n-litao3:nb YANG DIBUAT DENGAN METODE CHEMICAL SOLUTION DEPOSITION

Fibusi (JoF) Vol. 2 No. 1, April 2014

KARAKTERISASI SIFAT LISTRIK FOTODIODE p-Si / n-LiTaO3:Nb YANG DIBUAT DENGAN METODE CHEMICAL SOLUTION DEPOSITION A. Muttakim1, A. Suhandi2*, R. A. Hamdani3* 1,2

Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Pendidikan Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Pendidikan Indonesia (UPI) 3

Jurusan Pendidikan Teknik Mesin, Fakultas Pendidikan Teknik dan Kejuruan Universitas Pendidikan Indonesia (UPI)

[email protected], [email protected], [email protected] ABSTRAK Karakterisasi Sifat Listrik Fotodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb yang dibuat dengan Metode Chemical Solution Deposition Telah dibuat prototipe fotodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb dengan variasi pendadah Nb 0 %, 2.5 %, 5 %, dan 7.5 %. Deposisi larutan LiTaO3:Nb di atas p-Si dilakukan dengan metode Chemical Solution Deposition (CSD) atau Sol-Gel menggunakan teknik Spin Coating. Massa molar larutan LiTaO3:Nb adalah 1,00 M. Selanjutnya fotodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb dipanaskan (annealed) pada temperatur konstan sebesar 1000 °C selama delapan jam. Temperatur dinaikkan dari temperatur ruang hingga 1000 °C selama satu jam. Karakteristik I-V pada fotodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb diukur dengan menggunakan alat Keithley I-V meter dalam keadaan tanpa penyinaran dan dengan penyinaran untuk menentukan nilai photocurrent, breakdown voltage, dan shunt resistance. Hasil penelitian menunjukkan fotodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb yang dibuat masih belum bisa memenuhi karakteristik fotodiode yang telah beredar di pasaran. Nilai photocurrent, breakdown voltage, dan shunt resistance untuk fotodiode yang beredar di pasaran memiliki nilai sekitar 100 μA, 50-100 V, dan 10-1000 MΩ, sedangkan dalam penelitian ini nilai optimumnya masing-masing hanya 2.73 μA, 4.95 V, dan 0.23 MΩ. Pada fotodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb, nilai photocurrent cenderung menurun seiring dengan penambahan konsentrasi Nb hingga 5 %, nilai photocurrent meningkat kembali ketika konsentrasi Nb ditambahkan menjadi 7.5 %. Nilai breakdown voltage pada fotodiode meningkat seiring dengan penambahan konsentrasi Nb hingga 5 %, nilai breakdown voltage menurun kembali ketika konsentrasi Nb ditambahkan menjadi 7.5 %. Nilai shunt resistance meningkat seiring dengan bertambahnya konsentrasi Nb hingga konsentrasi 7.5 %. Kata kunci: fotodiode, silikon tipe-p, litium tantalat, niobium, karakteristik I-V.

*

Penulis penanggung jawab

2

A. Muttakim, dkk., -Karakterisasi Sifat Listrik... ABSTRACT Electrical Properties Characterizations of Photodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb Fabricated by Chemical Solution Deposition Method Prototype p-Si / n-LiTaO3:Nb photodiode has been made with 0 %, 2.5 %, 5 %, and 7.5 % Nb doped variations. LiTaO3:Nb solution was deposited on the top of p-Si by Chemical Solution Deposition (CSD) method or Sol-Gel using Spin Coating technique, with 1.00 M LiTaO3:Nb solution. Subsequently, p-Si / n-LiTaO3:Nb photodiode was annealed at constant temperature of 1000 °C for eight hours. The temperature was raised from room temperature to 1000 °C for one hour. I-V characteristic of p-Si / n-LiTaO3:Nb photodiode was measured by using Keithley I-V meter in darken and illuminated condition to determine the value of photocurrent, breakdown voltage, and shunt resistance. The results show that p-Si / n-LiTaO3:Nb photodiode still cannot meet photodiode characteristics that have been commercialized in the market. For photodiode in the market, it has photocurrent, breakdown voltage, and shunts resistance value about 100 μA, 50-100 V, and 10-1000 MΩ respectively, whilst this study only has these value of 2.73 μA, 4.95 V, and 0.23 MΩ respectively. In p-Si / n-LiTaO3:Nb photodiode, photocurrent value decreases along with addition of Nb concentration up to 5 %, photocurrent value increases when the Nb concentration was increased to 7.5 %. Breakdown voltage value increases along with addition of Nb concentration up to 5 %, Breakdown voltage value decreases when the Nb concentration was increased to 7.5 %. Shunt resistance value increases along with addition of Nb concentration up to 7.5 %. Keywords: photodiode, type-p silicon, lithium tantalate, niobium, I-V characteristic.

PENDAHULUAN Fotodiode merupakan sebuah peranti semikonduktor yang memiliki kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang dapat diterima dapat berupa radiasi panas maupun radiasi elektromagnetik pada spektrum ultraviolet, cahaya tampak, dan gelombang infra merah. Fotodiode memiliki kemampuan yang tidak dimiliki oleh peranti deteksi cahaya lain, seperti keluaran arus yang sangat linear terhadap masukkan cahaya, waktu respons yang sangat kecil, ukuran yang kecil, tingkat gangguan rendah, dan stabilitas hasil pengukuran (Betta, 2011). Dengan kemampuan seperti ini fotodiode tidak hanya dapat dimanfaatkan sebagai detektor cahaya pada lampu otomatis, akan tetapi dapat juga dimanfaatkan untuk penggunaan yang kompleks, seperti sistem penyimpanan optik, instrumen pencitraan

medis, spektroskop, fotografi, posisi sensor optik, keselarasan balok, karakterisasi permukaan, pencari gelombang laser, dan komunikasi fiber optik (OSI Optoelectronics, 2007). Fotodiode dibuat dari standar P-N diode yang dimulai pada tahun 1940. Pada era tersebut, ditemukan bahwa fotodiode dapat digunakan untuk banyak aplikasi yang berkaitan dengan foton, seperti: fotodiode, sel surya, dan LED. Teknologi fotodiode disempurnakan pada tahun 1950 dan diode dengan struktur P-I-N telah dibuat. Penyerapan cahaya di daerah deplesi pada diode P-I-N pertama kali dibahas dalam sebuah publikasi ilmiah yang ditulis pada tahun 1959 oleh Gartner (Poole, 2004). Jenis fotodiode yang biasa digunakan adalah fotodiode persambungan P-N karena fotodiode ini memiliki waktu respons yang sangat kecil dengan orde sampai 10-11 detik (Sze & Kwok, 2007).


Selain itu fotodiode ini merupakan jenis yang paling mudah dibuat karena hanya terdiri dari satu sambungan. Silikon telah menjadi bahan yang paling banyak dibuat untuk fotodiode, walau demikian bahan lain juga dapat digunakan, seperti penggunaan germanium pada fotodiode yang pertama kali dipublikasikan oleh Riesz pada tahun 1962 (Poole, 2004). Silikon dapat digunakan pada panjang gelombang 400-1000 nm, gangguan (noise) yang rendah, dan waktu respons yang kecil. Sedangkan germanium bekerja pada panjang gelombang 900-1600 nm, tetapi memiliki tingkat gangguan yang cukup tinggi dan waktu respons yang besar. Bahan lain yang berhasil dioptimalisasi adalah Indium Gallium Arsenide (InGaAs) yang beroperasi pada panjang gelombang 800-1800 nm, tingkat gangguan yang rendah, dan waktu respons yang kecil (Thorlabs, 1999). Bahan lain yang dapat dimanfaatkan sebagai fotodiode adalah litium tantalat (Salam, 2010), bahan ini memiliki band-gap sebesar 4 eV (Viswanathan, 2012), sehingga dapat dimanfaatkan untuk mendeteksi cahaya dengan panjang gelombang sekitar 310 nm (ultraviolet). Selain itu bahan ini juga memiliki rentang transparansi yang tinggi dan sifat optiknya tidak mudah rusak (Almaz Optics, 2011). Litium tantalat (LiTaO3, LT) memiliki sifat feroelektrik pada temperatur ruang (Poghosyan, 2003). Sifat penting dari feroelektrik adalah dapat menghasilkan polarisasi listrik secara spontan (Material Innovation and Growth Team, 2006). Litium tantalat memiliki susunan anion dan kation seperti pada kristal perovskite, di mana polarisasi listrik secara spontan lebih mudah terjadi pada struktur kristal perovskite. Material feroelektrik biasa digunakan sebagai peranti dalam kehidupan sehari-hari seperti pembuatan NVFRAM, DRAM, sensor inframerah dan juga dapat dijadikan peranti sakelar cahaya. Walau demikian, material feroelektrik sering kali

3

gagal dikomersialisasikan sebagai sensor cahaya karena kurangnya penelitian mengenai jenis material ini (Uchino, 2000). Untuk menghasilkan fotodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb yang memiliki sensitivitas tinggi dan waktu respons yang kecil, dapat dilakukan dengan menambahkan dadah niobium. Atom niobium akan mengurangi konsentrasi pembawa muatan positif, yang menyebabkan medan listrik dalam daerah deplesi bertambah (Irzaman, 2010). Diharapkan dengan dilakukan pendadahan pada litium tantalat oleh niobium dapat memberikan sifat listrik yang lebih optimal sebagai peranti fotodiode dilihat dari photocurrent, breakdown voltage, dan shunt resistance. METODE Fotodiode yang dibuat merupakan jenis persambungan P-N, dengan bahan dasar silikon dan litium tantalat. Silikon yang digunakan ini adalah kristal Si (100) tipe-p. Silikon memiliki konstanta kisi yang hampir bersesuaian dengan litium tantalat (Si = 5,430710 Å, LiTaO3 = 5,154 Å), sehingga memenuhi syarat persambungan P-N. Kristal silikon ini dipotong dengan ukuran 0,5 x 0,5 cm. Kemudian kristal silikon dicuci dengan prosedur standar yang telah ditetapkan. Fotodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb dibuat dengan metode Chemical Solution Deposition (CSD). Untuk itu dibuat terlebih dahulu larutan litium tantalat 1,00 M dengan pendadah niobium menggunakan pelarut 2-Methoxyethanol (C3H8O2). Pencampuran bahan dilakukan berdasarkan stoikiometri yang telah dihitung. Tabel 1. Perhitungan massa untuk membuat 1,00 M larutan litium tantalat Litium Tantalum Niobium asetat pentoxide pentoxide (LiO2C2H3) (Ta2O5) (Nb2O5) 0,0 % 2,5 % 0,1650 g 0,5524 g 0,0147 g 5,0 % 0,0295 g

4

7,5 %

A. Muttakim, dkk., -Karakterisasi Sifat Listrik...

0,0442 g

Proses deposisi menggunakan alat Spin Coater. Piringan Spin Coater diberi double-tip di tengahnya, kemudian kristal silikon ditempelkan di atasnya. Perlakuan ini diberikan agar kristal silikon tidak terlepas saat piringan berputar. Larutan LiTaO3:Nb diteteskan menggunakan pipet sebanyak 1-2 tetes. Kemudian diputar dengan kecepatan konstan sekitar 3000 rpm selama 30 detik. Proses penetesan dilakukan sebanyak tiga kali dengan jeda 60 detik. Proses pemanasan (annealing) dilakukan untuk mengurangi terjadinya dislokasi pada bahan. Proses ini dilakukan pada temperatur konstan 1000 °C selama delapan jam dengan kenaikan temperatur dari temperatur ruang mencapai 1000 °C selama satu jam. Sampel didinginkan secara alami hingga mendekati temperatur ruang. Pembuatan kontak yang meliputi proses penganyaman menggunakan aluminum foil. Bahan kontak yang dipilih adalah perak, karena memiliki konduktivitas yang baik, sehingga diharapkan memperkecil series resistance pada fotodiode. Kemudian dilakukan pemasangan kawat tembaga pada kontak dengan menggunakan pasta perak, agar proses karakterisasi dapat dilakukan dengan mudah. Karakterisasi kurva I-V ini dilakukan dengan menggunakan alat Keithley I-V meter. Data diolah dengan menggunakan software Microsoft Excel. Sampel diberikan tegangan masukkan antara -10 volt sampai 10 volt. Karakterisasi I-V dilakukan pada dua kondisi yaitu kondisi tanpa penyinaran dan dengan penyinaran cahaya polychromatic berdaya 100 watt untuk semua kombinasi pendadah. Photocurrent merupakan besar arus yang dihasilkan saat fotodiode disinari cahaya, arus ini merupakan hasil electronhole generation. Data ini didapatkan ketika

tegangan pada fotodiode sama dengan nol pada grafik I-V, atau dapat juga disebut short-circuit current (Honsberg & Bowden, 2013). Breakdown voltage merupakan tegangan sebelum proses avalanche terjadi, dan merupakan batas aman tegangan balik tertinggi yang dapat diberikan pada fotodiode. Untuk peranti yang cukup kecil breakdown voltage terjadi pada saat arus gelap mencapai 10 μA (OSI Optoelectronics, 2007). Sementara shunt resistance menunjukkan seberapa tahan fotodiode terhadap cacat internal yang menyebabkan aliran arus listrik yang tidak diinginkan. Nilai ini didapatkan dengan melihat kemiringan kurva di dekat titik pusat (0,0) (Thompson & Larason, 2001). HASIL DAN PEMBAHASAN Berikut adalah data dari EDX (Energy-Dispersive X-ray spectroscopy) dari fotodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb.

Gambar 1. Hasil EDX untuk Nb 2,5 %

Gambar 2. Hasil EDX untuk Nb 5 %


Gambar 3. Hasil EDX untuk Nb 7,5 % Dari hasil EDX, atom litium (Li) tidak terdeteksi, dikarenakan massa dan ukuran atomnya kecil. Terlihat konsentrasi pendadah Nb memiliki nilai yang cukup mendekati dengan target konsentrasi pendadah yang diinginkan, walau terdapat sedikit perbedaan dikarenakan penguapan larutan saat proses pembuatan. Adapun data hasil dari morfologi SEM (Scanning Electron Microscope) adalah sebagai berikut,

Gambar 4. Morfologi SEM untuk pendadah Nb 7,5 %


5


Gambar 7. Morfologi SEM untuk pendadah Nb 7,5 % Dari keempat morfologi yang digambarkan oleh SEM, dapat dihitung ukuran rata-rata butir dengan menarik garis horizontal pada bidang gambar. Panjang garis horizontal (dalam satuan nanometer, yang dihitung berdasarkan skala) dibagi oleh banyaknya butir yang melintasi garis tersebut. Hasilnya adalah diameter rata-rata dari LiTaO3:Nb dengan konsentrasi Nb 0 %, 2.5 %, 5 %, dan 7.5 % berturut-turut adalah 589.95 nm, 587.70 nm, 570.29 nm, dan 568.18 nm. Morfologi ini dapat mempengaruhi nilai shunt resistance. Karakteristik I-V dilakukan dengan menggunakan alat Keithley I-V meter, tegangan yang diberikan pada semua sampel adalah -10 volt sampai 10 volt, namun pada pengolahan grafik diperbesar sedemikian rupa agar terlihat perbedaan arus yang dihasilkan pada kondisi tanpa penyinaran dan dengan penyinaran. Berikut hasil plot grafik karakterisasi I-V dengan fitting,

6

A. Muttakim, dkk., -Karakterisasi Sifat Listrik... LiTaO 3 + Nb 7,5 %

LiTaO 3 + Nb 0 %

0.125

Arus (mA)

0.080

Arus (mA)

0.150

0.060

0.100

0.040 0.075

0.020 0.050

Tegangan (V) -4

0.025

Tegangan (V) -2

-1

-0.5

0.000 -2

-1

0

1

2

3

4

5

6

-0.020

0.000

-1.5

-3

0

0.5

1

1.5

2

-0.040

-0.025

-0.050

-0.060

Tanpa Penyinaran

Dengan Penyinaran

Tanpa Penyinaran

Dengan Penyinaran

Gambar 8. Grafik I-V untuk konsentrasi pendadah Nb 5 %

Gambar 11. Grafik I-V untuk konsentrasi pendadah Nb 7,5 %

LiTaO 3 + Nb 2,5 %

Dari hasil karakterisasi I-V terlihat terbentuk persambungan P-N dari kristal silikon tipe-p dengan litium tantalat yang merupakan tipe-n. Hal ini ditunjukkan oleh grafik hubungan arus terhadap tegangan dengan lengkung kurva diode. Pada diode yang dioperasikan dengan panjar maju, lapisan deplesi yang berada di persambungan P-N akan mengecil akibat dari pengaruh beda potensial eksternal yang diberikan, sehingga potensial penghalang akan turun seiring dengan besarnya beda potensial eksternal yang diberikan. Turunnya potensial penghalang ini menyebabkan terjadinya arus difusi pembawa muatan. Arus yang terbentuk akan naik secara eksponensial terhadap kenaikan linear beda potensial eksternal yang diberikan. Dari grafik karakterisasi I-V juga didapatkan data mengenai karakteristik fotodiode yang terbentuk, yaitu: photocurrent, breakdown voltage, dan shunt resistance.

Arus (mA)

0.030

0.025

0.020

0.015

0.010

0.005

Tegangan (V) -1

-0.8

0.000 -0.6

-0.4

-0.2

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

-0.005

-0.010 Tanpa Penyinaran

Dengan Penyinaran

Gambar 9. Grafik I-V untuk konsentrasi pendadah Nb 5 % LiTaO3 + Nb 5 % Arus (mA)

0.030

0.025

0.020

0.015

0.010

0.005

Tegangan (V) -5

-4

0.000 -3

-2

-1

0

1

2

3

4

5

-0.005

-0.010

-0.015 Tanpa Penyinaran

Dengan Penyinaran

Gambar 10. Grafik I-V untuk konsentrasi pendadah Nb 5 %

Tabel 2. Karakteristik fotodiode untuk berbagai tingkat pendadah Photo- Breakdown Shunt current Voltage Resistance (μA) (V) (MΩ) 0% 2.7330 0.7089 0.0223 2,5 % 1.6985 1.7192 0.1394 5% 1.3930 4.9547 0.2116 7,5 % 1.5742 0.9179 0.2339


Dari data yang didapatkan, fotodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb yang telah dibuat masih belum bisa memenuhi karakteristik fotodiode yang telah beredar di pasaran yang memiliki nilai photocurrent sekitar 100 μA, breakdown voltage berkisar antara 50-100 V, dan shunt resistance berkisar antara 10-1000 MΩ. Dari Tabel 2, dapat kita buat plot grafik agar lebih terlihat hubungan photocurrent, breakdown voltage, dan shunt resistance dengan persentase jumlah pendadah yang diberikan.

7

meningkat. Namun, pada kenyataannya terjadi penurunan sensitivitas seiring bertambahnya konsentrasi pendadah (2,5 % dan 5,0 %). Ini dapat disebabkan karena terjadinya penurunan koefisien absorpsi pada bahan seiring dengan peningkatan konsentrasi pendadah niobium (Setiawan, 2008), sehingga arus yang dihasilkan berkurang. Sebenarnya hal ini dapat dicegah dengan menggunakan lapisan anti refleksi (anti-reflection coating), yang dapat meningkatkan efisiensi kuantum sampai 30% (UDT Sensors, 2002). Breakdown Voltage

Photocurrent

6

Breakdown Voltage (V)

3

Photocurrent (μA)

2.5 2 1.5 1 0.5

5 4 3 2 1 0 0%

0 0%

2,5 %

5%

7,5 %

Konsentrasi Niobium

Gambar 12. Kecenderungan photocurrent pada fotodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb Terlihat terjadi kecenderungan penurunan photocurrent seiring dengan bertambahnya pendadah niobium hingga konsentrasi pendadah niobium 5 %, nilai photocurrent meningkat kembali ketika konsentrasi pendadah Nb ditingkatkan menjadi 7,5 %. Penambahan niobium pada litium tantalat dapat menyebabkan medan listrik dalam daerah deplesi bertambah (Irzaman, 2010). Bertambahnya medan listrik dalam lapisan deplesi akan mempengaruhi sensitivitas dan waktu respons pada fotodiode. Hal ini dikarenakan bertambahnya lebar (width) lapisan deplesi menyebabkan meningkatnya electron-hole generation pada lapisan deplesi, sehingga arus listrik yang dihasilkan oleh fotodiode akan

2,5 %

5%

7,5 %

Konsentrasi Niobium

Gambar 13. Kecenderungan breakdown voltage pada fotodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb Terjadi kecenderungan nilai breakdown voltage yang meningkat seiring dengan bertambahnya dadah niobium hingga konsentrasi pendadah niobium 5 %, nilai breakdown voltage menurun kembali ketika konsentrasi pendadah Nb ditingkatkan menjadi 7,5 %. Dalam pembuatan fotodiode, peranti yang diinginkan adalah yang memiliki breakdown voltage yang besar. Salah satu cara untuk meningkatkan breakdown voltage adalah dengan memperlebar lapisan deplesi (Lei, Xingning, & Xingbi, 2003). Pendadah niobium pada litium tantalat akan mengurangi konsentrasi pembawa muatan positif (Irzaman, 2010), sehingga muatan positif yang berdifusi dan berekombinasi akan lebih banyak. Hal ini menyebabkan bertambah lebarnya lapisan deplesi pada fotodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb.

8


Saat fotodiode diberikan tegangan mundur, lebar lapisan deplesi akan bertambah, sehingga kapasitansinya akan berkurang. Berkurangnya kapasitansi tersebut akan memperkecil konstanta waktu RC. Sedangkan waktu difusi akan berkurang dikarenakan berkurangnya panjang daerah difusi. Namun, waktu yang diperlukan untuk pengumpulan muatan di daerah deplesi akan bertambah. Sehingga dalam penggunaan fotodiode, dapat dicari nilai tegangan mundur optimal yang dibutuhkan untuk memperkecil waktu respons (Sze & Kwok, 2007). Fotodiode yang memiliki nilai breakdown voltage besar, tentu akan mendapatkan keuntungan tersendiri. Shunt Resistance

Shunt Resistance (MΩ)

0.25 0.2 0.15 0.1

adalah nilai N.E.P. (Noise Equivalent Power) yang lebih rendah (Sze & Kwok, 2007). KESIMPULAN Penelitian ini menunjukkan bahwa fotodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb yang telah dibuat masih belum bisa memenuhi karakteristik fotodiode yang telah beredar di pasaran. Adapun nilai photocurrent pada fotodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb cenderung menurun seiring dengan penambahan konsentrasi pendadah Nb hingga 5 %, nilai photocurrent meningkat kembali ketika konsentrasi pendadah Nb ditingkatkan menjadi 7,5 %. Nilai breakdown voltage pada fotodiode cenderung meningkat seiring dengan penambahan konsentrasi pendadah Nb hingga 5 %, nilai breakdown voltage menurun kembali ketika konsentrasi pendadah Nb ditingkatkan menjadi 7,5 %. Nilai shunt resistance meningkat seiring dengan bertambahnya konsentrasi Nb hingga konsentrasi 7,5 %. DAFTAR PUSTAKA

0.05 0 0%

2,5 %

5%

7,5 %

Konsentrasi Niobium

Gambar 14. Kecenderungan shunt resistance pada fotodiode p-Si / nLiTaO3:Nb Nilai shunt resistance cenderung meningkat seiring dengan bertambahnya konsentrasi Nb hingga 7,5 %. Nilai shunt resistance sangat dipengaruhi oleh cacat produksi pada bahan dan sedikit pengaruh dari desain peranti (Mbodji, et al., 2012). Nilai ini dihasilkan dari rekombinasi muatan pada daerah batas atom donor atau akseptor melalui butir (Chauhan, Singh, Anand, & Kumar, 2011). Terlihat dari Tabel 4.1, batas butir semakin banyak dikarenakan diameter butir semakin kecil. Dengan bertambahnya nilai shunt resistance, gangguan (noise) pada fotodiode dapat dikurangi. Dampaknya

Almaz Optics. (2011). Lithium Tantalate. (Almaz Optics, Inc.) Retrieved September 20, 2013, from Almaz Optics: http://www.almazoptics.com/LiTaO 3.html Betta, G.-F. D. (2011). Advances in Photodiodes. Rijeka, Croatia: InTech. Chauhan, R. N., Singh, C., Anand, R. S., & Kumar, J. (2011, Desember 21). Effect of Sheet Resistance and Morphology of ITO Thin Films on Polymer Solar Cell Characteristics. (B. Sopori, Ed.) International Journal of Photoenergy, 2012, 1-6. doi:10.1155/2012/879261 Honsberg, C., & Bowden, S. (2013, March 28). Short-Circuit Current. (PV Education) Retrieved November 27, 2013, from PV Education: http://pveducation.org/pvcdrom/sol


ar-cell-operation/short-circuitcurrent Irzaman. (2010). Uji Konduktivitas Listrik dan Dielektrik Film Tipis Lithium Tantalate ( LiTaO3) yang Didadah Niobium Pentaoksida (Nb2O5) Menggunakan Metode Chemical Solution Deposition. Prosiding Seminar Nasional Fisika 2010, 175183. Lei, H., Xingning, Y., & Xingbi, C. (2003, January 1). Increasing Breakdown Voltage of LDMOST Using Buried Layer. Journal of Electronics, XX(1), 29-32. doi:10.1007/s11767003-0083-x Material Innovation and Growth Team. (2006). Functional Material. United Kingdom: Material UK. Mbodji, S., Ly, I., Diallo, H., Dione, M., Diasse, O., & Sissoko, G. (2012, January 1). Modeling Study of N+/P Solar Cell Resistances from Single I-V Characteristic Curve Considering the Junction Recombination Velocity (Sf). Research Journal of Applied Sciences, Engineering and Technology, IV(1), 1-7. Retrieved November 22, 2013 OSI Optoelectronics. (2007, August 17). Photodiode Characteristics and Applications. Retrieved October 10, 2013, from OSI Optoelectronics: http://www.osioptoelectronics.com/ application-notes/AN-PhotodiodeParameters-Characteristics.pdf Poghosyan, A. R. (2003, September). Optical Control of Domain Structures in Lithium Tantalate Crystals. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, V(3), 735 - 740. Poole, I. (2004). Photodiode Technology. Retrieved December 5, 2013, from Radio-Electronics: http://www.radioelectronics.com/info/data/semicond/ photo_diode/photo_diode.php

9

Salam, R. (2010). Karakterisasi Sifat Listrik LiTaO3 yang Ditumbuhkan dengan Metode Sol-Gel Spin Coating dalam Aplikasinya sebagai Fotodioda. Fisika. Bandung: Universitas Pendidikan Indonesia. Setiawan, A. (2008). Uji Sifat Listrik dan Optik Ba0.25Sr0.75TiO3 yang Didadah Niobium (BSNT) Ditumbuhkan di Atas Substrat Silikon Tipe-P dan Gelas Korning dengan Penerapannya sebagai Fotodiode. Fisika. Bogor: Institut Pertanian Bogor. Sze, S., & Kwok, K. (2007). Physics of Semiconductor Devices (3rd ed.). New Jersey: Wiley Interscience. Thompson, P. R., & Larason, T. C. (2001, January). Method of Measuring Shunt Resistance in Photodiodes. Measurement Science Conference. Retrieved November 27, 2013, from http://paulrthompson.com/files/mea suring_shunt_resistance_in_photodi odes.pdf Thorlabs. (1999). Tutorials. Retrieved October 14, 2013, from Thorlabs: http://www.thorlabs.com/tutorials.c fm?tabID=31760 Uchino, K. (2000). General View of Ferroelectrics. New York, United States of America: Marcel Dekker, Inc. UDT Sensors. (2002). Silicon Photodiodes Physics and Technology. Hawthorne, California, United States of America. Retrieved from http://measure.feld.cvut.cz/system/f iles/files/cs/vyuka/predmety/A3M3 8VBM/app_notes_02_Silicon_Phot odiode_%20Physics_and_Technology.pdf Viswanathan, B. (2012, November 28). Band Edge Data of Oxide and Sulphide Semiconductors. Retrieved September 21, 2013, from Catalysis Database:

10


http://catalysis.eprints.iitm.ac.in/22 05/1/band_edge_data.pdf

n-litao3:nb YANG DIBUAT DENGAN METODE CHEMICAL SOLUTION DEPOSITION

Recommend Documents