Prosiding Pertemuan llmiah llmu Pengetahuan don Teknologi Bahan '99 Serpong,l9 20 Oktober 1999
-
ISSN 14]]-22/3
PENGARUH TEMPERA TUR TERHADAP PERILAKU SILIKON MONOHIDRIDA DAN SILIKON DIHIDRIDA DALAM FILM SILIKON POROUS <,t~"
Didin S. Winatapura I, Sullif~n
-
I daD Anik Sunarni2
'Puslitbang IPTEK Bahan, Batan Kawasari'USPIPTEK Serpong Tangerang 15314 2
Puslitbangtek Isotop daD Radiasi, Batan - Jalan Cinere PS. Jumat Jaksel
ABSTRAK PENGARUHTEMPERATURTERHADAPPERILAKUSILIKON HIDRIDADANSILIKON DIHIDRIDA DALAM FILM SILIKON POROUS. Perilakusilikonhidridaclansilikondihidridapadapermukaanfilmsilikonporous telah diamati. Pengamatan dilakukan menggunakan spektroskopi fourier transform infrared di lingkungan atmosfer
-
pada daerah frekuensi antara 500 4000 em-I. Hasil pengamatan cuplikan mengungkapkan bahwa spektrum absorpsi spesi SiHX(X-,-3)teramati
pada 2358
-2258,
947, 885, 808 clan 678-u 11 em-I yang masing-masing
berasal dari vibrasi
regangan, scissoring, bending, twisting dan waging. Oemikian juga spesi kontaminan CHX(X-I-3). C=O clan fasa uap air SiGH masing-masing teramati pada 2958-2858 clan 1460, 1716 clan 3651-4000 cm'l. Kristalit silikon yang ditutupi oksigen dengan dimensi diameter sekitar nanometer teramati pada 1109 cm'l yang berasal dari vibrasi regangan asimetris dari spesi Si-O-Si. Pada rentang temperatur anil antara 400 sampai 600 °C, spesi kontaminan CH x(x=I-3)' clan C=O turun secara perlahan-Iahan dengan kenaikan temperatur anil clan hilang pada 600 °C. Ini diikuti dengan tidak teramati spesi silikon dihidrida pada 2327,947,808 daD 678 em-I masing-masing dari vibrasi regangan, scissoring, twisting clan waging dan turun secara drastis spektrum absorpsi spesi silikon hidrida pada 2358 cm,l, Ketika kemudian temperatur anil dinaikkan sampai 800 °C, tampak jelas rekonstruksi hidrogen pada permukaan film, Ini dicirikan dengan meningkatnya spektrum absorpsi silikon hidrida clan dihidrida. Fenomena ini menyatakan bahwa hampir seluruh permukaan film dipasipkan oleh hidrogen. Perubahan spesi hidrida daD dihidrida pada permukaan film juga berpengaruh terhadap kenaikan intensitas fotoluminesen. Ketebalan film silikon porous yang diamati dengan scanning electron microscope diperoleh sekitar 2,5 clan 5 Ilm.
ABSTRACT EFFECfOFTEMPERA TURE TO THE REHAVIOROF THE DIHYDRIDEANDHYDRIDE SILICON IN POROUS SILICON FILM. The behavior ofthe dihydride and hydride silicon on the surface ofthe porous silicon film has been studied. Fourier transform infrared study was done in the atmosphere ambient at the ragion between 500 4000 em-I. The result shows that the absorbance spectrum from SiHx(X=I-3) species observed at2358 - 2258,947,
-
885,808, and 678
- 611
em-I respectively, which is related to waging, twisting, bending, scissoring, and stretching
vibration modes. Likewise, the contaminant species ofCHX(x:,-3)'C=O, and water vapour phase, SiGH were also identifiedat 2958 2858and 1460,1716,and3651- 4000em-Irespectively. The nanometer silicon crystallites that covered by oxygen were observed at 1109 em-Icaused from assymmetrical stretching vibtarion mode of Si-O-Si specy.At the rangetemperaturebetween400 600 °C, the contaminant species of CH x(x=I,3) and c=o gradually decrease with increasing the annealing temperature, and dissappeare at 600 °c. This is followed by the dissappeare of dihydride silicon apecies at 2327,947,808, and 678 em-Iwhich is related to the waging, twisting, scissoring, and stretching vibration modes respectively, and decreaseing extremely the absorption spectrum from hydride silicon specy at 2356 em-I. When the annealing temperature increased to 800 °C, It is obviously the recontruction of hydrogen at the film surface, which is characterized by an inceasing of the absorbance spectrum of dihydride and hydride silicon. This phenomena implies that almost entire of the surface of the film was passipated by hydrogen. The change of the hydride species on the surface also influence to the increase ofthe photoluminescence intensity. The thickness of the film obtained using scanning electron microscope of about 2.5 and 5 Ilm.
-
-
Kala kunci: SiH,
Pengaruh Temperatur Terhadap Peri/aku Silikon Monohidrida dun Silikon Dihidrida datam Film Silikon Porou,v (Didin S. Winatapura)
PENDAHULUAN Penemuan emisi cahayatampak(visiblelight)dari film silikon porous (SP) [I] telah membangkitkanminat yang tinggi para peneliti untuk mengembangkan bahan inikarena aplikasi yang sangatpotensialantaralain untuk rangkaian terpadu (IC) optoelektronik, memori optik, advanced display system technology, LED, Laser clan solar cell. Efisiensi fotoluminesen (FL) yang dibangkitksn oleh SP frat kaitannya dengan komposisi kimia film [2). Kandungan hidrogen yang cukup tinggi pactapermukaan film SP diketahui mempasipkan permukaan film clan berikatan dengan silikon membentuk silikon hidrida SiHX(x=)o2) [3], Tetapi pacta kenyataanya, unsur kontaminan antara lain CHx(X=I-3)' c=o clanSiGH juga terbentuk baik selama proses anodisasi maupun basil absorpsi dari atmosfir [4-7]. Salah satu metoda untuk meningkatkan efisiensi FL dalam SP telah dilakukan oleh Tsai dkk.[3] dengan cara merendam cuplikan SP di dalam tarutao dasar HF dengan konsentrasi yang berlainan. Hasil pengamatan cuplikan menunjukkan bahwa spektrum absorpsisilikon dihidrida, SiH2meningkat dengan kenaikan konsentrasi tarutao, diikuti dengan kenaikan intensitas fotoluminesen. Dalam penelitian ini efek perlakuan temperatur diberikan pactacuplikan SP untuk mengetahui peningkatan efisiensi spektrum absorpsi silikon hidrida serta kaitannya dengan karakteristik intensitasfotoluminesen.
penelitian ini,data dukung intensitasfotoluminesen (FL) dari peneliti sebelumnya [9, I0] yang mendukung penelitian ini ditampilkan. Kondisi preparasi cuplikan dalam penelitianinidicantumkan dalam Tabell. Tabe! J. Kondisi preparasi cuplikan SP yang dibentuk pad a substrat wafer si tipe-p( 100), resistivitas 5-10 n. Cm.
HASIL DAN PEMBAHASAN Gambar Ia dan b menunjukkan ketebalan film SP daTicuplikan Spot clanSP-3 yang dianodisasi masingmasing selama ] menit clan 10 meRit. Tampak bahwa semakin lama anodisasi ketebalan film semakin tebal, porositas semakintinggi, tetapi densitas film rendah daD bahan semakin rapuh. Spektroskopi absorpsi FTIR telah diperlihatkan menjadi teknik yang sangat berguna untuk memoRiter spesi permukaan pada sr. Dalam penelitian ini daerah pengukuran di lakukan pacta daerah frekuensi 500 - 4000
em-I.Gambar I menunjukkan spektrum infra merah dari cuplikan sp-o tanpa perlakuan panas. Puncak-puncak
TATAKERJA Penyiapan Cuplikan Dalam Penelitian ini, pembentukan film SP dilakukan dengan reaksi elektrokimia (anodisasi) [8]. Substrat yang digunakan adalah silikon tipe-p(IOO) berbentuk wafer dengan dimensi ketebalan sekitar 0,55 m clanresistivitas 5 -10 a.cm m. Proses anodisasi dilakukandi dalamcampurantarutao50ml HFdan 100ml ethanol pacta carat arus 30 mA/cm2selama 10meRit, I men it clan 10 detik [8].
Perlakuan Temperatur Anil dilakukan dengan kenaikan panas diatur IS °C/menit di dalam tungku pemanas di atmosfir pacta 400,600 clan800°Cselamamasing-masingI meRit,diikuti pendinginan cepat ke udara (air quenched). Pengamatan spektroskopifourier transforminfrared(FTIR)dilakukan untuk mengamati perubahan spesi permukaan film SP selama ani!. Pengamatan dilakukan pacta temperatur kamar di lingkungan atmosfer daTidaerah frekuensi 500 -4000 cmo)di Puslitbangtek Isotop clanRadiasi(P3TIR)
-BA TAN. Ketebalan
lapisan film ditentukan mengguna-
kanscanningelectronmicroscope(SEM)di Puslitbang IPTEK Bahan (P3IB)
- BATAN.Untukmelengkapi
Gamba, J. Hasil penentuan cuplikan dengan scanning electron
microscope
untuk ketebalan
film silicon porous
yang dianodisasi pad a rap at arus 30 mA/cm2 selama men it, (a) dan 10 men it (b).
I
Prosiding Pertemuan limiah limu Pengetahuan don Teknologi Bahan '99
-
Serpong, 19 20 Oktober
ISSN 1411-2213
1999
absorpsi terlihat pada 4000-3637 em-I,2959 - 2858 em-I (triplet)2360-2258 em-'(triplet),17]6em-', ]508- ]460 em-' (doublet), I] 76 - 1109em-', 947 em-', 885-808em-', 678 - 6] 1 em-' clan 453 em-'. Puncak-puneak absorpsi dari spesi utama pada permukaan lapisantelah diidentifikasi antara lainpada2360 - 2258 em-I(triplet)mernpakan vibrasi regangan dari spesi Si-Hx(x~'-J)' yang mana pada 2360 emo'diyakinisebagaispesisilikonmonohidrida,Sill, pada 2327 emo'diperkirakan spesi silikon dihidrida, SiHz clanpada 2258 em-' diperkirakan spesi SiHJ [11]. Puneak pada 1109 emol disebabkan oleh vibrasi regangan a-simetris Si-O-Si interstisi bulk [12], tetapi pelebaran (broadness) puneak clan bahu (shoulder) sampai pada 1176 emo' mungkin disebabkan karena adanya spesi oksida di permukaan. Karena area permukaan spesifik dari SP lebar (diameter
- 2 mm) clan terdapat
sejumlah
besar atom-atom oksigen di udara, kemungkinan besar atom-atom silikon mengadsorpsi atom-atomoksigen clan membentuk ikatan,apabila euplikan disimpanatau diberi perlakuan panas di dalam lingkungan udara biasa. Sebagaihasilnya, pada euplikan tersebutteramatipuneak absorpsi dari spesi Si-O-Si pada daerah 1109-1176 em-I dengan spektrum tinggi clanFWHM lebar.Feng dkk [13] menggunakan peralatan XPS, AES clanSIMS mengung-
A
kapkan bahwa permukaan SP hingga kedalaman 20-50
tersusun dari silikon dioksida, SiOz,sebagai komponen utama (> 90 %) clankristalit silikon,silikonhidrida(SiH), silikon hidroksida (SiOH) clansilikon florida (SiF) serta beberapa unsur kontaminan lainya seperti K, Na, N clan Cu [14]. -~'
t-
1
, ;'
-.
lirl;rilJ I/;
-~ j
is-'
r
ItV'\h, , III
U-1
,!
NI
\
,.I!
I~~\ \ I
,1.
1\
~\\'
~!I I
[ I :\
~""'-) ~
-
--~-
, \,
,\,~"'-
"
\
\/I\,F';
'<.
i\~1 ',;: ) i"','" \
"
..-.-I-~'~~~--'---'--'--'---'--~~~-~~ ...oo -.
.
0
.
,
I
u
I
'f %~! 1' \
:,; "I
I
ii i,,;%-
/
~I I \1 v:r
'000,. ,
%
\N\..\ il
'
\
.~~ .
/\""'1
\'J\ "\Ii , I'
11
1
\,
000,. ,-
Gambar 1. Spektrum absorpsi FTIR dari film SP pada substrat Si tipe-p(100), resistivitas 5-10 O.cm
Perlakuan Temperatur Pernbahan spektrnm absorpsi FTiR dari spesi permukaan film SP setelah perlakuan anil ditunjukkan pada Gambar 3. Hasilpengamatan euplikan SP tanpa clan setelahanilpada 400,600 clan800"C denganspektroskopi FTIR ditunjukkan pada Tabel 2. Pernbahan spektrum absorpsi tidak hanya terjadi pada spesi kontaminan seperti CHX(x:'-J)'tetapi juga spesi pada spesi utama SiHX(x:'oJ)' Vlbrasi regangan clan scissoring dari spesi CHX(x:'oJ) pada 2958 - 2858 em-' danl460 - 1508 emo'
tidak teramati, gugus hidroksida (OH) pada daerah 4000 3651 emol turnn tajam dengan spektrum absorpsi tidak
-
beraturan clan vibrasi regangan spesi C=O mengalami pergeseran puneak dari 1716 ke 1589 em-', seperti ditunjukkan pada Gambar 3a. Tabe/1. Hasil pengamatan film SP pada substrat silikontipe-p(lOO) dengan resistivitas 5-10 O.cm, tanpa clan setelah perlakuan temperatur No rnlo-
0.1 1, 3, 4.
,.
6. 7. M. 9. 10. It 11 I). 14, ." ",
611 677 l1li
..,
947 1109 14'" 1716 2158 2m 1"0 1MjII 2915 1'>'6 )(,)7
T-- _oe- ..oe .......
n
Sill" Siu," !Ii'"
Sill" Sil"
!lill" SlH," !Ii"(" (1" ("0" !lill," !lil" SIll" cu," (1"' cu," SI.(JII"
!lill"
..<
"':J-:"
"':J-:.
-0
!lil"
Sil"' SIll" !liH," !IiI("
h
--
SI.o.S;" ..
""""
Sil" .. !lillO' ..
--
0SI.(JII"
!lill" .. !Ii.o.S;" .. .. .. 0!lill"
..
"11,'" SlI" !lillO'
--
..
..
-0
.. SI.(JI!"'
!Ii.(JII"
... --
'::.;.: If""", -ling ....... &i.,,0-.-';, "d.""".. "-'san "-'san """" ........
.."': ..
mooiIm
-""",_,
.......
........ ..........
....-.;. "-'san
Pola spektrum triplet dari vibrasi regangan SiHX(X~'_]) berubah menjadi spektrum douplet, setelah mengalamiperlakuanpanas pada 400 °C(euplikan SP-l), seperti ditunjukkan pada Gambar 3a. Pernbahan ini berkaitan erat dengan hilangnya vibrasi regangan dari spesi silikon dihidrida (SiHz) pada 2327 em-' clan menyebabkanspektrumserapandari spesi SiH pada 2360 em-' naik. Demikianjuga vibrasi scissoring clantwisting darispesiSiHzpada947 clan808emolsertavibrasibending clanrockingdarispesiSi-O-Sipada 453 em-'tidakteramati clanvibrasi regangan a-simetris dari spesi Si-O-Si pada 1109emo)juga turnn. Ketika temperatur anil dinaikkan hingga 600 °C (euplikan SP-2), tampak vibrasi regangan, scissoring clan twisting spesi SiHztidak teramati clanvibrasi regangan spesi Sill turnn tajam. Pada kondisi ini, vibrasi regangan dari spesiC=Opada 1716emo'juga tidak teramati.Vibrasi regangan dari spesi SiH yang pada 2360 em-Imemiliki spektrum serapan sangat lemah, ditunjukkan pada Gamb,jr 3b. Gupta dkk.[7] yang mengungkapkan bahwa spesi silikonmonohidrida(SiH)hilang atau tidak teramati dari permukaan lapisanSP pada suhu 840 K (567 °C),clan spesi silikon dihidrida (SiHz) hilang pada suhu lebih rendah, yaitu pada 720 K (447°C). Pada temperatur anil800
"C
(euplikan SP-3), terlihat
spesi permukaan film menunjukkan rekonstruksi dari spesi SiHX(x:,o]), Si-O-Si clanjuga spesi kontaminan SiOH, seperti dltunjukkan pada Gambar 3e. Hilangnya spesi silikon dihidrida, SiHz clan silikon hidrida dari permukaanlapisanberkaitanerat denganenergi ikatkimia dari kedua spesi tersebut. Gambar 4 menunjukkan basil simulasi signal temperature programmed desorption (TPD) dari permukaan silikon menggunakan kinetika desorpsi monohidrida clan dihidrida berdasarkan hasil pengamatan[IOJ. Puneak suhu tinggi bl monohidrida yang umumnyateramatidalam pengamatanTPD dari hidrogen pada permukaan silikon kristal tunggal adalah desorbsi Hz dari spesi silikon monohidrida melalui proses rekombinasi. Puncak suhu rendah b, yang teramati pada
Pengaruh Temperatur Terhadap Periloku Si/ikon Monohldrlda dan Siilkon Dlhldrlda da/am Film Sf/ikon Porous (DIdIn S. Wlnatapura)
I
"
400'C
.,\
-f'~"-" Iii
I !
i\,J
t,'
I
f f" '
, ~
J\; ,;'
,.
" , fI
'i
\ih Ji:.~
.. ~'I~'
"I
.,
spektrum TPD adalah desorbsi H2dari spesi dihidrida, 8iH2juga melalui proses rekombinasi. Hasil penelitian sebelumnya[10]mengungkapkanbahwa energiikatkimia spesi 8iH2sekitar 73,6 kkal/mol atau setara dengan 3,19 eV, berbeda dengan spesi 8iH yang memiliki energi ikat kimia sekitar 84,6 kkal/mol atau setara dengan 3,67 eV. Dengan demikianstabilitastermaldad spesi 8iH daD8iH2 memiliki range temperatur yang berbeda. Hasil pengamatan ini didukung oleh Prokes clan Li dkk.[2,3] yang mengemukakan bahwa intensitas FL dari 8P yang dianil pacta600 °C tidak teramati, seperti ditunjukkan pactaGambar 5.
600'e
II
-
u..
/800.~\
2.5
I
J1f a:: 2.0 => -t:!
"""1-
!
., ./ .'"
~u
II
f
i§
.. ..
\.
\. \
1/700 c.,.
1.0
l.l 600.C
\.
'-.,'" '\
'..
1.3 1.4 1.5 1.8 1.7 1.8 1.9 2.0 energy (eV)
1""1""1"
"
'::-:-. 2.1 2,2
BOO'e
UI
-
..
Gambar 5. Spektrum fotoluminesen (FL) untuk film silikon porous pada substrat 4 a,cm setelah anil pada 600, 700 dan 800 "C [9].
"""-
...
"',1-
u OJi
.. _.0
-.
-.
-.
_0
"".0 _..
"'.0 ,...
Gambar 3. Spektrum absorpsi FTIR dari film SP pada substrat Si tipe-p(IOO) dengan resistivitas 5-10 !lcm, setelah dianil pada 400 (a), 600 (b) dan 800 "C (c),
monohldrld"
( P1'
]. 'I 8.
c 0,5,
! "2
I a
1000
Temper"tur
( K,
Gambar 4. Sinyal predicted hydrogen temperature programmed desorpstion (PH- TPD)dari permukaan silikon menggunakan kinetika absorpsi hidrida dan dihidrida dari data hasil pengamatan [10].
Hal ini erat kaitannya dengan hilangnya spesi silikondihidrida(8iH2)pacta947,808clan677em" masingmasing dari vibrasi regangan, scissoring, twisting clan waging yang mungkin juga diikuti naiknya kerapatan cacat silikon dangling atau atom silikon yang tidak berpasangan di dalam film 8P. Menurut Prokes dkk (7) mengungkapkan dalam publikasinya bahwa cacat silikon di dalam film 8P sekitar2x 10'7ikatan/cm3,hasil pengamatan dengan electron spin resonance (ESR), seperti ditunjukkan pactaGambar 3b. Bila temperatur anil dinaikkan dari 600 ke 800 °C, intensitas FL naik dengan kenaikan temperatur, diikuti dengan pergeseran puncak intensitas, seperti ditunjukkan pactaGambar 5 [9]. Pactakondisi ini, tampak rekonstruksi dari spesi SiH pacta2368 em" clanSiH2pacta2352, 916, 889, 808 clan 678 em". masing-masing dari vibrasi regangan, scissoring, bending, twisting clan waging, seperti ditunjukkan pacta Gambar 3b. Fenomena ini mungkin disebabkan oleh pembentukan partikel silikon kristal berukuran mikrometer (microcrystalline Si) yang tertanam dalam matrik silikon dioksida (Sia2) clanterjadi penurunan ukuran partikel silikon dengan kenaikan temperatur anil 800 °C [3,9,13]. Apabila temperatur dinaikkan
pacta 900
- 1100
°C, permukaan
lapisan menjadi
translucent (tembus cahaya) daD tidak acta FL yang teramati.Inimenunjukkanbahwa seluruhfilm SP berubah menjadi bentuk silikondioksida, Sia2 [9,12]. ,)7~
Prosiding Pertemuan Ilmiah Ilmu Pengetahuan don Teknologi Bahan '99 Serpong, 19 -10 Oktober 1999
Tsai dkk. [3], melaporkan basil pengamatan efek perendaman pactaspektra absorpsi FTIR clanspektra FL dari lapisan SP. Bila konsentrasi larutan HF meningkat, spektrum absorpsi dari vibrasi regangan clanscissoring dari spesi SiH2juga meningkat clandiikuti peningkatan intensitasFL. Tsai dkk. [3] menyimpulkanbahwa selama perendaman di dalam larutan HF, terjadi pertumbuhan hidrogen pacta spesi SiH2 pactapermukaan lapisan SP atau dengan perkataan lain, permukaan lapisan SP dipasipkan oleh hidrogen.
KESIMPULAN Dari pengamatan ini dapat disimpulkan bahwa temperatur sangat berperan terhadap rekonstruksi clan dimerisasi (pengbilangan) spesi permukaan film SP. -
Pacta sullo kamar, teramasi spesi SiHx(x:,oJ) dari vibrasi regangan, scissoring, bending, twisting dan waging
clan spesi kontaminan CHX(x~'oJ)'C=O clan SiOH memiliki spektrum yang kuat clanpuncak tajam. - Pacta sullo 400 - 600 °C, perubahan spesi permukaan film terlihat, dengan hilangnya beberapa spesi antara lain; silikon dihidrida (SiH2) dari vibrasi regangan, scissoring clan twisting, diikuti spesi kontaminan CH x(x~loJ) clan C=O. Spesi SiR dari vibrasi regangan clan bending teramati dengan spektrum absorpsi sangat lemaho
UCAPAN TERIMA KASIH Penulismengucapkanterimakasihkepada Kepala Pusat Penelitian dan Pengembangan IImu Bahan dan Kabib. Bidang Bahan Industri - Batan atas segala kemudahan dalam melakukan penelitian. Demikian pula kepada Pimpinan Proyek P3IB atas bantuan dananya. DAFT AR PUST AKA [I]. LT. CANHAM, Silicon quantum Wire Array Fabrication by Electrochemical and Chemical Dissolutions of Wafer, Appl. Phys. Lett. 57(1990)1~1048 [2]. M.S. BRANDT, RD. FUCHS,M. STUTZMANN, J. WEBERdanM.CARDONA,TheOriginof Visible Luminescence from Porous Silicon: A New Interpretation, Solid StateCommon. 81(1992)307311
[3].
ISSN 1411-1113
e. TSAI, KH. LI, D.S. KINOSKY, J.e. CAMPBELL, B.K. HANCE dan J.M. WHITE, Correlation between Silicon Hydride species and Photoluminescence Intensity of Porous Silicon, Appl. Phys. Lett. 60(1992)1700-1702
[4]. r.-.PICKERING,M.IJ. BEALE,DJ. ROBBINS,PJ. PEARTON clan R. GREEF, Optical Studies of Structure of Porous Silicon Film Formed in p-type Degenerate and non-Degenerate Silicon, J. Phys. C,17(1984)6335-6552 [5]. KR BECKMANN,Surf.Sci.3(1965)314 [6]. R.G. EARWAKER,J.P.G. FARRdanJ.M. KEEN, Nuc.Instrumentation and Methods in Physics. Res. 218(1983)481 [7]. S.M. PROKES, W.E. CARLOS daD V.M. BERMUDEZ, Luminescence Cycling and Defect Density Measurements in Porous Silicon, Appl. Phys.Lett.6I(1992)1447-1449 [8]. DIDINS. WINATAPURA,DESWITA,PUJISdan SULISTIOSO.G.S, Dipresentasikanpada Seminar NasionalMikroskop Elektron, 1999 [9]. S.M.PROKES,LightEmissioninThermallyOxidized Porous Silicon: Evidence for Oxide-Related Luminescence,Appl.Phys.Lett.62(1993)3244-3246 [10]. P. GUPTA, V.L. COLVIN dan S.M. GEORGE, Hydrogen Desorption Kinetics from Monohydride and dihydride Species on Silicon Surface, Phys. Rev.B,37(1988)8234-8243 [II]. SILVERSTEIN,G.e. BESSLERdanT.e. MORRILL, Spectrometric Identification of Organic compounds, 4th ed., John Wiley and Sons, (1976)170-175
[12]. KH. LI, D.C. DIAZ dan J.C. CAMPBELL, Porous Silicon,ed. Z.e. Feng and R. Tsu, World Scientific, 1994 [13]. Z.C.FENG,danA.T.S.WEE,Multi-techniqueStudy of Porous SiliconMembranesby Raman Scattering, FTIR,XPS, AESand SIMS,Porois Silicon,ed. Z.C. FengandR. Tsu, World Scientific, 1994. [14]. L.T.CANHAM,MR HOULTON,WY.LEONGdan C. PICKERING, Atmospheric Impregnation of Porous Siliconat RoomTemperature,J. Appl. Phys. 70(1991)422430.
Ke Daftar Isi
