:0 , ;..., Prosiding Perlemlla" drill Prese"lasi J/mialz PPNY-BA1:4N, Yogl'alwrla 25-27 April 1995
27
Bllkll J
PENGARUH ARUS ION DOPAN PADA Il\1PLANTASITERHADAP SIFATKELISTRIKAN SEl\lIKONDUKTOR AmiI' Supri~'anto Plr)gram
Studi Fisika, Jul71san AflPA Fal.ltltas
Kegul71c/II dan IImu Pendidikan
Universitas
Lal1lpung.
Kusminm10 Jul7lsanFisika,Fakultasklatemmika danllmu Pengetall1lanAlam, UniversitasGadfahA1ada. Sudjatmolw PPNY-BATANPO. Box 1008Yow'akal1a55010.
ABSTRAK PENGARUH
ARUS
ION DOPA.\'
PADA
IMPLANTASI
TERHADAP
SlFAT
KELlSTRlKAN
SEA11KONDUKTOR, Telah dilakukan pengukumn sifat kelistrikan Semikondul.10r Silikon yang diimplantasi dengclII atom Boron. Ion Boron diimplantasikan pada wafer Silikon dengclII tegangan tetap 60 kV, mengguncditln Implcmtorlon 90 ke Vpada suhu kamaI'. Ams ion dibuat bel1'an'asi dari 20 sampai 60 1J.4untuk lama implantasi tetap dan lama implcmtasi dibuat bervCII7asidari 5 sampal 45 menituntuk ams ion lelap. Cuplikan hasil implcmtasi dianil FacIa S1lhu 650 °c selama 30 menit dalam fablIng pemcmas del1gc/lldia/iri gas Nitrogen. Kenl1ldian cuplikan diukur resistivitaS/1)!a dengan Probe Empat Titik, knpasitansi dengan LCR-meter dan tegangan dadal ditentukan dengclII karakteristik I-v. Dari pengukurclll yang dilakukan, diperoleh sifat ke/istrikan optimum pada ams ion dopcm 40 1J.4danlama implantasi 5 menit alau pada dosis dOpCIII5,952 x 1015cm-J (P., = 322 O/sq, P = 0,816 O..cm, CIA = 227,6559 pFcm.J, VB = 26,6 volt).
ABSTRACT DOP;LVTS JON CURREJ"T EFFECT ON THE SE\IICONDUCTOR ELECTRICAL PROPERTIES OF DIPL4.NTED. A1easurel1lel1to/the electn"cal properties o.fSilicon semiconductor Boron atom implanted has bee/1 done. The Boron ionll'as implanTed in a Silicon wafer ar the constalll voltage of 60 kV by using CIIIion implantoro/90 keV at the room temperature. The ion currentvCII7ed between 20 to 60 lJ.4.forconstant duraTion ofimplantation andforduration of implantation variedfrom 5 to 45 minutes at constant ion currenT. Sample ofrhe results of implantation were annealed at temperature of650 GCfor 30 minutes in heater tube streamed with Nitrogen gas. Then the resisTivity o.fthe samples was measured using a FourPoints Probe, the capacitancy . was measured using an LCR-meter and the breakdown voltage was dete/mined by the characteristic of I-V. From the measuremenT, the optimum electrical properTies is obtained at current of dopal1ls ion of 40 J.JAand for duraTion
ofimplanlarion
of 5 minutes
or dopcmts
5,952 x ]0'5 cm-2 (Ps
= 322 a I sq, P = 0,816 a.cm,
CIA = 227,6559 pFcm-2, VB = 26,6 volt).
PENDAHULUAN
A
da beber3pa h31 Y3ng mempengaruhi h3Sii imphullasi ion, 3nt3rd 13in:energi ion dop3n, jenis atom doran, kual 3rus ion dopan d3n S3sman implant3si. Pacta implantasi ion, dopan yang aktif diionkan clan dipercepat dengan energi tinggi lalu diimplantasikan ke dalam sasaran. Sebelum cuplik3n siap untuk diimplantasi, pemmkammya dibersihkan dengan etsa kill1ia (untuk menghilangkan lapisan Sial) Setelah diimplant3si cuplikan dianil agar susunan atom-atomnya pactalapisan pemlukaan yang terimplantasi dapat kembali seperti sell1ula.Suhu anil dipilih sekitar650 °c dengan \Vaktu30 menit. Selama
lSSN 0216-3128
dianil ke dalam tablIng tempat cuplikan dialirkan gas Nitrogen dengan kecepatan 1 liter/menit untuk menghindari oksidasi. Kedalaman penetrasi ion dopan akan menentukan besarnya distribusi konsentrasi. Menurut Ryssel clan Ruge (1986) distribusi konsentrasi ion dopan yang diimplantasi sebagai fungsi kedalaman pacta pennukaan mengikuti distribusi gauss, yaHu: N(x) --
2 Cs
.
r;::r exp ['I27t Mp (1 + e~r Rp/-v2 Mp)
(x - Rp)2 ] 2 M;
(1)
dengan
Amir Su priy:m to, dkk.
B"k" I
28
=
N
jumlah ion yang terimplank1si pacta kedalaman dari pem1ukaan(em' 3)
Rpdan.6.Rp = jangkauan terproyeksi dan ketak pasti-pastiannya err = fungsi kesalahan, dapat dibaea pacta Labelfungsi kesalahan (error function).
c.
=
jumlah (em'2)
ion total liar
satuan luas
Bila x = Rp, maka konsentrasinya adalah: 2C N(x)= ..fbt t..Rp(1 + el1Rj..fi
t..Rp)
(2)
It
C
= qA
(3)
dengan: I dan t = ams ion (A) dopan t = lama implantasi (detik) = muatan elektron (coulomb) q A = luas permukaan sasaran (cm\ Tipe semikonduktor (N dan P) perlu diketahui, schab merupakan sifat elementer. Bila Silikon sebelum diimplantasi bertipe N, maka gas dopanyang digunakan adalah yang dapat membentuk tire P, begitu juga sebaliknya. Resistivitas cuplikan yang akan diselidiki diukur menggunakan Probe Empat Titik. Cuplikan yang Lelahdiil1lplantasiakan l1lenjadi sambungan N-P. Pacta masing-masing tepi smnbungan terdapat penul1lpukanmuatan negatif dan positip, sehingga dip;p1dang dari sudut lain dapat dianggap sebagai kapasitor. Maka sambungan N-P dapat diukur kapasitansinya secara langsung menggunakan LCR-meter.
TATAKERJA Bahan penelitian adalah keping SiJikontire N, gas dopan BF3 bahan pengetsa dan bahan pencuci. Alat penelitian utama adalah Implantor Ion 90 keY, Probe empat titik, LCR-meter digitaL voltmeter, Ampennetcr, jangka sarong, dan pel1lanas.Ada dua Laharpactapenclitian ini, yaitu : Laharimplantasi dan lahar pengukuran sifat kelistrikan. Ta/Illp imp/illllasi ioll. Tahap ini dia\\'ali dengan pengolahan Silikon yang digl1nakansebagai sasaran implank1si.Wafer Silikon dipotong (dengan luas perl1lukaan tcrtentu) lalu dibersihkan dan permukaannya dictsa agar lapisan SiOrnya dapat terlepas daTi permukaan Silikon. Setelah dietsa
AmiI' Supriyanto,
dkk.
Prositlillg Pertemllnlr tlnll Preselltnsi Ilminh PPNY-BATAN. Yogynkartn 25-27 April 1995
dibilas dengan air yang mengalir, kemudian dicuci lagi dengan alkohol. Selanjutnya cuplikan dipasang pacta cawan Faraday (pada Implantor). Tabung akselerator dihampakan sampai dengan tingkat k~hampaan 10-6mmHg. Menentukan arus ion dopan dengan cara mengatur/mengendalikan tegangan anoda, tegangan ekstraktor dan aliran gas dopan ke dalam sumber ion. Menaikkan somber daya listrik tegangan tinggi sebagai energi pemereepat. Menentukan waktu doping dengan variasi yang dikehendaki. Mengl1lang kembali dengan arus ion yang berbeda. Tahap penentllan sifat kelistrikan, Setelah diimplantasicuplikan dianil pada suhu 650 °c selama 30 menit dengan dialiri gas Nitrogen berkecepatan 1 liter/menit (untuk menghindari oksidasi). Menggunakan Probe empat titik diukur resistivitas keping (Ps) dan resistivitas (p) cIuplikan. Kemudian diukur kapasik1nsilapisan deplesinya menggunakan LCR-meter digitaL Setelah diperoleh kapasitansi makaditentukanbesar kapasitansi lapisan deplesitiap satuan luas masing-masing cuplikan. Akhimya dieari tegangan dadal sambungan N-P dengan karakteristik I-Y. Setelah diperoleh dosis dan konsentrasi do pan dibuat grafik, yaitu : resistivitas keping (ps) vs dosis dopan (Cs), resistivitas (p) vs konsentrasi dopan (N(x»), kapasitansi lapisan deplesi liar satl1an luas (C/ A) vs konsentrasi doran, dan tegangan dadal (VB) vs konsentrasi dopan.
HASIL DAN PEl\1BAHASAN Grafik yang menunjukkan hubungan resistivitas keping (ps) vs dosis ion dopan (Cs) disajikan pacta gal11bar 1, dan 2 Grafik yang menunjukkan hubungan resistivitas (p) konsentrasi dopan (Nx»)disajikan pactagambar 3 dan 4, Grafik yang menunjukan hubungan antara (C/A) konsentrasi dopan (N(x))disajikan pacta gambar 5. Grafik yang menunjukkan hubungan antara tegangan dadal (YB) vs konsentrasi dopan N(xhdisajikan dalam gamhar 6. Resisli~'ilas kepillg. Grafik yang disajikan pactabasil penelitian tidak dapat sal11adengan teori yang digl1nakansebagai acuan. Pactapenelitian yang dilakukan oleh penulis, Implantor ion yang digunakan tidak menggunakan magnet pemisah. Akibatn)'a gas dopan BF3di dalam sumber ion yang dapat mcnghasilkanH ion loB+,IIB+,IOBF+, "BF+, IOBF2+, . "BF + loB ++ IIB d . I . 2, , , an Ion am yang menyertm gas
dopan BF3. Maka besarnya ion IIB+ yang terbentuk pacta sumter ion besamya bcrkisar 14% (Ryssel dan Ruge, 1986). Dcngan mcnganggap besar ion IIB+
ISSN 0216-3128
PrositUng Pertemuan don Presentasi Ilmiah PPNY-BATAN, Yo1?yakarta 25-27 April 1995
Buku I
yang terbentuk 14%, data basil penelitian ps vs Cs dibandingkan dengan teori disajikan pactagambar 7. Tampak pada gambar bahwa basil penelitian yang sesuai dengan teori adalah pactadosis dopan beIkisar orde 1014cm.2,tepatnya 4,4.1014cm-2(i = 20 ~, t = 5 menit, ps = 538 Qlsq), 6,2.1014cm-2(i = 30 ~, t = 5 menit, ps = 612 Qlsq) daD8,3.1014cm-2(i = 40 ~, t = 5 menit, ps = 322 Qlsq). Konsentrasi dopan pacta teori adalah nilai sesungguhnya yang terdapat pacta wafer silikon. Sedangkan konsentrasi dopan pacta penelitian ini diambil harga maksimum yang diterima oleh setiap cuplikan (kedalamanpenetrasi dianggapx = Rp). Walaupun demikian tetap terdapat kesesuaian antara sifat-sifat kelistrikan basil penelitian ini dengan teori yang dibuat sebagai acuan. Resistivitas. Untuk lama implantasi tetapyang disajikan pactagambar 3, tidak ditemukan resistivitas yang semuanya kurang daTi1,000 D..cm(variasi aIDS dari 20 ~ sampai dengan 60 ~). Untuk variasi waktu, grafIk gambar 4 aIDSion dopan 40 ~, semua resistivitasnya kurang daTi 1,000 D..cm. Secara lengkap yaitu untuk lama implantasi 5 menit (p = 0,819 D..cm),15 menit (p = 0,916 D..cm),25 menit (p = 0,805 D..cm), 35 menit (p = 0,764 D.cm) clan45 menit (p = 0,913D..cm). . . ""
A
(v !
tos_~...
!
a
.
,,'
i!
=
A- "'_1
.ii I: .11
0- ...,-
a.. ...,...'
,
a.
"P".. .::s ~. ~":f"'" .
"h..." ..,laC
=
s:
:: B
A- ,,"-,
,.s. '0"..-' "," ","
..- I. 0'.... ""
so"
..'7
10
It
10... 10... .C..-Z' )
Gambar 2. Grafik IIubungun untara Ps dengun Cs untuk variasi lama implantasi
""""'-!'... -;.---:.
{yJ
I ..,"
t
j
"--
. . =-:"" -" ..,100
A-1. ZOpA
J
K-l'O.pA
R
;I 'II'
,.,.,"'.-'
.~
A- 1.ZOpJ .--
.- 1- ,"p.I
.
.
. .,"
,rI' .""
.
--
So)(JI"
"... 1.0.1'"
- .....
\
'oJ
..
.". -,,'
r--. =
'-
/'
...-.
~
(yJ t .
..,"
j
..-
G'
I
.""
..",'
.
"
29
10"".;".", ........... -..laC ,.,.,."..-'
~,
i!
A- .. ,.......
.
...°
...,.
'II'S
'II" 108%8_'8
.- S.......
,<>'T
,. ..
.C_-I' )
Gambar 1. Grafik IIubungun aniara ps dengun Cs untuk variasi arus ion dopan.
ISSN 0216~3128
I
~.,., Jj
",
4- s.s...... -- So4......
1tf'
,. Ii
","
..."" ..n-UUI _AI
,.2>.
--LlLU.I ..p.
(.-,)
Gambar 3. Grafik IIubungun aniara p dengun N(x) untuk varWsi arus ion dopan.
Amir Supriyanto, dkk.
l'rosillillg PertenuwlI doli Presentasi Ilmialr PPNY-BATAN, Yo!:yakarta 25-27 April 1995
Bill", I
30
." ..
..10'
»"-81
-
- 'al"
.
"
..,.
/
.. ?""ONU
~ 1 ..,'
-t =.
..~..... e ~.~..... ;; '0' ..-...... ~
...,.. -,.- ..».... ,."-<
,...-'
"P""
\:
'.5. 10"..-'
§
10'
I
10
'""
'"..
'"'s ,,:>Us"'...
I
..
$.
g' a
'""
11 10
.C ..-")
100
-!
Gambar7,
i!
,
.- .." ~,
§
0- ...,...
.,..L ,. 10
,,~ 10
Gambar
4.
"'.
10~ ,.U 11n",o (..-J)
,p.
,;.
Grafik hubungan antara p dengan N(x) untuk variasi lama implantasi.
.., - "',...
.. ....... ,.,....
.'°'" '.+,,.1°"'" ",' - I.. "-~ ':i . . ~
!:~f""
.,0 "'u
.."
lZ 10
.om .;" '!',.", ,.a>.d<_-')
Grafik
GambarS.
..
. ...
- ,,'go;......
III/bllllgal/
alliara
dell gall N(x.) IIlItllk variasi implal/lasi,
~ ,,2 .. a a - ,,; i
.~
CIA lama
I 11 """'" -......-
~ bY 10°
'"Ii
q 10
N 10
<e8-.u>% "'~..
Gambar
" (
..-'
A
."
)
6. Grajik III/bllllgal/al/tara
VBdel/gall
N(x.) Plllla ill/plal/lasi B
ke dalam Si,
Amir Supriyanto, tlkk.
Grajik III/bill/gal/ aI/tara p dellgalt Cs hasil pel/elil;al/ l7ellgal/ pelldekatall Illmya ;01/ 11B+ yal/g lerimpltmtlL5; mel/gel/a; Cllplikllll.
2Z
Kara!)teristik resistivitas dan kapasitansi lapisan deplesi liar satuan luas hc'1silpercobaan ini, untuk variasi ams ion dopan (lama implantasi tetap) kurang baik jib dibandingkan dengan variasi lama implantasi (ams ion dopan tetap). Schab pacta pelaksanaan percobaan dengan Implantor ion mengendalikanarus ion dopan dibuat tetap akan lebih mudah (dengan l11engatur arus elektromagnet, tegangan anoda, tegangan ekstraktor dan aliran gas derail) jika dibandingkan mengubah besamya ams ion dopan. Kondisi sistem perangkat tersebut akan mempengamhi hasil il11plantasi. Kapasilonsi lapison dep/esi, Untuk variasi waktu (grafik pacta gal11har6) yang sesuai dengan teori adalah gambar 6 arus ion dopan 30 J.l.Adan 40 J.l.A.Secara lengkapuntuk arus ion dopan 30 ~lAlama implantasi 5 menit (CIA = 109,8154 pF.cl11-2),15 menjt ( CIA = 240,4066 pF.cm-2),25 menit (CIA = 152,1009 pF.cm'\ 35 menit (CIA = 269,4539 pF.cm-2)dan 45 menit, (CIA = 109,8154 pF_cnf2). Pactaarus ion dopan 40 ~lAlama implantasi 5 menit (CIA = 227,6559pF.Cl11-2), 15menit(C/A= 158,4893 pF_cnf\ 25 menit (CIA = 295,5972pF.cnf\ 35 , menit (CIA = 295,5972 pF.cm-2)dan 45 menjt (CIA = 242,7561 pF.crn-2). Tegongon dada/. Dari 25 cuplikan pacta penelitian terdapat 8 cuplikan yang memiliki tegangan dadallcbih bcsar dari 20 ,"olt, yaitu : Ams ion dopan 20 ~lA(t = 25 menit, VB= 28,1 V dan t = 15 l11enit,VB= 23,4 V), arus ion dopan 30 J-lA (t
= 5 menit,
VB = 25,1 V dan t = 5 l11enit,VB = 23,1
V), arus ion dopan 40 ~lA(t = 5 menit, VB= 26.6 V dan t = 35 menit, VB = 21,2 V scrta t = 45 menit,
ISSN 0216-3128
Prosidi.lIg Pertemuall JaIl Preselltasi IImia" PPNY-BATAN. Yo~J'akarta 25-27 April 1995
VB
BukuI
31
= 20,1 V), dan arus ion dopan 50 !-LA(t = 5 menit,
VB= 22,4 V). Sambungan N-P akan baik bila memiliki resistivitas rendah, kapasitansi persatU3nIuds besar dan tegangan dadal cukup besar. Sebab bila digunakan sebagai penyearah arus Estrik AC dengan kriteria terse but tidak menyerap tegangan daB sambungan N-P tidak cepat rusak.
8.
Layers" Ion Implantation in Semiconductor and Other Matrials ea. (Crowder, B.L.), Planum Press, New York, London, 215-224, 1973. SZE, S.M. "Physics of Semiconductor Devices" Second edition, John Wiley and Sons, New York, 7-57, 1981.
TANYA-JAWAB
KESIMPULAN Telah dilakukan pengukuran terhadap wafer Silikon tire N yang diimplantasi dengan gas dopan Boron clanmendapatkan kesimpulan yaitu: Untuk implantasi ion dengan gas dopan BF3dengan energi p£!.11ercepat60 keV cuplikan silikon dengan orientasi, sifat kelistrikan optimum diperoleh pada kondisi arus ion dopan 40 !-LAclan lama implantasi 5 menit (dosis dopan 5,952 . 1015Cm'\ Karakteristik kelistrikan optimum tersebutadalah p = 0,816 ncm, ps = 322 Dlsq, (CIA) = 221,6559 pF.cm clan VB= 26,6 volt.
DAFTAR PUST AKA 1. AKASA, YOUICHI DAN HORlE, KAZOU. "Channeling Analysis and Electrical Behavior of Boron Implanted Silocon" Ion Implantation in Semiconductor and Other Matrials ed. (Crowder, B.L) Planum Press, New York, London, 147-157,1973. 2. HOWKER, W.K., WERNER, H. W., OOSTHOEK, D.P.DAN DE GREFTE, HAM. "Experimenal Analysis of Concentration Profiles of Boron Implanted in Silicon" Ion Implantation in Semiconductor and Other Matrials ed. (Crowder, B.L.) Planum Press, New York,London, 133-145,1973. 3. JAEGER, Rc. "Introduction to Microelectronic Fabrication cation" Modular Series on Solid State devices, Addisonsley Publishing Company, New York, 1988. 4. MAYER, J.W, ERIKSSON, L, DAN DAVAIS, J.A. "Ion Implantation in Semiconductor" Academic Press, New Yolk, 1970. 5. REKA RIO, S DAN IIDA, M. 1982, "Fisika clan Teknologi Semikonduktor" PTPradya Paramita, Jakarta, 1982. 6. RYSSEL, H DAN RUGE, 1. "Ion Implantation" John Wiley and Sons, New York, 1986. 7. RYSSEL. H., MULLER, H., SCHMID, K. DAN RUGE, I. "Boron Doping Profiles and Anealling Behavior of Amorphous Implanted Silicon
ISSN 0216-3128
Darsono - Berapa dosis dopan terendah yang saudara gunakan untuk meneliti sifat kelistrikan pacta percobaan saudara. - Saudaramenerangkanbahwa dalam penelitian ini tidak menggunakan magnet pembelok, bagaimana pengaruh kontaminasi gas seldin boron. Apakah diteliti/diperhitungkan hasil saudara. Amir Spriyanto -
Dosis terendah yang digunakan 2,976 xl 0/5 cm.2 berdasarkan teori dosis yang diijinkan untuk setiap imp/antasi antOl"a10/2saIl/poi dengan 10/8 cm .2.
-
Gas yang terbentuk selDin boron (sebagai pengotornya) tidak dite/ifi tetapi dipero/eh secm"a teori.
Adianto - Bagaimana cara pengukuran tegangan dadal yang bapaklakukan?
-
Atau lebih lengkap lagi pacta pengukuran
suat
kelistrikan dilakukan pengukuran photoresponse /photoconductivity, Band gap, "Carrier concentration"
.
Amir Spriyanto -
Tegangan dada/ diukur sete/ah cuplikan dibuat kontak (pada N dan P), kontak tersebut dengan kontak ohmik. Kemudian diberi tegangan maju (diukurI dan Vnya) dan diberi tegangan mundur (diukur I dan V nya) hingga dicapai pada I maksilllulII(V dado/). - 1I1emangbenar, tetapi penelitian be/unl sampai pada masa/ah tersebut.
Anwar Budianto -
-
Suhu anil 650 °c dipilih, berdasarkan apa pemilihan suhu terscbut? Mengapa tidak 900 °c atau di alas 1000 °c. Apa arti fisis Dlsq? Berapa ukuranldimensi cuplikan yang saudara pakai?
Amir Supriyanto, dkk.
Amir Spriyanto Pemi!ihan berdasarkan teori suhu ani! 600 °c J000 Dc. - Artifisis 0Isq yaitu ohm tiap persegi.
-
Amir Spriyanto
-
-
Kondisi t = 5 menit memang keadaan awal hila ditinjau perubahan waktu//ama imp/antasi. Tetapi yang ditinjau disini ada/ah perubahan dosis dopan yang bergantung pada I don t. Sehingga kalau ditinjau dari dosis dopan t = 5 menit tidak selalu kondisi awa/, bisa menjadi kondisi ke 2, 3, 4 don 5. FacIat 5 menit (t = J, 2, 3, 4) mungkin diperoleh r yang /ebih besar, untuk arlls (1)yang tetap (dosis atoLlkonsentrasinya lebih kecil dati t = 5 menit). Tetapi tidak untuk I yang lebih besar. - Dasar pemi/ihan t = 5 menit sampai dengan 45 menit adalah perubahan dosis dopan, dengan memperhatikan ants ion dopan. - Alenllrut teori p, akan menllrlln dengan naiknya dosis dopan. FacIa hasi/ penelitian ini SF3 membentuk . beberapa ion, sehingga . . j JJ+yang .
B. Tjipto Suyitno - Dengan lama implantasi t = 5 menit akan diperoleh sifat kelistrikan r yang optimum, pacta hal t = 5 menit, merupakan kondisi awal dari suatu percobaan, bagaimana pactakondisi paclat = 1,2, 3, 4 menit (t 5 menit) mungkin bisa diperoleh r yang lebih besar? Apa yang menjadi dasar pemilihan waktu t = 5 menit t = 45 menit dan berapa intervalnya? Bagaimana mekanisme perubahan sifat kelistrikan wafer sehingga ia bisa meneapai ma;'i:imumclanakhimya menurun lagi. - Apa artinyajangkau terproyeksi, bagaimana earn mengukumya? Tentang istilah "terproyeksi" pacta jangkau terproyeksi, seolah- olah mempunyai arti atau "sesuatu yang terproyeksi", mohon penjelasan!
-
ProsidiJIC Pertemllall dolI Preselltasi llmiol, PPNY-BATAN, Ya/r.l'okarlo 25-27 April199S
Bllk"l
32
-
-
,f, bk l waJer tenmp Iants! paGa II 'an soJa S tetap! ado ion pengkotor lain sehingga karakteristik p, vs C, tidak tepat benar. Arti jangkou terproyeksi (Rp)yaitu jangkau yang paling banyak dicapai pada implantasi i011.
--.-
Amir Supriyanto, dkk.
ISSN 0216-3128
