""-
ICj2. ,Prosiding Pertemuan clan Presentasi !lmiah PPNY-BATAN, Yogyakarta 25-27 April 1995
B"k,,!
15
KONSTRUKSI DAN KARAKTERISASI PLASMA LUCUTAN PIJAR UNTUK HIDROGENISASI LAPISAN TIPIS a-Si Suprapto, Sudjatmoko, Agus Santoso PPNY-BATAN p.o. Box 1008 Yogyakarta 55010
ABSTRAK KONSTRUKSI DAN KARAKTERISASIPLASMALUCUTAN PIlAR UNTUKHIDROGENISASI LAPISAN TIFIS a-Si. Telah dilakukan konstruksi dan karakten'sasi plasma lucutan pijar untuk hidrogenisasi lapisan tipis a:Si. Plasma lucutanpijar dibangkitkan di dalam tablingplasma oleh sumber radiofrekuensi. Tabung plasma lucutan pijar terbuat dari gelas pireks berdiameter 15 cm dan panjang 25 cm. Komponen utama sumber radiofrekuensi adalah tabling tetrode ripe QB 3/300 dan dioperasikan pada frekuensi 13.56 MHz. Karakterisasinya dilakukan dengan menentukansuhu tabungplasma yang dapat direduksi olehperisai radiasi panas dan menentukan karakten'stik plasma yaitu suhu dan kerapatan plasma. Penentuan karakteristik plasma dilakukan dengan variasi tekanan. Hasilpengukuran dan perhitungan menunjukkan suhuyang dapat direduksi pen'sai radiasipanas sebesar 35 °c pada suhu pemanas 290 °c. Kerapatan plasma optimunpada tekanan 0.2 Torr adalah 16.463.JO8cm-Jdan suhu plasma 45,4 e V.Dengan hasil ini. plasma lucutan pilar memenuhi untuk proses hidrogenisasi lapisan tipis a:Si.
ABSTRACT THE CONSTRUCTION AND THE CHARACTERIZATION OF GLOW-DISCHARGE PIASlvlA FOR HYDROGENIZATION OF AMORPHOUS SILICON THIN FIlM a-Si. The construction and the characterization ofglow-dischargeplasmafor hydrogenization of amorphous silicon thinfilm have been done. The glow-discharge plasma was produced in the plasma tube by the radio-frequency source. The glow-discharge plasma tube was made from pyrex glass with 15 cm diameter and 25 cm length. The main component of the radio-frequency source was tetrode tube ofQB 3/300 type, and operated at 13,56 MHz frequency. The characterization of if glow dischargeplasma system was done bY.,determination ofplasma tube temperature and plasma characteristic. i.e- temperature and density of plasma under the variation of gas pressure in the plasma tube. The results of these measurements and from the calculation show that the temperature of plasma tube which can be reduced by the heat radiation shield was 35 °c at the heater temperature of 290 Dc. The optimum plasma density at 0.2 torr gas pressure was 16.46.108 cm-j and the plasma temperature was 45.4 eV. By this results the system of glow-discharge plasmafor hidrogenization of a-Si thinfilm was completed.
PENDAHULUAN
B
ahan silikon amort adalah bahan silikon amort sensitif strukturnya, yang ditemukan oleh SPEAR dan LECOMBER, jenis konduksi listriknya dapat dikontrol baik jenis n atau p dengan doping sejumlah keeil atom dopan seperti fosfor alan boron ke dalam silikon amort tersebut.Pengontrolan valensi ini membuka jalan untuk aplikasinya dalam bidang pirantielektronika seperti ransistor lapisan tipis (IFT. Thin Film Transistor), lapisan tipis penampil kristal eair (LCD, Liquid Crystal Display), daTIterutama lapisan tipis fotovoltaik. Piranti foro voltaik seperti sel surra memerlukan luasan aktifyang besar untuk mengumpulkan energi sUlya, karena sinar surra terdistribusimerata pactapermukaan bumi. Dalam hal ini bahan amorf mempunyai keuntungan yang besar
ISSrnm6~3118
untuk pembuatan suatu piranti dengan luasan besar seeara seragam. Lagi pula ongkos untuk pembuatan sel surra dari silikon amort dapat dikurangi eukup besar dari pactamenggunakan silikon kristal. Ada beberapa teknik untuk membuat lapisan tipis silikon amorf, antara lain adalahteknik evaporasi hampa (vacuum evaporation), teknik sputtering daTI teknik plasma lueutan pijar rf (rf glow- discharge plasma). Dalam teknik evaporasi tampa, lapisan tipis silikon amort dibuat dengan eara melelehkan silikon dalam suatu kowi (crucible) yang diletakkan di dalam bejana yang mempunyai kehampaan tinggi, daTInap silikon yang terevaporasi dari silikon yang meleleh kemudian dikondensasikan pactapermukaan gelas sehingga terbentuk lapisan tipis silikon amort di alas substrat. Akan tetapi silikon amort (a-Si) yang terbentuk melibatkan banyak sekaliikatan-ikatan
Suprapto; dkk
16
Pro.'iding Pertemllan dun Presentasi llmial, PPNY-BATAN, Yogyakarta 25-27 April 199$
Buku I
kosong di dalam struktur jaringannya. lkatan-ikatan kosong tersebut menghasilkan banyak sekali keadaan celah terlokalisasi (localisedgap states) diantara pita valensi daD pita konduksi, yang mengakibatkan sifat-sifat optik daDkonduksi listriknya kurang baik. Untuk memperbaiki sifat-sifat tersebut dapat dilakukan dengan teknik Plasma Anil Berhidrogen (HPA, Hydrogeneted Plasma Anealing). Teknik ini bertujuan untuk memberbaiki struktur a-Si dengan memasukkan atom-atom hidrogen ke dalam a-Si sehingga membentuk ikatan kovalen, yang dapat mengurangi ikatan-ikatan kosong dalam struktur jaringan a-Si. Setelah proses anil ini akan dihasilkan lapisan tipis silikon amorf berhidrogen (hydrogenated amorphous silicon), yang biasa ditulis a-Si:H. Tujuan penelitian ini adalah membuat sistem plasma anil Berhidrogen, daD karakterisasi sistem yang meliputi pengujian pengaruh perisai radiasi panas yang dipasang dalam tabling plasma daD pengukuran kerapatan serta suhu plasma hidrogen yang terbentuk. Diharapkan dengan selesainya pembuatan sistem plasma anil Berhidrogen daD karakteristiknya, sistem ini dapat digunakan untuk menganil a-Si yang dihasilkan dengan teknik evaporasi hampa sehingga diperoleh bahan lapisan tipis a-Si:H. Bahan lapisan tipis a-Si:H yang telah mempunyai sifat-sifat optik atau konduksi listrik yang lebih baik akan dimanfaatkan untuk pembuatan lapisan tipis fotovoltaik, atau keperluan lain.
qnet
cr 81,8Z Tl,Tz AI, Az F12
= = = = =
Jumlah panas radiasi (Watt) konstanta Stefan Boltzman 5,669. 10.8W/mz <)(4 emisivitas pemanas/tabung suhu pemanas/tabung ~)
= =
luasan pemanas/tabung (mz) Faktor bentuk pemanas ke tabling
Panas radiasi ini akan menaikkan suhu tabling plasma. Kenaikkan suhu yang berlebihan dapat menyebabkan keretakan tabling plasma. Untuk mengurangi kenaikkan suhu tabling plasma digunakan perisai radiasi panas yang terbuat daTIplat stainles steel. Perisai radiasi panas ini dipasang di dalam tabung plasma melingkari pernanas (gambar 1). Perisai radiasi ini memantulkan kembali
1
2 3
DASARTEORlRANCANGAN
Gambar 1. Pemasallgall perisai radiasi pallas (1. Pe11lallas,2. TabulIg plasma, 3. Perisai radiasi pallas)
Tabung Plasma Lucutan Pijar Pacta proses hidrogenisasi,
substrat a:Si °c dalam tabling plasma lucutan pijar yang terbuat daTIgelas pireks. Gas hidrogen dialirkan ke dalam tabling plasma daD tekanan di dalam tabling dipertahankan antara 0,1 Torr sampai 10 Torr. Untuk memanasi substrat a-Si digunakan pemanas yang terbuat daTI pemanas pompa difusi. Akibat suhu pemanas menyebabkan perpindahan panas daTIpemanas ke tabling plasma. Karena tekanan dalam ruangan pacta kondisi hampa, maka perpindahan panas dapat diasumsikan hanya secara radiasi sesuai dengan persarnaan [HOLMAN, J.P. (6)] dipanasi pacta suhu antara 35 °c
- 300
cr . (Ti - T1)
qntt =
1-
81
-+-+81
dimana
Suprapto, dkk.
1 Al F12
1-
8z
8zAz
(1)
panas radiasi daTIpemanas disamping memancarkan sebagian panas ke tabung plasma. Dengan perisai radiasi panas, persamaan perpindahan panas secara radiasi menjadi [HOLMAN, J.P. (6)]
qn.t
= -+-+2-+-+1- &1 &I.AI
1 FI3.Al
cr. (71- Tb 1 - &3 1 &3.A3 A3.F3Z
1
- &Z
&z'Az
(2)
dimana F 13
= faktor bentuk pemanas ke perisai radiasi
F32
= faktorbentukperisaike tabungplasma
83
= emisivitas perisai
Konstanta yang belum diketahui secara pasti adalah faktor bentuk (F) daDemisivitas (8), biasanya untuk mengetahui secara pasti dilakukan dengan eksperimen.
ISSNO216-3128
Prosiding PertemuOI1 MI1 Presel1tasi Ilmiah PPJ\iX-BATAN, Yogl'akarta 25-27 April 1995
17
Buku I
Sumber Radio Frekuensi Komponen utama yang digunakan untuk sumber radio frekuensi (RF) adalah tabling tetrode tire QB 3/300. Tabung ini mempunyaidayakeluaran 375 Watt pactategangan anoda 3 kV daDarus anoda maksimum 167 mA. Untai sumber radio frekuensi (RF) ditunjukkan pactagambar 2.
Untuk membuat kumparan dengan inti udara agar didapatkan nilai induktansi yang sesuai ditentukan dengan persamaan empirik sebagai berikut [W ASITO,
S. (7)]
L = 0,39.az.nz 9a+lOb
(5)
dimana VA
~ C2
= jumlah lilitan
a
= jari-jari lilitan
(em)
b
= panjang lilitan
(em)
F--
d
"~\f,
,,:' VCl~
n
TATA KERJA DAN PERCOBAAN
L
.,'
Konstruksi
Gambar 2. Unlai sumher radiofrekuellSi
Besarnya frekuensi keluaran ditentukan didasarkan persamaan [WASITO, S. (7)] 1 2.7t-YL.C
V
= ~-
~..
.
H
2
(3)
Untuk menjaga agar sumber daya anoda dati tabling trioda QB 3/300 tidak dipengaruhi oleh frekuensi keluaran osilator digunakan kumparan induktansi (LI). Harga induktansi ini hams sesuai dengan kebutuhan arus anoda pactafrekuensi operasi tersebut. Berdasarkan kebutuhan arus anoda, harga induktansi (LI) adalah I
Pijar
Plasma lueutan pijar yang digunakan untuk pembuatan silikon amorf terhidrogenisasi (a-Si:H) terdiri dati 3 bagian utama yaitu tabling plasma lueutan pijar, sumber radio frekuensi daD pompa hampa. Untuk lebih jelasnya konstruksi plasma lueutan pijar dapat dilihat pactagambar 3.
C R2
f=
Plasma Lucutan
dan ~ = 2. 7t.f- LI
(4a)
Gambar
3. Sislem Planna Luculan Pijar (1.
Katllp pengatur aliran, 2. Tahung plasma, 3. Pirani meter, 4. Katup isolasi hoff/po, 5. Pompa difusi, 6. Katllp by pass, 7. Pompa rotari, 8. Elektroda don pemanas, 9. Variac)
jika disubtitusikan didapatkan
v LI
= j'
--L (4b)
27tf
dimana V = Tegangan anoda I = arus anoda f = frekuensi keluaran'
lSSN 0216":3128
(Volt) (Ampere) (Hz)
Saat awal operasi tabung plasma dihampakan dengan pompa difusi daDpompa rotari serta katup pengatur aliran gas Hz ditutup. Agar didapatkan kehapaam tinggi (10.4 Torr) yang bertujuan untuk menjaga kemurnian gas Hz didalam tabling plasma. Setelah kehapaan tinggi dieapai, gas Hz dimasukkan melalui . katup pengatur aliran. Selanjutnya katup isolasi hampa ditutup daTIkatup by pass dibuka serta pompa
Suprapto, dkk.
18
Prosiding PertenUlal! doli Preselltosi Ilmialr PPNY-BATAN, YoRliokorto 25-27 April 1995
BlllmI
difusi dimatikan. Untuk menjaga tekanan di dalam tabling 0,1 Torr sampai 10 Torr dengan pompa rotari daTIkatup pengatur aliran serta diukur dengan pirani meter dinavac tipe CG. 8. Sedangkan untuk menghidupkan plasma dengan menghidupkan sumber radio frekuensi. Pengujian Dalam pengujian ini, parameter-parameter yang diuji adalah pengaruh perisai radiasi panas daTI karakteristik plasma (elektron). Pengaruh perisai radiasi panas dapat langsung diketahui dengan mengukur suhu pemanas daTIsuhu tabling plasma. Sedangkan untuk mengetahui karakteristik plasma yaitu suhu plasma daTIkerapatan plasma digunakan probe daTikawat tungsten berdiameter 1 mm. Probe dimasukan dalam medan plasma dan diberi tegangan bias positip daTInegatip seperti pactagambar 4.
F-robo
A
Ire
= arus elektron random
A
=
e
= muatan elektron (1,6 10-19coulumb)
V
= beda tegangan plasma daTIprobe (Vd- Vp)
k
= konstata Boltzman (1,38.10-23 Joule/ K)
Te = suhu plasma lie ,m; = massa elektronlion fie ,11i = kerapatan elektronlion
Untuk menghitung suhu plasma dengan mengambil taIga logarithma persamaan 7a sehingga didapatkan persamaan
(8)
Persamaan 8 adalah persamaan garis lurus dengan kemiringan !! Dengan membuat grafik In Iefungsi Vp didapatIdit Tfrilaikemiringannya, sehingga suhu plasma Tedapat ditentukan. Setelah Tediketahui daTI memasukkan kedalam persamaan 7b kerapatan plasma fie dapat ditentukan.
v
--- . bios
luasan probe yang mengenai plasma
e In Ie = In 1" - (Vd- Vp) k. Te
',;
songan tegangan
(7c)
dimana
'.
Rl'
a. Pe
Ir; = 0,4. A . e . n; [ 2 k Te ]'12 m;
b. Arus probe tIp> Vo. te..ngen bie. IV.>
HASIL DAN PEMBAHASAN Gambar 4. Pe/lgllkllra/l karakteristik plasma
Besaran yang diukur yaitu arus probe (Ip) fungsi tegangan bias probe (Vp). Arus probe adalah arus elektron CIe)dikurangi arus ion random (Iri) yang dapat dituliskan sebagai berikut Ip
=
Ie
- Iri
(6)
Besarnya Ie daTIlri secara matematis adalah [WONG, c.S. (5)]
e. V] Ie = Ire exp [ - k. Te
(7a)
dan
Untuk mengetahui suhu tabling plasma daTI suhu pemanas diukur dengan digital termometer Fluke tipe 2168A daTIhasilnya ditunjukkan pacta gambar 5. Untuk mengetahui fungsi perisai radiasi panas, maka pengukuran dilakukan tanpa perisai radiasi panas dan dengan perisai radiasi panas.
oor
.J
jJ
i l I ,
...r Ht~~~~~::..
o'
- k. Te ]"-'2 2 7tme
Suprapto, dkk.
.._~~~~
,/-_.~... . I
.
- Do."""""""
+- To.-." ...... '
-
_L ~~ 8"""_..1
, CI
s~
,-,
.ro
I
1.
.~
(7b) Gambar
sedangkan
I
.. ~ol
4)t_.1~--
Ire = A . e . ne [
/' . ",.+' ,.,."
5. Sll/lll tablt/lg plasma filllgsi pema/las
Slt/lll
lssN O:fi6-3128
'-
Prosidillg Pertemllall dall Preselltasi Ilmiah PPNY-BATAN, Yo!{vakarta 25-27 April 1995
19
Bilk/l!
Untuk memanaskan substrat digunakan pemanas pompa difusi. Akibat suhu pemanas yang tinggi, maka pemanas memindahkan panas seeara radiasi ke tabung plasma. Untuk mengurangi perpindahan panas seeara radiasi digunakan perisai radiasi panas yang terbuat daTIplat stainles stell. Dengan penggunaan perisai radiasi panas dapat mereduksi suhu sebesar 35 °c pactasuhu pemanas 290 °c dID suhu tabling tanpa perisai radiasi 75 °c dID suhu tabling dengan perisai radiasi 39 °c (gambar 5). Dari gambar 5 ditunjukkan bahwa suhu operasi pemanas dengan perisai radiasi dapat meneapai 400 °c pacta suhu tabling plasma 49 °c. Untuk mengetahui suhu yang dapatdireduksi pactasuhu pemanas 400 °c tidak dapat dilak-ukan,karena pactasuhu pemanas 400 °c tanpa perisai radiasi panas dikawatirkan tabling plasma akan peeah' Hal ini membuktikan bahwa perisai radiasi panas sangat efektifuntuk mengurangi laju perpindahan panas seeara radiasi seperti dituliskan pactapersamaan 1 dID 2. Pengujian karakteristik plasma dilakukan dengan mengukur arus probe (Ip) menggunakan elektrometer Ketly tire 610 C, sedangkan tegangan bias probe (Vp)diukur dengan digital multimeter tire HC 3500 T. Hasil pengukuran arus probe (Ip)fungsi tegangan bias probe (Vp)pactaberbagai tekanan dID jarak elektroda tetap 5 em ditunjukkan pactagambar 6. Sedangkan hasil perhitungan suhu dID kerapatan plasma ditunjukkan pactagambar 7.
a-Si dID suhu substrat berkaitan dengan kedalaman penetrasi ion hidrogen disamping energi iorihidrogen tersebut. Kerapatan plasma akan naik sesuai dengan penurunan tekanan (gambar 7). Tetapi jika tekanan diturunkan dibawah 0,2 Torr, plasma akan teIjadi diluar eelah kedua elektroda. Hal ini tidak diharapkan, karena dalam hidrogenisasi rapat plasma yang dikehendaki hanya pactaeelah kedua elektroda. Kerapatan plasma optimum adalah 16,463.108 em'3 dID suhu plasmanya 45,4 eV pactatekanan 0,2 Torr. Sedangkan suhu plasma maksimum adalah 53,8 eV pactatekanan 10 Torr. Plasma lucutan pijar tersebut dioperasikan pactafrekuensi RF 13,56 MHz dengan fluktuasi sebesar 5 %.
.
'---'
""" 1/
1,60:::: ,,~::, '! 100
_1:
'"
J<-----------
~f
~
" l
\
~ 6
l
0
--+-
0
\
l
.
3C~ ~
~-~ ,e
~.--===---==:-:~--:-:-::_:--:-:; 2 4 e , ~ . 101<.<",.. ( ,'...,
10 12'
)
.!
d-
-- . .6G
-"
I
r
1
1
,. "..Tow,
-60'---'---'.""-". -~ -t)()
-,eG
Gambar 7. Kerapatall dun su/zu plasma vs. tekalla1l
260~-,. Tt.. -+-,. '"IbrT'
t
. .-%--.=
16
aoor-------200:'.
--
20
j
1
A~ .. ....
,,-- ..,..L , 1. L., G 60 100 T an Pl'oh '""It)
160
200
Gambar 6. Arus probe (IP) vs. Tegwlgall bias probe (VP)
Menurut TAKAHASHI, K dID KONAGAI, M. (9)deposisi a-Si:H diperlukan kondisi tekanan pacta ruang plasma antara 0,1 Torr sampai 10 Torr dID suhu substrat 200 °c sampai 300 °c dengan gas H2 atau Ar. Dengan demikian hasil karakterisasi plasma lucutan pijar tersebut, maka plasma lucutan pijar memenuhi untuk hidrogenisasi lapisan tipis a-Si.
KESIMPULAN Dari hasil konstruksi dID karakterisasi plasma lucutan pijar dapat disimpulkan bahwa :
Dalam proses hidrogenisasi lapisan tipis a-Si:H dengan plasma lueutan pijar yang sangat berperan adalah kerapatan plasma dan suhu pemanasan substrat. Kerapatan plasma berkaitan dengan laju deposisi ion hidrogen kedalam substrat
ISSN 0216-3128
1.
Dengan perisai radiasi panas dapat mereduksi suhu sebesar 35 °c pacta suhu pemanas 290 °c. Pacta suhu pemanas 400 °c, suhu tabling plasma adalah 49 °c, sehingga tabung plasma mampu dioperasikan pacta suhu pemanasan 400 °c.
Suprapto, dkk.
20
2.
ProsidiJIg Pertemuoll dall Preselltasi llmiah PPNY-BATAN, Yogyakarta 25-27 April 1995
Bllk"l
Kerapatan plasma optimwn pacta tekanan 0,2 Torr dengan kerapatan plasma 16,463.108cm-3 dan suhu plasma 45,4 eV, sedangkan suhu plasma maksimum 53,8 eV pactatekanan 10Torr.
Dengan suhu pemanas 400 °c dan kerapatan plasma 16,463.108cm-3serta variasi tekanan antara 0,2 Torr sampai 10 Torr, maka plasma lucutan pijar tersebut memenuhiuntuk proses hidrogenisai lapisan tipis a-Si.
UCAPAN TERIMA KASIH
TANYA-JAW AB B. A. Tjipto Suyitno Bagaimana profit temperatur ditengah (elektroda) sampai dinding tabling, untuk T = 290 °c (dielektroda), berapa T dinding tersebut? Apakah penggunaan perisai panas ini bisa dihindari dengan jalan membuat jarak antara lingkungan loaf elektroda dengan lingkaran dalam tabling agakjauh sehingga ~T« dengan caramembuatD tabungbesardanD elektroda« D tabling. Suprapto
Penulis mengucapkan terima kasih kepada Sdr. Sumarmo, Mujiono, Heri Sudarmanto dan Irianto yang telah membantu dalam pengkonstruksian dan pengujian sehingga tersusunnya makalah ini.
Profil suhu di tengah elektroda mendekati homogen, karena pemanas yang digunakan penempatan filamennya merata. Sedang projil suhu an tara elektroda dan tabung plasma tergantung mediumnya. Untuk suhu elektroda 290 °e, suhu tablingplasma 75 °c tanpa perisai radiasi panas dan 39 DC dengan perisai radiasi panas. Bisa. Dengan merubah jarak akan merubah faktor bentuk (F). Semakin jallh jaraknya semakin kecil harga F dan semakin keeil lajll perpindahan panas seeara radiasi, walaupun ~T tetap.
DAFTAR PUSTAKA 1.
JOANNOPOULOS, J.D., and LUCOVSKY, G., The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon I, Structure, Preparation, and Devices, Springer-Verlag,Berlin (1984). 2. MATSUDA, A., "Amorphous Silicon from Glow-Discharge Plasma", Proc. International Workshop on the Physics of Materials, Jakarta (1988). 3. DA WENGPANGetal., "Growth mechanism of amorphous silicon by evaporation containing hydrogen from radio-frequency discharge", J. Appl. Phys- 61 (1986). 4. ZARNANI, H., et al., "Optical properties ofUV laser photolytic deposition of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H)", J. Appl. Phys 60 (1986)5. WONG, C.S., "Laser and Plasma Technology", Proceedings of Tropical College on Applied Physics (1984). 6. HOLMAN, J.P.,Heat Transfer, Mc Graw-Hill, Kogakusha (1976). 7. WASITO, S., Vademekum Elektronika, PT. Gramedia, Jakrta (1984) 8. AGUS PURWADI dkk, "Percobaan Menentukan Kerapatan Plasma", Prosiding PPI Penelitian Dasar Hmu Pengetahuan dan Teknologi Nuklir, PPNY-BATAN, Yogyakarta (1985). 9. TAKAHASHI, K and KONAGAI, M., "Amorphous Silicon Solar Cells", North Oxford Academic Publishers Ltd, London (1986).
Suprapto, dkk.
.
Supardjono M. Apakah alai tersebut dapat dioperasikan sampai suhu 600
- 650 °c.
Bagaimana pengaruhnyajarak antara 2 elektroda tersebut. Apakah hila dipakai perisai AI-foil yang digunakan dapat menahan suhu yang tinggi? Suprapto
-
-
Untuk sekarang alat belum bisa dioperasikan sampai suhu 600 650 Dc. Agar dapat dioperasikan sampai suhu 600 - 650 °c perlu diadakan modifikasi yaitu dengan memasang "Vi/on a-ring" antara gelas pireks dan stainles steel. Merubah beban RF karena merubah nilai kapasitansi beban RF. Perisai AI-foil mempunyai titik leleh tertentu, apabila suhu perisai melebihi atau sarnadengan titik lelehperisai akan rusak.
-
Widdi Usada Berapa kira-kira suhu plasma untuk proses hidrogenisasi a-Si, apakah actabatas maksimum dan minimumnya?
IsSN 0216-3128
Prosiding Pertemuan dan Presentasi Ilmiah PPNY-BATAN, Yo~vakarta 25-27 April 1995
Suprapto Dari acuan (4,9)hidrogenisasi lapisan tipis a-Si tidak disebutkan batasan suhu plasma, yang disebutkan adalah aliran gas H2, tekanan ruang plasma, suhu subtrat don daya RF.
Tri Mardji Atmono Lapisan tipis a-Si dihasilkan dengan metode apa? Apakah struktur amon, apa buktinya (apakah
. telah
dilakukan
penelitian
struktur).
Pernyataan "Plasma lucutan pijar memenuhi untuk proses hidrogenisasi lapisantipis a-Si" sara kira terlalu "berani" karena,
ISSN 0216-3128
Buklll
21
Spesifikasi lapisan tipis a-Si tidak disebutkan. Lapisan tipis bisa dihasilkan dengan berbagai cara dimana masing- masing karakter/sifat-sifatnya berbeda.
Suprapto Sistem direncanakan untuk deposisi a-Si dengan metode evaporasi hampa. Belum dilakukan pengujian struktur sampel. - Menurut acuan (4,9),hasil pengujian sistem memenuhi untuk proses hidrogenisasi lapisan tipis a-Si.
Suprapto,-dkk.
