ISSN 14/1-1349
Edisi khusus. .fuli 2006
PEMANFAATAN IMPLANTOR SURFACE TREATMENT
ION 150 keV/2mA UNTUK
Tjipto Sujitno PTAPB-BATAN
ABSTRAK PEMANFAATAN IMPLANTOR ION 150 keVl2mA UNTUK SURFACE TREATMENT. Implan/or ion merupakan saW diantara jenis akselerator ion yang khusus didisain untuk mengimplantasikan/ menginjeksikan ion-ion dari suatu atom atau molekul kedalam permukaan suaW material atau komponen target. Hingga kini implantor ion secara mantap telah banyak dimanfaatkan untuk fabrikasi komponen utama perangkat elektronik maupun mikroelektronik. Dalam perkembangannya. ternyata pemanfaatan implantor ion tidak hanya terbatas pada bidang elektronik tetapi telah pula dimanfaatkan untuk riset dalam bidang lapisan tipis (thin film) untuk modifikasi sifat-sifat optis. kimia. maupun mekanik permukaan material/komponen. Bahkan kecenderungan saat ini. implantor ion mulai banyak dimanfaatkan untuk riset dalam bidang nanoteknologi. Dalam makalah ini disajikan prinsip dasar dari implantor ion dan beberapa aplikasinya untuk modifikasi sitat-sifat permukaan bahan di I'usat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan (PTAPB). Badan Tenaga Nuk/ir Nasional (BATAN)
ABSTRACT UTILIZATION OF 150 keVl2mA ION IMPLANTOR FOR SURFACE TREATMENT. Ion implantor is one of ion accelerator type which is especially designed for implantation or injection of ions of atoms or molecules into the surface of target materialslcomponents. Untill now. ion implantor has been widely used in fabrication of electronics or micro-electronics devices. In its development, the utilization of ion implantor not on(vfor fabrication of electronics or micro-electronics devices but also for doing research in thefield of thin film for modification of optical, chemical or mechanical properties of the material sw/aces. Now, the ion implantor trends to be used as a tool in nanotechnology. In this paper, it is presented the basic principles of ion implantor and some its applicationfor surface modification at Centerfor Accelerator Technology and Materials Proceeses. National Atomic Energy Agency .
.
Keywords: Ion implimter, surface treatment
PENDAHULUAN yang
seeara
khusus
didisain untuk mengimjenis akselerator ion ion-ion dari suatu alom alau molekul' kedalam permukaan sualu material alau kornponen large\. Proses .irnplanlasi diawali dengan proses pengionan alom-atom atau molekul yang akan diinjeksikan, pemereepatan dalarn tahung akseleralor/pemereepal oleh medan listrik, pemfokusan dalam medan elektromagnet kemudian menembakkannya ke permukaan material target[1 J, Pemanfaatan implantor ion berrnula dari permintaan pasar yaitu pada waktu para ahli fisika nuklir kesulitan dalam memproduksi target tritium yang berbentuk gas dan berbahaya, maka saat itu (sekitar tahun 1965) yang mampu menyelesaikan masalah tersebut adalah teknologi implantasi ion[2l. Untuk memproduksi target tritium yang berujud padatan maka Iritium tersebut diionkan kem.udian ditemhakkan dan disimpan dalam tantalum yang herhentuk padatan. Dengan diperolehnya tritium
Imp,antor ion merupakan plantasikan/menginjeksikan
I'rosedin}!.I'ertemuan don I'resentasi I/miah Teknologi Akselerator dan Aplikasinya I\disi khusus. .fuli 2006 : 62 - 69
dalam bentuk padat maka para ahli fisika nuklir dengan mudah memproduksi neulron cepal dengan eara menembakkan ion deuterium ke permukaan target tritium melalui reaksi nuklir (D,T). Implantor ion yang seeara khusus digunakan untuk memproduksi neutron hiasa dinamakan Generator Neulronl.1l. Dalam perkcmbangannya. ternyata pemanfaatan implantor ion tidak hanya terbatas pad a bidang elektronik tetapi telah pula dirnant'aatkan untuk riset dalam bidang lapisan tipis (thin film) untuk modifikasi si fat-si fat optis. kimia. maupun Bahkan mekanik perrnukaan materiallkomponenI4.71. keeenderungan saat ini, implantor ion mulai ban yak dimanfaatkan untuk riset dalam bidang nanoteknologi. Penelitian aplikasi implantor ion untuk rekayasa bahan untuk perlakuan permukaan material logam dimulai awal tahun 1970-an. Penelitian tersebut difokuskan pada peningkatan sit'at-sifat mekanik permukaan logam maupun sit'at kimia (korosi maupun ketahanan oksidasi) suatu 62
15:'iN 14/1-/349
Edisi khusus, Juli 2006
permukaan komponen. Perbaikan sifat-sifat mekanik tersebut diantaranya adalah sifat kekerasan. ketahanan aus, gesek, maupun ketahanan lelah suatu komponen mesin dan ternyata hasilnya juga sangat menggcmbirakan. Maka sejak itu akselerator ion banyak digunakan tidak hanya dalam bidang industri pembuatan komponen elektronik tetapi juga dalam bidang rekayasa permukaan bahan untuk material non elektronik[8.QI.. Tujuan utama dari aplikasi akselerator ion untuk rekayasa bahan adalah untuk meningkatkan unjuk ke~ia dari suatu bahan/komponen yang telah ada dengan cara menambahkan unsur dengan komposisi dan kedalaman/ketebalan tertentu sehingga terbentuk paduan mikro. Dalam makalah ini disajikan prinsip dasar dari implantor ion dan beberapa aplikasinya untuk modifikasi sitat-sifat permukaan bahan logam di Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan (PTAPB), Badan Tenaga Nuklir Nasional (BATAN).
DASAR-DASAR APLIKASI AKSELERATOR ION (IMPLANTOR ION) Aplikasi akselerator ion (implantor ion) didasarkan pada efek yang tejadi ketika berkas partikel berinteraksi dengan material sasaran. efek terse but dapat dipandang secara makro maupun secara mikro. Secara makro efck interaksi berkas partikel dengan material sasaran adalah penyerapan berkas secara totalltertahannya oleh material sasaran dan penembusan material sasaran oleh berkas partikel. Secara mikro. efek interaksi yang terjadi bisa disebabkan sebagai akibat dari interaksi berkas partikel dcngan elektron dan atau inti atom sasaran. Interaksi berkas partikel dengan elektron atom sasaran dapat mengakibatkan peristiwa eksitasi maupun ionisasi atom/molekul sasaran. Sedangkan pada intcraksi berkas partikel dengan inti atom sasaran peristiwa yang mungkin tc~iadi adalah hamburan clastik, hamburan inelastik maupun reaksi nukl ir. Pada peristiwa eksitasi, clcktron atau molekul material sasaran akan terlempar dari orbit awal ke orbit yang energinya lebih tinggi. Atom atau molekul yang tereksitasi ini dapat melcpaskan sebagian atau seluruh energi yang diserap dengan cara memancarkan foton (photon emmision). Peristiwa tersebut dikenal dengan nama PIXE (Particle Induced X-rays Emission). Dad karakteristik sinar-X yang dipancarkan dapat diketahui jenis atom atau unsur yang tereksitasi, sehingga metode PIXE banyak digunakan sebagai metode analisa unsur yang sangat efektif dan cepa!. PEMANf,IATAN IMPLANTOR ION /50 keV/2mA UNTUK SURFACE TREATMENT 7}iplo
Sly'il110
Pada peristiwa ionisasi elektron dari atom atau molekul terlepas dan peristiwa terlepasnya elcktron atau molekul tcrsebut dapat di ikuti oleh peristiwa rekombinasi, pemulihan kembali atom at au molckul ke keadaan semula (moleculu/' rearrangement) atau dapat pula diikuti peristiwa kimia sehingga terbentuk molekul baru. misalnya untuk proses polimerisasi. Proses tcrsebut dapat dimanfaatkan misalnya untuk mendapatkan varietas tanaman baru atau untuk proses pengawetan makanan. Pada interaksi berkas partikel dengan inti atom, peristiwa yang mungkin terjadi adalah hamburan clastik. hamburan inelastik maupun reaksi nuklir. Hamburan elastik te~iadi bila berkas partikel oleh inti atom dihamburkan selama proses dan berkas partikel maupun inti atom tidak mengalami cksitasi internal. Fenomena ini ban yak digunakan lIntuk penyclidikan karakteristik dan kontaminasi permukaan material ("Investigation of Material Surfaces ''), penyelidikan kedalaman, profil ion-ion yang terimplantasi kedalam suatu material maupun untuk mengetahui stoichiometric suatu .senyawa. Teknik ini dikenal dengan teknik RBS ("Rutherford Backscattering") yang merupakan kejadian khllsus dari peristiwa hamburan elastik dengan sudut hamburan 180°. Pada hamburan inelastik inti atom sasaran akan mengalami eksitasi, peristiwa eksitasi inti tersebut diikuti peristiwa langsung deeksitasi sambilmemancarkan sinar -y ("Gamma 1:'mi.l'.I'iol1"). Peristiwa tersebut dikenal dengan teknik I'IGE ("Particle Induced Gamma Emission .'). Metode ini banyak digunakan sebagai alat analisa lInslir yang sangat ampuh dan dapat dikomplementasikan dengan tcknik fIXE. Pada reaksi nuklir, tumbukan berkas partikel dengan inti atom target menghasilkan inti atom baru. Peristiwa ini digunakan sebagai salah satu cara untuk memproduksi radioisotop yang banyak digunakan dalam bidang medis. Hila jenis ion yang digunakan adalah deuterium dan targetnya tritium (D,T) maka selama reaksi akan dihasilkan Neutron 14,5 McV. Ncutron tcrsebut dapat dimanfaatkan untuk analis unsur dan dinamakan APNC (Analisa Pengaktipan Neutron Cepat) atau sering pula dinamakan FNAA (Fast Neutron Activation Analy~·is). Teknik ini sangat teliti (batas limit deteksinya hingga dalam orde 10' untuk analisa 9% atom dan dapat dimanfaatkan un sur dari yang ringan hingga berat.
IMPLANT ASI ION Jmplantasi ion adalah suatu proses penambahan unsur asing (dopan) kedalam permukaan material sasaran dengan cara pengionan atom asing terse but, pemercepatan dalam tabung akseleratorl 63
{SSN /411-/349
Edisi khllslIs . .filii 2006
pemercepat oleh medan listrik, pemfokusan dalam medan elektromagnet kemudian menembakkannya ke permukaan material target.' Adapun komponenkomponen dari mesin implantor ion meliputi sumber ion, sumber daya listrik tegangan tinggi, sistim hampa, sistim pemisah berkas ion, tabung pemercepat, penyapu berkas dan tempat target.
PARAMETER
PROSES IMPLANT ASI
Dalam aplikasinya, untuk mendapatkan hasil yang optimum, maka faktor-faktor yang harus diperhatikan adalah pertama parameter proses dan yang kedua diagram fasa. Parameter proses meliputi energi (E), dosis/intensitas (D) dan jenis ion yang diimplantasikan maupun jenis material sasaran. Energi ion akan menentukan kedalaman penetrasi ion terimplantasi, sedangkan dosis ion akan menentukan jumlah atau prosentase atau konsentrasi atom yang terimplantasi dalam meterial sasaran. Besarnya dosis ion ditentukan oleh nilai arus berkas (IlA) maupun lamanya proses implantasi (detik). Pemilihan jenis ion maupun bahan target akan sangat menentukan sifat-sifat akhir yang diinginkan. Sebagai eontoh untuk mengeraskan permukaan komponen yang berbasis besi (Fe) maka jenis ion yang paling tepat adalah ion nitrogen (N), karbon (C), TiN ataupun AIN. Sedangkan untuk meningkatkan ketahanan korosinya, ion yang paling tepat adalah chrom (Cr) atau aluminium (AI). Adapun diagram fasa sangat penting karena diagram rasa merupakan petunjuk jumlah % atom yang harus diimplantasikan untuk menuju fasa tertentu.
= =
Q e
Charge state (+1, +2, +3
Muatan keunsuran elektron (1.602x H)'lq coulomb)
Energi ion (keV) Besarnya energi ion diperoleh dari tegangan pemercepat yang terpasang pada tabung pemercepat. Energi kinetik berkas ion akan menentukan kedalaman penembusan (penetration depth) atau jangkau ion (range) juga akan menentukan profil distribusi konsentrasi ion-ion dalam material target. Besar kecilnya energi ion ini dapat dikontrol dengan mengatur besarnya tegangan tinggi pemercepat yang terpasang. Jangkau
Ion (Range)
Berkas ion dengan energi awal Eo (keY), dalam pe~ialanannya memasuki target sasaran karena berinteraksi dengan elektron maupun inti target akan kehilangan energinya dan akhirnya berhenti pada tempat tertentu. Besarnya kehilangan energi tersebut secara matematis dapat dituliskan dalam bentuk persamaan (2),
dengan, dE/dx (dE/dx)" (dE/dx). N
Dosis Ion Yang Diimplantasikan Dosis ion didetinisikan sebagai jumlah ion yang sampai pada permukaan target persatuan luas (ion/cm2) berkas. Besaran iniakan rnenentukan jumlah atau prosentase ion yang terimplantasi. Nilai dosis ion sebagai fungsi arus berkas ion dan lamanya proses implantasi (detik). Dalam prakteknya nilai dosis ion dapat diatur melalui dua cara yaitu dengan memvariasi besarnya arus ion sedangkan waktunya dibuat tetap atau lamanya proses implantasi divariasi sedangkan arus berkas ion dibuat tetap. Secara matematis dosis ion dapat dituliskan dalam bentuk persamaan ( I), D=
.3....
ion/
em2
qeA dengan, { II
Arus berkas ion Lamanya proses implantasi (detik) Luasan berkas (cm2)
Prosedillg Pertemllan dall Presentasi IImiah Tekn%gi Ahe/eratol' dall Ap/ikasinya {,'disi khllSIIS, .filii 2006 :, 62 - 69
(I)
dst)
s"
S.
kehilangan energi total kehilangan energi elektronik kehilangan energi nuklir rap at massa pusat hamburan dari bahan target daya henti elektronik daya henti nuklir
Jarak total yang ditempuh oleh ion dalam target dihitung pad a saat ion masuk target sampai ion berhenti di suatu lokasi dalam kisi-kisi atom target disebut jangkau ion. Secara matematis jangkau ion dalam suatu bahan dapat ditulis dalam bentuk persamaan (3), 2/J
i
2/J
1/2
+2,)
R=60(m,+m,)(Zi
(3)
pm,m.,
dengan.
Z;
Massa atom (amu,gram) Massa atom target (amu. gram) Nomor atom ion
2"
Nomor atom target
P
Rapat massa target (glcmJ)
E
Energi ion datang (keY)
m;
m.•
64
IS\'N J./1I-1349
[,disi khllslIs. JlIli 2()()6
Untuk kepcrluan tcknis, didctinisikan suatu bcsaran jangkau ion yang scarah dcngan arah ion mula-mula (kornponen Rt yang scarah dengan arah ion mulamula). dan besaran ini dinamakan jangkau tcrproycksi (Rp). Pcrbandingan jangkau total dcngan jangkau tcrproycksi dinyatakan dcngan pcrsamaan (Dcarnaley, et.a!.. 1973)
-=(5+A)--arc.cos II, I{ (I+A) R"
4
--
(I-A) I+ A
2A
(4)
-1-3A
1\=rn,/rn; BHa m,<m;, maka persamaan didckati dengan persamaan berikut
}
dcngan
diatas dapat
jangkau ion terproyeksi juga tergantung pada dosis ion (D) dan simpangan baku (crRp)' yang sccara matematis dapat dituliskan dalam bentuk; (8) N(X)=.
D
~2JT(Y
HI'
exp[- I(x-20" RI,)2] HI'
Sccara perhitungan, jangkauan tcrproyeksi. simpangan baku maupun bentuk lintasan berkas ion maupun prolil distribusi ion-ion terimplantasi dapat dcngan mudah dan ccpat dihitung menggunakan program TRIM (TramporllnJeracJion inlo Maleri) Untuk kedalaman x = Rp maka pcrsamaan diatas menjadi, D
-=1+-= m, +-A RI
(5)
1
R,
3m,
Bentuk lintasan ion dopan dalarn suatu material dapat digambarkan seperti pada GambaI' I.
Gam bar 1. Bentuk lintasan suatu material.
ion dopan dalam
; I L.. R="R I
(6)
I
1/2
Distribusi
= 4(m: m,) [mj]m" 3m + m,
Konsentrasi
R I'
(7)
Ion Terimplantasi
Proses perlarnbatan ion-ion yang bergerak dalam padatan merupakan proses statistik, oleh karena itu lokasi ion-ion yang terimplantasi bentuknya juga statistik dan profil distribusi ion pada kedalaman x mcmenuhi persamaan Gausian. Distribusi terse but disarnping tergantung pada PEMANFAATAN IMPLANTOR ION 150 keV/2mA UNTUK SURFACE TREATMENT Tjip/o SlIjitno
=
~27CO"HI'
Jadi pada kcdalaman x = Rp, merupakan kedalaman dimana konsentrasi ion yang terimplantasi merupakan konsentrasi yang maksirnum . •
Pada kedalaman x = Rp ± crRp' maka konsentrasi ion yang terimplantasi tinggal 0,61 Nmak" atau sekitar 61 %.
•
Pada kedalaman x = Rp ± 2crRp' maka konscntrasi ion yang terimplantasi tinggal 0,14 Nmak,. atau sekitar 14 %. Pada kedalaman x = Rp ± 3crRp' maka kOl1,')entrasi ion yang terimplantasi tinggal 0,0 I Nmak •• atau sekitar I %.
APLIKASI IMPLANTOR
ION UNTUK
SURFACE TREATMENT
JUllliah tumbukan dan perpindahan encrgi untlik sctiap kali tumbukan adalah bersirat acak, schingga suatu ion do pan dcngan energi awal sama akan mcmpunyai jangkau yang berbcda. Perbedaan jangkauan ini mengakibatkan adanya simpangan baku distribusi ion terproyeksi (crRp). Besarnya simpangan baku tersebut adalah,
auI'
N(x).,ah
3
(9)
1\plikasi irnplantor ion untuk swface treatment disini dimaksudkan untuk permukaan bahan logam scperti misalnya untuk peningkatan kekerasan, ketahanan aus, ketahanan lelah, kctahanan gesek, ketahanan korosi maupun oksidasi. Karena yang ditingkatkan kualitasnya hanya permukaannya saja maka teknik ini biasa dinarnakan surface treatment (perlakuan permukaan). Jcnis akselerator ion yang banyak digunakan dalam bidang rekayasa permukaan bahan adalah jenis I MeV). dan arus akselerator energi rcndah « berkas ion dalam orde ratusan !-IA serta jenis ion yang dapat divariasi, dari atom ringan hingga be rat maupun dari material gas hingga padatan (harus dibawa ke rasa uap dahulu). Jenis aksclerator ini biasa dinamakan Implantor Ion (Ion Implantor). yang secara khusus dirancang untuk mengimplimtasikanlmemasukkan atom asing ke dalarn suatu bahan (paduan). Karena kedalaman penetrasi ion dalam orde !-1malat ini hanya cocok 65
ISSN 14//-1349
Edisi khusus. Ju/i 2006
untuk perlakuan permukaan (surface treatment). Tabel
10
I.
Beberapa gunakan
kegiatan implantor
riset dengan berbagai ion di PTAPB-BATAN,
jenis ion, target Yogyakarta.
II
maupun
tujuan
meng-
42 17 N 12 10,Umur 18 39 korosi 44 PSS Si Pembuatan isolator 19.25 terkubur Glass Er optis 31.32 33 lelah 13.14 Cu AI Jcnis Ion Jenis tamet Acuan Fe elektrik TiN Mo SS B 316 316 LL, L13MA Sambungan Sifat Elektrik 15.21.40 P-N 20.22 26 38 Sambungan Resistivitas P-N Peningkatan 41.37 uniuk 16, keria sensor gas Korosi Tuiuan Kekerasan, Ketahanan lelah. Ag Fe20Cr5AI Ketahanan oksidasi Y,Ce O2 SS 316 956, FeCrAl, Ketahan aus lelah, dan Kekerasan pemakaian oksidasi, Ketahanan 10,28,29,3 lelah Mg,La Ce,Mo Si, Ge, Si ZnO amorf Si amorf Sn02, Ce02, ZnO thin Korosi, film Kekerasan, Ketahanan Umur pemakaian dan L~iu pcngeboran Baja AISI No Pt,Au,Pd B~ia Karbon Rendah AISI 0
Dibanding metode konvensional pcrlakuan permukaan mengguqakan implantor ion mempunyai beberapa keunggulan maupun kelemahan. Keunggulannya adalah, (I) proses dapat dike~jakan pada tempcratur kamal', dengan demikian kemungkinkan timbulnya thermal stress dapat dihindari (2) tidak ada perubahan' dimensi yang berarti dari material! komponen ditreatment, (3) prosesnya lebih cepat (dalam orde men it, jika dibandingkan dengan yang konvensional ordenyahari), (4) tidak periu perlakuan lagi (reheat treatment). (5) kedalaman penyisipan maupun distribusi atom dapat dikendalikan secara akurat dengan cara mengendalikan tegangan pemercepat (6) kemurnian atom sisipan dapat dipilih secara akurat dengan menggunakan spektrometer massa yang tersedia pada mesin implantor ion. Sedangkan kelemahannya adalah teknologinya sangat komplek dan harganya mahall diperlukan modal awal yang cukup besar. Beberapa kegiatan riset dengan berbagai jenis ion, target maupun tujuan dengan menggunakan implantor ion di PT APB-BA TAN, Yogyakarta dis~jikan npada Tabel I.
I'roseding Pertel1/!/an dan I'resenlasi Aksele/'Gfor dan Ap/ikasinya Edisi khusus. Juli 2006 : 62 - 69
IImiah Teknologi
KESIMPULAN Dari uraian di atas dapat diambil beberapa kesimpulan; • Dalam memanfaatkan akselerator ion untuk surface treatment, beberapa hal yang perlu diperhatikan yaitu; parameter proses implan. ta.;;. pengetahuan tentang sifat-s({cll material maupun diagramfasa. •
Parameter proses implantasi mcliputi energi (E), dosis/intensitas (D) dan jenis ion yang diimplantasikan maupun jenis material sasaran. Energi ion akan menentukan kcdalaman penetrasi ion terimplantasi. sedangkan dosis ion akan menentukan jumlah/proscntascl konsentrasi atom yang terimplantasi dalam material sasaran. Besarnya dosis ion ditentukan oleh nilai arus berka..~ (IlA) maupun lamanya proses implantasi (detik).
•
Pengetahuan tentang sifat-situt material khususnya dalam pemilihan jenis ion maupun bahan target sangat penting, hal ini berkaitan dengan sifat akhir yang diinginkan.
•
Pengetahuan tentang diagram fusa dari sistem atom yang diimplantasikan dengan material target juga sangat diperlukan. karena diagram 66
ISSN 14//-1349
Ed~ikhusus.Juli2006
fasa merupakan petunjuk berapa jumlah % atom atau % hemt yang harus diimplantasikan untuk mcnuju rasa tertentu juga dari diagram fasa dapat diketahui batas kelarutan atom-atom target.
Reports. A Review Journal. North Holland. Amsterdam. [10]
UCAPAN TERIMA KASIH Ucapan terima kasih yang sebesar-besarnya kepada Sdr. Sumarmo yang telah memhantu dalam pengetikan dan koreksi naskah.
[I]]
logi Akselerator dan Pemanfaatannya di Indonesia, Prosiding Seminar Pertemuan dan Presentasi I1miah Penelitian Dasar I1mu Pengetahuan dan Teknologi Nuklir. PPNYSATAN. 23-25 April 1998.
muan dan Presentasi I1miah Teknologi Akselerator dan Aplikasinya, Vol 1 Nomor 2 Descmbcr 1999, hal. 49-6]. []2]
[3] RYSSEL. H.I.. Ion Implantalion. John Willey & Sons. New York. 1989.
B.A. TJ]PTO SUJITNO. ION. Pengaruh Ion WIDODO,
Prosiding Pertemuan dan Presentasi I1miah Teknologi Akselerator dan Aplikasinya. Vol I Nomor 2 Desembcr ]999. hal. 62-66. [13]
LELY TJlPTO
SUSITA R.M, SUDJATMOKO. SUJITNO. Distrihusi Konsentrasi
Ion yang Terimplantasi pada Baja Tahan Karat Tipe AISI 316 L, Prosiding Pertcmuan
H.• Modification of The Surface
dan Presentasi I1miah Teknologi Aksclcrator dan Aplikasinya. Vol I Nomor 2 Descmbcr 1999. hal. 67-73
Mechanical Properlies of Ferrous by Nitrogen Ion Implantation. Proceeding or 3'd International Conference on Modification of Surface Properties of Metals by Ion Implantation, Pergamon Press, Oxford.] 981.
MUDJlJANA. OUNA W AN
Aluminium pada Ketahanan Lelah Ternbaga.
[2] DEARNALEY. O. et.al, Ion Implantalion. North Holland Publishing Company, Amsterdam. 1973.
[41 IIERMAN.
KUSMINARTO. NENOAH MAHARTA. SUDJA TMOKO. Pengaruh Dosis dan Energi
Ion Nitrogen Terhadap Kekerasan Mikro Permukaan Baja AISI H13. Prosiding Perte-
Prof. Dr .• Pengembangan Tekno-
DJALOEIS.
M.MUNA WIR Z. PUDJI UNTORO. Aplikasi Ion untuk Peningkatan Elemen Reaktif dan Pengaruhnya Terhadap Kualitas Bahan. Prosiding Pcrtemuan dan I'rescntasi I1miah Teknologi Akselerator dan Aplikasinya. Vol I Nomor 2 Desember ] 999. hal. 42-48.
DAFT AR PUST AKA [I]
1989.
[14]
HERU SUDIONO. DEDY HERWANTO. SUDJA TMOKO. LEL Y SUSITA. RM,
1'.• Surface Modification of Industrial Components by Ion Implantalion.
Perubahan Kekerasan pada Bahan Stainless Steel akibat Implantasi Ion Nitrogen.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. B 24/25 (506-51 ]), North Holland. Amsterdam, ]987.
Prosiding Pertemuan dan Prescntasi I1miah Teknologi Aksclcrator dan Aplikasinya. Vol I Nomor 2 Dcscmber 1999, hal. 1] ]-I ] 4.
[5 J SIOSI-IANSI.
Corrosion 1'., WOLF, O.K., Behaviour of Ti Surface Ion Beam Alloyd With Pd. Nuclear Instruments and Methods in
[6] MUNN.
Physics Research. B 7/8 (515-517). Holland. Amsterdam, ]985.
North
O.K .• SMITH. F.A, Application of Ion Implantation to Wear Protection of Materials. Nuclear Instruments and Methods
[7] HUBBLER,
in Physics Research. B 7/8 (205-2] I). North Holland. Amsterdam, 1985. Z .. et.al., The effect of N Ion Bombardment on Aquaeous Corrosion of
[8] PEIDE.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. B 7/8 (195-199), North Holland. Amsterdam. ]985. /ron.
[9J WHITE,
C.W .• et.al.,
PEMANFAATAN IMPLANTOR SURI'~4CE TREATMENT Tjiplo Sujill10
Materials Science
ION 150 keV/2mA UNTUK
[]5]
SRI SULAMDARI. SUDJATMOKO. NURAINI. NOVY MORRISKA
ELIN W.•
Pernbuatan Samhungan P-N Semikonduktor dan Pengaruh Dosis Ion Dopan Fosfor Terhadap Nilai Resistivitas Lapis Keping SemikondukJor, Prosiding Pcrtcmuan dan Prcsentasi I1miah Teknologi Akse\crator dan Aplikasinya, Vol I Nomor 2 Descmber 1999. hal. 79-86. [16] TJIPTO SUJITNO. SUDJATMOKO. LELY SUSITA RM, AOUS SANTOSO. Ejek
Implantasi Yllriumpada Material Baja Tahan Karat Tipe AISI 316 L Terhadap Sifat Ketahanan Korosi dalam Media Asam sulfat(H_.sO~.PH = 1.06), Prosiding Pertcmuan dan Presentasi I1miah Teknologi Aksclcrator dan Aplikasinya, Vol 2 Nomor I November 2000. 67
Edisi khllslIs. Jll/i 2006
117]
[18]
[19]
[20]
[21]
[22]
[231
/SSN /./11-/3./9
hal. 81-86.
[24]
MUDJIJANA. ANIS RIVAl. TJIPTO SUJITNO. Pengaruh Implantasi Ion Nilrogen pada Baja Karbon Medium Terhadap Kelahanan Lelah, Prosiding Pertcmuan dan Prcsentasi Ilmiah Tcknologi Aksclerator dan Aplikasinya, Vol 2 Nomor I Novcmber 2000, hal. 87-91.
SIGIT PURWANTO. SLJKIDI. TJII'TO SLJJlTNO. AGUS SANTOSO. Aplikosi Teknik Imp/antasi Ion Unluk Peningkalan Unjuk Kerja Bahan Mala Bar, I'rosiding Pcrtcmuan dan Prcscntasi IImiah Tcknologi Akselerator dan Aplikasinya. Vol 3 Nomor I Fcbruari 2001, hal. 37-41.
[25]
SA YONO. DARSONO. TJIPTO SUJITNO. Pengaruh Imp/anlasi Ion Oksigen Terhadap Resislivilas dan Slruktur Mikro Sitkon, Prosiding Pertemuan dan Presentasi Ilmiah Teknologi Akselerator dan Aplikasinya. Vol 3 Nomor I Februari 2001. hal. 59-63.
[26]
LELY SUSITA. RM. SUDJATMOKO. SAHAT SIMBOLON. TJIPTO SUJIl"NO. Pengaruh Implantasi Ion Nitrogen dan Molibdenum Terhadap Ketahanan Korosi Permukaan Baja Tahan Karat Tipe 3/6 L. Prosiding Pertemuan dan Presentasi Ilmiah Teknologi Akselerator dan ApIikasinya, Vol 3 Nomor I Februari 200 I hal. 64-70.
[27]
ELIN NURAINI. LEL Y SUSIT A. RM. SA YONO, Karakterisasi A/Mg: yang Diimp/antasi dengan Ion Dopal/. Prosiding Pertemuan dan Prcscntasi Ilmiah Tcknologi Akselerator dan Aplikasinya, Vol 3 Nomor I Fcbruari 2001 hal. 71-75
[28]
SUDJATMOKO, TJIPTO SLJJITNO. PUDJI UNTORO, H,J .• KLAAR, Perbaikan Kelahanan Oksidasi Suhu Tinggi Bahan MA 956 dengan Penambahan Elemen Reaktif Yllrium Menggunakan Teknik Implantasi 1011. Prosiding Pertemuan dan Prcscntasi Ilmiiah Teknologi Aksclerator dan Aplikasinya. Vol 3 Nomor I Februari 200 I hal. 90-95.
[29]
M. MUNA WIR ZULKARNAIN, TJIPTO SUJITNO. Aplikasi Akse/eralor Tenaga Rendah unluk Peningkalan ketahanan Korosi Temperalur Tinggi dan pengalllatan Dislribusi Keda/aman Penetrasi Ion Yttrium. Prosiding Pertemuan dan Prcsentasi IImiah Teknologi Akselerator dan Aplikasinya. Vol 3 Nomor I Februari 200 I hal. 119-126
LEL Y SUSIT A, RM, AGUS SANTOSO, TONO WIBOWO, ELIN NURAINI, Sifal Lislrik Lapisan Tipis Fe-Ag hasillmp/antasi lon, Prosiding Pcrtemuan dan Presentasi IImiah Teknologi Akse\erator dan Aplikasinya, Vol 2 Nomor I November 2000, hal. 105-115. SA YONO, DARSONO, TJIPTO SUJlTNO, TOTO TRIKASJONO, Pengaruh Dosis Ion Oksigen Yang Diimplanlasikan ke dalam Semikonduklor Silikon pada Tenaga /00 keV Terhadap Pembentukan Lapisan Isolalor Terkubur, Prosiding Pertemuan dan Presentasi IImiah Teknologi Akselerator dan ApIikasinya, Vol 2 Nomor I November 2000, hal. 109-115. ELIN NURAINI, SUDJA TMOKO, TJIPTO SUJITNO, Efek Imp/antasi Ion Boron Terhadap Sifal E/eklrik Bahan Semikonduklor Germanium Tipe N, Prosiding Pertemuan dan Prescntasi IImiah Teknologi Akselerator dan Aplikasinya, Vol 2 Nomor I Novembcr 2000, hal. 116-122. SRI SULAMDARI, LEL Y SUSITA, RM, Karaklerisasi Sambungan P-N Hasil Imp/anlasi Ion fosfor pada Lapisan Semikonduktor Tipe P, Prosiding Pcrtemuan dan Prcscntasi Ilmiah Teknologi Akselerator dan Aplikasinya, Vol 2 Nomor I November 2000, hal. 123-131. YUNANTO, TRIMARDJI ATMONO, B.A. TJIPTO SUJITNO, Pengaruh Dosis dan Energi Ion Boron Terhadap Pembentukan Sambungan lnO/Boron, Prosiding Pertemuan dan Presentasi IImiah Teknologi Akselerator dan Aplikasinya, Vol 2 Nomor I Novembcr 2000. hal. 132-138. TOTO TRI KASJONO, DARSONO, SA YONO, Pembualan dan Karaklerisasai Diode Berslruklur MIS Dengan Melode Imp/anlasi Ion, Prosiding Pcrtemuan dan Presentasi IImiah Teknologi Akselerator dan Aplikasinya, Vol 2 Nomor I November 2000, hal. 167-172.
I'msedilli!. Perlell/1I011 dOlll'reselllasi IIl1/iahTekll%gi Ahe/eralor dall Aplikasillya Edisi khllsus. Juli 2006: 62 - 69
[30] ARIS WIDYO NUGROHO. MUDJlJANA. TJIPTO SUJrI"NO. Pengaruh Imp/anlasi 1011 Yllrium (Y) Terhadap Ketahallan Lelah Baja Karbon, Prosiding Pertemuan dan Presentasi IImiah Teknologi Akselerator dan Aplikasinya, Vol 3 Nomor I Fcbruari 2001 hal. 127133 . [31]
TJIPTO SIGIT PURW AN TO, SUKIDI. SUJITNO. SETYO ATMODJO. Uji Ul11ur 68
ISSN 1./11-13./9
Edisi khllslIs. JIIIi 2006
Pemakaian Material Mata Bar yang Diimplantasi Dengan Ion Nitrogen, Prosiding Pertemuan dan Presentasi I1miah Tcknologi Aksclerator dan Aplikasinya. Yol 3 Nomor 2 Novcmhcr 200 I hal. 87-91. 1321 SlJKIDI. TJIPTO SUJITNO. MUDJIJANA. Pengaruh Nitridasi pada Sisi Pahat Bar Terhadap Laju Pengeboran Bahan Aluminum dan Baja Karbon Rendah. Prosiding Pertcmuan dan Prcscntasi I1miah Teknologi Akselerator dan Aplikasinya, Yol 3 Nomor I Fehruari 2001 hal. 120-125 [33]
DJOKO SUPRIJANTO, MUDJIJANA, TJIPTO SUJITNO, Pengaruh Implantasi Ion Nitrogen Terhadap Keausan dan Umur Pahat flSS. Prosiding Pertemuan dan Presentasi I1miah Tcknologi Aksclerator dan Aplikasinya. Yol 4 Nomor. 1 Oktoher 2002 hal. 127133
[341 SRI SULAMDARI, Pembuatan Diode NP dengan Kontak Ohmik Cu }'ang Dideposisikan dengan Teknik Implantasi Ion, Prosiding Pcrtemuan dan Presentasi I1miah Tcknologi Aksclcrator dan Aplikasinya, Yol 4 Nomor. 1 Oktohcr 2002 hal. 99-104 [351 AGUS SANTO SO, SA YONO, Pengaruh Implantasi Ion Boron Terhadap Resistivitas Si/ikon Amorf Terhidtrogenisasi, Prosiding Pertemuan dan Presentasi I1miah Teknologi Akselerator dan Aplikasinya, Yol 4 Nomor, 1 Oktober 2002 hal. 115-119 [36]
[37]
[38]
LEL Y SUSIT ARM, TJIPTO SUJlTNO. Ap/ikasi Akselerator Ion Energi Rendah 150 ke VI2 mA Untuk Peningkatan Ketahanan Lelah Baja A ISI 4140, Prosiding Pertemuan dan Presentasi I1miah Teknologi Aksclerator dan Aplikasinya, Yol 4 Nomor, I Oktober 2002 hal. ]25-130 SA YONO, AGUS SANTOSO. Ana/isis Struktur Mikro dan Tebal Lapisan Implantasi Ion emas (Au) pada Permukaan CeO] Terhadap Sensitivitas Sensor Gas, Prosiding Pcrtcmuan dan Prescntasi I1miah Teknologi Aksclerator dan Aplikasinya, Yol 4 Nomor, 1 Oktober 2002 hal. ]37-145. LELY
SUSITA,
RM,
PEMANFAATAN IMPLANTOR SURFACE TREATMENT Tjiplo Su)il110
TJIPTO
SUJITNO.
ION 150 keV/2mA UNTUK
Perilaku Ketahanan Oksidasi Baja Tahan Karat Tipe A ISI 316 L A kibat Implantasi Elemen Reaktif Cerium dan Mo/ibdenum. Prosiding Pcrtemuan dan Prcscntasi I1miah Tcknologi Aksclcrator dan Aplikasinya. Vol4 Nomor. I Oktohcr 2002 hal. 146-152 [39]
LEL Y SUSITA. RM. TJlPTO SlJJITNO. Implantasi Elemen Reaktif Mg dan I,a Untuk Peningkatan Ketahanan Oksidasi Temperatur Tinggi Paduan Fe20Cr5AI, Pcrtcmuan dan Presentasi IImiah Tcknologi Akselcrator dan Aplikasinya, Yol 5 Nomor, I Oktohcr 2003 hal. ]46-152
[40] AGUS SANTO SO, SA YONO, Pengaruh Variasi Dosis Ion dan Energi Ion Fo.~ror Terhadap Resistivitas Silikon AmarI Terhidrogenisasi. Pcrtcmuan dan Prcscntasi I1miah Tcknologi Akselcrator dan Aplikasinya, Vol 6 Nomor, I Oktohcr 2004 hal. 72-81 [41]
SA YONO, AGUS SANTOSO. Efek Doping Paladium (Pd) pada Permukaan 2nO Sebagai Bahan Sensor Gas Terhadap Sensitivitas Gas NHj. CO. C]/-JjOH. HNOj, Pcrtcmuan dan Presentasi I1miah Tcknologi Aksclcrator dan Aplikasinya, Yol. 6. Nomor I, Oktoher 2004 hal. 82-93.
[42]
SUBARKAI-I. B.A.TJIPTO SUJrl"NO. TRIMARDJI ATMONO, Imp/antasi Ion Erbium Pada Substral Kaca Unruk Peningkalan Sifal Oplis, Pcrtcmuan dan Prcscntasi IImiah Teknologi Aksclcrator dan Aplikasinya, Yo1.6, Nomor 1, Oktohcr 2004 hal. 167174.
[43]
LEL Y SUSITA, RM, B.A. TJIPTO SUJITNO, Efek Implanlasi ion Boron Terhadap Sifal Lislrik Semikonduklor Tipe. N, Pcrtemuan dan Presentasi Ilmiah Tcknologi Akselerator dan Aplikasinya, Yol.7, November 2005 hal. 95-] 05.
[44]
] GUSTI KETUT PUJA. NICODEMUS FAJAR SETIAWAN, B.A. TJIPTO SUJITNO. Pengaruh Implanlasi TiN Terhadap Kelahanan Korosi Baja Karbon Rendah pada Media NaC/, Pcrtcmuan dan Presentasi IImiah Teknologi Akselerator dan Aplikasinya, Yol 7, Novemhcr 2005 hal. 282-287
69
