65
PENGARUH DOSIS ION DOP AN BORON DAN SUHU ANIL TERHADAP SIFAT LISTRIK SEMIKONDUKTOR SILIKON Elin Nuraini, Sudjatmoko, Tjipto Sujitno P3TM-BATAN,JI. BabarsariKotak Pos1008. Yogyakarta55010
ABSTRAK PENGARUH DOSIS ION DOPAN BORON DAN SUHU ANIL TERHADAP SIFAT L/STR/K SEMIKONDUKTOR SIL/KON. Telah dilakukan implantasi ion ke dalam semikonduktor silikon dengan dopan boron. Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh dopan boron terhadap resistivitas, kapasitansi lapisan deplesi dan tegangan dadal sambungan P-N yang dibuat. Untuk mendapatkan hasil sambungan P-N yang baik telah dilakukan variasi energi dari 40 keV sampai 100 keV, dosis ion dari (0. 149 1:0.0186) x 10/6 ionicm2 sampai dengan (1.7891:0.0007) x 10/6 ionicm2. Pengukuran resistivitas dilakukan dengan menggunakan probe empat titik. kapasitansi lapisan deplesi dengan LCR-meter, don pengukuran tegangan dadal dengan mencari hubungan antara tegangan dan arus. Dari pengamatan yang dilakukan pada energi 100 keV dengan dosis (1.7891: 0.0007) x1O/6 ionicm2 terjadi penurunan nilai resistivitas yaitu sebesar 76.8 %, nilai kapasitansi persatuan luas sebesar (590.02 1: 14.071)pFcm-2, serlo tegangan dadal tertinggi sebesar 22.9 Volt tegangan dadal tersebut dicapai pada energi 40 keV dan dosis (1.342 1:0.0005) x 10/6 ionicm2.
ABSTRAC THE EFECT OF BORON ION DOSE AND ANNEALING TEMPERATUREON THE ELECTR/CS PROPERTIESOF SILICON SEMICONDUCTOR.Boron ion implantationinto silicon semiconductorusing 400 keV ion implantor has beencarried out. Themainpurpose ofthis researchwas to study the effect of boron ion dose and annealing temperatureon the electricspropertiessuch as resistivity,depletion layer capasitanceand break down voltage oftheP-N junction production. In order to get a goodP-N junction, a variation energyfrom 40 keV to 100 kell; and ion dosefrom (0.149 .:t 0.0186)x10/6 ionicm2to (1.789 .:t 0.0007)xI0/6ionicm2havebeendone. Theresistivitywas measuredusingfour point probe,LCR-meterfor depletionlayer capasitance,andI-V characteristicsformeasurement thebreakdownvoltage ofthejunction. From the experiment done. it was found that for ion energy 100 keV, ion dose in order of (I. 789:iO.0007)xI0/6ionicm2,the resistivitydecreasedin the order of 76.8%, the capasitanceper unit area of the junction was (590.02.:t14.071)pFcm-2,while the highest break down voltagefor P-N junction implantedat energy40 keV and ion dose(1.342:iO.0005)xI0/6 ionicm2is 22.9 Volt.
PENDAHULUAN S emikOndUktor merupakan bahan penting dalam teknologi mikroelektronika. Jenis semikonduktor yang sering digunakan adalah silikon daD germanium. Atom silikon daD germanium perlu disisipi ketidakmumian, agar sifat-sifat kelistrikan sesuaidengan yang dikehendaki. Proses penyisipan tersebut dinamakan doping daD atom ketidakmumiannya disebut dopan, Proses doping dapat dilakukan dengan tara difusi, epitaksi, atau implantasi ion. (1)
yang cukup diminati karena lebih efektif dan mempunyai beberapa keunggulan dibandingkan denganmetodalainnya. Kelebihanmetodadoping menggunakan implantasiion antaralain: *
Konsentrasi dari atom ketidakmurnian yang diimplantasikansangatuniform.
*
Jumlah ketidakmurnian yang ditambahkan dapat dikontrol secara teliti yaitu dengan mengaturbesarnyaarusberkasion.
*
Kedalaman daTi penelusupan atom ketidakmumian dapat diatur sangat teliti, denganpengaturanenergiion. (2)
*
Dapat menghasilkanlapisanyang sangattipis, kurangdari 100 /.lm.
Implantasi ion adalah suatu metoda untuk menempatkan atom ketidakmumian ke dalam bahan dengan tara mengionkan atom-atom, mempercepat ion-ion dalam suatu medan listrik, daD selanjLmya menembakkan ion-ion yang sudah dipercepat ke permukaan target. Parameter implantasi yang akan menentukan kualitas basil sesuai dengan yang diharapkan adalah : nomor daD massa ion, energi daDdosis ion, serta nomor daD massa atom sasaran. Implantasi ion merupakan salah satu metoda doping
Selain mempunyai keunggulan tersebut, namun demikian teknik implantasi mempunyai kelemahanyaitu kedalamanpenetrasiion dangkal dan profil kerusakanuntuk dosis rendah (~ 1012 ion/cm1 terbentuk lorong terisolasi dan terbatas ISSN0216-3128
66
Buku/
ProsidingPertemuandon Presentasil/miah P3TM-BATAN,Yogyakarta/4-/5Juli/999 -~-:-
pada volume tertentu saja, sedangkanuntuk dosis tinggi (~ 1014ion/cm1 akan ter~aditumpangtindih dari daerah-daerah yangrusak.(I Kerusakanyang diakibat-kan oleh implantasi tersebut menurut Mayer dkk (1970) dapatdikompensasisampaipada batas-batas tertentu dengan memanaskannya, biasanyapada suhu600oC-1000oC, karena dengan adanyapamanasandiharapkanenergi vibrasi atomatom meningkat clan cenderung untuk kembali teratur. Pactapenelitian ini akan diamati pengaruh dosis daD energi dopan terhadap sifat kelistrikan semikonduktor setelah diimplantasi. Sifat kelistrikan yang akandiamati meliputi : resistivitas, kapasitansi lapisan deplesi daD tegangandadal. Tujuan dari penelitian ini adalah menyelidiki pengaruh energi daD dosis dopan terhadap sifat listrik semikonduktorsilikon. Hila sudahdiketahui pengaruhnya,maka dapat ditentukandosis terbaik untuk mendapatkansifat listrik paling optimum yang nantinya dapatdihasilkansambunganP-N dari bahan semikonduktorsilikon dengankualitasyang baik.
TEORI Semikonduktor Kurang lebih 25% kulit bumi mengandung silikon, hanya oksigen yang dapat melampaui jumlah prosentase tersebut. (3) Silikon pada umumnyaditemui dalam bentukoksida dan silikat. Kebanyakanoksida silikon sebagai pasir, kristal padat,barn api dan barn opal. Sedangkansilikat silikon tampak sebagaigranit, asbes,tanah liat dan mika. Silikon dan paduannyamempunyaiperanan penting dalam kehidupan tumbuhan dan hewan. SiO2 diambil dari tanah oleh tanaman digunakan untuk pembentukan dinding sel. SiO2 juga ditemukandalam tulang dan abu tanaman. SiO2 adalahbahanutama kaca, dalam bentuk pasir dan tanah liat dapatdigunakanuntuk membuatbarnbarn danbeton. Salah satu penggunaandari silikon yang sangat terkenal ialah dalam bidang teknologi semikonduktordaDmikroelektronik. Silikon murni tidak dapatmenghantarkan arus listrik denganbaik, tetapi jika sejumlah kecil atom-atom asing ditambahkan pada silikon murni tersebut, maka paduanitu menjadisemikonduktor.Sifat kelistrikan silikon dapat dipengaruhioleh penambahanatomatom asing, misalnya: konduktivitas silikon yang dikotori dapat bertambah besar dibandingkan denganbahan dasarnya. Silikon berbedadengan logam, pada silikon tahananjenisnya turun dengan naiknyasuhu. Implantasi Ion Implantasi ion adalah suatu metoda untuk
menempatkanatom ke dalam suatubahan dengan carapengionanatom,pemercepatan di dalammedan listrik clan penembakanbahan(2).Dalam implantasi ion, dopan yang aktif diionkan clan dipercepat denganenergitinggi lalu di implantasikanke dalam kristal. Efek implantasiyang berkaitandengansifat kelistrikan meliputi resistivitas keping, kapasitansi, lapisan deplesi, jenis konduksi, jangkauan implantasi,konsentrasidopan clantegangandadal. Pengukuranberbagaisifat tersebutdilakukan pada berbagai energi clan dosis ion dopan. Dalam implantasi ketidakmurnian ditambahkan dengan tujuan untuk mengubahsifat kelistrikannya. Dopan bervalensilima dapat memberikansatu kelebihan hole sebagai pembawa muatan posistip, untuk membentuk semikonduktor tipe P (Jiles, 1994). Dopanutama untuk silikon adalahboron clanfosfor. Boron disini digunakan untuk pembawa muatan lapisansemikonduktortype P. Dosis dopan boron yang masuk dalam substratsilikon dapat dihitung denganpersamaan:
Cs=~ion/cm2 n.e.A dengan: Cs = dosis ion dopan(ion/cm1 I = arus ion dopan(Ampere) t = waktu implantasi(detik) e = muatanelementerelektron(1,602xI0.19 coulomb) A = luas tingkap(cm1
Batasdosis boron ke dalam silikon menurut Mayer, dkk sekitar > 1016ion/cm2 clan m_enurut Ryssel clan Ruge antara 2xlO16 sampai 8xlO16 ion/cm2. Konsentrasi Dopan Kedalaman penetrasi ion dopan akan menentukan besamya distribusi konsentrasi. Menurut Wolf (3) distribusi konsentrasiion dopan terhadapkedalamanimplantasimengikuti distribusi Gauss. Distribusi konsentrasi ion dopan yang diimplantasi sebagai fungsi kedalaman pada permukaanmengikuti distribusiGaussyaitu : N(x) =
2.Cs
Mp.,fi;(i + erf.Rp1.J2.!J.Rp} dengan: N(x) = jumlah ion yang terimplantasi pacta kedalamanx dari permukaan(ion/cm3) Cs = jumlah total ion dopan / dosis dopan (ion/cm1, Rp daD ARp = jangkauan terproyeksi dan deviasi standart(cm). Penganilan (Annealing) Proses anil adalah proses perlakuanpanas
Prosiding Pertemuan don Presentasi I/miah P3TM-BATAN, Yogyakarta 14 -15 Juti 1999
Buku 1
dimana bahan mengalami pemanasan yang agak lama disusul dengan pendinginan secara perlahanlahan. Bila dihubungkan dengan cacat yang terdapat pacta kristal, maka proses anil adalah perlakuan panas terhadap zat padat yang telah rusak dengan tujuan untuk memulihkan struktur kristal dan sifatsifat fisisnya. (5). Suhu yang biasa dipakai untuk penganilan bervariasi antara 450°C -1000oC dengan lama 15 -30 menit (Sansbury)(6),menurut Reka Rio dan Lida (2), suhu anil cukup baik antara
°
67
Dengan:
Er= konstanta dielektrik bahan EO=konstanta dielektrik ruang hampa dan d=dp+dn Tegangan Dadal
Tegangan dadal adalah besar tegangan reverse bias yang diberikan pada hubungan N-P sampai terjadi arus maksimum (arus dadal). Bila diberi tegangan melebihi besar tegangan dadal, maka bahan tersebut rusak. Dengan mengetahui tegangan dadal, maka bahan yang telah diimplantasi rusak, untuk itu tegangan yang dipakai tidak boleh melebihi tegangandadalnya.
°
600 C-lOOOC. Sedangkan menurut Ryssel dan Ruge untuk implantasi boron ke dalam silikon dengan energi rendah (dibawah 100 keY), suhu anil dipilih sekitar 650°C selama 30 menit. Resistivitas
TAT A KERJA DAN PERCOBAAN
Resistivitas keping merupakan salah satu sifat kelistrikan yang akan diteliti. Pengukuran resistivitas yang sering digunakan adalah dengan metoda probe empat titik. Rumus untuk menghitung resistivitas menggunakan probe empat titik dengan faktor koreksi efek ge6metri adalah:
p s = C(V / I)
Alat Penelitian
I
dengan: P. = resistivitas keping (Ohm / cm1 C = faktor koreksi geometri cuplikan yang bergantung pactaketebalan lapisan (x), dimensi cuplikan danjarak antar probe V dan I = tegangan dan arus yang di ukur dengan probe empat titik. Kapasitansi Lapisan Deplesi Pacta masing-masing sambungan P-N hasil implantasi terdapat penumpukanmuatan negatip dan positip, sehingga dipandang dari sudut lain dapat dianggap sebagai kapasitor. Skema hubungan P-N dengantegangan VD diberikan pactaujung-ujungnya ditunjukkan pactagambar I
Peralatanyang digunakan dalam penelitian yang dilakukanadalahsbb: 1. Implantasiion 100keV/ 1 mA 2. Implantasi ion berfungsi sebagai alat untuk mendopingkanboronke dalamkeping silikon. 3. Probe empat titik.. Probe empat titik digunakan untuk mengukur nilai resistivitas keping silikon baik sebelum daD sesudah diimplantasi. Probe empat titik yang digunakanadalahmodelFPP-500buatanVecco yang beroperasipada tegangan220/240 Volt (AC)/50 Hz. 4. Jangkasorong. 5. UltrasonicCleaner. 6. LCR-Meter.,LCR-Meterberfungsiuntuk mengukurnilai kapasitansidaTimasing-masing cuplikan. LCR-Meteryangdigunakanadalah digitaltype 4271B,yang beroperasipada tegangan220 Volt. 7. VoltmeterdaDAmpermeter Bahan
Q = qNodn
-Q = -qNAdp
(
(..;
,
i
I
I~
~I
Gambar. 1. Model yang menunjukkan daerah deplesisepertikomponenplat sejajar Dengan menganggapsebagaikapasitorplat sejajardenganluas A, makakapasitansiC adalah: c
=
8 r .80
dp+dn
ISSN0216-3128
-8
-d
r .80
.A
Ada beberapa bahan yang digunakan dalam penelitianyang dilakukansbb: 1. Keping silikon type N sebagaibahanyang diimplantasi. 2. Padatanboronnitrid sebagaibahanyang dicangkokkan. 3. Alkohol 90% untuk membersihkansisa-sisa kotoranyang menempelpada silikon sebelum diimplantasi. 4. Lem silver dan kawat tembaga (sebagai
kontak).
CARA KERJA PERCOBAAN PreparasiSampel Mula-mula wafer silikon dipotong dengan luas perDlukaantertentu. Potongan wafer silikon tersebut dibersihkan dengan alkohol dalam
Elin Nuraini, dkk.
68
Buku/
ultrasonic cleaner untuk menghilangkan lapisan SiO2yangmenempel. Tahap Implantasi * Keping silikon yang telah dibersihkan diletakkan dalam tempattarget (targetholder) dengan sudut miring 70 clan sudut putar 300untukmenghindariefekpengkanalan. .Proses Implantasi ion, dosis ion dopan divariasi antara (0.149 :t 0.0186) x 1016 ion/cm2hingga (1.789:t 0.0007)x 1016 ion/cm2 dengantara mengatur besarnyaarus berkas ion daTisistemion, masing-masingpada energi 40,80, clan100keY. Tahap Penganilan Cuplilan yang telah diimplantasikemudian dianil pada suhu 900 °c dengan tujuan untuk memulihkankembalisusunanatomyang telah rusak akibatimplantasi. Tahap PengukuranResistivitas keping Pengukuran resistivitas keping daTi bahan yang diimplantasi clan telah melewati proses anil dilakukandenganmenggunakan probe empattitik type FPP5000. Tahap Pengukuran Kapasitansi Lapisan Deplesi Setelah cuplikan dianil, diukur resistivitasnya clan diberi kontak (dengan kabel yang di lem denganlem silver), kemudiandiukur kapasitansinyadenganmenggunakan LCR-Meter. Tahap Pengukuran TeganganDadal Tegangan diperoleh dengan karakteristik arus tegangan. Dari karakteristik ini diperoleh tegangan dadal untuk masing-masing cuplikan. Untuk setiap cuplikan hanya dapat satu kali dilakukan pengukuran tegangandadalnya,sebab cuplikan yang telah diperoleh tegangandadalnya akanrusak.
ProsidingPertemuandon Presentasi//miah P3TM-BATAN,Yogyakarta/4-/5Ju/i/999
bertipe P sehingga rnernbentuk rnuatan ruang negatif. Hal yang sarnajuga terjadi pada elektron yang rneninggalkandaerah rnuatan ruang positif pada daerahtipe N (silikon). Peristiwa tersebut akanrnernbangkitkan rnedanlistrik yang rnulai daTi ruang berrnuatanpositif dan berakhir pada ruang bermuatannegatif. Medan listrik ini rnengharnbat aliranhole daTiboronke silikon dan aliran elektron daTi silikon ke boron. Akhirnya aliran pernbawa terhenti setelah terdapat keseirnbangan antara difusi danhanyutan.Keadaan ini disebut keadaan setirnbangdaD terbentuk lapisan deplesi (daerah kosong). Padatabell terlihatbahwahanyapadaenergi 100 keY terjadi penurunannilai harnbatanlapis denganbertarnbahnyadosis,sedangkan pada energi 40 dan80 KeV terjadi kenaikanharnbatanlapis. ]adi dapat dikatakan bahwa untuk energi yang lebih tinggi, nilai harnbatan lapisnya lebih kecil hila dibandingkandenganyang berenergi rendah. Hal tersebutdi atas dapat dijelaskan sebagaiberikut : untukdosisyang sarna,ion-ionyang berenergibesar akan rnasukke dalarn bahanlebih dalarn daTipada yang berenergirendah,sehinggaturnpangtindihnya kerusakanakibat dosis yang besar pada ion yang berenergi tinggi tidak sebesar yang berenergi rendah. Ion berenergi tinggi akan rnernpunyai ruang yang lebih besar di dalarn bahan,akibatnya untuk dosis yang sarna pada ion yang berenergi tinggi akan rnenyebabkan harnbatan lapis yang lebih kecil dibandingkandenganyang dihasilkan oleh ion yang berenergi rendah. Prosentase penurunan harnbatan lapis terbesarterjadi pada energi 100keY dengan dosis ( 1.789:1:0.0007) x 1016ion/crn2 yaitu sebesar76.80%. Grafik hubunganantara konsentrasidenganC/A disajikan padagarnbar2.
HASIL DAN PEMBAHASAN Hasil implantasi boron pactasilikon adalah sambunganP-N. Hal ini dapatdijelaskan sebagai berikut, pactasaat ion-ion boron ditembakkanpacta keping silikon, maka ion-ion itu akan berekomendasi. Pembawa-pembawa(hole dan elektron) berdifusi ke daerah yang mempunyai konsentrasirendah. Karena hole pactaboron lebih tinggi konsentrasinyadaripada hole pacta silikon, maka hole-hole itu akan berdifusi daTi boron ke silikon. Karena elektron pactasilikon lebih tinggi konsentrasinya daTi pacta boron, maka elektron-
elektron itu akan berdifusi daTi silikon ke boron. Hole yang meninggalkanboron hilang di dalam silikon karenaberekombinasi.Sebuahakseptorakan diionisasikan menjadi negatif dalam boron yang Elin Nuraini, dkk.
Gambar2. Pengaruhkonsentrasidopanterhadap kapasitansipersatuanluas CIA (E = 100 keY)
ISSN0216-3128
Prosiding Pertemuan dan Presentosi I/miah P3T!!!:!JAT1}!. Yogyakarta 14 -15 Ju/i /999
69
Buku I
Tabel
Pada garnbar 2 diatas grafik yang diperoleh sesuai dengan teori yaitu nilai kapasitansi sernakin
besar denganbertarnbahnyadosis dopan. Untuk dosis yang sarna, ion yang berenergi tinggi akan rnasuk lebih dalarn daripada ion berenergi rendah, sehingga ion berenergi tinggi rnernpunyai daerah kosong (lapisan deplesi) lebih besar dan nilai kapasitansinya sernakin besar. Dari 15 sampel yang ada diarnbil satu sarnpel yang rnernpunyai tegangan dadal terbesar dari rnasing-rnasing energi. Terlihat bahwa grafik pada garnbar 3 telah rnernenuhi grafik hubungan V-I. Jadi irnplantasi tersebut benar-benar rnenghasilkan hubungan P-N. Dari 15 sarnpel yang diuji, tegangan dadal terbesar terjadi pada energi 40 keV dengan dosis (l.342:t0.0005) x 1016 ion/crn2 yaitu 22.9 Volt. Tegangan dadal terbesar pacta energi 80 dan 100 keV rnasing-rnasing adalah 14.82 Volt dan
18.77 Volt yaitu pada dosis (0.895:t0.0004) x 1016 ion/cm2 daD(1.789:tO.0007)X 1016ion/cm2. Secara keseluruhan pada sampel yang diimplantasi, ion-ion dapat masuk ke dalam wafer silikon. Hal ini terbukti bahwa semua resistivitas setelah diimplantasi daD dianil lebih rendah dibandingkan sebelum diimplantasi. Sambungan PN akan baik hila memiliki resistivitas rendah, kapasitansi per satuan luas besar, dan tegangan dadal besar. Hal ini sangat beralasan sebab hila sambungan P-N ini digunakan sebagai penyearah AC, dengan kriteria resistivitas kecil daD kapasitansi besar, maka sambungan tersebut tidak menyerap
tegangan. Tegangan dadal yang cukup besar diperlukan untuk menjaga kerusakan sambungan PN hila digunakan sebagaipenyearah.
Gambar 3. Grafik hubungan V-I untuk dosis 1.342xlO16,1.789xlO16dan O.895xlO16ion/cm2
~
KESIMPULAN
Elin Nuraini
Dari basil penelitian yang telah dilakukan dapat diambil beberapa kesimpulan :
*
Dari segi ekonomimemangdioda merupakan komponenelektronikyang murah, akan tetapi tujuan dari penelitian komi di sini bukan membuatdiodayang nantinyadijual dipasaran, melainnkan untuk menguasai teknologi sambunganP-N
*
Tegangandado! yang ideal yang diinginkan yaitu dalam orde ratusan volt. Sedangkan manfaatutamanyamengetahuitegangandado! yang cukup besar yaitu untuk menjaga kerusakan sambungan P-N hila digunakan sebagaipenyearah.
I.
Dengan bertambahnya energi dan dosis, maka nilai resistivitasnya semakin turun dan kapasitansinya semakin naik.
2.
Penurunan nilai resistivitas terbesar terjadi pacta energi 100 ke V dengan dosis (I. 789:t0.0007) X 1016ion/cm2 yaitu sebesar76.8%.
3.
Nilai kapasitansi per satuan luas terbesar terjadi pacta energi 100 keY dosis (1.789:t0.0007) x 1016ion/cm2 yaitu (590.02:t14.071)pF.cm-2.
4.
Tegangan dadal terbesar terjadi pacta energi 40 keY dengan dosis (1.342:t0.0005) x 1016 ion/cm2 yaitu 22.9 Volt.
Elizabeth *
DAFf AR PUSTAKA 1. Ryssel and Ruge, Ingolf, "Ion Implantation", JohnWiles & Sons,London,1986 2.
4. Jiles,D., 1994. "Introduction to Electronic Properties of Material", Chapman & Hall, London. 5. Deamealy,G, Freman,T.H, Nelson, E.S and Stepen,J, "Ion Implantation", American Eisiver Pulishing Company Inc, New York,1973. 6.
Elin Nuraini *
Reka Rio dan Lida, M," Fisika dan Teknologi Semikonduktor," Pradnya Paramita,Jakarta,1982
3. Amir Supriyanto, Kusminarto dan Sudjatmoko., 1995. "Pengaruh Arus Ion Dopan terhadap sifat kelistrikan Semikonduktor". Prosiding PPI PPNYBATAN, Yogyakarta
Sansbury, J., "Ion Implantion and Its Contribution to Device and Integral Circuit Tecnology",Varian SpA, Italy, 1978
TANYAJAWAB Subari Santoso .Mengapa penelitian dibidang peningkatan kemampuandioda padahaldari segi ekonomi dioda adalahkomponenelektronikyangmurah .Berapa tegangandadal ideal yang diinginkan apamanfaatutamanya?
Pada percobaanini, saudaramelakukanvariasi energi clandosis ion untuk mendapatkanbasil sambunganP-Nyangbaik. Apa clanbagaimana kriteria sambunganP-N yang baik Kriteria sambungan P-N yang baik yaitu mempunyaitegangandadal yang cukupbesar, nilai resistivitasnyayang kecil don kapasitansi yang besar,sehinggasambungantersebuttidak menyeraptegangan.
Suyamto * Mengapasatuanhambatan(tabel 1) dalam Qcm2 R= Q kalaup = Q m Elin Nuraini *
Pada label J. Satuanunit untukhambatanlapis tertulisn;cm2. Perlu kami jelaskan bahwa hambatanlapis/ resistivitas kepingpada label J. Tersebutpengertiannyatidak sarna dengan tahananyang satuannya.a. Hambatan lapis disini pengertiannyaadalah resitivitas keping denganrumusanP. =C.(V/I) n;Cm2, C disini faktor koreksi geometri cuplikan yang tergantung ketebalan lapisan (x), dimensi cuplikan danjarak antar probe. Denganolaf probe empattitik nisbi resistivitasado 2 macam yang terukur (ada 2 satuan), kalau terukur sheetnyasatuannyaP. = n;cm2, kalau yang diukur slicenyasatuannyap = .Q..cm
