Prosidini! Pertemuan /lmiah Sains Materi 1997
ISSN 1410 -2897
PERKEMBANGAN PIRANTI ELEKTRONIK DAN OPTO-ELEKTRONIK DI INDONESIA 1
Barmawi2 ABSTRAK
PERKEMBANGAN PIRANTI ELEKTRONIK DAN OPTO-ELEKTRONIK DI INDONESIA. Datam makalah ini dibahas perkembangan kegiatan penelitian dalam bidang bahan-bahan dan devais-devais elektronik dan optoelektronik. Kegiatan penelitian tersebut dikelompokkan dalam bidang-bidang teknologi silikon. semikonduktor paduan dan oksida-oksida yang terdiri daTi bahan-bahan ferroelektrik dan superkonduktor. Dalam bidang-bidang tersebut tumbuh kegiatan-kegiatan baru berkat dukungan pemerintah pada penelitihan di perguruan tinggi maupun lembaga-lembaga penelitian pemerintah. Akan tetapi penelitian-penelitian tersebut terberai dan tidak terpusat seperti penelitian-penelitian yang dilaksanakan di negara-negara industri baru seperti Taiwan. Nampaknya penelitian yang terarah ini amat diperlukan bagi pengembangan industri elektronik dan opto-elektronik di Indonesia dimasa yang akan datang.
ABSTRACT
THE DEVELOPMENT OF RESEARCH IN ELECTRONIC AND OPTO ELECTRONIC MATERIALS AND
DEVICES IN INDONESIA. In this review we summarize the development of research in electronic and opto electronic materials and devices in Indonesia. The subject is classified into silicon technology, compound semiconductors and oxides consisting of Ferroelectric and Superconductor materials and devices. In these area there are new activities due to the recent support of research activities in the universities as well as in the government research institutions. However the activities are scattered and is not directed towards a goals like those activities in the New Industrialized countries, such as Taiwan. It seems that such a concentrated effort is desirable for the future development of electronic and opto-electronic industry in Indonesia.
KEY WORD Electronic, Optoelectronic,Ferroelectric,Superconductor.
PENDAtlULUAN Oleh karena makalah ini disajikan dalam suatu forum Sains Materi, maka penulis akan membahasnya lebih dari sudut sains materi. Dengan demikian yartg akan diutamakan adalah mengenai material elektronik clan opto-elektronik clan devais yang akan ditinjau adalah devais-devais yang sifatnya lebih sederhana. Devais yang lebih rumit, sep~rti ULSI, barangkali lebih tepat dibahas dalam
ditinjau teknologi semikonduktor paduan, yang diwakili terutamaolehgollll-V. Dalam fasal4 akan dibahas dengan singkat tentang penelitian dalam oksida-oksida khususnya yang menyangkut sllperkonduktortemperaturtinggi clan bahan-bahan ferro-electric. Akhimya kita akan mencoba memproyeksikankegiatan-kegiatankita kedalam peta global daTi industri semikonduktor clan membahasbeberapaisyu dalam teknologiabadXXI yang akandatang.
forum mikro-elektronika. Dalam judul yang diusulkan kepada kami yang disebutkan hanya sel surya. Disini kami perluas menjadi : piranti opto-elektronika, karena pasaran dunia dari set surya hanya 2 % dari pasaran dunia piranti opto-elektronika, walaupun di Indonesia mungkin berbeda keadaannya,yang disebabkan oleh bidang kebijaksanaan pemerintah tentang listrik
TEKNOLOGI SILIKON
Dalam teknologi silikon dari segi bahan penyediaankristal silikon merupakan suatu teknik yang penting. Di Indonesia satu-satunyalab yang melakukan penelitian dalam bidang ini adalah Litbang Fisika TerapanLIPI (LFT) di Serpong,yang dilakukart oleh Sdr. Achyar Oemril) dan kawanmasuk desa. kawan. Pembuatankristal silikon ini dilakukan Ditinjau dari segi ilmu bahan, maka kiln denganprosesCzokralski clanpanjang ingot kristal dapat membagi piranti-piranti dalam lingkup Si yang diperoleh 50 em. Resistivitas yang teknologi Silikon clan lingkup Teknologi dicapainya adalah: 4,5 x 10-2Ocm sampai6,2 atm. Semikonduktor Paduano Bahan-bahan disamping semikonduktor yang akhir-akhir ini mendapat TungkuCzokralskiyang digunakandibeli dariRRC. banyak perhatian adalah oksida-oksida, khususnya Sdr. Oemri clankawan-kawanjuga telah mengukur ciri-ciri dari bahanyang telahdibuamyayaitu : celah bahan-bahan superkonduktor daD ferroelektrik yang energinya2)clan umur pasangan dalam kristal mempunyai penerapan-penerapanyang penting. tersebuf). Pelaksanaanpenelitian ini mendapat Dalam fasal 2 kita akan membahas tentang duku:lgan daD program RUT I. Dari kristal Si ini teknologi silikon. Kemudian dalam fasal 3 akan --
--~
1 Dipresentasikan padaPertemuanIlmiah SainsMateri 1997 2 Lab. Fisika Materia! Elektronik,JurusanFisika -ITB
25
Prosidin
Pertemuan Ilmiah Sains Materi 1997
ISSN 1.410 -2897
telah dibuat detektor foton4) dengan efisiensi kuantum yang terbaiknya 8,I %. Detektor ini dibuat berdasarkanatas sifat fotokonduktifnya. Piranti-piranti kristal silikon telah dikembangkan pula oleh Puslitbang Telkoma LIPI, dalam Lab Penelitian Elektronika Dasar clan Komponen Elektronika. Komponen-komponen yang telah dikembangkan dalam Lab ini adalah : Dioda, Logic-gate dengan transistor bipolar, Power Transistor dengan Frekuensi Rendah maupun Frekuensi Tinggi. Disamping itu Telkoma telah berhasil mengembangkan sel surya dengan menggunakan kristal silikon. gel surya tersebut telah mencapai efisiensi 8 %. Salah satu permasalahan yang dihadapi adalah masalah kontak. Piranti lain yang telah dikembangkan di Telkoma adalah sensor-sensor gas clan sensor temperatur. Sensor gas yang dikembangkan adalah mos dengan gate dari Paladium, sehingga sifat-sifat gate berubah dengan adanya absorpsi Hidrogen. Sensor temperatur dari silikon juga telah dibuat, clan merupakan suatu "termokopel Si". Lembaga lain yang mengembangkan teknologi Si kristal adalah Laboratonum Devais clan proses IC dari PAU Mikroelektronika. Salah satu topik penelitian unggulannya adalah : "Micromachining on silicon based substrates for monolithic integration of sensors and processing circuitry". Dalam penelitian ini akan dikembangkan micromachining, yaitu berbagai proses etching pada silikon untuk diterapkan dalam sensor monolitik, CMOS, piranti clan IC RF. Proyek ini didukung oleh Hibah Tim dari URGE. Topik kedua dan PAU Mikroelektronika dalam bidang Si adalah : Pembuatan Substrat Simox dengan iml'lantasi ion antara lain untuk pembuatan transistor MOS. Simox ini dibuat dari substrat Si tipe p atau n, kemudian ditembaki dengan 0+ dengan energi sekitar 200 KV, selanjutnya diterapkan annealing temperatur dengan tungku pemanas dengan temperatur antara 1000 -1300oC. Proyek ini dipimpin oleh Sdr. Sukimo. Dengan menggunakan Simox dimungkinkan devais-devais tersebut mencapai frekuensi sampai sekitar 2 GHz. Implantasi ion dilakukan di PT. LEN Industri, yang dewasa ini merupakan satu-satunya fasilitas implantasi ion yang operasional. PT LEN sendin melakukan penelitian dalam implantasi ion sehubungan dengan penggunaannya dalam pemrosesan devais MaS clan Bipolar. Proses yang mereka teliti adalah doping Boron dengan implantasi ion4). Disamping implantasi ion PT LEN juga melaksanakan penelitian sel surya dengan metoda
screen printing.
Dengan
melakukan
optimasi
sambungan p-n5), diharapkan efisiensi gel surya dapat meningkat dari 7 % menjadi 13 %. Penelitianpenelitian ini di PT LEN dipimpin oleh Ibu Ika Ismet.
Topik yang ketiga sehubungan dengan teknologi silikon PAU Mikroelektronika telah memilih studi tentang pemrosesandenganplasma dalatnmikro elektronika,berupaetsa kering. Topik ini merupakansatu topik dalam pemrosesandalam mikroelektronika. Disamping teknologi Si-kristal, mulai th 1970an telah diketemukan orang silikon amorf. Silikon amorf ini temyata mempunyai semacam "gap" yaitu mobility gap, sehingga Si amorf mempunyai sifat sebagai semikonduktor. Bahanbahanini sekarangmetnegangperananyang penting dalam berbagaibidang diantaranyadalam sel surra clanThin Film Transistoryang diterapkanpada Flat Plate Display, yaitu monitor dari komputer NoteBook. Mereka yang menaruh minat dalam bidang ini adalah Lab Fisika Material Elektronik ITB dan Kelompok Rosari Saleh dari Jurusan Fisika UI. Lab
Fisika Material Elektronik Jurusan Fisika ITB perhatiannya terutama pada pembuatan Sel Surra Amorf. Pelaksanaan pembuatan reaktor Plasma CVD ini dijalankan sejak th 1990an. Tapi dana yang ada terlalu kecil, yaitu berasal dari Grant Penelitian dari Torray Foundation. Baru setelah mendapat dana RUT I, reaktor tersebut dapat dibangun dan deposisi yang pertama dilakukan di bawah pimpinan Sdr. Sukirno. Set Surra Si-amorf barn dapat mencapai 6 % pada akhir Proyek RUT angkatan I. Sekarang penelitian ini dilanjutkan dalam RUT IV dibawah pimpinan Sdr. Toto Winata6). Sasaran penelitian ini adalah sel surra yang dibuat dapat mencapai 10 %. Sdr. Wilson Wenas dari Lab yang sarna melakukan penelitian dalam TCO dan pengembangan TF LED a-SiC?). Kegiatan sehubungan TCO, tercliri dari pemodelan dari TCO bergerigi dalam set surya8)dan penerapan ZnO9) dalam set surra yang merupakan kelanjutan kegiatannya, selama belajar dalam program Doktor di Jepang. Pembuatan ZnO dengan foto CVD, juga akan dilanjutkan di ITB. Di dalam Hibah Tim Batch III, Sdr. Rosari Saleh mengembangkan peralatan untuk Deposisi dari SiC, deilgan menggunakan proses plasma CVD dalam suatu Vacuum Chamber dari Leybold. Yang ditelaah adalah campuran Si-C dalam rasa amorf clan rasa microcrystaline (Jlc). Transisi dari keadaan amorf ke I1C dengan menggunakan annealing temperatut. Tujuan penelitiannya adalah mencari
26
Pros;d;nf!Pertemuanllm;ah Sa;nsMater; 1997 korelasi antara parameter plasma dengan sifat-sifat film yang dideposisikan.
SEMIKONDUKTORPADUAN
/SSN /410 -2897
Metoda MOCVD sedang dikembangkan di Lab Fisika material Elektronik di Jurusan Fisika ITB oleh penulis dan sdr. R.A. SaniI3). Pengembangan MOCVD ini dimulai dari perancangan reaktor dengan menggunakan Simulasi Fluid Dynamic. Dari simulasi ini dibuat prediksi tentang kerataan deposisi. Dengan simulasi ini beberapa parameter reaktor untuk pengaturan aliran daD kondisi operasi seperti aliran gas, temperatur daD tekanan diramalkan. Mula-mula untuk mensedeherhanakan persoalan kita pelajari MOCVD dari TiOz. Sekarang pengetesan menunjukkan kerataan deposisi dapat mencapai sekitar I %14). Dalam tahap berikutnya akan dicoba deposisi dari III-V berupa GaN. Penelitian ini didukung oleh program Hibah Tim
Semikonduktor paduan yang terkenal adalah dari golongan III-V, yang terkenal diantaranya GaAs clan Info Semikonduktor paduan ini digunakan karena mempunyai konduktivitas lebih tinggi clan memberikan waktu tanggap yang lebih pendek, oleh karena itu mampu menangani frekuensi sampai seratusan GHz. Pemakaian semikonduktor paduan adalah untuk membuat devais-devais frekuensi tinggi seperti piranti gelombang mikro clan dalam opto-elektronika. dari Proyek URGE. Dalam opto~elektronika ada 2 jenis bahan yang Kegiatan lain dalam bidang Compound digunakan yaitu yang berlandaskan : GaAs clanInP. GaAs digunakan untuk gelombang -800 nm clan Semiconductor adalah pembuatan lapisan-lapisan tipis untuk sel surra. Semikonduktor paduan yang InPuntuk panjang gelombang 1300 clan 1500 nm. berkaitan dengan ini adalah ikatan-ikatan Se daD Te. Temyata penelitian dalam semikonduktor paduan di Indonesia telah dimulai dari sintesa bahan Paduan-paduan tersebut misalnya CdSI5), lng, sampai dengan pembuatan LED. Dalam proses InSe16) daD GazSe316),PbTeI7). Kesemuanya ini dilaksanakan dengan metoda Close Space Vapor pembuatan piranti, yang penting untuk dilakukan Transport. Group ini terutama dipimpin oleh A. adalah menumbuhkan kristal dalam lapisan-lapisan Mustofan daD didukung oleh F. Guastavino. Metoda tip is yang dikenal sebagai epitaxial growth. Epitaxial ini mempunyai keuntungan bahwa metode growth yang dipilih oleh Puslitbang Terapan LIPI pembuatannya sangat sederhana daD murah. adalah menggunakan Liquid Phase Epitaxy (LPE)IO). Percobaan ini dapat dilakukan dalam skala Peralatan epitaxy yang digunakan dibeli dari RRC. Substrat yang dipilih adalah InP clan bahan~bahan laboratorium. Kelompok lain yang melaksanakan paduannya berupa paduan dari : GaAs, InAs, InP clan In. Dalam LPE, bahan yang akan dipadu pembuatan CIS (Copper Indium Diselecnide) berada LFT, menggunakan metoda Bridgeman. dilelehkan clan dicampur di atas permukaan substrat. di Misalnya : Ga,.In1-.AsyPI-ydengan melebur dalam Kelompok ini dipimpin oleh Sdr. Masno Ginting, dalam rangka proyek RUT. lelehan dari GaAs, InAsdan InP di atas waver InP. Lelehan tersebut dialirkan dengan kecepatan tertentu BAHAN-BAHAN ELEKTRONIK LAINNY A clan pada temperatur tertentu. LPE ini pertama kali diusulkan oleh Nelson dalam th 1963. Penelitian di Diantara bahan elektronik lainnya yang LFT ini dipimpin oleh Sdr. Masbah Siregar1O) penting adalah oksida-oksida, dapat berupa dengan dana RUT I sampai dengan III. Dalam penelitian tersebut juga telah dipelajari perancangan superkonduktor clan bahan ferro-electric. Disamping bahan dengan bandgap engineering 11.12).Misalnya itu untuk optoelektronik devais yang penting adalah : polimer conjugated untuk bahan optik non linier, untuk ~ = 1,3 nm diperlukan x = 0,28 clan y = 0,60. Hasil pertumbuhannya telah dikarakterisasi dengan hal ini di luar lingkup pembahasanini. Bidang superkonduktor diteliti lembagaSEM. Dengan melakukan pengukuran lembaga. Sebagai material ditelaah oleh Jurusan elektroluminisensi didapat panjang gelombang yang Fisika VI, BAT AN clan Jurusan Fisika ITB. Di VI dipancarkan mempunyai panjang gelombang penelitian ini dilakukan oleh kelompok Sdr. Suharjo berturut-turut 0.9 ; 1.17 ; 1.3 clan 1.55 Ilm. Metoda LPE ini mempunyai kelemahan bahwa ketebalan Purtadi clan membatasi pada superkonduktor dalam bentuk padatan. Kelompok dari BA TAN di bawah basil deposisi lebih sulit untuk dikendalikan untuk pimpinan Sdr. Wuryanto clan kelompok Sdr. Tjia ketebalan kurang dati 60 nm. May On dari JurusanFisika ITB mempelajari bahanPendekatan Epitaxi yang lain yang bahan padatan clan film tebal dengan menggunakan digunakan dalam semikonduktor paduan adalah metoda Sol Gel. Kelompok Sdr. Tjia May On MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor terutama menelaah superkonduktor BSCCO clan Deposition) clan MBE (Molecular Beam Epitaxy).
Prosidin PertemuanI/miah SainsMateri 1997
ISSN1410 -2897
mengarah kepada pembuatan dari tape BSCCO yang digabung dengan bahan Ag. Kelompok Wuryanto Tjia May On melakukan penelitiannya dalam RUT I sid III. Penelitian dari Kelompok BATAN dilanjutkan dalam RUT IV dan seterusnya bersamasarna team Sdr. Chunaeni Latief meneliti Lapisan Tipis Superkonduktor. Untuk keperluan penerapan dalam elektronika untUk pembuatan devais-devais yang diperlukan adalah Film Tipis dari Superkonduktor. Penelitian Film Tipis YBCO dirintis di Jurusan Fisika di Lab penulis sejak th 1992 dengan bantuan Proyek Basic Science. Metoda yang digunakan adalah Unballanced Magnetron Sputtering. Baru berhasil dengan baik dalam tho 199518).Selanjutnya dalam tho 1996 telah dibuat piranti-piranti berupa Josephson Junction 19) dan Superconducting Field Effect TransistorO) (SUFET). Karakteristik I-V dari Sufet dan JosephsonJunction telah diukur. SuatU bidang pemakaian superkonduktor yang penting adalah pemakaiannya dalam gelombang mikro. Dengan menggunakan microstrip dan strip line technology, dimungkinkan membuat resonator yang mempunyai nilai Q yang lebih besar daripada resonator-resonator yang dibuat dengan teknik yang konvensional (tabung resonator dan sebagainya). Sampai sekarang penelitian ini belum dapat dilaksanakan karena kesulitan-kesulitan dalam pengetesandari resonator-resonator tersebut. Oksida lain yang menarik adalah bahan Ferro-electric. Bahan ferroelectric ini merupakan suatU sub kelompok dari bahan piro-elektrik oleh karena itU ia juga mempunyai sifat pizo-elektrik disamping sifat ferro-electric. Penerapannyaantara lain: .Dari sifat histeresis dari bahan tersebut memungkinkan untuk digunakan untUk memori disamping itU konstanta dielektriknya sangat tinggi. .Sifat piezo-elektriknya telah digunakan untuk sensordan aktUator elektromekanik. .Sifat piezo-elektriknya dapat digunakan untUk detektor IR. .Film Tipis ferro-electric mempunyai sifat-sifat optik non linier, karena itu juga digunakan dalam piranti elektronik sebagai modulator dan switch optik. .Penerapannya yang terpenting dalam elektronika ini adalah pemakaian dalam memori dengan kapasitas tinggi yaitu dengan kapasitas 16 Mbit sampai 256 Mbit. Contoh-contoh bahan ferroelectric adalah PZT (PbZ4O3dan PbTi03) LPZT (PZT + (2-18) % La) berturut-tUrut mempunyai permitivitas relatipnya : 700-1200 dan 1000.~
Bahan-bahan ini dapat dibuat dengan proses MOCVD dan Sputtering. Penelitian tentang ini akan dimulai dalam Lab Fisika Material Elektronik, oleh karena sistem-sistem peralatannya sudah tersedia.
POLA INDUSTRI ELEKTRONIKA OPTOELEKTRONIKA MASA KINI
DAN
Untuk menentukan arab penelitian yang berorientasi pada globalisasi, hendaknya kita dapat melihat pola pasaran elektronika clan optoelektronika. Sebagai gambaran dalam gambar I kita kutip : pola industri semikonduktor dalam tho 199321).Dari $ 85.6 B, hanya 3.5 % yang termasuk optoelektronika. Perhatikan pula bahwa 28.5 % dari pasaran ini bernpa IC memori. Oleh karena itu banyak negara-negara industri barn beriomba-lomba memasuki bidang ini. Dalam tho 1993, kapasitas memori telah mencapai 64 Mbit. Peningkatan kapasitas ini disamping memerlukan bahan dengan permitivitas yang tinggi seperti diuraikan di atas, juga perlu diusahakan lithographinya harns diturnnkan. Misalnya untuk 1 Mbit RAM. Litografinya perlu 0.8 11mclan untuk 16 Mb perlu diperkecillagi sampai 0.4 11m.
Gambar
lndustri semikonduktor1993
Dalam IC elektronik, perbandingan penggunaan MOSFET, Bipolar daD III-V diperlihatkan dalam gambar 2. Perkiraan pemakaian IC, dari GaAs, adalah sekitar 4 % IC dari GaAs, digunakan dalam peralatan militer yang memerlukan IC yang mempunyai kecepatan yang sangat tinggi, misalnya dalam radar atau memerlukan daya rendah, seperti daiam komunikasi selular, sehubungan dengan berkembangnya tilpun genggam. Dalam
28
Prosidinf!Pertemuanllmiah Sa;nsMater; /997
/SSN/4/0 -2897
bidang inj nampak kenaikan dalam pemakaian devais-devais golongan III-V. Temyata yang paling hemal energi adalah justru devais-devais superkonduktor. Dalam teknologi satelit misalnya orang telah menunjuki,
lebih jauh lagi.
~
i
I
Garnbar 2. Pasaran IC 1980 -2000
Ruang lingkup dari optoelektronik22) diperlihatkan dalam gambar 3.. Pasarandunia dalam tho 1995 diperlihatkan dalam gambar 423)dimana pasarantotalnya US $ 6.5 milyard, setelah dikurangi CCD, sedangkan pasaran dari sel surya hanya 2 %.
Gambar4. Pasarankomponenoptoelektronika1995
Pemakaian komponen-komponen opto-elektronik tidak hanya dalam komunikasi fiber optik, tapi juga dalam optical recording, dalam laser printer.
Menurut proses pembuatan komponen-komponen optoelektronika ini grafiknya diperlihatkan dalam gambar 4. Kita melihat trend penggunaan MOCVD
LIE 13%
oMVPE 25%
dalam piranti-elektronika pun meningkat. Sebelumnya kita telah melihat bahwa semua peralatan opto-elektronika menggunakan semikonduktor campuran, karena belum ada sumber cahaya yang dapat dibuat dari silikon. Kami sejak
0%
2000
,.,
Gambar
5. lndustri
awal menyebutkan komponen-komponenoptoelektronika dalam makalah ini, karena dalam waktu yang dekat Indonesia akan memasuki sistem multimedia dimana komunikasi fiber optik clan
optoelektronika akan memegang peranan yang penting. Kami melihat seperti halnya kebijaksanaan listrik masuk desa memicu perkembangan sel surya, sistem jaringan multi media dapat dimanfaatkan untuk mendorong perkembangan industri
optoelektronik.
komponen
optoelektronika
menurut
proses
PENUTUP Dalam penutup ini kita ingin membahas beberapa jauh kemajuan kita dan bagaimana penelitian kita ini dibandingkan dengan penelitianpenelitian di negara-negara industri barn. Dari uraian tentang perkembangan penelitian dalam bidang elektronika dan optoelektronika di Indonesia, kita mengamati adanya
29
Prosidin PertemuanJ/miahSainsMateri /997
/SSN/4/0- 2897
kemajuan dalam berbagai bidang yang relatif barn. Ada dua faktor yang menyebabkan hal ini yaitu pertama tersedianya anggaran penelitian di lingkungan perguruan tinggi maupun berasal dari pemerintah mela.lui dana RUT. Sebenarnya dana ini sudah memperlihatkan hasil-hasilnya. Mudahmudahan dana-dana oleh pemerintah untuk penelitian ini, yang sekurang-kurangnya 2 % dari pendapatanpemerintah dapat dipertahankan. Dari sekitar 20 tahunan yang lalu investasi yang terbesar hanya disalurkanke lembaga-lembaga penelitian. Barn 10th terakhir ini mulai disalurkan ke Perguruan-perguruan tinggi. Apabila sepuluh tahunan yang lalu dana tersebut mengalir ke "PusatPusat Antar Universitas" maka dalam 3 tahun terakhir ini dana-dana tersebut dialirkan lewat Center Grant, dengan referee yang terdiri dari ilmuwan-ilmuwan Nasional dan tokoh-tokoh dari luar negeri. Sistem referee yang demikian barn pertama kali dilakukan di Indonesia. Dalam globalisasi kita harus bersaing dan meningkatkan negara kita ke dalam negara-negara industri barn. Negara-negara industri barn ini seperti Taiwan dan Korea, mempunyai kemampuan yang unik untuk memasukkan teknologi-teknologi yang relatif canggih yang memberikan prospek pasaran yang balk. Teknologi serupa ini yang diraih oleh : negara-negara industri barn adalah teknologi submikron dan pengembangan flat panel display. Keduanya mempunyai prospek pasaranyang cerah. Marilah kita simak suatu contoh proyek pengembangan teknologi di negara industri barn, yaitu yang dikenal sebagai "submicron project" di Taiwan24)."Submicron project" ini dilontarkan untuk merebut sebagian dari pasaran memori yang merupakan 28.5 % dari seluruh penjualan IC. Taiwan melontar proyek tersebut dalam tahun 1990, dengan anggaran pemerintah sebesar: $ 250 juta dari Kementerian Urusan Ekonomi ! Hasil pengembangan mereka dalam tahun 1997 dibangun 10 industri barn dalam DRAM. Suatu pola pengembangan R & 0 yang dianut oleh Taiwan adalah sistem Science Based Industrial Park yang dibangun di Hsinchu dan dimodelkan pada Silicon Valey di California. Luas daerah ini 658 ha. Investasi pemerintah untuk ini adalah $ 1.2 milyard. Di daerah ini didirikan sejumlah industri IC. Uraian di atas hanya digunakan untuk memberikan suatu itustrasi dari apa yang disebut negara Industri barn dan merupakan gambaran mengenai tantangan yang kita hadapi dalam
pengembangan industrielektronik.
30
Dalam penelitian di Indonesia yang diuraikan di alas, masih banyak yang harus dibenahi sebelum dapat mencapai lahar industrialisasi. Dalam industri penelitian tidak cukup sampai menunjukkan terciptanya suatu produk barn, tapi kehandalannya pun perlu diuji. Selanjutnya SDM untuk industri ini masih jauh terbelakang. Masalah SDM untuk industri elektronika dari lapisan rendah menengah sampai tingkat R & D hams ditangani secara khusus. Memang konsolidasi penelitian-penelitian di Indonesia belum dapat dilakukan seperti di Taiwan, tapi dari segi anggaran pun kita masih jauh di belakang negeri kecil itu, sehingga timbul pertanyaan dengan investasi ala kadamya, dapatkah kita memasuki persaingan global? Mudah-mudahan pembahasan ini dapat mempakan bahan renungan untuk mengembangkan industri elektronika kita daD berapa jauh R & D kita hams dipicu untuk menghadapi saingan global ini. Akhimya, penulis ingin menyampaikan terimakasih sebesar-besamyapada Sdr. Dr. Anung Kusnowo, Dr. Masbah Siregar, Dr. Toto Sugandi daD Dr. Basuki Sugeng alas segala keteranganketerangannya yang mempakan bahan dari makalah ini.
DAFTAR PUSTAKA [I] OEMRI, A., GINTING, M., ROSYID, R. M., RUSNAENI, N., BUDJARTO, SYAHFANDJ, ALIDA, ARLINAH, SUMARYADJ, P., BUCHORI, Laporan RUT I, Penelitian PembuatanKristal Silikon. [2] RASHID, M., OEMRI A., GINTING M., ProsidingSeminarIlmiah LP3FT (1994)259. [3] OEMRI A., GINTING M., RASYID dan MUCHIAR, Prosiding SeminarIlmiah LP3FT (1994)73. [4] ISMET, 1., SUDARMINTO, SHOBIH, SUMARDI, D. dan RAHMAT, Proc. 16th National Symposium on Physics 12-14 Dec (1996)327. [5] SULAEMAN,E., ISMET, I." ERLYTA, S.R. dan SIMBOLON A., Proc. 16th National Symposiumon Physics12-14Dec (1996)279. [6] SUKIRNO, WINATA, T., LATIEF, C., BARMA WI, M., Proc. 16th National Symposiumon Physics12-14Dec (1996)221. [7) WENAS, W. dan TRIWIYONO, Proc. 16th National Symposium on Physics 12-14 Dec (1996)317. [8) WENAS, W., Proc. 16thNational Symposium on Physics12-14Dec (1996)322.
Pros;d;nf!
Pertemuaft I/m;ah Sa;ns Mater;
J997
ISSN J 4 J 0 -2897
National Symposiumon Physics 12-14 Dec (1996)256. [17]NUGRAHA, SULARDJO dan GUSTAVINO, F., Proc. 16thNational Symposiumon Physics 12-14Dec (1996)269. [I 8] BARMAWI, M., LATIEF, C., NAINGGOLAN, Lingkungan (1995)/(1996). J., Proc. 16thNational Symposiumon Physics [ll}SfREGAR, M.T., YUMIN, S. E., BAYUWATI, 12-14Dec (1996)339. D. dan WALUYA, T.B., Seminar Nasional hasil [19]LATIEF, C., FAUZIA, V. dan BARMAWI, M., Penelitian dan pengembanganFisika Terapan & Proc. 16thNational Symposiumon Physics 12Lingkungan (1994)/( 1995). 14Dec (1996)345. [12}SIREGAR, M.T., BAYUWATI, D. dan [20]LATIEF, C., FAUZIA, V. dan BARMAWI, M., WALUY A, T.B., Seminar Nasional hasil Proc. 16thNational Symposiumon Physics 12Penelitian dan PengembanganFisika Terapan & 14Dec (1996)350. Lingkungan (1994)/(1995). [21] CHANG, C.Y., dan SZE, S.M., ULSI [13} BARMA WI, M. dan SANI, R.A., Technology,Mc Graw Hill, (1996). Proc.lnt.Conference on Micro-electronics 1996, [22]SUEMATSU, Y. dan ADAMS, A.R., 16-17 Jan 1996,50 handbookof SemiconductorLaserand Photonic [14}BARMAW1, M. dan SANI, R.A., International IntegratedCircuit, Chapman& Hall (1994). Conference on Thin Film Physics and [23] MOON, R.L., Journalof Crystal Growth l1Q., Application, 15-17 April (1997) [15] MUSTOVAN, A., Am, R., RUSNAENI, N. (1977). [24] HAA VIND, R., Solid State Technology Nov dan GUST A VINO, F., Proc. 16th National (1994),Supplement,S23. Symposium on Physics 12-14 Dec (1996) 265. [25] KORCZYNSKI, E.D., Solid State Technology [16] MUSTOVAN, A., Am, R., RUSNAENI, N., Feb(1994),Supplement, S14. SUDJONO, H.K., GUSTAVINO, E., Proc. 16th [9] WENAS, W., Proc. 16th National Symposiutn on Physics 12-14 Dec (1996) 312. [IO]SIREGAR, M.T., BAYUWATI, D. dan WALUYA, T.B., Seminar Nasional hasil Penelitian dan pengembanganFisika Terapan &
31
