.0E+09

-2

(cm )

1.2E+09

2

8.0E+08 6.0E+08 4.0E+08 2.0E+08 0.0E+00 1.5

3

4.5

6

Energi foton (eV)

Gambar 4.12. Spektrum absorpsi film tipis GaN diatas lapisan

54

Tabel 4.5. Hasil perhitungan celah pita energi dan energi urbach pada film tipis GaN

Sampel GaN #a GaN-AlN #d GaN-AlN #e GaN-AlN #f GaN-AlN #g

Celah pita energi (eV) 3.20 3.20 3.30 3.15 2.90

Energi urbach (eV) 0.80 0.94 0.79 1.19 1.49

Spektrum transmisi optik berkaitan dengan absorpsi pada film tipis. Gambar 4.7 menunjukkan absorpsi bahan yang kecil terhadap cahaya datang. Gelombang elektromagnetik dapat terserap jika energi foton melebihi celah pita energi film tipis. Semakin besar energi fotonnya, serapan atau absorpsi film tipis GaN menunjukkan peningkatan secara eksponensial. Absorpsi berkaitan dengan cahaya yang diserap yaitu berupa foton yang diperlukan untuk mengeksitasi atom. Berdasarkan Tabel 4.5 dapat dikatakan bahwa ketebalan lapisan penyangga menentukan besarnya celah pita energi. Pada ketebalan lapisan penyangga AlN yang optimal, dihasilkan celah pita energi yang mendekati data referensi yaitu 3,40 eV. Hasil yang mendekati data referensi ketika film GaN ditumbuhkan pada lapisan penyangga AlN pada ketebalan sekitar 40 nm. Perbedaan daya plasma juga berpengaruh terhadap besarnya celah pita energi, terlihat pada daya plasma rendah yaitu 50 watt, maka celah pita energi

55

mendekati harga referensi. Hal tersebut berkaitan dengan kualitas kristal yang dihasilkan. Dari hukum Beer Lambert bahwa I =I o exp (−α t ) (Scaffer et

al, 1999), maka besarnya absorpsi bahan bergantung pada ketebalan bahan itu sendiri. Semakin tebal bahan, maka cahaya yang terabsorpsi semakin besar dan semakin banyak pula cahaya yang akan ditransmisikan yang berhubungan dengan emisi energi. Tabel 4.5 menunjukkan terjadinya pergeseran celah pita energi pada film GaN yaitu; dari 0,3 sampai dengan 0,1 eV dari referensi (Madelung, 1996). Berkurangnya celah pita energi pada film GaN berkaitan dengan adanya energi urbach, seperti pada Tabel 4.5. Apabila celah pita energi mendekati harga referensi, maka energi

urbachnya semakin kecil. Spektrum transmisi sebagaimana ditunjukkan pada Gambar 4.7 memperlihatkan absorpsi film yang masih rendah berkaitan dengan adanya impuritas yang menyebabkan adanya energi urbach. Penggunaan lapisan penyangga AlN dan daya plasma yang optimal menunjukkan adanya energi urbach yang lebih pendek seperti ditunjukkan pada gambar 4.8, 4.9, 4.10, 4.11 dan 4.12. Adanya energi urbach memberikan gambaran tentang kualitas film yang dihasilkan. Semakin kecil nilai energi urbach, kualitas film yang dihasilkan semakin baik. Energi urbach terbentuk karena ada cacat kristal atau konsentrasi impuritas yang tinggi dan bergabung ke

56

dalam pita konduksi atau pita valensi. Ketika semikonduktor kelebihan doping terjadi penyempitan celah pita energi. Dalam hal ini, susunan kisi mengalami kerusakan disebabkan atom impuritas yang terdistribusi secara random dan berfluktuasi secara acak pada tepi pita energi dan menyebabkan terjadinya ekor pada pita energi (Singh, 1993). Adanya kerapatan kedudukan dari ekor pada umumnya

mencapai

tingkat

energi

terlarang,

yang

dapat

mempersempit celah pita energi optik (Muller et al, 2004). Dari hasil eksperimen dapat diketahui bahwa penumbuhan film tipis yang optimal baik ketebalan lapisan penyangga AlN ataupun daya plasma akan mengurangi energi urbach dan menghasilkan kualitas film tipis GaN yang baik dengan celah pita energi yang relevan dengan data referensi, yaitu 3,4 eV. Eksperimen yang dilakukan dengan metode dc magnetron sputtering,

masih

memerlukan

optimasi

terhadap

parameter

penumbuhan film tipis GaN untuk mendapatkan kualitas kristal dan sifat optik yang lebih baik.

BAB V KESIMPULAN DAN SARAN

5.1. Kesimpulan Berdasarkan hasil penelitian yang telah dilakukan menunjukkan bahwa film tipis GaN dapat ditumbuhkan di atas substrat safir (0001) dengan metode dc

magnetron sputtering. Deposisi film tipis GaN yang dilakukan dengan parameter penumbuhan film tipis mengunakan lapisan penyangga GaN dan AlN dengan perbedaan ketebalan dan daya plasma yang divariasi selama proses deposisi mempengaruhi karakteristik film tipis yang dihasilkan, antara lain: (a) Film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas lapisan penyangga baik GaN atau pun AlN mempunyai bidang orientasi (0002), (1011) dan (0004) dengan fase heksagonal, film dominan pada bidang (0002) sejajar dengan safir (0001). (b) Film tipis GaN yang ditumbuhkan diatas lapisan penyanga AlN menghasilkan kualitas kristal yang baik jika dibandingkan dengan film penyangga GaN dan berada pada ketebalan optimal 40 nm. (c) Kualitas film tipis GaN menunjukkan kualitas yang kurang baik pada penumbuhan di atas lapisan penyangga GaN menggunakan metode dc

magnetron sputtering, teramati adanya film tipis dengan sifat amorf. (d) Film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan daya plasma besar (70 watt) menghasilkan kualitas film GaN yang lebih rendah dibandingkan jika ditumbuhkan dengan daya plasma yang relatif rendah (50 watt). 57

58

(e) Film tipis GaN dapat mentransmisikan cahaya mulai daerah panjang gelombang cahaya tampak hingga ultra violet sehingga sesuai untuk aplikasi optoelektronik pada daerah UV. (f) Ketebalan lapisan penyangga baik GaN atau pun AlN dan daya plasma yang optimum dapat meningkatkan transmisi film tipis dan meningkatkan absorpsi energi sehingga memiliki celah pita energi yang sesuai dengan nilai referensi film GaN yaitu 3,4 eV. (g) Pada film tipis GaN terdapat adanya energi urbach yang berkaitan dengan adanya impuritas dan dislokasi struktur atom dalam film tipis.

5.2. Saran Dalam melakukan penelitian lebih lanjut, perlu dilakukan optimasi parameter penumbuhan lain pada film tipis GaN terhadap lapisan penyangga baik GaN atau pun AlN untuk menghasilkan film GaN yang berkualitas, khususnya untuk parameter temperatur penumbuhan lapisan penyangga perlu diteliti lebih lanjut.

59

DAFTAR PUSTAKA Amano, H., N. Sawaki and I. Akasaki. 1985. Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer. Appl. Phys. Lett., Vol. 48 No. 5. Bernard G. 1998. Group III Nitride Semiconductor Compounds Physics and Applications. Oxford : Clarendon Press. Chen, Y., Daniel A. Gulino, Ryan Higgins. 1999. Residual Stress in GaN films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition. J. Vac. Sci. Technol. A 17 (5). Cui, J., A. Sun, M. Reshichkov, F. Yun, A. baski, H. Morkoc. 2000. Preparation of Sapphire for High Quality III-Nitrida Growth. Proceeding : The Material Research Society, Text of MIJ-NSR, Vol. 5, Article 7. Doverspike, K., L.B. Rowland, D.K. Gaskill and J.A. Freitas, JR.1995. The Effect of GaN and AlN Buffer Layers on GaN Film Properties Grown on Both C-Plane and A-Plane Sapphire. Journal of Electronic Materials, Vol. 24, No. 4. Grandjean, N., J. Messies, and M. Leroux.1996. Nitridation of Sapphire. Effect on the Optical Properties of GaN Epitaxial Epilayers. Appl. Phys. Lett. 69 (14). Jeon, H.C., Tae Won Kang and Tae Whan Kim. 2002. Dependence of the Surface, the Structural, and the Optical Properties on the Thickness of the AlN Buffer Layers for GaN Epilayers Grown on Sapphire Substrates. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 41 pp. L 1452-L 1454 Part 2, No. 12B. Joshi, C. 2003. Characterization and Corrosion of BCC-Tantalum Coating Deposited On Aluminium And Steel Substrat By Dc Magnetron Sputtering. New Jersey: New Jersey Institute of Technology Press (Tesis):18-20. Kim, Sung Nam Lee, Nae-Man Park and Seong Ju Park. 2000. Metalorganic Molecular Beam Epitaxy of GaN Thin Films on Sapphire Substrate. Jpn. J. Phys. Vol. 39 pp 6170-6173 Part1, No. 11. Konuma, M. 1992. Film Deposision by Plasma Techniques. Berlin: SpringerVerlag: 1-10. Kozawa, T., T. Kachi, H. Kano and H. Nagase. 1995. Thermal stress in GaN epitaxial layers grown on sapphire substrates. J. Appl. Phys. 77 (9).

60

Lawrence, H.R., and Jeremiah, R.L. 1998. Cathodoluminesence, Photoluminescence, and Optical Absorbance Spectroscopy of Aluminium Gallium Nitride. J.Mater.Res. 13(9):2480-2496. Lee, C., Sung-Jin Son, In-Hwan Lee, Jae-Young Leem, Sam-Kyu Noh. 1996. Growth and caracterization of GaN epilayers grown at various flow rates of trimetylgallium during growth of nucleation layers. Journal of Crystal Growth 171 : 27-31. Li, X., D. V. Forbes, S.Q. Gu, D.A. Turnbull, S.G. Bisshop and J.J. Coleman. 1995. A New Buffer Layer for MOCVD Growth of GaN on Sapphire. Journal of Electronic materials, Vol. 24, No. 11. Madelung, O. 1996. Semiconductors-Basic Data. Berlin: Springer-verlag : 86-99. Manasreh. 1997. GaN and Related Material. OPA: Amsterdam. Molnar, J.R. and Moustakas, D. T. 1993. Electron Transport Mechanism in Gallium Nitride. Appl. Phys.Lett. 62 (1): 72-74. Morkoc, H. 1999. Nitride Semiconductors and Devices. Berlin: Springer-verlag: 8-95. Muller, J., J. Nowoczin, H. Schmitt. 2006. Composition, structure and optical properties of sputtered thin films of CuInSe2. Elsevier. Thin solid Film 496 : 364-370. Murata, N., Hikari Tochishita, Yuui Shimizu, Tsutomu Araki, and Yasushi Nanishi. 1998. Crystal Growth and Optical Property of GaN on Silica Glass by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma-Excited Molecular Beam Epitaxy (ECR-MBE). Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 37 pp. L 1214-L 1216 Part 2, No. 10B. Nahm, S. K., S. H. Yang, S. H. Ahn, E. K. Suh and K. Y. Lim, 2000. Structure and Optical Characterization of Thick Gan Film Grown by Direct Reaction of Ga and NH3. Proceedings: International Workshop on Nitride Semiconductors. IPAP Conf. Series 1 pp,34-37, Nagoya, Japan. Okumura, H., K. Ohta, G. Feuillet, K. Balakrishnan, S. Chichibu, H. Hamaguchi, P. Hacks and S. Yoshida. 1997. Growth and characterization of cubic GaN. Journal of Crystal Growth 178 : 113-133. Pankove, I. J. and Moustakas, T. 1998. Gallium Nitride (GaN) I Semiconductors and Semimetals. America Academic press.

61

Park, Hyun-Chun Ko, Shinzuo Fujita and Shigeo Fujita. 1998. Growth of GaN on Indium Tin Oxide/Glass Substrates by RF Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Method. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 37 pp. L 294-L296, Part 2, No. 3A. Paterson, M. J., E. M. Goldys, H. Y. Zuo and T. L. Tansley. 1998. Characterisation of Microcrystalline GaN Grown on Quartz and on Sapphire by Laser and Microwave Plasma Enhanced Metalorganic Chemical Vapour Deposition. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 37 pp. 426-431 Part 1, No. 2. Perry, W. G., T. Zheleva, M.D. Bremser and R.F. Davis. 1997. Correlation of Biaxial Strains, Bound Exciton Energies, and Defect Microstructures in GaN Films Grown on AlN/6H-SiC (0001) Substrates. Journal of Electronic Materials, Vol. 26, No. 3. Ping A.C., 1999. Process Development and Characterization of AlGaN/GaN Hetero structure Field Effect Transistors. Urbana: Electrical Engineering University of Illinois at Urbana-Champaign (thesis): 7-10. Purwaningsih, Y. S. 2003. Pembuatan Lapisan Tipis ZnO : Al Pada Substrat Kaca dengan Metode dc Magnetron Sputtering dan Karakterisasi Sifat Fisisnya. Yogyakarta: FISIKA FMIPA UGM (Tesis): 1-10. Sahar, Md. R. 2000. Fizik Bahan Amorfus. Malaysia : UTM. Saxler, A., P. Kung, C. J. Sun, E. Bigan and M. Razeghi. 1994. High quality aluminium nitride epitaxial layers grown on sapphire substrates. Appl. Phys. Lett. 64 (3). Schaffer, S. J., A. Sexena, S. D. Antolovich, T. H. Sanders Jr. and S. B. Warner. 1999. The science and design of engineering materials. USA : WBC/McGraw Hill. Sjahid N. 2004. Studi Penumbuhan Lapisan Tipis Ga2O3 dengan Metode Dc Magnetron Sputtering dan Karakterisasi Sifat Fisisnya. Semarang: FISIKA FMIPA UNNES (Skripsi): 1-74. Shen, B., K. Yang, L. Zang, Zhi-zhong Chen, Yu-gang Zhou, Peng Chen, Rong Zhang, Zheng-chun Huang, Hao-shen Zhou and You-dou Zheng. 1999. Study of Photocurrent Properties of GaN Ultraviolet Photoconductor Grown on 6H-SiC Substrate. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 38 pp. 767-769 Part 1, No. 2A. Sudjatmoko. 2003. Teknologi Sputtering (Diktat kuliah Workshop Sputtering untuk Rekayasa Permukaan Bahan). Yogyakarta: Penerbit BATAN.1-16.

62

Sugeng R. 2005. Studi Pengaruh Rasio Laju Alir Gas Argon dan Nitrogen terhadap Struktur Kristal dan Sifat Listrik Film Tipis Gallium Nitrida yang Ditumbuhkan dengan Metode DC Magnetron Sputtering. Semarang : FISIKA FMIPA UNNES (Skripsi): 1-74. Sugianto, Wiyanto, I. Sumpono, dan N.M. Darma Putra. 2004. Penumbuhan Film Tipis Ga2O3 dengan Metode DC-Unbalanced Magnetron Sputtering. Semarang : Jurnal ILMU DASAR Vol. 5 No. 2 : 109-114. Sumiya, N. Ogusu, Y. Yotsuda, M. Itoh and S. Fuke. 2003. Systematic analysis and control of low-temperatur GaN buffer layers on sapphire substrates. Journal of Applied Physics Vol. 93 (2). Suryadi. 2003. Fisika Plasma (Diktat kuliah Workshop Sputtering untuk Rekayasa Permukaan Bahan. Yogyakarta : Penerbit BATAN.8-15. Suryanarayana, C and Norton Grant M. 1998. X-Ray Diffraction A Practical Approach. New York: Plenum Press: 3-10. Yamaguchi, S., Michihiko Kariya, Masayoshi Kosaki, Yohei Yukawa, Shugo Nitta, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki. 2001. Effect of Carrier Gas on the Properties MOVPE-Grown GaN and GaN/AlGaN MQWs : a Comparison of H2 to N2 as a Carrier Gas. Journal Appl. Phys. Vol 89, No. 12. Yoshida, S., 2000. Growth of Cubic III-nitride Semiconductors for Electronics and Optoelectronics Application. Physica E 7 : 907-914. Yosuke T., K. Kasakabe., T. Yamada, R. Banan, A. Kikuchi and K. Kishino. 2000. GaN-Based Resonant Cavity-Enhanced UV-Photodetectors. Proc. Int. Workshop on nitride semiconductors IPAP Conf. Series I PP. 907910. Wasa, K. and Hayakawa, S. 1992. Handbook of Sputter Deposition Technology: Principles, Technology and Aplication. New Jersey : Notes Publication. 49-85. Wolfe, M. C., Holonyak, N. and Stillman, E. G. 1989. Physical Properties of Semiconductors. USA: Printice-Hall, Inc: 209-214. Zhou, B., 1996. Ultraviolet Laser and Remote Plasma Enhancement in Lowtemperatur Chemical Vapour Deposition of Gallium Nitride. Australia : Macquarie University.

63

Lampiran 1. sudut-sudut puncak difraksi film tipis GaN Tabel 4.6 Sudut puncak difraksi film tipis GaN tanpa lapisan penyangga (GaN #a) 2θ (derajat)

dα (Ǻ)

Intensitas Puncak (cps)

hkil

34,28

2,5953

1513

0002

73,88

1,2937

88

0004

Tabel 4.7 Sudut puncak difraksi film tipis GaN di atas lapisan penyangga GaN dengan ketebalan lapisan penyangga 20 nm (GaN-GaN #b) 2θ (derajat)

dα (Ǻ)

Intensitas Puncak (cps)

hkil

34,30

2,6218

164

0002

36,44

2,4722

69

1011

Tabel 4.8 Sudut puncak difraksi film tipis GaN di atas lapisan penyangga GaN dengan ketebalan lapisan penyangga 40 nm (GaN-GaN #c) 2θ (derajat)

dα (Ǻ)

Intensitas Puncak (cps)

hkil

34,54

2,5919

94

0002

36,80

2,4381

76

10 1 1

Tabel 4.9 Sudut puncak difraksi film tipis GaN di atas lapisan penyangga AlN dengan ketebalan lapisan penyangga 20 nm (GaN-AlN #d) 2θ (derajat)

dα (Ǻ)

Intensitas Puncak (cps)

hkil

34,34

2,6144

1884

0002

36,46

2,4670

114

1011

72,88

1,3017

110

0004

64

Tabel 4.10 Sudut puncak difraksi film tipis GaN di atas lapisan penyangga AlN dengan ketebalan lapisan penyangga 40 nm (GaN-AlN #e) dan daya plasma 50 watt 2θ (derajat)

dα (Ǻ)

Intensitas Puncak (cps)

hkil

34,60

2,5924

1560

0002

36,82

2,4411

123

10 1 1

73,10

1,2946

88

0004

Tabel 4.11 Sudut puncak difraksi film tipis GaN di atas lapisan penyangga AlN dengan ketebalan lapisan penyangga 60 nm (GaN-AlN #f) 2θ (derajat)

dα (Ǻ)

Intensitas Puncak (cps)

hkil

34,26

2,6174

790

0002

36,44

2,4657

128

1011

72,34

1,3063

69

0004

Tabel 4.12 Sudut puncak difraksi film tipis GaN di atas lapisan penyangga AlN dengan ketebalan lapisan penyangga 40 nm (GaN-AlN #e) dan daya plasma 70 watt 2θ (derajat)

dα (Ǻ)

Intensitas Puncak (cps)

hkil

34,44

2,6014

1406

0002

36,64

2,4659

130

1011

73,20

1,2999

100

0004

65

Lampiran 2.

Gambar 4.13. Reaktor dc magnetron sputtering