A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R1 z obrázku. U1=15 V, U2=8 V, U3=10 V, R2=200Ω a R3=1kΩ.
Body: (max. 4)
2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U1=10 V, R1=1 kΩ, R2=2,2 kΩ.
Body: (max. 4)
3. Z V-A charakteristiky na obrázku určete číselné hodnoty parametrů lineárního náhradního obvodu diody při proudu IA = 2 mA. Nakreslete náhradní lineární obvod diody.
Body: (max. 4)
4. Stanovte hodnotu diferenciálního odporu diody zapojené v obvodu na obrázku. U1 = 2 V, R1 = 1 kΩ.
Body: (max. 5) 5. Z grafu předchozí úlohy určete úbytky napětí a proudy diody D1 a rezistoru R1. UD1=
UR1=
ID1=
IR1= Body: (max. 4)
6. Napište typické hodnoty úbytků napětí v propustném směru následujících diod: a) usměrňovací Si dioda s přechodem kov - polovodič: b) usměrňovací Si dioda s přechodem PN: Body: (max. 4) 7. Napište typické hodnoty úbytků napětí v propustném směru následujících diod: a) LED červená:
c) usměrňovací Si dioda s přechodem kov - polovodič:
b) Si Zenerova dioda
d) usměrňovací Si dioda s přechodem PN: Body: (max. 4)
8. Úbytek napětí v propustném směru u Si diody s PN přechodem (například KY708) při 200C a proudu IA=5mA je UAK=0,65V. Vypočtěte hodnotu napětí UAK pro teplotu PN přechodu 1000C.
Body: (max. 5)
9. Definujte graficky dobu závěrného zotavení trr usměrňovací diody.
Body: (max. 2)
10. Vyložte co to je varikap, v jakých aplikacích a při jaké polarizaci se obvykle užívá?.
Body: (max. 3) 11. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R z obrázku. U1 = 15 V, U2 = 10 V a IZD = 10mA. Určete jeho ztrátový výkon.
Body: (max. 4) 12. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R z obrázku. U1=15 V, U2=10 V, RZ=1 kΩ a IZD=10mA. Určete jeho ztrátový výkon.
Body: (max. 5)
13. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte obvod na obrázku a nakreslete jej, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U1=15 V, R1=470 Ω, RZ=2,2 kΩ.
Body: (max. 5)
14. Nakreslete zapojení jednopulzního usměrňovače s filtrem a vypočtěte hodnotu kapacity filtračního kapacitoru pro zvlnění výstupního napětí 10% při zátěži RZ=220 Ω a a kmitočtu napájecího napětí f = 50 Hz.
Body: (max. 5)
15. Nakreslete zapojení dvojpulzního usměrňovače s filtrem a vypočtěte hodnotu kapacity filtračního kapacitoru pro zvlnění výstupního napětí 10% při zátěži RZ=220 Ω a a kmitočtu napájecího napětí f = 50 Hz.
Body: (max. 5) 16. Nakreslete příklad zapojení můstkového usměrňovače s filtrem a vypočtěte hodnotu kapacity filtračního kapacitoru pro zvlnění výstupního napětí 10% při zátěži RZ = 100 Ω a kmitočtu napájecího napětí f = 50 Hz.
Body: (max. 5)
17. Nakreslete náhradní lineární obvod typu he bipolárního tranzistoru pro změny elektrických veličin. Napište definiční vztahy jeho parametrů, vyložte jejich obvodový význam, rozměry a okrajové podmínky platnosti.
Body: (max. 10)
18. Nakreslete alespoň dvě zapojení nastavení stejnosměrného pracovního bodu zesilovače SE s tranzistorem NPN.
Body: (max. 5)
19. Nakreslete alespoň dvě zapojení nastavení stejnosměrného pracovního bodu zesilovače SE s tranzistorem PNP.
Body: (max. 5)
20. Nakreslete zapojení nastavení stejnosměrného pracovního bodu zesilovače SC s tranzistorem NPN a PNP.
Body: (max. 5)
21. Nakreslete alespoň dvě zapojení zesilovače SE s tranzistorem NPN.
Body: (max. 5)
22. Nakreslete alespoň dvě zapojení zesilovače SE s tranzistorem PNP.
Body: (max. 5)
23. Nakreslete zapojení zesilovače SC s tranzistorem NPN a PNP.
Body: (max. 5)
24. Nakreslete zapojení spínače s tranzistorem NPN a PNP. Naznačte postup pro výpočet Rb.
Body: (max. 5)
25. Nakreslete zapojení spínače s tranzistorem NPN a PNP s antisaturační diodou.
Body: (max. 5)
26. Pro výše uvedenou otázku nakreslete pod sebe průběhy všech napětí a proudů v závislosti na čase.
Body: (max. 5)
27. Nakreslete výstupní VA charakteristiky bipolárního NPN tranzistoru a vyznačte v nich saturační a lineární oblasti.
Body: (max. 5)
28. Nakreslete výstupní VA charakteristiky bipolárního PNP tranzistoru a vyznačte v nich saturační a lineární oblasti.
Body: (max. 5) 29. Ve výstupních charakteristikách zakreslete zatěžovací přímku a stanovte pracovní bod tranzistoru, zapojeného jako zesilovač ve třídě A. UCC = 10 V, RC = 720 Ω, RE = 100 Ω.
Body: (max. 5) 30. Vypočtěte potřebnou velikost hodnoty odporu rezistoru RB v obvodu předchozí úlohy.
31. Z charakteristik určete hodnotu parametru h21e zesilovače z úlohy 7.
Body: (max. 5) v pracovním bodě tranzistoru v zapojení
Body: (max. 6)
32. Vypočtěte velikost hodnoty odporu RB zesilovače ve třídě A z obrázku. UCC = 15V, RC = 2,2 kΩ, β=IC/IB=200.
Body: (max. 5) 33. Vypočtěte velikost vstupního odporu zesilovače z obrázku předchozí otázky, je-li h11e=1000Ω.
Body: (max. 5) 34. Vypočtěte velikost výstupního napětí Δuvýst z obrázku otázky 32 při Δuvst = 5mV. Impedanci kapacitorů CV1 a CV2 uvažujte zanedbatelně malou, h11e = 1000 Ω, h21e = 200.
Body: (max. 5)
35. Nakreslete náhradní lineární obvod pro změny střídavého signálu zesilovače z úlohy 32.
Body: (max. 4)
36. Nakreslete v měřítku průběhy výstupních V-A charakteristik tranzistoru JFET s kanálem N v zapojení se společným source. Součástí úlohy je i schematická značka s orientacemi napětí a proudů.
Body: (max. 4)
37. Nakreslete v měřítku průběhy výstupních V-A charakteristik tranzistoru JFET s kanálem P v zapojení se společným source. Součástí úlohy je i schematická značka s orientacemi napětí a proudů.
Body: (max. 4)
38. Nakreslete zjednodušenou strukturu tranzistoru JFET s kanálem N .
Body: (max. 4)
39. Nakreslete náhradní lineární obvod typu ys unipolárního tranzistoru pro změny elektrických veličin. Napište definiční vztahy jeho parametrů, vyložte jejich obvodový význam, rozměry a okrajové podmínky platnosti.
Body: (max. 10)
40. Určete velikosti hodnot odporů rezistorů RD a RS z obrázku tak, aby došlo k nastavení pracovního bodu s UDS=7,5V a ID=7,5mA.
Body: (max. 8)
41. Vypočtěte napěťové zesílení zesilovače malého signálu s tranzistorem na obrázku. Uvažujte y21=4,5 mS, y22=0,04 mS, RD=1 kΩ, RS=100 Ω, RG=1 MΩ. Impedanci kapacitorů CV1, CV2 a Cb uvažujte nulovou.
Body: (max. 5)
42. Nakreslete v měřítku průběhy výstupních V-A charakteristik tranzistorů MOSFET (součástí úlohy jsou i schematické značky s orientacemi napětí a proudů): a) S indukovaným kanálem N. b) S indukovaným kanálem P.
Body: (max. 4)
43 Nakreslete zapojení pro nastavení pracovního bodu zesilovače se společným source s tranzistorem MOSFET: a) S indukovaným kanálem N. b) S indukovaným kanálem P.
Body: (max. 6)
44 Nakreslete zapojení pro nastavení pracovního bodu zesilovače se společným source s tranzistorem MOSFET: a) Se zabudovaným kanálem N. b) Se zabudovaným kanálem P.
Body: (max. 6)
45. Vypočtěte hodnotu odporu R1 tak, aby obvod pracoval jako zesilovač ve třídě A. R2=100kΩ, RD=750 Ω, UDD=15V.
Body: (max. 6) 46. Vypočtěte hodnotu odporu R1 tak, aby obvod pracoval jako zesilovač ve třídě A. R2=100kΩ, RD=750 Ω, RS=220 Ω, UDD=15V.
Body: (max. 6) 47. Pro zesilovač na obrázku nakreslete náhradní lineární obvod pro změny signálu. Hodnoty kapacit všech kondenzátorů považujte jako nekonečné.
Body: (max. 6)
48. Pro zesilovač z předchozí úlohy odvoďte vztahy pro vstupní odpor a napěťové zesílení.
Body: (max. 6) 49. Vypočtěte velikost překmitu napětí UDS při vypínání induktivní zátěže, tvořené vinutím s R =10 Ω, L = 0,1mH, je-li vypínací doba tranzistoru 1.10-6 s a UDD = 15V. Odpor v sepnutém stavu tranzistoru zanedbejte.
Body: (max. 5)
50. Nakreslete v měřítku průběhy výstupních V-A charakteristik tyristoru, triaku a diaku. Součástí úlohy jsou i schematické značky s orientacemi napětí a proudů.
Body: (max. 6)
51. Vypočtěte hodnoty odporů rezistorů R1 a Rg v zapojení na obrázku, je-li Ua=230V/50Hz, maximální proud hradla tyristoru IGFM=200mA a minimální spínací proud hradla IGT=0,5mA, spínací napětí UGT=1,2V. Úhel otevření uvažujte 200 až 1600. Impedanci zátěže Rz zanedbejte.
Body: (max. 6)
52. Uveďte nejdůležitější vlastnosti ideálního a reálného operačního zesilovače včetně jejich orientačních hodnot.
Body: (max. 6)
53. Nakreslete zapojení neinvertujícího zesilovače s operačním zesilovačem. Hodnoty napětí napájení zvolte tak aby zesilovač mohl mít na výstupu napětí +/–10V. Hodnoty odporů rezistorů vypočtěte tak aby platilo │Au│=100. Přihlédněte ke vstupním klidovým proudům IIB=0,5μA a výstupnímu odporu zesilovače 100 Ω.
Body: (max. 6)
54. Nakreslete zapojení invertujícího zesilovače s operačním zesilovačem. Hodnoty napětí napájení zvolte tak aby zesilovač mohl mít na výstupu napětí +/–10V. Hodnoty odporů rezistorů vypočtěte tak aby platilo │Au│=100. Přihlédněte ke vstupním klidovým proudům IIB=0,5μA a výstupnímu odporu zesilovače 100 Ω.
Body: (max. 6)
55. Vypočtěte vstupní odpor Vámi navrženého zapojení předchozí úlohy.
Body: (max. 3)
56. Nakreslete zapojení operačního zesilovače jako komparátoru bez hystereze.
Body: (max. 5)
57. Nakreslete zapojení operačního zesilovače jako komparátoru s hysterezí.
Body: (max. 5)
58. Napište pravdivostní tabulku dvouvstupého hradla NAND, NOR a XOR
Body: (max. 5)
59. Nakreslete vnitřní obvodové zapojení invertoru CMOS.
Body: (max. 5)
60. Navrhněte velikost odporu rezistoru R1 v zapojení na obrázku. Svítivá dioda D1 je červená. Hradlo je typu HCMOS, uvažujte výstupní odpor 100 Ω. Proud svítivkou má být 5mA.
Body: (max. 6)
