Moderní hardware Konstrukce a technologie elektrických obvodů pouzdření a propojování (1) Substráty, čipy, moderní pouzdra, funkční bloky, integrované systémy …
Obsah 1. 2. 3. 4. 5.
Úvod - opakování Substráty a čipy Pouzdření a propojování Parametry pouzdření Moderní typy pouzder (CSP, MCM SiP , SOC … 3D … WLP atd.) 6. Přístup k pouzdření 7. Pouzdření a legislativa 8. Závěr 2
1 Úvod - hardware •
HARDWARE - (z anglického významu „železářské zboží“ nebo také „nářadí“, počítačový hardware je pak „computer hardware“) označuje veškeré fyzicky existující technické vybavení počítače na rozdíl od dat a programů (označovaných jako software).
•
vše co je uvnitř elektronického systému (PC) -
součástky (čipy) chladiče konektory, porty …
3
1 Úvod - PC hardware Hardware PC: 1. Monitor 2. Motherboard 3. CPU 4. RAM Memory 5. Další karty (grafika …) 6. Napájecí zdroj 7. Optická disková jednotka 8. Hard disk 9. Klávesnice 10. Myš Hardware is the computer peripherals and equipments. It is the devices that makes the computer systems works. The examples of hardware are mouse, monitor and CPU. 4
1 Úvod - úrovně pouzdření 1. úroveň - Propojení kontaktních plošek čipu k vývodům pouzdra 1,5. úroveň - Připojení čipu na hybridní integrovaný obvod, multičipový modul, připojení DCA,COB,WLP… 2. úroveň - Propojení pouzdra na nosný substrát (základní deska, rozšiřující karta) 3. úroveň - Propojení jednotlivých desek a rozšiřujících karet na systémovou desku 4. úroveň - Propojení mezi deskami ve skříňce zařízení (konektory např. BNC …) 5. úroveň - Propojení mezi jednotlivými systémovými skříňkami (systémové konektory např. Canon …)
Tři kroky v pouzdření:
1 - čip (funkční blok) po zapouzdření tvoří součástku (the device is packaged into a component), 2 - součástka je osazována (montována) na substráty (the component is mounted on the board), 3 - substráty jsou montovány do šasi (the board is installed into the subsystem chassis) MCM=Multi Chip Module, CSP=Chip Scale Package, SoP=System on Package,COB=Chip On Board,FCH=FlipChip.
Subsystem chasis
Singlechip COB package
Die
MCM, CSP, SOP
COB
6
Vývoj v mikroelektronických technologiích Mikroelektronické technologie řeší základní konstrukční část (hardware) elektronických systémů. Z hlediska výroby můžeme rozlišit tři následující oblasti: • polovodičové čipy (semiconductor chips), • pasivní součástky a konstrukční prvky (passive components), • montáž, pouzdření a propojování. (assembly, packaging and interconnection) BMTS, 2011-12
7
1 Úvod – rekapitulace hardware • Hardware: (co ho tvoří?) – nosné substráty (organické, anorganické) – aktivní součástky (polovodičové čipy) – pouzdra a spoje – pasivní součástky – konstrukční prvky (chladiče, konektory …)
Technologická integrace Návrh + konstrukce
(jak se tvoří?) - polovodičové technologie - vrstvové technologie + LTCC - technologie povrchové montáže - …..
Elektronický systém Materiály +
+
součástky
Websterův slovník – technologie je odvětví techniky, které se zabývá tvorbou, zaváděním a zdokonalování výrobních postupů – aplikovaná věda přeměny materiálů….
Procesy
Normy – jakost a životní prostředí
technologie
8
1 Úvod – vývoj pouzdření • -
Původní pohled na pouzdření rozlišoval následující typy: Plastová pouzdra termosetová, Keramická pouzdra z vysokoteplotních materiálů, Kovová pouzdra se skleněnými zátavami.
•
V současné době převládají pouzdra která umožňují kompaktní, miniaturní provedení. To umožňují nové materiály - laminovaná keramika, plasty a také anorganické materiály. Ty tvoří nosný substrát obvodu nebo elektronického systému, do něhož je integrována propojovací síť a vývody, případně další pasivní prvky.
•
Mnohem důležitější je komplexní pohled na provedení pouzdra (mikro)systému, které obsahuje tři základní technologické oblasti: -
•
Mikroelektronika a mikroelektromechanické systémy včetně opto a vf, (Microelectronics, Photonics, MEMS and RF devices), Systémové inženýrství (System Engineering), Systémové pouzdření (System Packaging).
Příkladem je mikroprocesor v PC, který je dnes vlastně sub-produktem protože zajišťuje částečnou funkci systému, limitovanou stupněm integrace na úrovni IO a 9 přitom neřeší konečné provedení včetně pouzdření.
1 Úvod – typy pouzder Původní pohled na pouzdření rozlišoval následující typy: Plastová pouzdra termosetová, SIP
DIL, DIP
-
Keramická pouzdra z vysokoteplotních materiálů,
PGA
-
C-DIP
Kovová pouzdra se skleněnými zátavami.
TO-x
10
SIP DIP (DIL)
SO-J
QFP
SO-I
SO-G
PLCC, LCCC BGA
PGA
Dual-Cavity PGA (MCM) 11
1 Úvod – vývoj pouzdření •
Dnes začínají převládat pouzdra která umožňují kompaktní, miniaturní provedení. To umožňuje laminovaná keramika, plastové materiály a také anorganické materiály. Tyto tvoří vlastní nosný substrát obvodu nebo elektronického systému, do něhož je integrována také propojovací síť a vývodový systém, případně další pasivní prvky. Vývody mohou být ve tvaru pinů, kontaktních plošek nebo bradavkových (kuličkových) vývodů.
QFP ~ BGA QFP vs. CSP
12
Úvod – vývoj v pouzdření MCM
Obsah 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8.
Úvod Substráty a čipy Pouzdření a propojování Parametry pouzdření Moderní typy pouzder (CSP, MCM SiP , SOC … 3D … WLP atd.) Přístup k pouzdření Pouzdření a legislativa Závěr
14
2 Substrát – základ pro pouzdření Základní částí integrovaných obvodů a systémů jsou nosné podložky (substráty), které musí splnit následující požadavky: • • • • • • • •
vytvořit nosič pasivních, aktivních a konstrukčních prvků vytvořit propojení čipu do systému zajistit izolaci mezi jednotlivými prvky odvádět teplo z obvodu mechanicky chránit celý systém splňovat elektrické požadavky (stínění, stabilita atd.) být chemicky odolný vzhledem k prostředí případně tvořit aktivní část obvodu či systému 15
2 Substrát – základ pro pouzdření Materiály pro substráty rozdělujeme do tří základních skupin, kterými jsou: • polovodičové materiály (Si, GaAs….) • organické materiály (epoxydové, fenolycké, polyimidové…. polymery) • anorganické ( keramika Al2O3, AlN, skla….) 16
Si
•
Výskyt Je druhým nejrozšířenějším prvkem zemské kůry, vyskytuje se pouze ve sloučeninách s oxidačním číslem IV. Jako oxid křemičitý je součástí křemene (písek břehů řek a pouští).
•
Vlastnosti Elementární křemík je podle podmínek přípravy hnědý prášek nebo temně šedá krystalická látka. Má diamantovou strukturu. Je velmi málo reaktivní, s ostatními prvky se slučuje jen za vysokých teplot. Křemík je polovodič.
Je rozpustný v horkých roztocích alkalických hydroxidů:
Si + 2 NaOH + H2O Na2SiO3+ 2 H2
Vlastnosti:
εr=16.0
μelek=3790cm2/V.s
μděr=1780cm2/V.s 17
GaAs- galiumarzenid • •
• • • •
Asi 6x větší pohyblivost elektronů než Si a téměř 2x vyšší maximální driftová rychlost. Kratší průletová doba polovodičem - možnost pracovat na vyšších kmitočtech (na stejném kmitočtu může mít prvek GaAs větší rozměry, tj. může zpracovávat větší výkony), geometricky stejné prvky z GaAs a Si mají poměr mezních kmitočtů 4:1 - nižší hodnota sériového odporu, lepší šumové vlastnosti aktivních prvků GaAs Větší šířka zakázaného pásma GaAs (1.43eV) než Si (1.12eV): Možnost práce při vyšších teplotách, vyšší zpracovávané výkony Možnost společné integrace s optoelektrickými prvky (polovodičové lasery, LED), nové optoelektronické integrované obvody(OEIO) Možnost vytváření velmi tenkých heterostruktur (AlGaAs, GaInAs, GaInPAs, apod.)tloušťka několik atomů
- Drahý výchozí materiál (galium)- odpad při výrobě hliníku - Velmi drahá a složitá technologie (nelze využít technologii Si) - Obtížné vytváření kvalitního kysličníku na povrchu GaAs - Asi 3x menší tepelná vodivost GaAs (0.46W/cmK) než u Si (1.41W/cmK) - Špatný odvod tepla (potíže s integrací výkonových prvků)
Vlastnosti: εr=12.9,
μelek=8550cm2/V.s,
μděr=400cm2/V.s,
18
Organické substráty Existuje celá řada materiálů, z nichž každý se vyznačuje určitými specifickými vlastnostmi. Patří mezi ně kromě FR-2, 3.4 také jeden z nejdražších, ale nejkvalitnějších materiálů FR-5, ze skupiny laminátů vytvrzovaných epoxidovou pryskyřicí, vyznačující se vysokou tepelnou odolností (v teplotě 150 oC si zachovává po dobu minimálně 1 h 50% pevnost v ohybu). Tabulka II: Vlastnosti organických substrátů _______________________________________________________________________________ Parametr / Materiál FR-2 FR-3 FR-4 _______________________________________________________________________________ • Permitivita (1 MHz) 4,5 4,6 4,9 • Elektrická pevnost (kV. mm-1) 60 - 70 60 - 65 35 - 65 -1 -1 -1 • Tepelná vodivost (J.s .m .K ) 0,24 0,23 0,25 -1 • Součinitel teplotní roztažnosti ( ppm . K ) 11 13 11 • •
Adsorpce vlhkosti (%) Pevnost v tahu (MPa . mm2)
0,8 88
0,75 83
0,35 280 19
Anorganické substráty •
Hlavním důvodem pro použití keramických substrátů jsou vyšší nároky na spolehlivost realizovaného obvodu nebo jeho části. To souvisí s konkrétní aplikací (lékařství, letecký a kosmický průmysl, automobilový průmysl a pod.), nebo přímo vychází z požadavků na požadované vlastnosti obvodu (výkonové zatížení, mikrovlnné aplikace, nutnost dodatečného dostavování jmenovité hodnoty rezistorů tzv. aktivním trimováním a pod.). Tabulka I : Vlastnosti anorganických substrátů
Parametr / Materiál 96 % Al2O3 99,5 % Al2O3 ) 99 % BeO ) AlN _____________________________________________________________________________ 35 37 250 170 Tepelná vodivost (J.s-1.m-1.K-1) Součinitel teplotní roztažnosti ( ppm . K-1) Elektrická pevnost (kV. mm-1) Měrný odpor ( . mm) Tangenta ztrátového činitele (%) 100 MHz Relativní permitivita r
6,4
6,6
5
4,5
8
9
14
12
7. 10 13
7. 10 13
10 14
1013
0,55
0,08
0,04
7 - 20
9
10
6,6
9 - 10
) používá se pro tenkovrstvé obvody ) toxický keramický materiál používaný v omezené míře pro výkonové aplikace
20
Obsah 1. 2. 3. 4. 5.
Úvod Substráty a čipy Pouzdření a propojování Parametry pouzdření Moderní typy pouzder (CSP, MCM SiP , SOC … 3D … WLP atd.) 6. Přístup k pouzdření 7. Pouzdření a legislativa 8. Závěr 21
3 Vývoj čipů a pouzdření
22
3 Různé požadavky na pouzdra obvody ASIC pracují s kmitočtem několika set MHz, přičemž požadovaný počet vývodů je běžně až několik set
mikroprocesory vyžadují pouzdra s počtem vývodů až několik tisíc, které musí vyhovovat co nejvyšším pracovním kmitočtům, řádově až GHz 300 500 1000
paměti ROM a DRAM , kde požadavky stále rostou
cache paměti pracují na stejných kmitočtech jako mikroprocesory 23
3 Struktura pouzdření a propojování Pouzdření a propojování = Packaging and Interconnection
Chemické, fyzikální, matematické inženýrství
Výrobní a průmyslové inženýrství
Elektrická analýza a testování Spolehlivost, výkon, cena, poptávka/načas o-vání,výnosy…
Trhová analýza
Mechanická analýza a testování Teplotní analýza a testování
Stále rostoucí pracovní kmitočet vyžaduje věnovat zvýšenou pozornost také způsobu vedení signálu s čímž souvisí provedení vodivých cest (propojení).
24
3 Požadavky na pouzdření • Elektronické pouzdření všeobecně: Ochrana a propojení integrovaného obvodu do elektronického systému • Moderní pouzdření musí zajišťovat: – Ochranu obvodu (mechanickou, environmentální, EMC…) – Odvod tepla – Distribuci a nezkreslený přenos signálu – Distribuci elektrické energie (napájení) – Vyrobitelnost, manipulovatelnost a provozuschopnost 25
3 Pouzdření – rozměr pouzdra vs. počet vývodů
Obr. : Počet vývodů vs. Rozměr pouzdra
26
3 Vývoj pouzder
Obr.: Pouzdra SO, PLCC, QFP
27
3 Obecný vývoj pouzdření
Trend vývoje pouzder
28
3 Tři vývojové tendence v pouzdření
29
Pouzdra SMD
Obr.13: Pouzdra Small Outline
30
Pouzdra SMD
Obr.12: Plastová pouzdra pro povrchovou montáž
31
Pouzdra QFP - standardizace
Obr.: Sjednocení rozměrů u pouzder QFP
32
JEDEC vs. EIAJ • Joint Electron Device Engineering Council • Electronic Industries Association of Japan
WWW.ALLDATASHEET.COM
MQFP/QFP fy Amkor
34
Pouzdra CC (chip carrier) – QFN …
Počet vývodů 18 24 40 64
Poměr nejdelšího vývodu k nejkratšímu CC : DIL 1 : 2 1 : 4 1 : 5 1 : 6
(a)
Pokovení
(b)
(c)
CC
DIL
Obr.14: Pouzdro CC a jeho přednosti vs. DIL 35
Pouzdra BGA Plastová
Keramická
Vývody ve tvaru bumpů (kuliček) jsou uspořádány na spodní straně pouzdra. Na horní straně je kavita, do které se montuje čip (bare nebo FCH). Potom se tento čip pouzdří víčkem nebo zalitím termoplastickým materiálem. vodivé lepidlo
kulové vývody vícevrstvá DPS
termokomp. Au spoje čipy
1.2 mm
0.5 mm
1.1 - 1.5 mm
FR 4 SnPb s 2% Ag eutektická pájka podhled
epoxy (překrytí)
Obr. : Pouzdro BGA s kulovými vývody
nepájivá maska 36
PBGA Typické použití: - mikroprocesory - grafika, DSOP - PC a síťové aplikace
37
3 Provedení vývodů pouzder
Al
Si
Flip Chip
Metalizace (UBM) Pasivace
Vývod
Substrát a)
b) Vývody J-lead, Gull wing a kulové 38
3 Tvary vývodů pouzder
Obr.11: Vývody po zapájení
39
3 Koplanarita vývodů pouzder Počet souč. [ ks ] 100
pouzdro
80
0,1 0,05 mm - s o (“stand off”)
0,15 mm
60 vývody
koplanarita ko 0,8 mm
40 20 0 10 20 30 40 50 60 70 [ m] ko
Obr.8: Měření koplanarity (rovinnosti) vývodů
40
Speciální typy pouzder http://www.radio-electronics.com/info/data/smt/smt_packages.php http://www.aseglobal.com/content/1-9.htm
Obsah 1. 2. 3. 4. 5.
Úvod Substráty a čipy Pouzdření a propojování Parametry pouzdření Moderní typy pouzder (CSP, MCM SiP , SOC … 3D … WLP atd.) 6. Přístup k pouzdření 7. Pouzdření a legislativa 8. Závěr 42
4 Pouzdření - parametry Vzhledem k velké variabilnosti při realizaci multičipových pouzder je třeba hodnotit jednotlivá provedení podle určitých kritérií. Ty vyjadřují do jisté míry vlastnosti z hlediska finálního použití, mezi něž patří především : • • • •
A. B. C. D.
Efektivnost pouzdření. Rychlost (výpočetní výkon). Spolehlivost. Cena. 43
Efektivita pouzdření závisí na rozmístění čipů v pouzdru, jež může být i trojrozměrné; je definována následujícím způsobem: celková aktivní plocha čipů efektivita pouzdření EFP =
------------------------------------
celková plocha multičipového modulu (pouzdra) 44
Rychlost Rychlost se vyjadřuje z pohledu výpočetních systémů, pro něž jsou multičipové moduly určeny především, jako fiktivní elektrická výkonnost . Vyjadřuje se v MIPS (milion instrukcí za sekundu) a je určena délkou cyklu a počtem cyklů na instrukci následovně :
Výpočetní výkon MIPS (GIPS) = 10-6
= ---------------------------------------------------------------------------(délka strojového cyklu) x ( průměrný počet cyklů na instrukci)
45
Spolehlivost •
Nejdříve je nutné stanovit požadavky na spolehlivost systému: - provozní a neprovozní klimatické extrémy, přijatelná poruchovost a další požadavky. Na základě toho se rozhodne zda by se měla používat hermetická pouzdra nebo pouzdra plastová. •
•
Hermetická keramická pouzdra mají inherentně vyšší spolehlivost, než je tomu u pouzder plastových, avšak skutečný výkon je do té míry závislý na typu prvku, provozních podmínkách a specifických výrobních postupech, že je nemožné kvantifikovat tento rozdíl v obecném smyslu. Plastová pouzdra neposkytují účinnou bariéru proti vlhkosti, a tudíž je riziko koroze u spojů ve vlhkém prostředí větší. Následně lisovaná plastová pouzdra vyvíjejí mechanické deformační síly na čip a drátové přípoje během tepelných cyklů. Výsledkem je, že plastová pouzdra jsou obecně omezena na komerční provozní prostředí.
•
K provozu v extrémních teplotách nebo drsném prostředí se i nadále dává přednost pouzdrům hermetickým.
•
U moderních pouzder jsou vytvořeny předpoklady pro zvýšení spolehlivosti díky výraznému snížení počtu pájených spojů, odvodu tepla, hermetičnosti
•
Požadavky na spolehlivost musí být zohledněny již při vlastním návrhu, během výroby kontrolou a řízením jakosti a u konečného výrobku pak možností dostatečného testování 46
Cena •
Ke snížení nákladů přispívá minimalizace počtu spojů a jejich délky (úspora materiálů).
•
Jednotlivé kroky technologického procesu se příliš neliší, ať už se jedná o jednočipové nebo vícečipové provedení.
•
Výrazného zlepšení ve všech směrech lze dosáhnout použitím nepouzdřených čipů a polovodičů v provedení Bare Die, Flip Chip a WLP 47
Obsah 1. 2. 3. 4. 5.
Úvod Substráty a čipy Pouzdření a propojování Parametry pouzdření Moderní typy pouzder (CSP, MCM, SiP , SOC … 3D … WLP atd.) 6. Přístup k pouzdření 7. Pouzdření a legislativa 8. Závěr 48
5 Moderní typy pouzder Polymer WLCSP
FC BGA
WLCSP Bumping
COS BGA
W/B BGA
LBGA
TFBGA
VFBGA
(mini BGA)
TQFP
P-QFN
QFN
BCC
S-QFN
LQFP SSOP
W/B LF
PLCC QFP
Enhanced SOJ QFP
TSOP
SOP
P-DIP
‘90
‘91
‘92
‘93
‘94
‘95
‘96
‘97
‘98
‘99
‘00
‘01
‘02
‘03
‘04
‘05
49
Chip Scale Package (CSP) •
Chip Scale Package, nebo také CSP jsou založené na normě IPC/JEDEC JSTD-012. Připojení na substrát musí být kompatibilní s povrchovou montáží a velikost pouzdra nesmí přesáhnout 1,2 násobek velikosti čipu.
50
CSP Wire bonding
Obr.: Pouzdra Chip Scale Package
Flip Chip
51
CSP výhody a nevýhody •
Chip Scale Packages není nový typ montážní technologie, ale nový typ pouzdření SMD • Pasivní součástky okolo čipu musí být také zmenšeny (rezistory, kondenzátory) aby byl efekt významný Výhody: • CSP je jediný způsob, jak realizovat „všudypřítomnou“ řídící a výpočetní techniku v malých rozměrech • Další zlepšení rychlosti Nevýhody: • Obtížná výroba • Není zcela prokázána dlouhodobá teplotní spolehlivost • Není opravitelné 52
3D pouzdra a struktury
•
je vytvořeno spojením keramických AlN substrátů, kde každý modul je hermeticky zapouzdřen a propojení je provedeno několika vnějšími kulovými vývody přes distanční část pájením přetavením.
•
využívá hranové spoje na bočních úzkých stranách. Jednotlivé substráty mohou využívat obě strany a jsou elektricky propojeny bočním vodivým polem s pomocí pájených spojů. Takový modul může být dále připojen jak pájením, tak drátkovým propojením (wire bonding).
54
3D –hranové propojení
Obr.29
V prvém případě (vlevo) se jedná o spojení dvou FR-4 substrátů, v druhém (vpravo) pak o propojení FR-4 s keramikou. Pro vyrovnání rozdílu v koeficientech tepelné roztažnosti je použit FR-4 mezirámeček s hranovými spoji.
55
3D-CSP stacked pouzdra
Obr.17: Stacked CSP pouzdro 56
„Stacking“ čipů – wire bonded
57
2D pouzdra Package Family 2D In- Line
Characteristics Leads on one or two sides of package
Package Type SID, PDIP, CERDIP
Small Outline SO Leads on two or four sides, small body SOJ, SOP, TSOP Quad Surface Mount QFP Grid Array BGA
Leads on four sides package Larger package dimension High lead counts Pin or ball array placed on package body very high lead count
… MCM, CSP, ….. 3D
PLCC, PQFP, LDCC, CERQUAD PPGA, PLGA, PBGA CSP 58
MCM – multičipové moduly Multičipové pouzdro musí splňovat následující funkce: - efektivně odvádět teplo ze všech použitých čipů. - pro zadanou obvodovou složitost poskytnout propojení mezi všemi čipy s co nejvyšší výkonností obvodu dostupnou na zvoleném typu substrátu. - poskytnout propojení vysoce vodivým kovem při dané propojovací hustotě tak, aby byla zachována co nejmenší vzdálenost mezi jednotlivými čipy. - poskytnout přívody signálů a napájení pro multičipový substrát. - poskytnout ochranu pro všechny čipy i samotný multičipový substrát. účinné a spolehlivé pouzdření efektivní odvod tepla ze všech čipů
malá vzdálenost mezi čipy
nízká dielektrická konstanta
velký počet vstupů a výstupů na čipu
vysoká propojovací hustota vysoká vodivost spojů
velký počet vstupů a výstupů multičipového modulu vysoká pracovní rychlost (frekvence)
MCM 20 čipů digitálních obvodů a 600 mikrodrátkových propojení (substrát 25 x 25 mm)
8 čipů analogových obvodů a 83 kondenzátorů. ( substrát 20 x 75 mm), 130 J leads
2D vs. 3D-MCM
chladič pouzdro odvádějící teplo
písty 2 tenké vrstvy pro redistribuci signálu
čipy
63 vrstev na keramickém substrátu MCM-CD technologie používaná firmou IBM
vstupní a výstupní vývody
61
Elektrická výkonnost je základním důvodem použití multičipového pouzdření. Výkonnost systému v MIPS (milionech instrukcí za sekundu) je určena dvěma základními parametry a to délkou cyklu (hardware) a počtem cyklů na instrukci (software). MIPS = 103 / ( délka cyklu x počet cyklů na instrukci )
MIPS GIPS Délka cyklu technologie pouzdření
čipy
struktura logiky
Počet cyklů na instrukci
MCM Typy a příklady multičipových technologií Jak už bylo naznačeno v předchozím textu, rozlišujeme tři základní multičipové technologie: • •
•
MCM-L - substrát je zhotoven z laminovaných desek (Laminat), podobných klasickým deskám plošných spojů. Polovodičové čipy jsou připojeny metodou flip-chip, TAB nebo drátovým kontaktováním. MCM-C - spoje jsou tvořeny tlustou vrstvou nanesenou sítotiskem na keramický substrát (Ceramic) a následným vypálením. Polovodičové čipy mohou být připojeny přímo metodou flip-chip, nebo nepřímo na předpouzdřených nosičích. MCM-D - spoje jsou tvořeny nanesenou (Deposited) tenkou vrstvou polymeru nebo kovu na substrátu. Polovodičové čipy se připojují podobně jako u MCM-C.
Různé typy pouzdření MCM __________________________________________________________________________________________
Parametr MCM-L MCM-C MCM-D PM ) ___________________________________________________________________________________ Objem (cm-3) 34,4 21,3 5,4 821 Hmotnost (g) 64,1 92,8 10,7 690 Zpoždění signálu (ps) 297/518 271/473 172/300 770/1344 (průměrné/maximální) Min. šířka spoje (µm) 80 100 25 Vzdálenost spojů (µm) 700 120 50 Cena (USD) 6193/4954 6788/5770 7176/4630 7094/3547 (1000ks/10000ks) __________________________________________________________________________________________ ) PM - povrchová montáž
64
SOP vs. SOC • SOC – Systém na čipu • •
Mikroelektronika se vyznačovala od dob kdy byl uveden na trh tranzistor snahou integrovat na čip co nejvíce prvků a tak vznikaly stále složitější integrované obvody. SOC je uspořádání, jež na čipu sdružuje jednotlivé funkční bloky systému (procesor, paměti, logické obvody atd.).
SOC má omezení: funkční (rychlost signálu na čipu vs. pouzdře - SiO2) engineering (cena, návrhové prostředky, time to market)
• SOP – Systém v pouzdře •
Převážná část dnešní přenosné elektroniky využívá multičipové řešení (MCM) v různém provedení, jež obyčejně integruje heterogenní součástky na společném propojovacím substrátu (procesor, paměti, logické obvody…) Zde je mezi SOP a SOC funkční identita 65
SOP
Obr. 35. Příklad pouzdra v provedení SOP
66
SOP GPS hodinky Casio
67
SiP Horizontal Placement Wire Bonding Type
Interposer Type Stacked Structure
Flip Chip Type
Wire Bonding + Wire Bonding Type Flip Chip Type
Flip Chip Type
Interposer-less Type Terminal Through Via Type
Embedded Structure
Chip (WLP) Embedded + Chip on Surface Type
3D Chip Embedded Type
WLP Embedded + Chip on Surface Type 68
3D konstrukce
69
Přímé připojení čipu na substrát - WLP
Obr. 33. WLP vs. Konvenční provedení 70
WLP
Technologický proces při výrobě WLP 71
WLP
Detail jednoho vývodu WLP
72
WLP process
73
Obsah 1. 2. 3. 4. 5.
Úvod Substráty a čipy Pouzdření a propojování Parametry pouzdření Moderní typy pouzder (CSP, MCM SiP , SOC … 3D … WLP atd.) 6. Přístup k pouzdření 7. Pouzdření a legislativa 8. Závěr 74
6. Přístup k pouzdření
SYSTÉM
IO
Limity pouzdření:
SOC
- Cena
SOP Pouzdřená součástka
Pouzdřený systém
- Provedení - Velikost
POUZDRO
- Spolehlivost
75
Jaké pouzdro použít ? Volba typu pouzdra Návrh, konstrukce (MCM, CSP, SoP …)
Simulace, Analýza Provedení pouzdra splňující požadavky
(FLOWMERICS, ANSYS, …) 76
Pasivní část pouzdra L Lm,Cm R L C
Z0,vp
R R C
C
L
L
77
Elektrické parametry
•
S rostoucím kmitočtem se začíná projevovat vliv parazitních parametrů, neboť délka vodičů je srovnatelná s délkou periody signálu. Potom takové uspořádání ztrácí charakter obvodu se soustředěnými parametry a projevuje se jako obvod s rozloženými parametry. Jevy jako je zpoždění signálu, charakteristická impedance spojená s typem spojů a parazitní reaktance, ovlivňují chování signálu. Dochází tak ke zkreslení a čas potřebný pro přenos signálu závisí na řadě dalších parametrů, které v případě chování se soustředěnými parametry nebylo třeba uvažovat. Proto stupeň zkreslení signálu a čas potřebný pro jeho přenos je funkcí propojovacích parametrů.
Obsah 1. 2. 3. 4. 5.
Úvod Substráty a čipy Pouzdření a propojování Parametry pouzdření Moderní typy pouzder (CSP, MCM SiP , SOC … 3D … WLP atd.) 6. Přístup k pouzdření 7. Pouzdření a legislativa 8. Závěr 79
7 Pouzdření a legislativa Pouzdření souvisí s legislativou z dvojího pohledu: •
materiály používanými pro pouzdra - krytí, odvod tepla, elektrické spojení …. keramika, plasty (polymery), kovy, pájky, lepidla …. Mají různý dopad na životní prostředí
•
pomocné materiály používané pro procesy – mytí, čištění, chemické reakce …. Voda, roztoky, chemické látky ….. Mají rovněž dopad na životní prostředí
-
materiály je třeba získávat ze surovin složitými procesy v průběhu pouzdření vznikají odpady po ukončení doby života vznikají odpady ….. 80
7 Pouzdření a legislativa Skutečnosti - vyloučení olova a dalších prvků (kadmium, rtuť, Cr6+, PBB, PBDE) •
• •
Na základě výzkumu materiálového inženýrství je patrné, že většina bezolovnatých pájek má více než 90% Sn. Důvodem je stávající materiálová báze a poměry ve složení používaných kovů vzhledem k dynamické smáčivosti v průběhu přetavení (reakce mezi zúčastněnými kovovými materiály při tvorbě slitiny). Byly navrženy různé složení bezolovnatých pájek. Každá z nich má výhody i nevýhody vycházející z jejich složení. Proto je žádoucí při výběru konkrétního typu pájky přihlížet ke konkrétnímu použití. Jako možný standard pro bezolovnaté pájky je pravděpodobné předpokládat slitinu SnAgCu, která se svými vlastnostmi nejvíce blíží slitině SnPb. Má dobré teplotní a mechanické vlastnosti a jen nepatrně vyšší bod tavení. S ohledem na přítomnost Ag je však cena poněkud vyšší.
Další zjištění • •
Legislativní omezení se týkají celé řady dalších materiálů, jako jsou tlustovrstvé pasty, vodivá a nevodivá lepidla, různé typy skel atd. Stále významnější roli hraje čistota procesů, s kterou souvisí také konečná čistota obvodů. Vzhledem ke stále menším rozměrům je to důležité i pro spolehlivost a životnost výrobků. 81
Legislativa a směrnice EU
§ EuP
WEEE
EuP
CE
RoHS
82
Směrnice vydané Evropským Parlamentem • RoHS 2002/95/EC • WEEE 2002/96/EC • EuP 2005/32/EC (92/42/EEC) jsou závazné pro všechny členské státy EU a jsou známy od jejich schválení v roce 2006. • Tyto směrnice sledují zajištění zdravého životního prostředí a tím i budoucnosti lidstva (tzv. Green Future), na čemž se podílí nemalou měrou také zavedení bezolovnatého pájení.
83
EuP • "Energy using Products (EuP)" - směrnice je základem pro konstrukci nových výrobků budoucnosti (Directive 2005/32/EC - Directive 2009/125/EC ) Eco Design
• Sjednocuje zákony EU v souladu s označením CE • Výrobky v EU označované jako ekologické mají předpoklad splnit i požadavky EuP
84
Obsah 1. 2. 3. 4. 5.
Úvod Substráty a čipy Pouzdření a propojování Parametry pouzdření Moderní typy pouzder (CSP, MCM SiP , SOC … 3D … WLP atd.) 6. Přístup k pouzdření 7. Pouzdření a legislativa 8. Závěr 85
8. Závěr • Moderní
pouzdra polovodičových čipů se budou svou velikostí stále více přibližovat vlastní velikosti čipů.
• Integrace systému složeného z několika funkčních bloků bude směřovat do jediného substrátu - SOP. Přitom musí být řešeny elektrické, mechanické, tepelné a ostatní požadavky. • Pokud
bude celý systém na čipu, bude se jednat o SOC.
• SOC
nebo SOP bude pájeny přetavením na nosný substrát (modul) nebo motherboard tvořící základní součást celého systému.
• Nové
materiály ve spojení s technologickými postupy budou nacházet nová uplatnění (TV, TLV, LTCC, CVD a další) a budou vznikat nové konstrukční principy (MCM, CSP, Flip-chip, WLP atd.). 86
8. Závěr
Cíl: realizovat součástky přímo do objemu substrátu 87
Kontrolní otázky 1) Co je to hardware, jeho hierarchie a technologie 2) Jaké jsou úrovně pouzdření a jejich příklady 3) Co se skrývá pod pojmem technologická integrace 4) Vyjmenujte alespoň 6 typů pouzder mezi DIL a CSP 5) Srovnejte organický, anorganický a křemíkový substrát 6) Provedení a tvary vývodů pouzder a jejich koplanarita 7) Pouzdra v provedení SMD (SO, QFP, QFN, BGA) 8) Rozdělení pouzder 3D dle konstrukce a provedení (CSP, SiP/SoP, SoC) 9) Tři typy technologického řešení 3D pouzder 10) Princip pouzder WLP 11) Jak souvisí pouzdření a legislativa ? 88