Teplotní senzory - jednotky
Jednotky : k měření teploty se používají různé jednotky °C – stupeň Celsia v Evropě zaveden mezinárodní smlouvou v r. 1948
5. TEPLOTNÍ TEPLOTNÍ SENZORY
°F – stupeň Fahrenheita – USA, GB °R – stupeň Réaumurova, používal se před zavedením °C K –Kelvin °Rank – stupeň Rankina, USA, GB
Přednášející:
Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
Převodní tabulka
Ing. Pavel Kulha
[email protected] tel.: 2 2435 2267 http://micro.feld.cvut.cz
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
1
Teplotní senzory - jednotky
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
2
Teplotní senzory - rozdělení • podle fyzikálního principu • odporové
kovové, polovodičové
• polovodičové s p-n přechodem dioda (Si, Ge, GaAs, varikap, ZD) tranzistor (bipolarní, unipolarní) • termoelektrické
kovové, polovodičové
• optické • dilatační • krystalové, radiační, chemické, šumové, akustické, magnetické, kapacitní, aerodynamické, SAW
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
3
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
4
Teplotní senzory - rozdělení
Teplotní senzory - rozdělení
Dotykové – dilatační
Dotykové – speciální
• kapalinové
• akustické (ultrazvukové)
• dotykové
• plynové
• magnetické
• bezdotykové
• bimetalové
• s tekutými krystaly
• podle styku s měřeným prostředím
• teploměrné barvy • šumové
• podle transformace signálu • aktivní
Bezdotykové • tepelné (bolometry, pyrometry)
• pasivní
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
• kvantové
5
Teplotní senzory – statické vlastnosti
Ekvivalence tepelných a elektrických obvodů
Q = mcT
Množství tepla v tělese
• statická charakteristika
m – hmotnost, c – měrná tepelná kapacita, T - teplota
- v ideálním případě přímka, reálná charakteristika popsaná polynomem • citlivost • práh citlivosti
Rychlost průtoku tepla tělesem
dQ dT
Teplotní gradient (tepelná vodivost)
dT dx
• dynamický rozsah - Interval přípustných hodnot snímané veličiny • reprodukovatelnost • rozlišitelnost
Platí:
dQ dT = −kS ⋅ dT dx
Tepelný odpor: ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
6
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
7
RT =
kde S je průřez
1 l kS
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
8
Ekvivalence tepelných a elektrických obvodů
Systém
Proměnná
Prvky
Dynamické
Statické
Elektrický
I,U
R,L,C
q=C/U
U=IR
Tepelný
Q,T
RT, c
Q=c/T
T=QRT
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
1. Odporové kovové senzory - RTD
9
1. Odporové kovové senzory - RTD
10
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
1. Odporové kovové senzory - RTD
• patří k nejčastějším typům pro měření teploty • materiál : především čisté kovy (Pt, Ni, Cu …) Wolfram (vysoce linární) Měď (menší teplotní rozsahy) Nikl (nižší teploty, nízká cena, nelineární), -60°C ÷ 120°C Platina (vysoká cena, lineární, nejběžnější, -260°C ÷ 630°C slitiny Niklu (nižší teploty, nízká cena) slitiny Ag, Au do 120°C • závislost R=f(ϑ) není linární i když většínou mluvíme o lineárních odporových senzorech
(
R = R0 1 + αϑ + βϑ 2 + γ (ϑ − 100)ϑ 3
)
Pro určité rozsahy teplot se rovnice zjednodušuje
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
11
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
12
1. Odporové kovové senzory - RTD
Realizace odporových senzorů
• spirálové vinutí
• vinutí v keramickém pouzdře
• tenký film
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
13
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
14
Vyhodnocovací obvody pro RTD s OZ
Vyhodnocovací obvody pro RTD
Korigování mírné nelinearity
Princip: Změnou teploty se mění odpor senzoru ⇒ převedení změny na jinou
zavedením zpětné vazby (nelinearity 2. řádu)
elektricky měřitelnou veličinu (R → U, I, f, střída, atd…) Nejčastěji se používají můstková zapojení
Třívodičové zapojení vyhodnocovacího obvodu
Kompenzace odporu vedení Rυ - tří (čtyř) vodičové zapojení, zejména při
použití dlouhého vedení od senzoru
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
15
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
16
2. Odporové polovodičové senzory teploty
Odporové kovové teploměry - shrnutí
Typy termistorů
malý odpor
PTC (pozistory) NTC (negistory)
100 Ω (nejběžnější) až 1000 Ω
široký rozsah pracovních teplot (-200 °C to 850 °C) dobrá citlivost
(ve srovnání s termočlánky)
velká přesnost (±0,0006 °C až 0,;1°C)
opakovatelnost a stabilita
malý drift (0,0025 °C/rok)
průmyslové modely - drift < 0,1 °C/rok
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
B T
⎛1 1 ⎞ R1 = exp B⎜⎜ + ⎟⎟ R2 ⎝ T1 T2 ⎠
B – materiálová teplotní konstanta A – zahrnuje geometrický tvar materiálu (udává výrobce ze dvou hodnot R1 pro υ 1, R2 pro υ 2)
ΔR = R 0 αΔ
Teplotní koeficient odporu
17
⇒
α=−
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
2. Odporové polovodičové senzory teploty
B T2
18
Odporové polovodičové senzory teploty
Velký odpor 1 kΩ to 100 kΩ
zejména NTC → nutnost linearizace
Malé rozměry
Levnější než RTD
Vysoká citlivost a rozlišení
19
Eliminuje vliv odporu přívodních vodičů
Nelineární závislost na teplotě.
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
R = Ae
Teplotní závislost odporu
−
Rychlé časové odezvy
Více než 1000 citlivější než
RTD
Necitlivé na vibrace a rázy
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
20
Termistory – linearizace průběhu
Vyhodnocovací obvody pro termistory
Základní principy využití nelineárního zesilovače s charakteristikou inverzní k charakteristice termistoru
Převodník R/U
připojení paralelního odporu RP k termistoru se srovnatelnou ohmickou hodnotou - obr a) linearizace sériovým odporem liearizace spojením 2-3 termistorů v jednom pouzdře – linearizace v širokém rozsahu teplot, každý termistor pokrývá část tohoto pásma (linearizace po úsecích Můstkový zesilovač pro odporové senzory
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
21
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
Polovodičové senzory s odporem šíření
Tenkovrstvé teplotní senzory
Princip – odpor šíření se uplatňuje v místě styku kovového hrotu s polovodičem. Odpor pak závisí pouze na rezistivitě ρ a poloměru kontaktu r.
R=f(r, ρ) Využívá se kladný teplotní součinitel (pro Si od 50 ÷ 150°C). S rostoucí teplotou klesá pohyblivost volných nosičů náboje.
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
22
23
Tenkovrstvý Pt senzor
Lineární charakteristika
Citlivost 0,44ΩK-1
Výroba – naprašováním na skleněnou podložku
Tenkovrstvý SiC senzor
Stabilní, přesné, nelineární, nenavlhá
-100 ÷ 450°C
α kladný 5x10-3 K-1
R=10kΩ až 1MΩ
Tenkovrstvé polykrystalické senzory
Levné, malé rozměry, vysoká reprodukovatelnost
-170 ÷ 450°C
Časová odezva Δϑ=75°C → Δt=60 ÷ 100ms
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
24
3. Teplotní senzory s P-N přechodem
Teplotní senzory s P-N přechodem
Pro měření lze využít všech diod (Si, Ge, GaAs) charakteristika je mírně nelineární Varikapy – nejlepší, stálé parametry
Citlivost – lze odvodit, že platí
Proud diodou ⎞ ⎛ ⎛⎜ ⎞ ⎜ ⎜ n U ⎟⎟ ⎟ kT ⎜ ⎜⎜ kT ⎟⎟ ⎟ I q ln I = IS ⎜ e⎝ q ⎠ − 1⎟ ⇒ U = ⎜ ⎟ n IS ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎝ ⎠
charakteristika je obecně nelineární
Příklad pro běžné Si diody se IS=10-10 A a U0=1,1 V a pro I=10-4 A je β=-2.1 mV/K
Proud je vhodné volit jako kompromisní hodnotu s ohledem na a) Vznik nelinearit vlastním ohřevem b) Na velikost napětí na diodě
kT q
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
25
26
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
Teplotní senzory s P-N přechodem
Teplotní senzory s P-N přechodem
dU k I U = ln − 0 dT nq IS Tref
U0 – je napětí U pro T→ 0 K (pro Si se U0=1,1V Tref – zvolená referenční teplota
⇒ U=konst*T pokud IS=konst., v reálu ale IS=f(T) ⇒ U≠konst*T -
n – parametr, rekombinační koeficient IS – saturační proud U, I – napětí a proud v propustném směru
UT =
β=
Tranzistor jako teplotní senzor
Zenerova dioda jako teplotní senzor
Využívá se přechodu UBE protože má menší teplotní závislost saturačního proudu
Velká citlivost v závěrné části charakteristiky Zenerovo napětí je funkcí teploty
Volbou Zenerova napětí je možné měnit velikost teplotního koeficientu v širokém rozsahu (podle konstrukce a technologie 0 až 110mV/K) Ik
Podle velikosti UZ je teplotní koeficient
kladný (UZ > 5V) záporný (UZ < 5V)
UBE
2 tranzistory nejsou zaměnitelné – každý diskrétní senzor teploty se musí navrhovat individuálně ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
27
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
28
Vyhodnocovací obvody
Základní zapojení jednoduchého převodníku T/U
Vyhodnocovací obvody Princip vyhodnocování teploty z tranzistorového senzoru
Vyhodnocovací obvod diodového senzoru
Tranzistor jako teplotní senzor
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
29
30
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
4. Integrované teplotní senzory
4. Jednoduchá integrovaná bipolární struktura - Převodník υ → I
Význam Snižování nákladů Realizace na jednom čipu Integrace dalších komponent (zesilovače, převodníky, filtry…) Možnost realizace inteligentních struktur v jednom pouzdře (regulace apod…) Možnost využití různých technologií
Proudy tranzistorem T2, T1 jsou v poměru N:1 I T4
T3
I1
I2 T2 U
T1 ΔUBE
T1 : U BE1 =
kT ⎛ I ⎞ ln⎜ ⎟ nq ⎜⎝ I0 ⎟⎠
T2 : UBE 2 =
kT ⎛ NI ⎞ ln⎜ ⎟ nq ⎜⎝ I 0 ⎟⎠
⇒ ΔU BE =
kT ln N nq
Pokud I1=I2 rozdíl emitorových napětí je dán předcházející rovnicí ⇒ ΔUBE=f(ϑ) T2 je složen z N paralelních tranzistorů které mají dohromady plochu jako T1 Potom I2 protékající odporem R je určen velikostí UBE=f(ϑ) ⇒ I=f(ϑ)
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
31
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
32
5. Teplotní senzor CMOS – silná inverze
Jednoduchá integrovaná bipolární struktura
Převodník T/I s B511, A590
Silná závislost proudu ID (teplotní závislost prahového napětí a pohyblivých nosičů je nepřímo úměrná teplotě ⇒ při zvyšování υ se zmenšuje ID a strmost při konstantním UGS Tento způsob se příliš nevyužívá, je obtížné získat dobrou linearitu převodní charakteristiky
Zapojení s OZ
33
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
Teplotní senzor CMOS – slabá inverze
Tepelná ochrana audiotechniky
- mají velmi dobrou linearitu ⎛ qU GS ⎞ ⎜ ⎟ nkt ⎠
L
34
Vyhodnocovací obvody - Aplikace
- mají podobné chování jako bipoláry → podobné vyhodnocování ID – při slabé inverzi I = W I e ⎝ D D0
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
qU S − D ⎤ ⎡ − qU KT KT e e − ⎢ ⎥ ⎣ ⎦
W, L – šířka, délka kanálu ID0 – charakteristický proud U vyst = (U GS 2 − U GS 4 ) =
kT ⎡ (W / L )1 ⋅ (W / L )4 ⎤ ln ⎢ ⎥ ⇒ konst ∗ T q ⎣ (W / L ) 2 ⋅ (W / L )3 ⎦
Linearita – lepší než 0,1% Teplotní koeficient – 0,162mV/K Čip – 0,1mm2
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
35
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
36
Vyhodnocovací obvody - Aplikace
Vyhodnocovací obvody - Aplikace
Regulace otáček ventilátoru
Tepelné ochrany procesoru
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
37
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
38
Kovové termočlánky Termoelektrické teplotní senzory
- jednoduché, odolné proti mechanickému a tepelnému namáhání
Princip:
- široké rozmezí teplot
Dva různé kovy (eventuelně polovodiče) spojené svařením, pájením nebo výjimečně mechanicky
- malá hmotnost - malá tepelná setrvačnost
Základní typy
– kovové termočlánky – integrované termočlánky
Seebeckův jev jsou-li spojeny dva vodiče z různých kovů do uzavřeného obvodu a mají-li spoje různou teplotu T1 a T2 , protéká obvodem elektrický proud. Pokud obvod rozpojíme, na svorkách naměříme elektromotorické napětí.
– termoelektrické senzory záření
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
40
Materiály termočlánků
Kovové termočlánky
Výběr materiálu záleží na:
Teplotním rozsahu požadované přesnosti Požadované chemické odolnosti Odolnosti vůči mechanickému opotřebení a vibracím Požadavky na instalaci (velikost drátu)
Chromel-Constantan (E křivka) Pro použití pro teploty vyšší než 870ºC ve vakuu nebo inertním prostředí. Při záporných teplotách nekoroduje. Tyto termočlánky mají nejvyšší výstupní napětí ze všech standardních kovových termočlánků. Platinum-Rhodium (S a R křivka) Mají velkou odolnost proti oxidaci a korozi Doporučený rozsah pracovních teplot je 1540ºC. Wolfram-Rhodium (C křivka) Používají se pro měření teplot vyšších než 2760ºC. ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
41
Integrované termočlánky
Označení termočlánku
Původní označení
Měřicí rozsah [ °C]
T
Cu-CuNi, Cu-ko
- 200 až 350
J
Fe-CuNi
- 200 až 750
E
NiCr-CuNi, ch-ko
- 100 až 900
K
Ni-Cr-Ni, ch-a
- 200 až 1200
N
NiCrSi-NiSi
- 200 až 1200
S
PtRh10-Pt
0 až 1600
R
PtRh13-Pt
0 až 1600
B
PtRh30-PtRh6
300 až 1700
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
42
Srovnání RTD, diod, IC, TC
Využití: Termoelektrické články lze využít k měření teplotních rozdílů přímo na křemíkovém čipu ⇒ lze měřit teplotu na různých místech uvnitř čipu najednou Termoelektrické baterie
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
43
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
44
Bezdotykové senzory
Termoelektrické senzory záření
Princip: Termoelektrický článek se zahřívá absorpcí infračerveného záření
Senzory tepelného záření
Vyrábí se tenkovrstvou technologií, vytváří se termoelektrické radiační bloky (spojením termočlánků). Zvýšením počtu termoelektrických článků v termobloku se zvyšuje citlivost, ale zhoršuje se tepelná časová odezva.
Tepelné detektory infračerveného záření
Výhody: pracují při pokojových teplotách
Termoelektrické Bolometrické Pyroelektrické
široký spektrální rozsah nepotřebují vnější napájení, jednoduchá indikace výstupu- voltmetr nedochází k vzájemnému ovlivňování přes napájecí zdoj Seebeckův efekt je v Si 0,5 – 1 mV/K na jeden proužek technologie výroby je kompatibilní s bipolární nebo CMOS
Nevýhody: velký vnitřní odpor, limitovaný tepelný odpor senzoru (je dán tím že existuje křemíkové spojení mezi teplou a referenční částí Využití: IR senzory, teplotní převodníky, chemické analýzy plynu, průtokoměry, senzory vakua ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
45
Termoelektrické senzory záření
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
46
Bolometry Co jsou BOLOMETRY a MIKROBOLOMETRY ?
Pro náročné bezkontaktní měření teploty v případech, kdy nelze použít pyroelektrické detektory nebo infratermočlánky, se hodí tzv. bolometry. Mikrobolometry se pak využívají hlavně pro účely infračerveného snímání obrazu. Princip, provedení i použití těchto senzorů je popsán v následujícím článku ...
Vybrané parametry:
Bolometry (z řeckého bole: paprsek) jsou senzory pro bezdotykové měření teploty (thermometers) pracující na principu pyrometrie, tzn. měření celkového vyzářeného tepelného výkonu prostřednictvím infračerveného záření. Tvoří tak alternativu k ostatním senzorům pro bezdotykové měření teploty, infratermočlánky, pyroelektrické senzory a fotonové snímače. Častěji se však bolometry vyskytují v podobě integrovaných obvodů obsahující uspořádání několika desítek, stovek nebo i tisíců bolometrů do matice, obecně označované jako mikrobolometry (viz. obrázek vedle). Využívají se nejčastěji pro potřeby termovize, tzn. infračerveného snímání obrazu předmětů s následnou možností měření nebo detekce jejich teploty.
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
47
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
48
Bolometry
Širokopásmové bolometry
Princip:
Princip: využívá se kombinace různých fyzikálních jevů (termistorového, pyroelektrického)
Využívá se odporového materiálu s velkým teplotním koeficientem a malou časovou konstantou ⇒ rychlé
Materiály: pyroelektrický materiál u kterého je vodivost funkcí teploty
Dopadající záření ohřívá materiál → změna R
NaNO2, Sn2P2S6, LiNH4SO4
Kompenzace teploty okolí: můstkové zapojení dvou stejných senzorů
Materiály:
Konstrukce
Dříve se používaly Pt odporové články, v současnosti – polovodičové materiály
Termistorové bolometry – kysličníky MgO, MnO, NiO, TiO2 (kosmická zařízení) Vrstvové bolometry – chalkogenidové sklo Tl2SeAs2Te3 Germaniové, křemíkové bolometry – chladí se na teplotu kapalného hélia, používají se pří kosmických měřeních Supravodičové bolometry Pyroelektrické bolometry 49
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
Bolometry - konstrukce
Struktura jednoduchého bolometru je na obrázku 3. Infračervené záření dopa dá na absorpč ní vrstvu senzoru tvořenou zlatou fólií, která pohlcuje až 95% záření. To ohřívá teplotně vodivý povrch i nosník. Na spodní straně nosník u je napař ený meandr odporové dráhy, jejíž odpor se mění lineárně s teplotou. Na obr ázku 4. je příklad dnes běžnější realizace v integrovaných bolometrech, tzn. na hliníkov ém substrátu (desce) odizolované oxidem hliník u Al2O3, jsou na tepelně vodivé podložce z bismutu napařené odporové dráhy z kysličníků MgO, MnO, NiO, TiO2 (tzv. termistorové bolometry) nebo chalkogenidové sklo Tl2SeAs2Te3 (tzv. vrstvové bolometry). V případě jednoduc hých bolometrů jsou obvykle použity čtyři (R1 až R4) vzájemně propojené do klasického Wheatstonov a můstku, z nichž se některé používají jako kompenzační nebo referenční (zastíněném proti záření).
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
50
Bolometry - konstrukce
Uspořádání plošného detektoru používaného v termovizních kamerách
Princip použití bolometru jako proměnného prvku odporového děliče
Struktura integrovaného můstku z bolometrů Provedení jednoduchého
bolometru ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
51
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
52
Bolometry - použití
Bolometry – příklady obrazů
Detekce ohně a plamenů Monitorování tepelného zatížení součástek, objektů - termovize s rozlišením až 320 x 240 pixelů (viz. obrázky) Detekce výbuchu Bezdotykové měření teploty Spektrometrie Monitorování teploty procesů Měření teploty pohyblivých předmětů Astronomie Infračervené kamery a dalekohledy Zabezpečovací technika
Příklady obrázků získané infračervenými kamerami používající mikrobolometry
Automatizace 10. 04. 2006 Automatizace 10. 04. ČVUT FEL2006 Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
53
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
Bolometry - vlastnosti
Bolometry – příklady komerčních bolometrů Silicon Infrared Detector - UL 03 04 1 (francouzská firma ULIS)
Jsou rychlé - krátká časová konstanta (až 1 ms) Velká citlivost Spektrální citlivost 1.6 až 5000 µm Velký pracovní teplotní rozsah senzorů (-40°C až 100 °C) Lze bez problémů měřit vysoký rozsah teplot měřeného objektu (i nad 1500 °C). Malé rozměry (u mikrobolometrů jen desítky µm) Není zde žádné ovlivnění měřeného objektu U mikrobolometrů velký počet snímačů ( i přes 80 tisíc) na malé ploše => infračervené snímaní obrazu s rozlišením až 320x240 pixelů Vysoká cena U některých typů je nutné chlazení Automatizace 10. 04. ČVUT FEL2006 Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
54
55
•
Formát pole (rozlišení): přepínatelný mezi 384 x 288 a 320x240 pixelů, 35 µm vzdálenost pixelů (mikrobolometrů na chipu)
•
Materiál: Struktura mikrobolometrů je založená na rezistivním amorfním křemíku, který je plně slučitelný s technologií CMOS a není jej nutné chladit.
•
Dynamický teplotní rozsah měřeného objektu: až 1500°C
•
Pracovní teplotní rozsah senzoru: - 40°C až + 80°C
•
Časová konstanta: 7 ms
•
Spektrální rozsah: 8 až 14µm
•
NETD: 85 mK (f/1, 300 K, 60 Hz)
•
Převodní konstanta: 7 mV/K
•
Chyba opakovatelnosti měření: < 1.5%
•
Rozměry: 32 x 23.5 x 7.4 mm bez vývodů
•
Spotřeba: < 200 mW
Automatizace 10. 04. ČVUT FEL2006 Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
56
IR teploměry
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
IR teploměry - lékařské
57
Speciální dotykové senzory
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
58
Teplotní krystalový senzor
Princip: využívá se teplotní závislosti kmitočtu krystalu (vhodného řezu)
Akustické Krystalové Šumové Magnetické SAW Optické Teploměrné barvy
Vyhodnocování: - oscilátorový obvod, dělič… - oscilátor je obvykle umístěn blízko krystalu - signál lze přenášet na větší vzdálenosti - signál lze snadno upravit (dělit, převádět na časový interval)
Vlastnosti
- malá cena - dobrá linearita - digitální signál + přenos - dvouvodičové vedení - malé napětí + proud - možnost heterodynního zpracování signálu
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
59
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
60
Teplotní krystalový senzor
Magnetické teplotní senzory
Převodní charakteristika
Princip:
B=f(ϑ) při H=konst.
Curieova teplota: při vzůstu teploty nad tuto teplotu se feromagnetické materiály stávají paramagnetickými
Heterodynní zpracování signálu z krystalového senzoru
Materiály: pokud možno s co největší změnou Δ B/Δ ϑ kovy: thermalloy, calmalloy, thermoperm ferity: ve tvaru toroidu
Výhody: robustní, velký výstupní signál Nevýhody: malá časová stálost, velké rozměry, malá přesnost ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
61
Princip: rychlost šíření zvuku v látce závisí na teplotě, měří se čas šíření ultrazvukových impulsů
v=
62
Ultrazvukový teplotní senzor
Ultrazvukový teplotní senzor
v=f(ϑ)
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
Konstrukce:
E
ρ
Teplotní závislost rychlosti a stabilita
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
63
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
64
Teplotní senzory SAW
Optické vláknové senzory
Princip: Využívá se teplotní závislosti rychlosti šíření povrchové akustické vlny v určitém materiálu (LiNbO3)
Využití nežádoucích vlivů okolního prostředí na parametry optických kabelů Teplota moduluje optický signál
Teplotní závislost frekvence oscilátoru se senzoprem SAW
Typická závislost: citlivost 4kHz/°C, rozdíl frekvencí pro ϑ=-50°C÷150°C je Δf=800kHz
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
65
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
66
Senzory pro měření kryogenních teplot
Teploměrné barvy
-Teploty od 50K níže
Akrylové laky nebo stmelené prášky obsahující teplotné citlivé anorganické pigmenty
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
- využití teplotně závislých fyzikálních vlastností látek (rychlost šíření zvuku, elektrické vlastnosti, apod…) - využití teplotně závislých fyzikálních jevů (šum, magnetická rezonance)
67
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
68
Senzory pro měření kryogenních teplot
Senzory pro měření kryogenních teplot
A) Termoelektrické články
Uhlíkové: speciální provedení hmotových odporů s negativní teplotní charakteristikou,
výhody: jednoduché, laciné
Rozsah 1÷20K, popřípadě 0,01 ÷1K
nevýhoda: termoelektrické napětí není stabilní a je malé
Termistory: až od 20K
B) Odporové senzory Kovové – pro 10K÷90K se používá funkce
C) Kapacitní teplotní senzory
R − RT 2 Z = T1 RT 0 − RT 2
Konstrukce vhodná pro měření teplot v silném magnetickém poli. Dielektrikem je krystalické sklo
RT1 - je odpor Pt pro T1; RT0, RT2 – jsou odpory Pt pro známé teploty Pro 2K ÷ 20K lze R=f(T) vyjádřit jako
R (T ) = RT 1 + AT + BT 2
Citlivost – v lineárním úseku (do 5K) 250pF/K γ
RT1, A, B, γ – jsou konstanty určené měřením
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
69
Senzory pro měření kryogenních teplot
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
70
Senzory pro měření kryogenních teplot
D) Indukční princip
Měření extrémně nízkých teplot mK ÷5K, využívá se teplotní závislosti magnetické susceptibility paramagnetických solí
E) Šumový teplotní senzor
Princip vychází z definice šumového napětí U2=4kRfT
F) P-N přechod Do 50K je citlivost přibližně -2mV/K Pro T < 50K – platí jiné teplotní koeficienty udávané výrobcem (Si – 55mV/K, pro T=1÷30K) Nevýhoda: značná citlivost na magnetické pole
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
71
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
72
Výrobci teplotních senzorů
Otázky
Odporové kovové teplotní senzory - RTD 1. Princip činnosti, materiály, konstrukce 2. Základní elektronické obvody pro vyhodnocování informace z RTD, teplotní kompenzace Odporové polovodičové teplotní senzory 1. Princip činnosti, materiály, konstrukce 2. Polovodičové senzory s odporem šíření 3. Termistory 4. Tenkovrstvové 5. Základní elektronické obvody pro vyhodnocování informace Teplotní senzory s P-N přechodem 1. Rovnice pro proud přechodem pn, odvození vztahu pro teplotně závislé napětí na přechodu pn 2. Odvození vztahu pro citlivost napětí na teplotě na přechodu pn 3. využití bipolárního tranzistoru pro měření teploty 4. Charakteristiky závislosti napětí na přechodu pn versus teplota s parametrem proudu přechodem 5. Jednoduché principiální elektronické zapojení teploměru s diodou (přechodem pn) Teplotní senzor CMOS 1. Princip zapojení v režimu silné inverze, charakteristiky, vlastnosti 2. Princip zapojení v režimu slabé inverze, charakteristiky, vlastnosti ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
73
Otázky Termoelektrické teplotní senzory 1. Princip činnosti, materiály, charakteristiky 2. Základní elektronické vyhodnocovací obvody 3. Integrované termoelektrické teplotní senzory Teplotní senzory záření - bolometry 1. Princip činnosti, konstrukce, vyhodnocování informace z bolometrů 2. Využití přechodu p-n pro měření teploty (dioda, tranzistor), integrované teplotní senzory s pn přechodem - principy činnosti, konstrukce, použití, konstrukce a jednoduché principiální elektronické zapojení. Pyroelektrický princip měření teploty Teplotní senzor s krystalem 1. Princip činnosti 2. Základní elektronické vyhodnocovací obvody Magnetické teplotní senzory 1. Princip činnosti Ultrazvukový teplotní senzor 1. Princip činnosti 2. Základní elektronické vyhodnocovací obvody Teplotní senzory SAW 1. Princip činnosti 2. Základní elektronické vyhodnocovací obvody Optické vláknové teplotní senzory 1. Princip činnosti Senzory pro měření kryogenních teplot 1. Princip činnosti. vlastnosti, materiály a charakteristiky - Termoelektrické, odporové, kapacitní, indukční, šumový, pn přechod 75 ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
ČVUT FEL Praha, Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc.
74