VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. MIKROVLNNÝ TRANSVERTOR Z 5760 MHz NA 146 MHz

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY

FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV RADIOELEKTRONIKY FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION DEPARTMENT OF RADIO ELECTRONICS

MIKROVLNNÝ TRANSVERTOR Z 5760 MHz NA 146 MHz MICROWAVE TRANSVERTER FOR 5760 MHz TO 146 MHz

DIPLOMOVÁ PRÁCE MASTER´S THESIS

AUTOR PRÁCE AUTHOR

Bc. JAN ŠUSTR

VEDOUCÍ PRÁCE SUPERVISOR

Ing. ZBYNĚK LUKEŠ, Ph.D. BRNO, 2011

ANOTACE Práce se zabývá základním rozborem a návrhem mikrovlnného transvertoru z kmitočtu 5760MHz na mezifrekvenční kmitočet 146MHz. Důraz je kladen na dosažení co nejlepšího šumového čísla přijímacího řetězce, na jeho odolnost proti nežádoucím kmitočtům a na dosažení dostatečného zisku. Dále na návrh vhodného lokálního oscilátoru, na prozkoumání a dosažení co nejlepších parametrů, jako kmitočtové stability a fázového šumu. Vysílací část musí zesílit pouze požadovaný signál a to na dostatečnou výstupní výkonovou úroveň. V této práci byly navrženy potřebné pásmové filtry, násobič kmitočtu, přijímací a vysílací mikrovlnná část a proměření realizovaného transvertoru s porovnáním výsledků se simulací.

Klíčová slova: transvertor, konvertor, lokální oscilátor, násobič kmitočtu, zesilovač, Wilkinsonův dělič

ABSTRACT This work deals with a design of the microwave transverter for 5 760 MHz to 146 MHz. It is divided to a few parts. The first one is focused to design of the local oscillator which generates the signal at frequency f = 116.9583MHz. The oscillator is designed like a crystal oscillator. Its output signal is multiplied and amplified in a second part. The next parts deal with design of the band pass filters. There I chose the design of the filters and did the measurements. The microwave receiver and transmitter circuits are designed with the modern monolithic circuits. The main job of this part is to design low noise amplifier and the power amplifier. At the end of this work I do the measurements and the comparison with the simulations.

Keywords: Microwave transverter, local oscillator, frequency multiplier, amplifier, Wilkinson divider

ŠUSTR, J. Mikrovlnný transvertor z 5 760 MHz na 146 MHz. Brno: Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, 2011. 104 s. Vedoucí diplomové práce Ing. Zbyněk Lukeš, Ph.D.

Prohlášení Prohlašuji, že svoji diplomovou práci na téma Mikrovlnný transvertor z 5760 MHz na 146 MHz jsem vypracoval samostatně pod vedením vedoucího diplomové práce a s použitím odborné literatury a dalších informačních zdrojů, které jsou všechny citovány v práci a uvedeny v seznamu literatury na konci práce. Jako autor uvedené diplomové práce dále prohlašuji, že v souvislosti s vytvořením této práce jsem neporušil autorská práva třetích osob, zejména jsem nezasáhl nedovoleným způsobem do cizích autorských práv osobnostních a jsem si plně vědom následků porušení ustanovení § 11 a následujících autorského zákona č. 121/2000 Sb., včetně možných trestněprávních důsledků vyplývajících z ustanovení § 152 trestního zákona č. 140/1961 Sb.

V Brně dne 17. května 2011 ................................................ podpis autora

Poděkování Děkuji vedoucímu diplomové práce Ing. Zbyňku Lukešovi, Ph.D. za účinnou metodickou, pedagogickou a odbornou pomoc a další cenné rady při zpracování mého semestrálního projektu. Dále Marku Sochorovi za pomoc při měření a cenné rady při návrhu.

V Brně dne 17. května 2011

............................................

Mikrovlnný transvertor z 5760 MHz na 146 MHz

Obsah Obsah....................................................................................................................................................... 7 Seznam obrázků ...................................................................................................................................... 9 Úvod ...................................................................................................................................................... 12 1

Základní návrh – blokové schéma ................................................................................................. 13

2

Lokální oscilátor ............................................................................................................................. 14 2.1

2.1.1

Stabilita kmitočtu .......................................................................................................... 14

2.1.2

Přesnost kmitočtu a fázový šum .................................................................................... 14

2.2

Druhy oscilátorů .................................................................................................................... 16

2.2.1

DRO ................................................................................................................................ 16

2.2.2

Oscilátory s YIG rezonátorem ........................................................................................ 17

2.2.3

Oscilátory s varaktorem laděným rezonátorem (VCO) ................................................. 17

2.2.4

Oscilátor s krystalovým rezonátorem............................................................................ 18

2.2.5

Oscilátory s fázovým závěsem ....................................................................................... 18

2.2.6

Zlepšení kmitočtové stability ......................................................................................... 18

2.3 3

Parametry oscilátorů ............................................................................................................. 14

Výběr oscilátoru .................................................................................................................... 20

Pásmové filtry ................................................................................................................................ 21 3.1

Mikropáskové filtry................................................................................................................ 21

3.2

Helixové filtry......................................................................................................................... 23

3.2.1 3.3 4

Selektivní filtr – dutinový rezonátor ...................................................................................... 28

Návrh lokálního oscilátoru ............................................................................................................ 32 4.1

Návrh základního oscilátoru .................................................................................................. 32

4.1.1 4.2

5

Realizace a měření helixových filtrů .............................................................................. 24

Možnosti zlepšení stability kmitočtu ............................................................................. 33

Návrh násobičů kmitočtu ...................................................................................................... 36

4.2.1

Metoda násobení kmitočtu ........................................................................................... 36

4.2.2

Návrh prvního násobiče................................................................................................. 37

4.2.3

Návrh druhého násobiče ............................................................................................... 39

4.2.4

Návrh třetího násobiče .................................................................................................. 41

4.2.5

Návrh čtvrtého stupně násobiče s výstupním zesilovačem........................................... 42

4.2.6

Návrh plošného spoje celého násobiče kmitočtu.......................................................... 44

Směšovač ....................................................................................................................................... 46

7


6

5.1

Volba směšovače ................................................................................................................... 48

5.2

Zapojení směšovače .............................................................................................................. 49

5.3

Měření spektra zvoleného směšovače .................................................................................. 51

Mikrovlnná přijímací část .............................................................................................................. 53 6.1

Stabilita zesilovače ................................................................................................................ 53

6.2

Šumový činitel – F (Noise Factor) .......................................................................................... 55

6.3

Friisův vzorec ......................................................................................................................... 57

6.4

Vlastnosti a rozdíly mezi strukturami tranzistorů ................................................................. 58

6.5

Monolitické zesilovače - MMIC. ............................................................................................ 59

6.6

Vstupní tranzistor .................................................................................................................. 60

6.7

Následující zesilovací stupně ................................................................................................. 61

6.8

Výpočet zisku a šumového čísla ............................................................................................ 63

6.9

Návrh a přizpůsobení vstupního tranzistoru ......................................................................... 63

6.10

Vazební filtr ........................................................................................................................... 69

6.11

Simulace celého RX řetězce ................................................................................................... 70

7

Wilkinsonův dělič........................................................................................................................... 75

8

Mikrovlnná vysílací část ................................................................................................................. 77 8.1

Návrh vysílacího řetězce ........................................................................................................ 77

8.2

Výběr aktivních prvků ............................................................................................................ 78

8.3

Simulace koncového stupně .................................................................................................. 79

8.4

Směrová odbočnice ............................................................................................................... 80

8.4.1 9

Detekce výstupního výkonu .......................................................................................... 82

Obvod mezifrekvence .................................................................................................................... 84

10 Obvody napájení............................................................................................................................ 86 11 Návrh plošného spoje .................................................................................................................... 89 12 Měření na realizovaném transvertoru .......................................................................................... 92 12.1

Proměření přijímací mikrovlnné části ................................................................................... 92

12.2

Proměření mikrovlnné vysílací části ...................................................................................... 93

12.3

Proměření obvodu mezifrekvence ........................................................................................ 96

12.4

Vliv spodního víčka ................................................................................................................ 96

13 Porovnání výsledků ....................................................................................................................... 97 Závěr ...................................................................................................................................................... 98 Seznam zkratek...................................................................................................................................... 99 Literatura ............................................................................................................................................. 100 Přílohy.................................................................................................................................................. 102

8


Seznam obrázků Obr. 1.: Obr. 2.: Obr. 3.: Obr. 4.: Obr. 5.: Obr. 6.: Obr. 7.: Obr. 8.: Obr. 9.: Obr. 10.: Obr. 11.: Obr. 12.: Obr. 13.: Obr. 14.: Obr. 15.: Obr. 16.: Obr. 17.: Obr. 18.: Obr. 19.: Obr. 20.: Obr. 21.: Obr. 22.: Obr. 23.: Obr. 24.: Obr. 25.: Obr. 26.: Obr. 27.: Obr. 28.: Obr. 29.: Obr. 30.: Obr. 31.: Obr. 32.: Obr. 33.: Obr. 34.: Obr. 35.: Obr. 36.: Obr. 37.: Obr. 38.: Obr. 39.: Obr. 40.: Obr. 41.:

Návrh blokového schématu celého transvertoru.............................................................. 13 Průběh kmitočtu v čase. Kmitočtová stabilita. [2]............................................................. 14 Přesnost kmitočtu [2] ........................................................................................................ 15 Amplitudový a fázový šum v harmonickém signálu. [2] .................................................... 15 Posuzování a měření fázového šumu. [2].......................................................................... 16 Příklad zapojení oscilátoru s DRO. [3] ............................................................................... 17 Příklad zapojení napětím řízeného oscilátoru.[3] ............................................................. 17 Náhradní schéma krystalu. [4]........................................................................................... 18 Kmitočtová závislost na teplotě. [4] .................................................................................. 19 Příklad zapojení oscilátoru s teplotní kompenzací. [5]...................................................... 19 Blokové schéma fázového závěsu. .................................................................................... 20 Mikropáskový filtr na kmitočet 5,6 GHz. ........................................................................... 21 Kmitočtový průběh navrženého filtru. .............................................................................. 21 Mikropáskový filtr s vázanými vedeními. .......................................................................... 22 Kmitočtový průběh navrženého filtru. .............................................................................. 22 Konstrukční uspořádání filtru. [5]...................................................................................... 23 Uspořádání filtru................................................................................................................ 24 Kmitočtová přenosová charakteristika filtru. .................................................................... 25 Kmitočtová přenosová charakteristika filtru. .................................................................... 26 Kmitočtová přenosová charakteristika filtru. .................................................................... 27 Rozložení pole uvnitř rezonanční dutiny. [6]..................................................................... 28 Náhradní schéma dutinového rezonátoru. [6] .................................................................. 28 Rozměry filtru. [15]............................................................................................................ 29 Kmitočtová přenosová charakteristika pro kmitočet 5614MHz........................................ 30 Kmitočtová přenosová charakteristika pro kmitočet 5760MHz........................................ 30 Fotografie realizovaného hrníčkového a helixového filtru. .............................................. 31 Schéma krystalového oscilátoru.[11] ................................................................................ 32 Fotka testovacího krystalového oscilátoru s pokusným PLL obvodem. ............................ 32 Schéma řízeného vytápění oscilátoru.[11] ........................................................................ 33 Zapojení 10 MHz normálového oscilátoru řízeného 1 PPS z GPS. [8] ............................... 34 Blokové schéma programu CPU na obr. 29. [18] .............................................................. 34 Zapojení 10 MHz normálového oscilátoru řízeného 10 kHz z GPS přijímače. [7] ............. 35 Zapojení lokálního oscilátoru řízeného PLL obvodem. ...................................................... 36 Blokové schéma násobiče kmitočtu. ................................................................................. 37 Schéma prvního stupně násobiče kmitočtu. ..................................................................... 38 Výstupní spektrum násobičky na kmitočtu 351 MHz. ....................................................... 39 Schéma druhého stupně násobiče kmitočtu. .................................................................... 40 Výstupní spektrum násobičky na kmitočtu 702 MHz. ....................................................... 41 Schéma třetího stupně násobiče kmitočtu........................................................................ 41 Výstupní spektrum násobičky na kmitočtu 1404 MHz. ..................................................... 42 Schéma čtvrtého stupně násobiče kmitočtu a výstupního zesilovače. ............................. 43

9


Obr. 42.: Obr. 43.: Obr. 44.: Obr. 45.: Obr. 46.: Obr. 47.: Obr. 48.: Obr. 49.: Obr. 50.: Obr. 51.: Obr. 52.: Obr. 53.: Obr. 54.: Obr. 55.: Obr. 56.: Obr. 57.: Obr. 58.: Obr. 59.: Obr. 60.: Obr. 61.: Obr. 62.: Obr. 63.: Obr. 64.: Obr. 65.: Obr. 66.: Obr. 67.: Obr. 68.: Obr. 69.: Obr. 70.: Obr. 71.: Obr. 72.: Obr. 73.: Obr. 74.: Obr. 75.: Obr. 76.: Obr. 77.: Obr. 78.: Obr. 79.: Obr. 80.: Obr. 81.: Obr. 82.: Obr. 83.: Obr. 84.: Obr. 85.:

Výstupní spektrum násobičky na kmitočtu 5614 MHz. ..................................................... 43 Motiv plošného spoje a osazení násobičky. ...................................................................... 44 Fotka hotového násobiče. ................................................................................................. 44 Fotka hotového násobiče ze strany spojů. ........................................................................ 45 Jednoduše vyvážený směšovač. a) se 180° b) s 90°hybridním článkem. *16+ ................... 47 Dvojitě vyvážený diodový směšovač. ................................................................................ 47 Subharmonický směšovač. ................................................................................................ 48 Obrázek s parametry směšovače z katalogového listu. .................................................... 48 Obrázek MSOT8 pouzdra s popsanými vývody. ................................................................ 49 Schéma diplexeru. ............................................................................................................. 49 Výsledek simulace diplexeru. ............................................................................................ 50 Připojení periferních obvodů ke směšovači. ..................................................................... 50 Pronikání LO na RF port při LO 10 dBm. ............................................................................ 51 Výstupní spektrum na RF portu při úrovních LO 10 dBm a IF -10dBm. ............................. 52 Široké výstupní spektrum na RF portu při úrovních LO 10 dBm a IF -10dBm. .................. 52 Blokové schéma zesilovače. *8+. ........................................................................................ 54 Kaskádní řazení zesilovačů. ............................................................................................... 57 Kmitočtová závislost šumu u bipolárních a unipolárních tranzistorů. *1+ ......................... 59 Zapojení MMIC zesilovače. [23] ........................................................................................ 59 Elektrické parametry tranzistoru NE32584C. .................................................................... 60 Typické parametry tranzistoru, závislost zisku a šumového čísla na kmitočtu. ................ 60 Parametry MMIC prvku z katalogového listu. ................................................................... 61 Parametry nastavitelné vnějším rezistorem...................................................................... 61 Zapojení vývodů, popis pouzdra. ....................................................................................... 62 Výrobcem udávané průběhy přizpůsobení, zisku a šumového čísla na kmitočtu. ............ 62 Výpočet zisku RX řetězce. .................................................................................................. 63 Schéma prvotní simulace zesilovače. ................................................................................ 64 Simulace stability obvodu.................................................................................................. 64 Simulace zisku a šumového čísla. ...................................................................................... 65 Návrh přizpůsobovacího obvodu....................................................................................... 65 Výsledný návrh vstupního přizpůsobovacího členu. ......................................................... 66 Obvod doplněný o vstupní přizpůsobení........................................................................... 66 Simulace stability obvodu.................................................................................................. 67 Simulace zisku, NF a přizpůsobení..................................................................................... 67 Schéma zesilovače s vylepšenou stabilitou. ...................................................................... 68 Simulace stabilního zesilovače. ......................................................................................... 68 Výsledek simulace zisku a šumového čísla. ....................................................................... 69 Simulace vstupního a výstupního přizpůsobení. ............................................................... 69 Návrh vazebního filtru pro kmitočet 5760 MHz. ............................................................... 70 Simulace navrženého filtru. Odraz a průchozí útlum. ....................................................... 70 Vstupní zesilovač s vazebním filtrem. ............................................................................... 71 Simulace zesilovače s vazebním filtrem. ........................................................................... 71 Schéma celé mikrovlnné přijímací části. ........................................................................... 72 Průběh zisku celého řetězce .............................................................................................. 73

10


Obr. 86.: Obr. 87.: Obr. 88.: Obr. 89.: Obr. 90.: Obr. 91.: Obr. 92.: Obr. 93.: Obr. 94.: Obr. 95.: Obr. 96.: Obr. 97.: Obr. 98.: Obr. 99.: Obr. 100.: Obr. 101.: Obr. 102.: Obr. 103.: Obr. 104.: Obr. 105.: Obr. 106.: Obr. 107.: Obr. 108.: Obr. 109.: Obr. 110.: Obr. 111.: Obr. 112.: Obr. 113.: Obr. 114.: Obr. 115.: Obr. 116.: Obr. 117.:

Vstupní (S11) a výstupní (S22) přizpůsobení. ....................................................................... 73 Kmitočtová závislost šumového čísla. ............................................................................... 74 Principiální schéma Wilkinsonova děliče výkonu. ............................................................. 75 Schéma s hodnotami pro simulaci..................................................................................... 76 Simulace děliče. ................................................................................................................. 76 Výpočet zisku vysílací mikrovlnné části. ............................................................................ 77 Elektrické parametry MMIC zesilovače podle katalogového listu. ................................... 78 Doporučené zapojení MMIC zesilovače HMC311ST89. .................................................... 78 Elektrické parametry výkonového MMIC zesilovače......................................................... 79 Popis vývodů a doporučené zapojení filtračních kapacit. ................................................. 79 Schéma simulace s mikropáskovými vedeními. ................................................................ 80 Simulace impedančního přizpůsobení a zisku. .................................................................. 80 Simulace vazebního členu. ................................................................................................ 81 Výsledek simulace vazebního členu. ................................................................................. 82 Schéma vazebního členu s diodovým detektorem........................................................ 83 Mezifrekvenční část. ...................................................................................................... 84 Simulace mezifrekvenční přijímací cesty ....................................................................... 85 Simulace mezifrekvenční vysílací cesty ......................................................................... 85 Obvod záporného stejnosměrného předpětí. ............................................................... 86 Vysokofrekvenční blokování. [2] ................................................................................... 87 Stejnosměrné napájení.................................................................................................. 87 Schéma připojení ss napětí k zesilovacím stupňům. ..................................................... 88 Deska plošného spoje, pohled zespod. ......................................................................... 89 Deska plošného spoje, pohled na osazení. .................................................................... 89 Schéma transvertoru. .................................................................................................... 90 Fotka osazeného transvertoru. ..................................................................................... 91 Fotka transvertoru. ........................................................................................................ 91 Měření mikrovlnné přijímací části. ................................................................................ 92 Měření vysílací mikrovlnné části. .................................................................................. 93 Výstupní spektrum vysílače transvertoru. ..................................................................... 94 Výstupní spektrum vysílače transvertoru po optimalizaci. ........................................... 94 Měření mezifrekvenčního obvodu. ............................................................................... 96

11


Úvod Cílem diplomové práce je navrhnout a realizovat mikrovlnný transvertor z kmitočtu 5760 MHz na mezifrekvenční kmitočet 146 MHz. Mikrovlnné transvertory se konstruují desítky let. Dříve se využívalo speciálních směšovacích diod, konstrukce se realizovali na vlnovodech a tranzistory na mikrovlnné kmitočty byly nedostupné. V dnešní době se dají tyto obvody najít například v technologiích WLAN, kde jsou integrovány do jednoho čipu. Při návrhu bylo použito moderních počítačových programů pro simulaci a optimalizaci planárních struktur. V návrhu jsou použity moderní monolitické mikrovlnné obvody (MMIC), které jsou určeny pro tyto aplikace. V práci je teoreticky rozebrána problematika získávání kmitočtu lokálního oscilátoru, velikost fázového šumu a stabilita kmitočtu. Jsou zmíněny některé možnosti, kterými je možné zlepšit parametry oscilátoru. Je navržen krystalový oscilátor na kmitočtu 116,5833 MHz. V navrženém násobiči kmitočtu jsou použity helixové filtry. V mikrovlnné přijímací části je kladen důraz na návrh impedančního přizpůsobení vstupního tranzistoru a na získání dostatečného zisku a co nejmenšího šumového čísla. Ve vysílací části jsou použity monolitické obvody se středním ziskem. Dosažený výkon nechť je větší jak 20 dBm.

Vybrané dílčí části jsou zkonstruovány a proměřeny. Teoretické poznatky jsou porovnány s výsledky měření a je provedena diskuze.

12


1

Základní návrh – blokové schéma

Návrh blokového schématu je základním krokem k postupnému návrhu celého zařízení. Navržené blokové schéma je na obr.1. Celé zařízení lze rozložit na několik podčástí: RX zesilovač:

Zesiluje požadovaný přijímaný signál, zajišťuje selektivitu. Cílem je dosáhnout co nejnižší šumové číslo a dostatečný zisk pro pokrytí ztrát v pasivních obvodech.

TX zesilovač:

Zesiluje výsledný produkt směšování IF signálu a lokálního oscilátoru (LO). Tento zesilovač musí zesilovat pouze žádaný kmitočet a potlačit pronikání LO a zrcadlového kmitočtu. Celý řetězec musí mít dostatečný zisk, aby došlo k vybuzení koncového tranzistoru na požadovaný výkon.

Wilkinsonův dělič: Umožňuje připojení RX a TX zesilovače ke směšovači. Zajišťuje dostatečnou izolaci mezi RX a TX částí a díky tomuto zapojení není nutné použít dva separátní směšovače nebo přepínání RF částí ke směšovači. Směšovač:

Je samostatná kapitola. Je podstatnou součástí celého transvertoru.

Lokální oscilátor (LO): Je srdcem zařízení. Je nutné dosáhnout co možná nejvyšší stability kmitočtu a co nejlepšího fázového šumu. Důležité je docílit dostatečné a stabilní výkonové úrovně LO pro buzení směšovače. Mezifrekvenční obvody (IF): Tyto obvody zajišťují buzení směšovače a jeho ochranu při vysílání. Nastavení budící úrovně a útlumový článek na straně přijímací. Stejnosměrné napájení: Zajišťuje stabilní napájecí napětí pro jednotlivé bloky, přepíná RX a TX napětí.

Obr. 1.:

Návrh blokového schématu celého transvertoru.

13


2

Lokální oscilátor

Lokální oscilátor je hlavní částí celého transvertoru. Je zdrojem nosného kmitočtu pro směšování se vstupním, resp. výstupní signálem, na signál mezifrekvenční. Hlavními parametry lokálního oscilátoru jsou stabilita, přesnost kmitočtu a fázový šum.

2.1 Parametry oscilátorů Typické vlastnosti určující kvalitu a použití oscilátoru. 2.1.1

Stabilita kmitočtu

Stabilita kmitočtu je mírná změna kmitočtu v čase. Číselně se vyjadřuje největší relativní změnou Δfmax/f0 uvažovanou v určitém časovém intervalu Δt, například za 1 sekundu, 1 hodinu, 1 den, atd. Je-li Δt mnohem větší než 1 s, hovoříme o dlouhodobé stabilitě. Naopak krátkodobá stabilita je odchylka frekvence v relativně krátkém časovém intervalu, obvykle mnohem menším než 1 s, způsobená především náhodnými fluktuacemi a šumem. Pokud je oscilátor nastaven na jmenovitou hodnotu výstupní frekvence f0, lze změřit časový průběh okamžité frekvence v určitém časovém intervalu, jak je znázorněno na obr. 2. Pro požadovaný časový interval Δt lze potom z naměřených hodnot stanovit Δfmax a vypočítat stabilitu frekvence.

Obr. 2.:

2.1.2

Průběh kmitočtu v čase. Kmitočtová stabilita. [2]

Přesnost kmitočtu a fázový šum

Přesnost frekvence se vyjadřuje poměrnou odchylkou Δfp/f0 uvažovanou opět v daném časovém intervalu Δt. Ze změřeného časového průběhu okamžité výstupní frekvence v intervalu Δt se stanoví střední hodnota frekvence fp, jak je znázorněno na obr. 3. Z frekvencí fp a f0 se určí Δfp a následně se vypočítá přesnost výstupní frekvence.

14


Obr. 3.: Přesnost kmitočtu [2] Na obr. 4 je zakreslen časový průběh ideálního sinusového signálu a současně i signálu reálného, který může být na výstupu oscilátoru. U reálného signálu dochází k náhodným rychlým změnám okamžité velikosti signálu, které jsou označovány jako amplitudový šum. U většiny zdrojů vf signálů je amplitudový šum zanedbatelný. Kromě toho je z obr. 4 vidět, že dochází i k fluktuaci fáze signálu, tj. ke změnám průchodu signálu nulou oproti ideálnímu průběhu. V důsledku toho vzniká tzv. fázový šum, který může být velice intenzivní, a proto patří k nejdůležitějším parametrům zdrojů vf signálů. Vysoká úroveň fázového šumu, například frekvenčního syntezátoru přijímače, má u analogových systémů za následek zvětšení šumového čísla přijímače, u digitálních systémů vzrůstá chybovost přenosu.

Obr. 4.: Amplitudový a fázový šum v harmonickém signálu. [2] Kvalitativní hodnocení fázového šumu lze provést různými způsoby. Nejčastěji se vychází ze zobrazení výstupního signálu ve frekvenční oblasti, které lze získat v praxi pomocí spektrálního analyzátoru. Typický průběh spektra výstupního signálu oscilátoru je nakreslen na obr. 5. Poněvadž spektrum je souměrné vůči jmenovité hodnotě frekvence (nosné) f0, uvažuje se pouze jedno postranní pásmo (SSB). Fázový šum na ofsetové (nebo Fourierové) frekvenci fm je potom definován vztahem [2]:

15


( fm ) 

PSSB PC

 dB ( f m )  10. log

PSSB PC

[Hz-1]

(2.1)

[dBc.Hz-1]

(2.2)

V tomto vztahu PSSB vyjadřuje hustotu výkonu signálu (výkon na jednotku šířky pásma 1 Hz) na ofsetové frekvenci fm a PC je celkový výkon signálu (nosné) s frekvencí f0. Při měření fázového šumu v decibelech se používá označení dBc. Toto označení respektuje skutečnost, že se jedná o relativní vyjádření vzhledem k výkonu nosné (carrier – c).

Obr. 5.: Posuzování a měření fázového šumu. [2]

2.2 Druhy oscilátorů V praxi se používá celá oscilátorů. Rozhodujícími faktory může být například cena, požadovaná stabilita kmitočtu, nároky na fázový šum, přeladitelnost atd. 2.2.1

DRO

Oscilátory s dielektrickým rezonátorem (DRO) jsou dnes velmi rozšířeným způsobem získávání mikrovlnného signálu. Tyto oscilátory se používají například v LNB satelitních konvertorech *3+. Tyto rezonátory nahrazují dutinové rezonátory, mají podobné vlastnosti: -

Vysoký činitel jakosti Rezonanční kmitočet je dán fyzickými rozměry

Tyto oscilátory mají relativně dobrou kmitočtovou stabilitu, malý fázový šum a malé rozměry. Pro zvýšení kmitočtové stability se tyto oscilátory doplňují o fázový závěs (PLL). Na obr. 6. je typické zapojení oscilátoru s dielektrickým rezonátorem.

16


Obr. 6.:

2.2.2

Příklad zapojení oscilátoru s DRO. [3]

Oscilátory s YIG rezonátorem

V oscilátorech, kde je hlavním požadavkem velké přeladění kmitočtu, se využívá YIG rezonátoru. Takové oscillatory jsou například ve spektrálních analyzátorech [2]. YIG rezonátor je vysoce jakostní feritová koule z Y2Fe2(FeO4)3. Takový oscilátor může být přelaďován změnou magnetického pole. V závislosti na složení a magnetickém poli může být oscilátor provozován na kmitočtech od 500 MHz do 500 GHz. 2.2.3

Oscilátory s varaktorem laděným rezonátorem (VCO)

VCO oscilátory jsou nejrozšířenější oscilátory v elektronických systémech. Jako rezonanční obvod se využívají: -

LC obvody Koaxiální rezonátory Úseky mikropáskového vedení

Tyto rezonátory jsou rozlaďovány pomocí kapacitní diody nebo varaktoru. Ladící napětí je často získáváno z obvodu fázového závěsu, který přesně řídí kmitočet VCO. Takto konstruovaný oscilátor má relativně dobrý fázový šum.

Obr. 7.: Příklad zapojení napětím řízeného oscilátoru.[3] Varaktorové diody využívají proměnné reaktance PN přechodu v závěrném směru. Tyto diody mají vysoký činitel jakosti Q.

17


2.2.4

Oscilátor s krystalovým rezonátorem

Krystalový rezonátor je destička kruhového nebo obdélníkového tvaru, vyříznutá a vybroušená z křemenného krystalu (tzv. křemenný výbrus). Rovina řezu je v určitém stanoveném úhlu orientována ke krystalografickým osám. Podle roviny řezu označujeme jednotlivé typy kódem AT, BT, NT, CT, DT atd. Nejběžnější typy jsou AT, zřídka BT. Ostatní řezy se používají spíše na nižších kmitočtech. Krystal je sériový obvod, který má navíc paralelně k vývodům připojenou kapacitu C0, což je vlastně kapacita elektrod proti sobě. Obvykle bývá v rozmezí 5 až 10pF. Na rozdíl od obvodu tvořeného kondenzátorem a cívkou má krystal při stejném kmitočtu mnohonásobně vyšší hodnotu LS (řádově 10mH až 1H). Tomu podle Thompsonova vztahu odpovídá úměrné snížení sériové kapacity CS (přibližně 0,01 až 0,1pF). Ztrátový sériový odpor RS je v rozsahu 10 až 100ohmů. Vypočteme-li s těmito hodnotami velikost jakosti Q, dostaneme „astronomické“ hodnoty, řádově 104 až 106 . Tuto hodnotu s klasickými LC obvody či dokonce dutinovými rezonátory nedosáhneme. [4]

Obr. 8.:

Náhradní schéma krystalu. [4]

Výpočet jakosti krystalu podle náhradního schématu: (5.3)

2.2.5

Oscilátory s fázovým závěsem

Fázové závěsy se využívají jako doplněk ke zmíněným oscilátorům. Důvody využití PLL: 2.2.6

Lepší kmitočtová stabilita. Možnost přesného přelaďování (kanály). Jako modulátory. Zlepšení kmitočtové stability

Jedním z nejdůležitějších parametrů oscilátoru je právě kmitočtová stabilita. Majoritním faktorem ovlivňujícím stabilitu je teplotní závislost rezonančního prvku, ale také ostatních součástek oscilátoru, které mají vliv na vlastní rezonanci. Dalším faktorem může být například stárnutí krystalového výbrusu, kolísání napájecího napětí, či mechanická stabilita konstrukce.

18


2.2.6.1 Vlivy teploty Teplotní vlivy ovlivňují fyzikální vlastnosti krystalu, tedy především vlastní rozměry výbrusu, ale i držáku a elektrod. Tím se mění jmenovitý kmitočet. Průběh teplotního součinitele v závislosti na teplotě závisí především na řezu výbrusu, obr. 9. Řez AT má průběh teplotního součinitele ve tvaru kubické paraboly, y = x3, BT má kvadratický průběh. CT a GT mají opět kubický tvar s velmi malým teplotním součinitelem. Právě tyto řezy jsou určeny do velmi přesných oscilátorů, tzv. normálových. Řezy AT mají vrchol paraboly v okolí 55°C, proto se vytápějí na tuto teplotu. Výrobce však může přesnými technologickými postupy tento vrchol posouvat a určit tak teplotu, na kterou se krystal vyhřívá. 2.2.6.2 Teplotní kompenzace Teplotní kompenzace využívají především profesionální oscilátory. V amatérské praxi se tyto oscilátory konstruují jen zřídka.

Obr. 9.:

Kmitočtová závislost na teplotě. [4]

Princip je na obr. 10. Teplotně závislý dělič napětí (termistor R2 s odporem R1 ) řídí kapacitní diodu, ta dolaďuje krystal v opačném smyslu teplotní závislosti. Podmínkou je velmi dobře stabilizované napětí a dokonalá teplotní vazba všech součástek oscilátoru, které mají vliv na kmitočet. Praktické výsledky odpovídají středně kvalitnímu vytápěnému oscilátoru, spotřeba energie je však nepatrná.

Obr. 10.: Příklad zapojení oscilátoru s teplotní kompenzací. [5] 2.2.6.3 Stabilizace kmitočtu oscilátoru pomocí obvodu fázového závěsu – PLL Oscilátory s fázovým závěsem vycházení z principu využití fázového detektoru. Fázový závěs (anglicky Phase Locked Loop - PLL) se používá i v mnoha dalších aplikacích. Základní blokové schéma

19


je uvedeno na obr. 11. Je tvořen čtyřmi základními bloky. Prvním je referenční oscilátor, od kterého se odvozuje stabilita oscilátoru a jeho kmitočet i fáze se porovnávají v dalším bloku fázového detektoru. Ten porovnává kmitočet i fázi obou signálů, jak referenčního, tak napětím řízeného oscilátoru (VCO). Důležité je, aby oba signály měli shodný kmitočet. Výsledkem je impulsní signál s šířkovou modulací (ŠIM, PWM), kde šířka impulsu odpovídá fázovému rozdílu. Jedním z takových odvodů je například EX-OR (viz dále).

Obr. 11.:

Blokové schéma fázového závěsu.

Jelikož řídící napětí pro VCO musí být v čase spojité, je nutné za výstup z fázového detektoru zařadit dolnofrekvenční filtr (DP), který ze ŠIM signálu vyfiltruje jeho střední hodnotu. Ta je úměrná relativní šířce impulsu. Tento filtr má jasně daná pravidla, například jeho mezní kmitočet musí být značně nižší než je výstupní kmitočet VCO. Na druhou stranu tento kmitočet určuje rychlost regulace celé smyčky a musí splňovat podmínky stability celé smyčky. Obvykle se volí filtry 1. a 2. Řádu. Posledním blokem je napětím řízený oscilátor VCO. Ten může být konstruován jako LC oscilátor, oscilátor s koaxiálním či DRO rezonátorem, nebo při potřebě co nejmenšího fázového šumu s nutnou malou kmitočtovou přeladitelnost, může být oscilátor řízen krystalovým výbrusem. Změna kmitočtu oscilátoru je dána přivedeným externím napětím, které rozlaďuje oscilátor, například pomocí kapacitní diody. Toto napětí je právě to napětí z výstupu filtru smyčky. Funkce fázového závěsu má dva režimy. [10] Nejprve je kmitočet VCO f0 odlišný od kmitočtu řídícího oscilátoru (referenčního). V tom případě je řídící napětí buď nízké, nebo vysoké a způsobuje zvyšování, resp. snižování, kmitočtu VCO směrem k řídícímu kmitočtu. Jakmile je kmitočet shodný nastane druhá fáze, kdy VCO pracuje synchronně s řídícím signálem. Je tedy v závěsu. Funkce smyčky se ustálí nejen na shodnosti kmitočtu, ale i na shodné hodnotě fázového rozdílu. Smyčka pracuje v režimu záporné zpětné vazby, takže každá změna, která naruší rovnováhu smyčky a která je kratší než časová konstanta filtru smyčky, je okamžitě plynule kompenzována bez porušení rovnováhy. Pokud je změna rychlejší, synchronizace se rozpadne a kmitočet oscilátoru je postupně do synchronizace dostaven.

2.3 Výběr oscilátoru Jako lokální oscilátor jsem zvolil krystalový oscilátor. Ten svými vlastnostmi splňuje požadavky na malý fázový šum, kmitočtová stabilita je dostatečná a je možné oscilátor v případě nedostatků doplnit o dodatečné vytápění, případně použít fázový závěs s normálovým oscilátorem, který může být řízený GPS. Toto řešení je však mimo rozsah této práce.

20


Pásmové filtry

3

Pásmové filtry jsou selektivní pasivní obvody, které s malým průchozím útlumem propouštějí jen požadovaný kmitočtový rozsah. Základní parametry filtru jsou například: -

Průchozí útlum. Šířka pásma propustnosti. (udávána obvykle pro pokles o 3dB) Zvlnění filtru. Stopband. Přizpůsobení filtru.

3.1 Mikropáskové filtry Jedná se o filtry, kde jsou klasické prvky filtru, jako například cívky nebo kondenzátory, nahrazeny mikropáskovými úseky vedení. Tato vedení jsou tvořena nejčastěji nesymetrickými vedeními.

Obr. 12.: Mikropáskový filtr na kmitočet 5,6 GHz. Na obr. 12 je příklad návrhu mikropáskového filtru, který je realizován vázanými vedeními dlouhými λ/4. Střed pásma propustnosti je na kmitočtu 5,6 GHz. Průchozí útlum filtru je přibližně 2 dB. Reálný útlum je pak závislý na použitém materiálu, případných dielektrických odchylkách a rozdílu rozměru filtru. Teoretický průběh propustnosti a vstupního odrazu filtru je na obr. 13. Tento filtr je možné zařadit na přijímací nebo vysílací cestu mikrovlnné části transvertoru.

Obr. 13.:

Kmitočtový průběh navrženého filtru.

21


Na obr. 14 je příklad návrhu mikropáskového filtru, který je opět realizován pomocí vázaných vedení, ty jsou však pro úsporu rozměru filtru zmenšeny kapacitou na koncích. Odbočka určuje vstupní a výstupní impedanci. Takovýto filtr je možné pomocí kapacit přesně naladit.

Obr. 14.:

Mikropáskový filtr s vázanými vedeními.

Na obr. 15 je odsimulovaný průběh tohoto filtru. Reálný průchozí útlum je opět závislý na použitém materiálu, případné povrchové úpravě a kvalitě použitých kapacitních trimrů.

Obr. 15.:

Kmitočtový průběh navrženého filtru.

22


3.2 Helixové filtry Použití klasických dutinových rezonátorů je omezeno, především díky jejich velikosti, na vysoké kmitočty. Planární filtry realizované jako mikropásková vázaná vedení jsou na nízkých kmitočtech rozměrné. Při použiti helixových filtrů dochází ke značnému rozměrovému zmenšení. Rezonátor je realizován šroubovicovým vinutím umístěným nejčastěji ve čtvercovém nebo kruhovém rezonátoru.

Obr. 16.:

Konstrukční uspořádání filtru. [5]

Pro výpočet platí tyto vztahy (uvažujeme čtvercovou dutinu): Činitel jakosti nezatíženého rezonátor: [mm,MHz]

(6.1)

[-;MHz,mm]

(6.2)

[mm;MHz,mm]

(6.3)

[mm;mm]

(6.4)

[mm;mm]

(6.5)

[mm;mm]

(6.6)

Počet závitů šroubovice N:

Stoupání závitů P (osová rozteč):

Průměr šroubovice (v ose vodiče) d:

Délka šroubovice b:

Délka dutiny H:

Průměr drátu se volí v rozmezí 0,4 až 0,6.P Charakteristická impedance Z0: [Ω;MHz,mm]

23

(6.7)


Uvedené vztahy platí pro běžný materiál s drobnými kazy a mikroskopickými rýhami v povrchu. Stříbření dutiny a drátu zvyšuje jakost QM o cca 3% oproti výpočtu.

Obr. 17.:

3.2.1

Uspořádání filtru.

Realizace a měření helixových filtrů

Filtry jsou realizovány ze sad na výrobu cívek TESLA Kolín 5FF 221 16. Jedná se o kostřičky pro vinutí cívek, stínící box a sadu jader. Jako ladící jádro jsem použil mosazný materiál, který indukčnost cívek zmenšuje. Aby bylo možné realizovat filtr, bylo nutné vytvořit vhodnou vazbu mezi vstupní a výstupní cívkou. Toho bylo docíleno sletováním stínících boxů k sobě a vystřižením vazebního okýnka mezi cívkami. Takto vzniklá vazba byla dostatečná pro získání potřebných vlastností.

HELIXOVÝ FILTR PRO PRVNÍ NÁSOBÍCÍ STUPEŇ – 351 MHz: VÝPOČET HODNOT FILTRU: Velikost stínícího boxu:

S = 5 mm

Počet závitů šroubovice N:

Stoupání závitů P (osová rozteč):

24


Průměr šroubovice (v ose vodiče) d:

Délka šroubovice b:

Délka dutiny H:

Průměr drátu se volí v rozmezí 0,4 až 0,6.P Díky vložení kostřičky, na kterou je cívka motána, došlo ke změně rezonančního kmitočtu. Vliv materiálu kostřičky ovlivnil počet závitů a nakonec bylo použito N = 10 závitů. Průměr drátu byl zvolen 0,2 mm, cívka byla motána těsně, bez mezer. Odbočka na cívce byla na 0,5 závitu. Měření realizovaného filtru je na obr. 18.

Obr. 18.:

Kmitočtová přenosová charakteristika filtru.

Realizovaný filtr měl průchozí útlum 4,8 dB na požadovaném kmitočtu. Při spanu 300 MHz měl filtr potlačení mimo propustné pásmo větší jak 20 dB. Šířka propustného pásma filtru pro pokles o 3 dB je přibližně 33MHz. Tento filtr je tedy dobře použitelný pro filtrování harmonických složek z násobičky.

25


HELIXOVÝ FILTR PRO DRUHÝ NÁSOBÍCÍ STUPEŇ – 702 MHz: Při realizaci druhého filtru na polovičním kmitočtu jsem vycházel z předpokladu, že při polovičním kmitočtu mohu použít poloviční počet závitů (vzorec pro výpočet počtu závitů cívky je lineárně závislý na vstupních parametrech).

REALIZOVANÝ FILTR: Počet závitů Odbočka pro 50 Průměr drátu Mezera mezi závity



N=5 0,25 závitu dd = 0,4 mm P = 0,4 mm

Obr. 19.:


Ze změřené přenosové charakteristiky vyplývá, že průchozí útlum filtru je 3,36 dB. Také pokles mimo pásmo propustnosti je velmi dobrý.

HELIXOVÝ FILTR PRO TŘETÍ NÁSOBÍCÍ STUPEŇ – 1404 MHz: REALIZOVANÝ FILTR: Počet závitů Odbočka pro 50



N = 2,5 0,25 závitu

26


Průměr drátu Mezera mezi závity

dd = 0,4 mm P = 0,5 mm

Tento filtr je již na hraně realizovatelnosti s použitými kostřičkami. Materiál kostřičky značně ovlivňuje vlastnosti. Také umístění cívky v rezonanční dutině (stínícím boxu) bylo kritické. Nakonec se podařilo realizovat filtr s parametry dle obr. 20. Průchozí útlum je kolem 7 dB a filtr není již tak selektivní. Podle měření však jeho vlastnosti vyhovují a přihlédneme-li k jeho velikosti a náročnosti, je stále výhodnější nežli filtr planární.

Obr. 20.:


Z měření jasně vyplynuly následující poznatky: -

Rezonance filtru je největší mírou dána délkou drátu cívky. Rozladění filtru je přibližně 10% rezonančního kmitočtu. Mírná změna rezonančního kmitočtu je možná roztažením či stlačením závitů cívky. Odchylka od spočítaných rozměrů je dána především vložením kostry, na kterou se cívky motají. Ta ovlivní díky svým dielektrickým vlastnostem rezonanci cívky. Ideální kmitočtový rozsah použití těchto kostřiček je přibližně od 100 MHz do 1,5 GHz, avšak vlastnosti se dosti degradují přibližně nad 1,2 GHz. Realizace těchto filtrů je velmi výhodná především na nízkých kmitočtech, kde velikostně i vlastnostmi předčí planární filtry realizované na plošném spoji.

27


3.3 Selektivní filtr – dutinový rezonátor Selektivní filtr má své opodstatnění tam, kde potřebujeme dosáhnout značně přesných vlastností filtru. Jedná se například o velký stopband filtru. Ten potřebujeme dosáhnout u směšovače pro potlačení kmitočtu oscilátoru a zrcadlového směšovacího produktu oscilátoru s mezifrekvenčním kmitočtem. Možností by bylo použití planárního filtru na plošném spoji, ten má však své nevýhody: -

Kmitočet je dán návrhem a realizací → téměř nemožné přeladění filtru Nutnost velmi kvalitního materiálu plošného spoje Rozměr je dán kmitočtem a řádem filtru Nežádoucí vyzařování do okolí

Při realizaci filtru s rezonanční dutinou získáme filtr s následujícími vlastnostmi: -

Možnost velkého přeladění filtru Šířka propustného pásma dána především délkou vazebních „antének“ Filtr nevyzařuje do okolí Není nutné ho realizovat na nízkoztrátovém materiálu Velká strmost filtru

Obr. 21.:

Rozložení pole uvnitř rezonanční dutiny. [6]

Z obr. 21 je patrné, že na rezonanci dutiny má velký vliv ladící tyčka zasouvaná do středu dutiny. Při realizaci této tyčky z mosazného šroubku je možné filtr velmi lehce a přesně přelaďovat. Buzení čtvrtvlnného rezonátoru je možné dvěma způsoby. Kapacitní vazba, kdy rezonátor je buzen nezakončenými anténkami. Druhou možností je magnetické buzení, kdy namísto antének jsou v dutině umístěny budící smyčky. Takovýto rezonátor lze lehce nahradit náhradním schématem, to je uvedeno na obr. 22.

Obr. 22.:

Náhradní schéma dutinového rezonátoru. [6]

Ztráty rezonátoru jsou nahrazeny odporem R0 paralelně s rezonančním obvodem. Nezatížený rezonátor má činitel jakosti:

28


(6.8) Pro vysoce kvalitní rezonátory je velikost odporu R0 velmi vysoká. Obvykle se jakost nezatíženého rezonátoru pohybuje mezi 600 až 1000. Jakost zatíženého rezonátoru: ,

(6.9)

kde RL je odpor R0 při zatížení rezonátoru. Výpočet jakosti rezonátoru je velmi obtížný. Šířka pásma (BW) pro poloviční výkon je: [MHz]

(6.10)

Pokud je rezonátor lehce zatížen pro získání velmi úzké šířky pásma propustnosti, pak je R0 větší než RL. Většina výkonu se pak ztrácí v odporu R0. Výsledkem je velký průchozí útlum. Při větším zatížení se poměry velikosti odporů prohodí a ztráty v rezonátoru klesají. Útlum rezonátoru je: )

[dB]

(6.11)

Uvažujeme-li QU kolem 1000, pak dosažitelná šířka pásma pro pokles o 3 dB je 1 % z rezonančního kmitočtu. Obvyklý průchozí útlum filtru bývá 2 až 3 dB.

ROZMĚRY REALIZOVANÉHO FILTRU: Filtr je vysoustružen z mosazi, poté postříbřen. Filtr je nutné precizně uložit a zaletovat na plošný spoj. Budící anténky jsou realizovány například nýtky.

Obr. 23.:

Rozměry filtru. [15]

29


NAMĚŘENÉ PRŮBĚHY ZKONSTRUOVANÉHO FILTRU:

Obr. 24.:

Kmitočtová přenosová charakteristika pro kmitočet 5614MHz.

Obr. 25.:

Kmitočtová přenosová charakteristika pro kmitočet 5760MHz.

30


Měření bylo provedeno pro dva kmitočty, na kterých bude filtr provozován. Prvním kmitočtem je výstupní kmitočet po vynásobení lokálního oscilátoru a to 5614 MHz. -

Průchozí útlum je menší jak 3 dB Selektivita filtru je dostatečná, nehrozí pronikání ostatních harmonických produktů z posledního násobiče kmitočtu

Druhým kmitočtem je 5760 MHz. Tento kmitočet je přímo vstupním a výstupním kmitočtem, na kterém má transvertor pracovat. Jsou tedy požadovány následující vlastnosti: -

Co nejmenší průchozí útlum Co největší selektivita – pásmo je sdíleno s jinými službami (WiFi) Co největší potlačení zrcadlového kmitočtu

Z výsledku měření je patrné, že: -

Průchozí útlum je menší jak 3 dB, což odpovídá teoretickým předpokladům Šířka pásma pro poloviční výkon je přibližně 25 MHz Potlačení zrcadlového kmitočtu směšování je větší jak 30 dB ! Potlačení případného signálu z LO je větší jak 25 dB

Obr. 26.:

Fotografie realizovaného hrníčkového a helixového filtru.

31


4

Návrh lokálního oscilátoru

Lokální oscilátor je koncipován jako samostatný blok. Hlavním důvodem je možná pozdější výměna za jiný oscilátor (například s větší stabilitou). Lokální oscilátor bude řízen krystalem. Jako takový bude mít menší fázový šum a relativně dobrou frekvenční stabilitu.

4.1 Návrh základního oscilátoru Jako základní oscilátor je použit krystalový oscilátor pracující na kmitočtu sériové rezonance krystalu. Protože požadovaný kmitočet 116,9583 MHz je pro krystalový oscilátor relativně vysoký, bylo nutné použít zapojení, kde oscilátor kmitá na vyšší harmonické krystalu. Jedná se o podobné zapojení, jaké je uvedeno v *11]. Krystal pracuje na páté harmonické. V oscilátoru jsou jako aktivní prvky použity bipolární tranzistory BFR92A s vysokým tranzitním kmitočtem. Oscilátor je doplněn oddělovacím zesilovačem T2 s velkým vstupním a malým výstupním odporem. Ten má na výstupu připojen útlumový článek, který slouží k lepšímu zatížení oscilátoru a dalšímu oddělení. MMIC zesilovač pak zesílí výstupní signál na požadovanou úroveň. Obvykle 0dBm. Do rezonance se oscilátor vyladí kapacitou C3 a induktorem L1. Schéma zapojení oscilátoru je na obr. 27.

Obr. 27.:

Obr. 28.:

Schéma krystalového oscilátoru.[11]

Fotka testovacího krystalového oscilátoru s pokusným PLL obvodem.

32


4.1.1

Možnosti zlepšení stability kmitočtu Tyto možnosti byly diskutovány výše. Zde jsou možná zapojení dílčích částí.

4.1.1.1 Vytápění oscilátoru na konstantní teplotu Vyhřívání celého oscilátoru včetně krystalu je nejjednodušší možností, jak zlepšit stabilitu. Toto řešení bohužel přináší zvětšení celkové spotřeby elektrického proudu. Vytápění se často realizuje tak, že se celá deska plošného spoje přiletuje na měděnou desku s tloušťkou například 4mm. Na tuto desku se přiloží topící tranzistor Q1 z obr. 29. Termistorové čidlo se také přiloží teplovodivě na měděnou plotnu a tím se reguluje vytápění. Po zapnutí studeného oscilátoru dojde k jeho zahřívání a tím i ke kmitočtovému driftu. Ustálení teploty je indikováno poklesem odebíraného proudu a pohasnutím diody LED1. Kmitočet oscilátoru je nutné přesně nastavit až po vytopení celého oscilátoru. Nastavení teploty je dáno především typem krystalu, tedy bodem teplotního zlomu krystalu. Tu výrobce udává a při zakázkové výrobě je možné si ji určit. Obvyklé hodnoty jsou 40 nebo 60 °C. Celý takovýto blok je nutné dobře teplotně izolovat od okolí, aby nedocházelo k nestabilitě teploty.

Obr. 29.:

Schéma řízeného vytápění oscilátoru.[11]

4.1.1.2 Normálový oscilátor pro PLL řízený GPS Metody popsané výše dovolují zlepšit kmitočtovou stabilitu. Uvažujeme-li ale další násobení základního kmitočtu na jednotky až desítky GHz, dojde logicky i k násobení kmitočtového rozdílu základního oscilátoru. Další možností, jak téměř dokonale stabilizovat normálový oscilátor, je jeho zavěšení na přesný hodinový signál ze systému GPS. Tento oscilátor je pak zdrojem přesného kmitočtu pro PLL obvod. Většina GPS přijímacích modulů obsahuje speciální výstup, na kterém je generován časový signál. Tyto časové značky, tzv. PPS (pulse per sekund – impulzy za sekundu). Nejčastěji je výstup 1PPS. Na tomto výstupu se jednou za sekundu objevuje impuls o délce přibližně 200 ms. Synchronizace se doporučuje na nástupnou hranu. U sestupné není zaručena časová přesnost. Některé speciální přijímače časových značek obsahují mimo PPS také výstup 10 kHz, tento obdélníkový signál je synchronizován každou nástupnou hranou 1 PPS.

33


Obr. 30.:

Zapojení 10 MHz normálového oscilátoru řízeného 1 PPS z GPS. [8]

Obr. 31.:

Blokové schéma programu CPU na obr. 29. [18]

Díky mikroprocesoru je možné realizovat jednoduchý fázový detektor, který porovnává signál z 10 MHz OCXO se signálem 1 pps z GPS modulu, obr. 30. Signál z OCXO je dělen 256 na kmitočet 39062,5 Hz. Tento kmitočet generuje přerušení. Procesor je taktován kmitočtem 10 MHz z OCXO. Vnitřní čítač počítá nahoru a je přerušen signálem přerušení. Druhý čítač vykonává stejnou činnost, ale je přerušen signálem 1 pps. Rozdíly mezi načítanými hodnotami udává odchylku mezi kmitočty. Pomocí opravného algoritmu je generován PWM modulátorem signál, který dolaďuje OCXO. PWM pulsy jsou integrovány ve článku složeného kondenzátorem C7 a rezistorem R3. Poté, co je OCXO oscilátor kmitočtově dostaven, je nastaven řídící signál z CPU a po přivedení na hradlo IC2B a signál 10 MHz je přiveden na výstupní konektor. Na obr. 32 je zapojení 10 MHz normálového oscilátoru, který využívá jako referenčního zdroje časového signálu právě 10 kHz výstup z GPS. Tento signál je v obvodu 74LS86 porovnáván v logické funkci EX-OR. Takto tvořený fázový závěs má na výstupu pilové napětí, které se mění svoji amplitudu od nuly do hodnoty napájecího napětí. Navíc má výstupní signál z EX-OR dvojnásobný kmitočet, je možné pomocí integrátoru snadněji odfiltrovat vysokofrekvenční složky. Při použití obvodu EX-OR je nutné, aby závislost výstupního napětí PLL byla lineárně závislá na fázovém rozdílu. Pro dodržení této podmínky musí mít vstupní signály střídu 50 % [2].

34


Podle obr. 32 tvoří obvod IC1A fázový závěs a RC obvod R1,R2,C1 a C2 tvoří integrační článek druhého řádu. Výstupem tohoto článku je řídící napětí dolaďující VCXO

Obr. 32.:

Zapojení 10 MHz normálového oscilátoru řízeného 10 kHz z GPS přijímače. [7]

Další možnou metodou zpřesnění normálového oscilátoru může být zavěšení na rubidiový normál, případně řešení DDS oscilátoru jako zdroje reference pro PLL. Zdrojem pro DDS je pak například rubidiový normál.

4.1.1.3 PLL Další využití fázového závěsu, tentokrát přímo na základní oscilátor. Krystalový oscilátor musí být možné napěťově rozlaďovat (VCXO). Toto řešení stabilizace kmitočtu má za následek zvětšení fázového šumu krystalového oscilátoru. Uvažujeme-li ovšem to, že krystalový oscilátor má sám o sobě velmi dobrý fázový šum, je toto řešení přijatelné a pokud nám jde především o kmitočtovou stabilitu, tak asi i to nejlepší. Na obr. 33 je možné zapojení, které doplňuje VCXO o obvod PLL – IC3. Jedná se o odbod firmy Analog Devices ADF411x (kde x může být 0 až 4 podle kmitočtu oscilátoru). Tento fázový závěs je nutné po zapnutí naprogramovat, o to se stará mikroprocesor Atmel ATiny2313. Ten naprogramuje registry PLL. Výstup PLL je nutné filtrovat ve filtru smyčky. Na obr. 31 je ve smyčce zařazen aktivní zesilovač s operačním zesilovačem. Toto zapojení se používá tam, kde potřebujeme větší rozsah ladícího napětí. To u krystalového oscilátoru ovšem většinou není potřeba. Takovýto aktivní filtr navíc ještě zhorší fázový šum PLL. Za VCXO následuje odporový dělič, který rozdělí výstupní signál pro PLL a druhý je v MMIC obvodu zesílen na potřebnou výstupní úroveň oscilátoru, typ. 0 dBm.

35


Obr. 33.:

Zapojení lokálního oscilátoru řízeného PLL obvodem.

4.2 Návrh násobičů kmitočtu Násobení kmitočtu se používá k získání vyšších kmitočtů tam, kde je obtížné vytvořit oscilátor na potřebném kmitočtu. Dalším důvodem může být potřeba dosažení lepšího fázového šumu. Výstupní kmitočet násobiče je celočíselným násobkem vstupního kmitočtu. Nejčastěji se používají zdvojovače a ztrojovače kmitočtu. Násobiče vyšších řádů se již moc nepoužívají vzhledem k nízké účinnosti a nízkému dosažitelnému konverznímu zisku aktivního prvku. Pro dosažení žádaných vyšších řádů lze použít kaskádu násobičů nižšího řádu. Pro získání vysokých kmitočtů (desítek GHz) se také často využívá násobičů SRD, které využívají principu Step Recovery Diod. Za tento násobič se zařadí vhodný filtr, který vybere požadovaný kmitočet z generovaných harmonických kmitočtů.

4.2.1

Metoda násobení kmitočtu

Tato metoda získání vyššího kmitočtu je založena na postupném násobení základního oscilátoru. Násobení se provádí v zesilovači s aktivním prvkem, který má pracovní bod nastaven tak, aby se zvýraznili jeho nelineární vlastnosti. Jako aktivní prvky se používají bipolární nebo unipolární tranzistory, případně integrované MMIC zesilovače. Na výstup takového zesilovače se zařadí pásmová propust, která vybírá ze spektra signálů právě námi žádaný. Díky násobení kmitočtu dochází také ke zvětšení fázového šumu. Jeho hodnota se zhorší o hodnotu [9]: ,

[dB]

(4.1)

kde N je násobící poměr. Z tohoto plyne, že základní oscilátor musí mít co nejlepší hodnotu fázového šumu.

36


Nejdůležitějšími parametry násobiče kmitočtu jsou řád násobení N, výstupní výkon vynásobené harmonické a konverzní zisk: (4.2)

NÁVRH BLOKOVÉHO SCHÉMATU NÁSOBIČE KMITOČTŮ:

Obr. 34.: 4.2.2

Blokové schéma násobiče kmitočtu.

Návrh prvního násobiče

První násobící stupeň násobí vstupní signál z lokálního oscilátoru o kmitočtu 116,95833 MHz tři krát na kmitočet přibližně 350,875 MHz. V tomto stupni je využit tranzistor BFP 540. Zesilovač násobí vstupní signál o úrovni přibližně 0 dBm.

VÝPOČET STEJNOSMĚRNÉHO PRACOVNÍHO BODU TRANZISTORU Poloha pracovního bodu určuje napětí mezi bází a emitorem tranzistoru. To je dáno především odporovým děličem R1 a R2 . Uvažujeme tyto hodnoty: UCC = 8 V UCE = 3,5 V UBE = 0,75 V IC = 20 mA h21e = 110 Rezistor R4 volíme 150   Úbytek napětí na rezistoru R12: (4.3)

37


Velikost rezistoru R3: (4.4) Výpočet děliče R1 a R2 : (4.5) Volíme R1 = 2k7: Proud odporem R2: (4.6) Výpočet velikosti odporu R2: (4.7)

Obr. 35.:

Schéma prvního stupně násobiče kmitočtu.

Podle obr. 35 kondenzátor C3 společně s odporem R4 zvyšují stabilitu zesilovače. Při špatně nastaveném pracovním bodu může hrozit jeho rozkmitání. Kondenzátor C1 je vazební k externímu oscilátoru. Vazba je volná, proto je i hodnota kapacity malá. Výstup tranzistoru je impedančně přizpůsoben ke vstupu filtru cívkou L1 o indukčnosti 100nH. „Studený“ konec cívky filtru je uzemněn pouze vysokofrekvenčně pomocí kondenzátorů C4 a C5.

38


Obr. 36.:

Výstupní spektrum násobičky na kmitočtu 351 MHz.

Na obr. 36 je změřené spektrum na výstupu pásmového filtru. Šířka sledovaného spektra je 10 MHz, výstupní úroveň signálu je + 1,57 dBm. Touto úrovní je buzen druhý stupeň. 4.2.3

Návrh druhého násobiče

Druhý násobící stupeň násobí vstupní signál z prvního stupně o kmitočtu 350,875 MHz tři krát na kmitočet přibližně 701,75 MHz. V tomto stupni je použit tranzistor 2SC5012. VÝPOČET STEJNOSMĚRNÉHO PRACOVNÍHO BODU TRANZISTORU Vstupní hodnoty pro výpočet: UCC = 8 V UCE = 6,5 V UBE = 0,75 V IC = 20 mA h21e = 150 R5 = 2k7

(Volíme)

Úbytek na rezistoru R7: (4.8) Výpočet odporu R8 : (4.9)

39


Výpočet proudu bází: (4.10) Výpočet proudu odporem R5: (4.11) Výpočet odporu R6: (4.12)

Obr. 37.:

Schéma druhého stupně násobiče kmitočtu.

Druhý násobící stupeň je v klasickém zapojení zesilovače se společným emitorem. Pracovní bod je nastaven dvojicí odporů R5 a R6. Odpor R7 zlepšuje stabilitu stupně, zmenšuje mírně zisk a zároveň přizpůsobuje výstup tranzistoru ke vstupu filtru. Filtr je laděn na požadovaný výstupní kmitočet, vybírá druhou harmonickou vstupního signálu. Je opět vysokofrekvenčně uzemněn.

40


Obr. 38.:


Obr. 38 představuje změřené výstupní spektrum na výstupu filtru druhého násobiče. Ten je buzen signálem o úrovni 1,57 dBm s kmitočtem přibližně 351 MHz. Výstupní úroveň po vynásobení dvěma je -4 dBm. 4.2.4

Návrh třetího násobiče

Zapojení třetího násobiče je totožné s druhým stupněm. Hodnoty pracovního bodu tranzistoru jsou stejné, tím i hodnoty odporů.

Obr. 39.:

Schéma třetího stupně násobiče kmitočtu.

Oproti předchozímu stupni je velikost vazební kapacity C11 volena 15pF a pro lepší přizpůsobení vstupu zesilovače je přidán kondenzátor C15. Změřený výstupní výkon třetího násobícího stupně je necelých 0,9 dBm.

41


Obr. 40.:

4.2.5


Návrh čtvrtého stupně násobiče s výstupním zesilovačem

V posledním násobícím stupni a výstupním zesilovači jsou použity MMIC zesilovač firmy Hittite. Jedná se o zesilovač HMC311SC.

PARAMETRY POUŽITÉHO ZESILOVAČE HMC311 : Zisk zesilovače Vstupní/výstupní přizpůsobení Výstupní výkon pro P1dB Maximální napájecí napětí Operační napětí Proud zesilovače

Gmin = 13 dB S11/S22 = - 15 dB P1dB = 10 dBm Umax = 7 V Uopt = 3,8 V I = 55 mA

VÝPOČET NAPÁJECÍCH REZISTORŮ: (4.13)

42


Obr. 41.:

Schéma čtvrtého stupně násobiče kmitočtu a výstupního zesilovače.

Poslední násobící stupeň realizuje násobení vstupního kmitočtu čtyřmi. Toto násobení se děje v zesilovači Q4 v obr. 41, poté následuje dutinový hrníčkový filtr, který vybírá požadovaný harmonický produkt. Výstup z filtru je zesílen v zesilovači Q5. Výstupní úroveň má být přibližně +8 dBm. Tato úroveň je dostatečná pro buzení LO portu směšovače. Napájení zesilovačů je provedeno podle katalogového listu výrobce. Blokování napájení je provedeno tlumivkami o indukčnosti 3,3 nH. Kondenzátory C18 až C23 jsou blokovací. Velikost rezistorů R13 a R14 omezuje maximální proud zesilovačů a nastavuje jejich pracovní bod udávaný výrobcem.

Obr. 42.:


Měření výstupního spektra na spektrálním analyzátoru. Na vstupu analyzátoru byl zařazen 10 dB útlumový článek (AATT) Mini-Circuits použitelný do 18 GHz. Propojení měřeného vzorku bylo propojkou s útlumem 1 dB (Aprop). Výsledná výstupní úroveň tedy je:

Pout = Psa + AATT + Aprop = (-2,58) + 10 + 1 = 8,42 dBm

43

(4.14)


4.2.6

Návrh plošného spoje celého násobiče kmitočtu

Plošný spoj násobičky kmitočtu je realizován na „obyčejném“ materiálu FR4 tloušťky 0,8 mm. Výstupní kmitočet násobičky je sice již mimo doporučený rozsah kmitočtů použití tohoto materiálu, avšak na tomto kmitočtu nejsou realizovány žádné filtry, ani jiné selektivní obvody, které by vyžadovali použití kvalitnějšího materiálu. Jsou realizovány pouze vedení o impedanci přibližně 50 Pokud oželíme nějaké desetiny dB, není důvod realizovat násobičku na podstatně dražším materiálu, kterým je například Arlon.

Obr. 43.:

Motiv plošného spoje a osazení násobičky.

Obr. 44.:

Fotka hotového násobiče.

44


Obr. 45.:

Fotka hotového násobiče ze strany spojů.

45


5

Směšovač

Směšovač patří mezi nejslabší články celého transvertoru. Jeho úkolem je převést přijímaný signál na kmitočet nový, který se nazývá mezifrekvenční (IF). Při vysílání je princip opačný. Mezifrekvenční signál vznikne směšováním kmitočtu přijímaného signálu s kmitočtem oscilátoru. Na výstupu směšovače je odebírán signál, který je buď součtem, nebo rozdílem obou kmitočtů. Každý směšovač má tři póly (brány). Do jednoho se přivádí vf signál přijímaného signálu (RF), do druhého kmitočet oscilátoru (LO) o dostatečné úrovni. Tu udává výrobce a pro správnou funkci směšovače je nutné ji dodržet. Třetím pólem je výstup (IF), na kterém jsou všechny produkty směšování: -

Základní kmitočty použité ke směšování. Kmitočet RF a LO portu. Všechny jejich harmonické produkty Rozdílový a součtový kmitočet obou signálů. fRF ± fLO Všechny produkty vyšších řádů jako výsledek směšování základních kmitočtů s jejich harmonickými kmitočty a směšování mezi harmonickými kmitočty navzájem.

V praxi máme zájem pouze o IF signál, který je buď součtem, nebo rozdílem základních kmitočtů. Všechny ostatní kmitočty jsou nežádoucí. Z hlediska zapojení se používají směšovače jednoduché, jednoduše vyvážené a dvojitě vyvážené. U jednoduchých směšovačů je na výstupu spektrum signálů, jak bylo uvedeno. Jednoduše vyvážené směšovače již samy potlačí část nežádoucích produktů na výstupu. U směšovačů dvojitě vyvážených dochází k výraznému potlačení nežádoucího spektra kmitočtů a za určitých podmínek je možné dosáhnout stavu, kdy na výstupu bude pouze součtový a rozdílový kmitočet základních kmitočtů. To bude za předpokladu, že přivedené oscilátorové napětí bude bez harmonických kmitočtů a úroveň vstupního vf signálu nepřekročí hodnotu, kdy začne docházet ke zkreslení a vzniku lichých harmonických kmitočtů. Při konstrukci směšovačů s aktivními prvky dostáváme nejhorší výsledky s bipolárními tranzistory pracující s plným ziskem. Ekvivalentní směšovací strmost u běžných typů vf tranzistorů dosahuje velkých hodnot a k přebuzení směšovače dochází již při velmi malých vstupních napětích. Daleko výhodnější je použití hradlových fetů. Díky jejich kvadratické převodní charakteristice je u nich sníženo nebezpečí vzniku IM produktů třetího řádu. Zkreslení sudých řádů se dá potlačit symetrickým zapojením jednoduše vyváženého směšovače. Šumové vlastnosti hradlových fetů jsou obvykle vynikající. Šumové číslo bývá v rozmezí 2 až 4 dB i lépe a konverzní zisk takového směšovače je 8 až 15 dB. V současné době patří mezi nejkvalitnější směšovače zapojení dvojitě vyvážené, které je osazené diodami. Používají se Schottkyho diody se shodnými dynamickými charakteristikami. Tyto

46


diody se vyznačují vysokou stálostí a velmi nízkým vlastním šumem. V dnešní době pracují tyto směšovače i na vysokých kmitočtech řádů GHz. Jednoduchá zapojení používají dvou diod pracujících jako symetrický (jednoduše vyvážený) směšovač, obr. 46.

Obr. 46.:

Jednoduše vyvážený směšovač. a) se 180° b) s 90°hybridním článkem. *16]

Daleko běžnější je zapojení dvojitě vyváženého směšovače se čtyřmi diodami, obr. 47. Směšovače jsou řešeny jako širokopásmové, s možností pracovat v kmitočtovém rozsahu čtyř až pěti dekád. Vstup i výstup jsou nízkoimpedanční a vyžadují přesné přizpůsobení. Některá zapojení používají osmi diod jako dvojčinné zapojení dvou dvojitě vyvážených směšovačů.

Obr. 47.:

Dvojitě vyvážený diodový směšovač.

Subharmonický směšovač, obr. 48., se s výhodou používá na vysokých mikrovlnných kmitočtech. Jeho pozitivní vlastností je možnost použití polovičního kmitočtu oscilátoru. Zejména na vysokých kmitočtech je získání dostatečné úrovně signálu oscilátoru problematičtější než na jeho polovičním kmitočtu. Pomocí mikropáskových vedeni před a za diodami jsou blokovány případně propouštěny dvojnásobky kmitočty oscilátoru. Vedení λ/2 má charakter opakovače impedance. Je-li uzemněno na konci, pak vykazuje zkrat na začátku a naopak.

47


Obr. 48.:

Subharmonický směšovač.

V případě dvojitě vyvážených směšovačů s diodami pracují diody jako spínače. V jiných typech směšovačů se používají kapacitní diody jako spínače. U směšovačů posuzujeme tyto vlastnosti: - Šumové číslo. To určuje spodní hranici dynamického rozsahu. - Schopnost zpracovat lineárně velká vstupní napětí. Určuje horní hranici dynamického rozsahu. - Izolaci mezi porty. - Směšovací zisk (ztrátu) – konverzní zisk (ztráta).

5.1 Volba směšovače Z vlastností směšovačů uvedených výše byl zvolen dvojitě vyvážený směšovač. Tyto směšovače se v dnešní době dají lehce pořídit jako integrované obvody. Firma Hittite vyrábí potřebný směšovač v označení HMC218. Směšovač je vyráběn technologií GaAs MMIC a je určen pro kmitočtový rozsah 4,5 – 6 GHz. Jeho typické vlastnosti při teplotě TA = 25°C jsou uvedeny v tabulce na obr. 49.

Obr. 49.:

Obrázek s parametry směšovače z katalogového listu.

48


Jelikož se jedná o pasivní MMIC součástku, nejsou potřeba žádné obvody napájení a přizpůsobení. Směšovač je vnitřně impedančně přizpůsoben v udávaném kmitočtovém rozsahu 4,5 – 6 GHz. MMIC obvod je integrován v SMT pouzdře s 8 vývody, označení MSOT8. Zapojení vývodů je na obr. 50.

Obr. 50.:

Obrázek MSOT8 pouzdra s popsanými vývody.

Pro správnou funkci směšovače je nutné zajistit stabilní a dostatečné buzení signálem z LO. Předpokládáme hodnotu PLO = 10 dBm. Při této hodnotě počítáme v simulaci s následujícími parametry: Konverzní ztráta: Izolace LO do RF:

CL = 8 dB ARF = 25 dB

5.2 Zapojení směšovače Jak již bylo uvedeno výše, pro využití všech vlastností směšovače je důležité směšovač co nejlépe připojit k vedlejším obvodům. Zlepšením vlastností z hlediska IM produktů se dosahuje zapojením tzv. diplexerů mezi IF výstup směšovače a oddělovací zesilovač. Příklad takového diplexeru je na obr. 51.

Obr. 51.:

Schéma diplexeru.

49


Kde Port1 je IF výstupní port směšovače a Port2 je výstup do následujícího stupně. Obvod je sestaven z dolní a horní propusti. Oba obvody jsou laděny na mezifrekvenční kmitočet. V sérii s paralelním obvodem je zapojen zatěžovací odpor 50 Ω, který je dán impedancí portu směšovače a následujícího stupně. V tomto odporu jsou stráveny všechny nežádoucí kmitočty mimo IF kmitočet. Simulace tohoto obvodu je na obr. 52.

Obr. 52.:

Výsledek simulace diplexeru.

Zapojení směšovače je na obr. 53. Port LO je připojen přes ATT článek, který je podle potřeby možné osadit. V zapojení transvertoru počítám se zařazením MMIC zesilovače před směšovač, aby bylo možné transvertor budit úrovní přibližně 1 mW, 0 dBm. Na portu IF je zařazen navržený diplexer.

Obr. 53.:

Připojení periferních obvodů ke směšovači.

50


5.3 Měření spektra zvoleného směšovače Ověření vlastností směšovače bylo provedeno na vývojové desce od výrobce. Pomocí generátoru a spektrálního analyzátoru bylo možné změřit izolaci LO i výsledné směšovací produkty. Při měření bylo použito injekce LO o úrovni PLO = 10 dBm. Výrobce udává izolaci LO portu na RF port lepší jak 25 dB. Podle měření na obr. 54. je pronikání lokálního oscilátoru bez přivedeného signálu na IF port ještě lepší. Úroveň LO na portu RF je PLO-RF = -19 dBm. Izolace je tedy: [dB]

(5.1)

Po přivedení signálu o kmitočtu 146 MHz na port IF o úrovni PIF = 0 dBm dojde ke zlepšení izolace mezi porty IF a RF. Úroveň LO signálu na portu RF je PLO-RF = -22 dBm. Je tedy o 3 dB lepší a izolace je přes 30 dB. Směšovací produkty LO s IF signálem jsou na úrovni PSSB ≈ - 10 dBm. Tato hodnota odpovídá konverzní ztrátě CL = 10 dB.

Obr. 54.:

Pronikání LO na RF port při LO 10 dBm.

51


Obr. 55.:

Obr. 56.:

Výstupní spektrum na RF portu při úrovních LO 10 dBm a IF -10dBm.

Široké výstupní spektrum na RF portu při úrovních LO 10 dBm a IF -10dBm.

52


6

Mikrovlnná přijímací část

Úkolem této části je zesílit požadovaný mikrovlnný signál na vstupním SMA konektoru a přivést ho do směšovače. Zároveň musí potlačit nežádoucí signály z okolí bez vlivu na vlastní parametry přijímací cesty. Také musí signál zesílit bez vnesení dalšího šumu. To fyzikálně není možné, proto se snažíme dosáhnout alespoň co nejmenšího šumového čísla celého řetězce. Základními aktivními prvky nejen ve vysokofrekvenční technice jsou bipolární a unipolární tranzistory. Dalšími aktivními prvky jsou hybridní nebo monolitické obvody, ty jsou však většinou určené pro přesně dané využití. Dnes vyráběné monolitické zesilovače (MMIC) jsou velmi hojně využívané jako zesilovače od DC až do frekvencí 10GHz. Mají dostatečný zisk, přijatelná šumová čísla a vstupní i výstupní impedance je blízká 50 Vývojově starší bipolární tranzistory jsou v současné době běžně využívány v kmitočtové oblasti do přibližně 20GHz. Vyrábějí se typy s velmi malým šumovým číslem i s velkým rozsahem výstupních výkonů dosahujících až stovek wattů na mikrovlnných pásmech. Pro vývojově mladší unipolární tranzistory, neboli tranzistory řízené elektrickým polem FET (Field Effect Transistor), se používá následující označení elektrod: emitor S (Source), kolektor D (Drain) a hradlo G (Gate). Ve srovnání s bipolárními tranzistory mají odlišné admitanční vlastnosti, menší nelineární zkreslení a příznivější šumové vlastnosti. Běžné typy se používají do kmitočtů cca 2 GHz. Tranzistory FET se Schottkyho hradlem typu MESFET (Metall Semiconductor FET) a zejména nejnovější tranzistory HEMT (High Electron Mobility Transistor) se mohou používat až do kmitočtů desítek GHz . Podobně jako u pasivních reálných součástek je třeba sestavit vhodné modely i pro reálné tranzistory. Jelikož tyto tranzistory jsou nelineární prvky, jejichž parametry závisí na teplotě a kmitočtu, budou příslušné modely složité. Před použitím tranzistoru v libovolném obvodu určeném pro požadovanou aplikaci je třeba nejdříve nastavit a teplotně stabilizovat jeho klidový pracovní bod. Pracuje-li tranzistor s velkým střídavým signálem, pohybuje se pracovní bod po příslušné charakteristice v takovém rozsahu, že se projeví její nelinearita.

6.1 Stabilita zesilovače Stabilita zesilovače představuje odolnost zesilovače vůči rozkmitání. Je zřejmé, že je to stěžejní problém při realizaci zesilovače. Zesilovač se může rozkmitat, platí-li: S11 > 1 nebo S22 > 1 ,

(6.1)

kde S11 a S22 jsou vstupní a výstupní činitele odrazu při obecném impedančním nepřizpůsobení.

53


Nutnými a dostačujícími podmínkami pro nepodmíněnou stabilitu samotného tranzistoru jsou

S  S11S 22  S 21S12 1 ,

(6.2)

kde determinant rozptylové matice tranzistoru je menší než jedna. Linvillův činitel stability je větší než jedna.

1  S11  S 22  S 2

K

2

2 S12 S 21

Obr. 57.:

2

1 ,

(6.3)

Blokové schéma zesilovače. *8+.

Pokud je tranzistor pouze podmíněně stabilní, musíme znát vlastnosti vstupních a výstupních přizpůsobovacích obvodů, obr. 57. Je-li velikost činitele odrazu na vstupu větší než jedna

in  S11 

S 21 S12 L 1  S 22 L

(6.4)

je zesilovač nestabilní. Činitel odrazu na vstupu tranzistoru závisí na jeho rozptylových parametrech, ale také na činiteli odrazu na vstupu výstupního přizpůsobovacího obvodu L, kterým je tranzistor zatížen.

Stejné je to z pohledu ze strany zátěže. Výstupní brána tranzistoru se nám jeví jako vstup a vstupní přizpůsobovací obvod jako zátěž. Pokud je činitel odrazu na výstupní bráně tranzistoru

54


out  S 22 

S 21S 12 S , 1  S 11S

(6.5)

větší jak jedna, je zesilovač opět nestabilní. Reálný vstupní, popř. výstupní odpor je ovlivňován jednak parametry S samotného tranzistoru, z nichž některé můžeme ovlivnit jednak volbou tranzistoru, jednak připojenými impedancemi ZZ a ZG (obr. 57). Nevhodná velikost impedancemi ZZ a ZG bývá jedním z nejčastějších důvodů k rozkmitání zesilovače. U širokopásmových zesilovačů je vyšetřování stability dosti rozsáhlé, vždy musíme uvažovat ZZ a ZG i mimo provozní kmitočtovou oblast, všude tam, kde zesilovač zesiluje. Proto je vždy výhodné omezit kmitočtový rozsah zesilovače na nutné minimum zařazením filtru do vstupu (omezující rozsah ZG) nebo mezi jednotlivé stupně. Tyto stabilizační filtry mohou být velmi jednoduché. Často stačí i články degenerované, tvořené jedním reaktančním prvkem, např. vazebním kondenzátorem s malou kapacitou, který zmenší zisk na nízkých kmitočtech. Uměle lze stabilitu zlepšit zařazením malého rezistoru do báze tranzistoru, popř. ve formě feritové trubičky. V prvním stupni je to však šumového hlediska nežádoucí. Rezistor vnese vlastní šum a zvětší o něj výsledné šumové číslo zesilovače. Další parametr S, který může ovlivnit stabilitu, je zpětnovazební přenos S12. Způsobuje zpětnovazebný přenos z kolektoru (D) do báze (G). Pro zapojení se společným emitorem (source) vytváří zápornou zpětnou vazbu, která zmenšuje zisk, zvětšuje stabilitu. Pro nevhodné ZZ nebo ZG však tato vazba může přejít v kladnou a vytvořit tak opačný stav. Tím se může zmenšit stabilita a dojít k rozkmitání tranzistoru. Ze vztahů (6.5) vyplývá, že stabilita může být ovlivněna také ziskovým parametrem S21. Se zvětšujícím se ziskem se Linvillův činitel stability zmenšuje a s tím i stabilita.

6.2 Šumový činitel – F (Noise Factor) Šumový činitel linearizovaného zesilovače je definován vztahem:

Psg F

Pšg Psvýst

(6.6)

Pšvýstu

, kde

Psg

je výkon signálu na vstupu zesilovače,

55


Pšg Psvýst Pšvýst

je výkon šumu na vstupu zesilovače, je výkon signálu na výstupu zesilovače, je výkon šumu na výstupu zesilovače.

Výraz Psg/Pšg vyjadřuje poměr signál/šum na vstupu zesilovače a závisí pouze na parametrech generátoru. Nezávisí na parametrech zesilovače, protože vstupní admitance zesilovače zatěžuje stejně zdroj signálu i zdroj šumu. Výraz Psvýst/Pšvýst vyjadřuje poměr signál/šum na výstupu zesilovače a nezávisí na admitanci zátěže Yz ,protože ta je stejná pro signál i šum. Proto i na výstupu zesilovače můžeme skutečné výkony nahradit dosažitelnými výkony (poměr výkonů se nezmění). Šumový činitel je bezrozměrné číslo, které udává, kolikrát je větší poměr signál/šum na vstupu zesilovače než na jeho výstupu. Pro reálný zesilovač platí: F > 1, pro ideální „nešumící“ zesilovač je F = 1. Při jeho definici se vždy uvažuje teplota rovna T0 = 290 K (16,8°C). Má-li však zesilovač teplotu T ≠ T0 , určí se jeho šumový činitel podle vztahu:

FT  1 

T ( F  1), T0

(6.7)

kde F je šumový činitel při teplotě T0

Šumové číslo – FdB (Noise Figure – NF) je šumový činitel vyjádřený v dB podle vztahu

FdB  10 log F

(6.8)

Pro reálný zesilovač je FdB > 0 , pro ideální „nešumící“ zesilovač je FdB = 0 . Poměr signál/šum, pomocí kterého je definován šumový činitel, se také často označuje symbolem S/N (Signal to Noise) nebo SNR (Signal to Noise Ratio). V praxi je měření poměru S/N dosti obtížné, a proto se nahrazuje určením poměru (S + N) N, který lze změřit celkem snadno. Nepřesnost, která touto záměnou vzniká je tím menší, čím větší je poměr S/N. Je-li na vstupu zesilovače kromě užitečného signálu a šumu také rušivý signál (například u rádiových přijímačů), vyhodnocuje se tzv. poměr SINAD (Signal plus Noise And Distortion), definovaný vztahem:

SINAD dB  10 log

SND , ND

(6.9)

kde symbol D označuje výkon rušivého signálu.

56


6.3 Friisův vzorec Máme kaskádu zesilovačů zapojených podle obr. 58. První zesilovač má šumový činitel F1 a dosažitelné výkonové zesílení APa1, druhý F2 a APa2, atd. Výsledný šumový činitel této kaskády zesilovačů je určen Friisovým vzorcem.

F  F1 

F3  1 F2  1 F4  1    ... APa1 APa1 . APa 2 APa1 . APa 2 . APa 3

Obr. 58.:

(6.10)

Kaskádní řazení zesilovačů.

V případě, že zesílení APa1 bude dostatečně veliké, lze druhý, třetí a další členy pravé strany vzorce (6.10) zanedbat a výsledný šumový činitel bude určen především šumovým činitelem prvního zesilovače. Pro dosažení minimálního šumového činitele je tedy důležité, jak budou jednotlivé zesilovače v kaskádě seřazeny. Je důležité, aby zesílení APa1, APa2 , APa3 , …, atd. ve vzorci (6.10) byla dosažitelná výkonová zesílení, nikoliv skutečná (obecná) výkonová zesílení AP1, AP2 , AP3 , …, atd. Nesplnění této podmínky má za následek chybný výpočet. Je tedy nutné přepočítat zisk z dB na výkonové zesílení. Friisův vzorec lze použít nejen pro kaskádu zesilovačů, ale obecně platí i pro zapojení aktivních i pasivních dvojbranů. Za kaskádu dvojbranů lze považovat například: a) anténní předzesilovač → svod → přijímač b) vstupní předzesilovač → vf zesilovač → směšovač → mf zesilovač …

U všech těchto příkladů je třeba, v souladu se vzorcem (6.10), aby první blok kaskády měl minimální šumové číslo a co nejvyšší dosažitelné výkonové zesílení. Jedině tak lze zaručit, že výsledný šumový činitel kaskády bude malý a může tak být eliminován i vliv některého bloku s vyšším šumovým činitelem, např. diodového směšovače.

57


Ztráty vstupního obvodu závisí na: a) Na poměru provozního činitele jakosti obvodu vůči témuž činiteli naprázdno: [1 – (QP/Q0)]2. Čím větší je Q0 , tím vyšší může být QP a tedy selektivita. Maximální Q0 vyžaduje provedení obvodu s optimální Z0 , minimální povrchové ztráty materiálu obvodu a minimální ztráty v dielektriku obvodu. U koaxiálního typu vstupního obvodu je optimální Z0 cca 100 . Pro docílení co nejvyššího Q0 je teoreticky třeba rezonátor co největších rozměrů. Jeho velikost se ještě zvýší při použití bezeztrátového dielektrika s malým r. Takový obvod se však obtížně bezeztrátově přizpůsobuje miniaturnímu FET-u, čím vznikají přídavné ztráty. Každý kousek přívodu totiž představuje změnu rozměrů a znamená výraznou změnu Z0 v tomto místě. b) Na provedení vstupního obvodu, tj. na velikosti ztrát vyzařováním. Bohužel obvykle platí, že čím menší je , tím větší jsou ztráty vyzařováním obvodu, není-li obvod dokonale kompaktně uzavřen. Čím kompaktnější je vstupní obvod, tj. čím více je elektromagnetického pole ve vstupním obvodu koncentrováno, např. použitím dielektrika s vysokým r, tím menší jsou ztráty vyzařováním, ale bohužel současně ztráty v dielektriku rostou s velikostí r.

V praxi dosahovaná hodnota QP u nízkošumových LNA s jedním rezonančním obvodem na vstupu je okolo 10 i méně, je-li LNA nastaven na co nejmenší možné NFmin. Provoznímu činiteli jakosti QP  10 ovšem odpovídá šířka pásma obvodu pro pokles -3 dB okolo 50 MHz, pro pokles o 10 dB je šířka pásma již cca 150…200 MHz a pro -20 dB je šířka pásma více než 500 MHz a je již značně nesymetrická podle provedení obvodu. Při typickém paralelním obvodu s kapacitní vazbou křivka propustnosti klesá k nižším kmitočtům podstatně rychleji než směrem k vyšším kmitočtům. Malá hodnota QP na vstupu LNA umožní, aby se na vstup transistoru dostaly velmi silné signály, např. z blízkých vysílačů VKV FM, TV, WLAN a vysílačů jiných radiokomunikačních služeb. Jejich interakcí na nelinearitě transistoru pak mohou snadno vznikat jak harmonické produkty, tak produkty intermodulační nejen třetího, ale i vyšších řádů. Některé z těchto produktů pak mohou padnout do pásma 5760 MHz.

6.4 Vlastnosti a rozdíly mezi strukturami tranzistorů Z obrázku 59 vyplývá, že tranzistory typu FET dosahují lepších šumových vlastností, než bipolární tranzistory a to zvláště na vyšších kmitočtech. Velkou předností tranzistorů FET ve srovnání s bipolárními tranzistory je jejich větší odolnost vůči vzniku intermodulačního zkreslení včetně křížové modulace.

58


Obr. 59.:

Kmitočtová závislost šumu u bipolárních a unipolárních tranzistorů. *1+

Zvláště na vyšších jednotkách GHz jednoznačně vítězí tranzistory řízené polem. V ojedinělých případech se však používají i tranzistory bipolární. Například některá zařízení WLAN 5,6 GHz používají na vstupním zesilovači přijímače speciální bipolární tranzistor navržený na tyto kmitočty. Šumové poměry jsou sice horší jak u HEMT tranzistorů, ale odolnost proti zkreslení a přebuzení vstupního zesilovače zařízení, jsou lepší.

6.5 Monolitické zesilovače - MMIC. Monolitické zesilovače (MMIC amp.) jsou velmi praktické aktivní součástky používané nejen v mikrovlnné technice. Na trhu je celá řada výrobců a s nimi i celá řada těchto obvodů. Ty nejjednodušší pracují od nízkých kmitočtů, výrobci označovány jako DC kmitočty, až po kmitočty blízké 10 GHz. Nejnovější MMIC obvody však pracují až do vysokých desítek GHz. Jsou konstruovány jako zesilovače s rozloženými parametry. Jsou vnitřně přizpůsobeny na impedanci blízkou 50 Ω a mají vyrovnaný zisk v celém udávaném rozsahu.

Obr. 60.:

Zapojení MMIC zesilovače. [23]

Tyto obvody se dále vyznačují tím, že potřebují jen nezbytné součástky pro připojení do navrhované konstrukce. Jsou to vazební kondenzátory (na obr.60 označené jako C) a napájecí

59


tlumivku, případně odpor pro nastavení správného napájecího napětí (R, Cb). Některé specifické MMIC zesilovače umožňují pomocí externího napájení či rezistoru nastavovat zesílení, případně pracovní bod. Některé MMIC, například nízkošumové vstupní zesilovače, mají implementovány i vazební kapacity.

6.6 Vstupní tranzistor Podle předešlé kapitoly je zřejmé, že nejlepšího šumového čísla zesilovače dosáhneme s tranzistorem řízeným polem. Podle Friisova vztahu jsou parametry prvního tranzistoru nejdůležitější. Je třeba dosáhnout nízkého šumového čísla a co možná největšího zisku. To vše při zachování stability zesilovače v celém rozsahu impedancí na vstupu a při zatížení na výstupu. Jako vstupní tranzistor jsem zvolil nízkošumový pseudomorphický HJ FET firmy NEC typ NE32584C. Jedná se o tranzistor určený především pro LNB satelitní konvertory. Jeho elektrické parametry jsou v tabulce na obr. 61.

Obr. 61.:

Elektrické parametry tranzistoru NE32584C.

Tranzistor je nutné „šumově“ přizpůsobit. Výrobce udává následující šumové parametry:

Obr. 62.:

Typické parametry tranzistoru, závislost zisku a šumového čísla na kmitočtu.

60


Z obr. 62 je patrné, ze na kmitočtu je podle výrobce možné dosáhnout nejnižšího šumového čísla 0,33 dB. Zisk tranzistoru je pak 16,5 dB. Tyto parametry jsou při nastaveném pracovním bodu VDS = 2V a proudu tranzistorem ID = 10mA.

6.7 Následující zesilovací stupně Jelikož z Friisova vztahu plyne, že první stupeň udává šumové číslo zesilovacího řetězce (při dodržení dostatečného zisku), je možné na dalších pozicích s výhodou použít MMIC zesilovače, které nevyžadují tak složité zacházení. MMIC zesilovač firmy Hittite HMC320ms8g je určený jako LNA zesilovač s vnitřním vstupně výstupním přizpůsobením na 50 Ω a vnitřním šumovým přizpůsobením. Typické parametry tohoto obvodu udávané výrobcem jsou v tabulce na obr. 63.

Obr. 63.:

Parametry MMIC prvku z katalogového listu.

Obvod umožňuje pomocí jediného pasivního externího prvku regulovat pracovní bod zesilovače a tím zisk a maximální výstupní výkon. Při zvolení proudu IDD = 40mA (obr. 64) je zisk přibližně 13 dB a šumové číslo typicky 2,6 dB. Obvod je navíc stejnosměrně oddělen a není nutné použít vazební kapacity, viz obr. 65.

Obr. 64.:

Parametry nastavitelné vnějším rezistorem.

61


Obr. 65.:

Zapojení vývodů, popis pouzdra.

Z grafů na obr.66 z katalogového listu výrobce je možné odečíst hodnoty zisku, vstupního i výstupního odrazu, průběh šumového čísla a závislosti uvedených veličin na pracovním bodu.

Obr. 66.:

Výrobcem udávané průběhy přizpůsobení, zisku a šumového čísla na kmitočtu.

62


6.8 Výpočet zisku a šumového čísla Nyní známe předpokládané parametry zesilovacích prvků. Z předešlých kapitol známe průchozí útlumy vazebního a selektivního hrníčkového filtru a nyní je možné spočítat šumové číslo a zisk celého řetězce. Můžeme tak učinit ručním výpočtem, dosazením do Friisova vztahu, nebo využít počítačového programu. Já jsem využil programu AppCAD. Ve výpočtu uvažujeme i zařazení Wilkinsonova děliče a směšovače. První tranzistor je na vstupu „šumově“ přizpůsoben pasivním obvodem, u kterého jsem odhadnul průchozí útlum 0,15 dB. Výsledný výpočet je na obr. 67.

Obr. 67.:

Výpočet zisku RX řetězce.

Z výpočtu je zřejmé následující: Zisk řetězce: Šumové číslo řetězce:

G = 26 dB NF = 0,64 dB

Zisk 26 dB vyjadřuje konverzní zisk celého transvertoru, pokud počítáme nulové ztráty v IF části.

6.9 Návrh a přizpůsobení vstupního tranzistoru Návrh vstupního zesilovače musí splňovat následující požadavky: -

Šumové impedanční přizpůsobení tranzistoru. Zajištění stability v celém rozsahu vstupních i výstupních impedancí. Výstupní přizpůsobení k vazebnímu filtru. Dostatečný zisk

63


V simulaci nepočítáme se stejnosměrnými napájecími obvody. Ty budou provedeny tak, aby neovlivňovaly vysokofrekvenční parametry navrženého zesilovače. Obr. 68 představuje základní zapojení pro simulaci, kde krom samotného aktivního prvku zadaného s2p parametry, jsou vedení obou emitorů, provedení prokovů na zemní plochu a výstupní mikropásek s rezistorem. Umístění tranzistoru na plošný spoj změní všechny jeho parametry. Díky programové simulaci máme představu o tom, jaké tyto změny jsou. Nemůžeme tranzistor přizpůsobovat na hodnoty udávané v katalogovém listu, protože například uzemnění tranzistoru přes prokovené otvory znamená na tomto kmitočtu uzemnění přes malou indukčnost. Také mikropásky pod vývody tranzistoru mají na tomto kmitočtu nemalý vliv.

Obr. 68.:

Schéma prvotní simulace zesilovače.

Takto navržený obvod vykazuje následující stabilitu, obr. 69. Kružnice vyjadřují oblasti, kde musí ležet normované impedance, aby byl zesilovač stabilní. Impedance musí ležet v oblasti, kam ukazují kolmé „čárky“ z kružnic. Červená kružnice znázorňuje výstupní a modrá vstupní oblast impedancí. Ve Smithově diagramu existují normované impedance, které by způsobili nestabilitu zesilovače.

Obr. 69.:

Simulace stability obvodu.

64


Obr. 70.:

Simulace zisku a šumového čísla.

Na obr. 70 je zisk a šumové číslo takto „nepřizpůsobeného“ tranzistoru. Zisk je nízký, pouze 7,9 dB a šumové číslo 0,79 dB. Šumové číslo je vyšší, než udává výrobce pro impedančně „šumově“ přizpůsobený tranzistor. Pomocí Smithova diagramu v programu Ansoft Designer navrhneme vstupní přizpůsobovací obvod. Program proloží hodnoty normované impedance udávané výrobcem a na námi zvoleném kmitočtu vložíme impedanci do diagramu. Pak již navrhujeme samotný obvod, obr.71. Na paměti máme to, že vstup je nutné stejnosměrně oddělit. Tato kapacita vychází ze středu diagramu a při hodnotě 10 pF tvoří velmi malý úsek kružnice. Tato kapacita musí být velmi kvalitní. Jakékoliv ztráty v tomto kondenzátoru se přímo přičítají k velikosti šumového čísla a mají negativní vliv. Následuje mikropáskové vedení na konci naprázdno. Sériové vedením pak transformujeme impedanci na vstup tranzistoru.

Obr. 71.:

Návrh přizpůsobovacího obvodu.

65


Obr. 72.:

Výsledný návrh vstupního přizpůsobovacího členu.

Mikropásková vedení jsou v simulaci uvažována ve formě elektrické délky vztažené k vlnové délce. Přepočítání je celkem jednoduché, můžeme využít integrované utility v programu Ansoft Designer. Vedení dlouhé 26,3 ° představuje na kmitočtu 5,76 GHz mikropásek s rozměry W= 7,49 mm a P = 2,21 mm. Druhé transformační vedení dlouhé 54,5° má rozměry W = 1,51 mm a P = 4,91 mm, kde W je šířka a P délka mikropásku. Rozměry uvažujeme pro zadaný materiál plošného spoje Arlon 25N.

Obr. 73.:

Obvod doplněný o vstupní přizpůsobení

Obr. 73 je doplněním zesilovače o blok vstupního přizpůsobení. Simulací stability bylo zjištěno, že se oblast impedancí nestability rozšířila. A to především díky impedanční transformaci vstupního obvodu. Šumové číslo se však vylepšilo na hodnotu 0,51 dB a zisk je 9,2 dB, viz obr. 74.

66


Obr. 74.:

Obr. 75.:

Simulace stability obvodu.

Simulace zisku, NF a přizpůsobení.

Vstupní přizpůsobení zesilovače (S11) je okolo -7,5 dB, výstupní pak -5,3 dB. Nyní se zaměříme na zlepšení stability zesilovače. Jedna z možností je zmenšení zisku zesilovače, toho se dosahuje rezistorem na výstupu tranzistoru, zvolil jsem hodnotu 18 Ω. Další a velmi důležitou věcí, je dobré uzemnění tranzistoru. Samotné prokovy tvoří indukčnost, pájecí plošky pod emitory pak mikropásková vedení. Jejich skácení a zvětšení impedance zlepší stabilitu, stejně tak i zvětšení počtu prokovů do protější zemní vrstvy. Zapojení je na obr.76 a následná simulace stability v rozsahu 4 až 7 GHz odhaluje, že všechny impedance ve Smithově diagramu splňují kritérium stability. Viz obr. 77.

67


Obr. 76.:

Schéma zesilovače s vylepšenou stabilitou.

Obr. 77.:

Simulace stabilního zesilovače.

Společně s mikropáskovým vedením na výstupu jsme dosáhli jak šumového přizpůsobení, výstupního přizpůsobení a zároveň stability zesilovače. Podle simulace jsou tedy výsledky následující:

Zisk: Šumové číslo: Vstupní přizpůsobení: Výstupní přizpůsobení:

G = 11,9 dB NF = 0,48 dB S11 = -11,47 dB S22 = -19,9 dB

68


Obr. 78.:

Obr. 79.:

Výsledek simulace zisku a šumového čísla.

Simulace vstupního a výstupního přizpůsobení.

6.10 Vazební filtr Mezi prvním a druhým zesilovacím stupněm je umístěn vazební filtr tvořený úseky λ/4 mikropáskového vedení. Tento filtr slouží zároveň jako stejnosměrná vazba. Navržený vazební filtr nemá velikou selektivitu, avšak dokáže omezit zesílení na nízkých kmitočtech.

69


Obr. 80.:

Návrh vazebního filtru pro kmitočet 5760 MHz.

Na obr. 80 jsou rozměry filtru pro plošný spoj Arlon N25. Jeho charakteristiky jsou na obrázku 81. Podle simulace vykazuje filtr průchozí útlum S21 = -0,28 dB a vstupní odraz je lepší jak 17 dB.

Obr. 81.:

Simulace navrženého filtru. Odraz a průchozí útlum.

6.11 Simulace celého RX řetězce V prvním kroku přidáme ke vstupnímu zesilovacímu stupni navržený filtr, obr. 82. Ze simulace je na první pohled patrné, že dojde k omezení zesílení podle charakteristiky filtru.

70


Obr. 82.:

Obr. 83.:

Vstupní zesilovač s vazebním filtrem.

Simulace zesilovače s vazebním filtrem.

Nyní můžeme přidat i následující zesilovací stupně. Jedná se o MMIC zesilovače s vnitřně vstupně výstupním přizpůsobením. Tyto zesilovače jsou uvnitř stejnosměrně odděleny. Simulací pomocí s2p parametrů je možné získat představu o výsledném zisku i přizpůsobení. Tyto hodnoty nakonec srovnáme s hotovým vzorkem. Na obr. 84 je pak celé schéma simulovaného obvodu. Vstupní tranzistor je přizpůsoben na co nejnižší šumové číslo, jeho výstup impedančně přizpůsoben k vazebnímu filtru a zároveň je zesilovač stabilní. Za vazebním filtrem pak následuje kaskáda dvou MMIC LNA zesilovačů.

71


Obr. 84.:

Schéma celé mikrovlnné přijímací části.

Přidání dvou MMIC zesilovačů obnáší minimum dalších přídavných prvků. Nutné je zajistit správné napájecí napětí a také nastavit pracovní bod. Ten je možné volit pomocí jednoho externího rezistoru. Zisk celého řetězce vzrostl na přibližně 34 dB. Podle simulace je zisk o něco vyšší na

72


kmitočtu kolem 5,5 GHz. To je dáno ziskem MMIC zesilovače, který má na tomto kmitočtu vyšší zisk. A to především díky vnitřnímu impedančnímu přizpůsobení. Šumové číslo by mělo zůstat stejné. Změna šumového čísla by se projevila v případě, že by první stupeň měl malý zisk a byl za něj zařazen útlum. Vstupní odraz zůstává téměř stejný a výstupní je přibližně – 10 dB.

Obr. 85.:

Obr. 86.:

Průběh zisku celého řetězce

Vstupní (S11) a výstupní (S22) přizpůsobení.

73


Obr. 87.:

Kmitočtová závislost šumového čísla.

Výsledky simulace celého mikrovlnného přijímacího řetězce: Zisk řetězce: Šumové číslo: Vstupní odraz: Výstupní odraz:

G∑ = 34 dB NF = 0,5 dB S11 = -7,84 dB S22 = -9,46 dB

74


7

Wilkinsonův dělič

Mezi mikrovlnnou přijímací a vysílací částí je nutné vyřešit přepínání. To je možné například pomocí relé. Na takto vysokém kmitočtu je to ale obtížné. Klasická relé jsou nevhodná díky impedančním poměrům a navíc izolace, mezi rozepnutým a sepnutým pólem, je malá. Koaxiální relé jsou naopak rozměrná a navíc drahá. Další možností je použití PIN diod. Toto řešení vyžaduje zapojení tlumivek a přepínání ovládacích napětí. Při použití správných diod je toto řešení velmi vhodné. Já jsem se rozhodl pro použití Wilkinsonova děliče výkonu. Takovéto řešení nepotřebuje žádné pomocné obvody pro přepínání příjem-vysílání. Jeho nevýhodou je průchozí útlum. Ten je dán vlastností děliče a útlumem v materiálu dielektrika. Průchozí útlum je tedy o něco více jak 3 dB. Izolace mezi RX a TX cestou bude závislá na přesnosti provedení. Měla by být lepší jak 25 dB. Na obrázku obr. 88 je znázorněno zapojení Wilkinsonova děliče výkonu. Při předpokladu, že vstupní i výstupní porty mají impedanci 50 Ω, je impedance dělících vedení:

[Ω]

Obr. 88.:

(7.1)

Principiální schéma Wilkinsonova děliče výkonu.

Délka transformačních úseků je čtvrtina vlnové délky. Tato délka je zkrácena díky dielektriku použitého plošného spoje. Pro použití materiálu Arlon 25N s tloušťkou 1,524 mm a Er = 3,38 je délka vedení 8 mm a šířka 1,9 mm. Z konstrukčního hlediska se Wilkinsonův dělič konstruuje jako kruhový, kde na jedné části je střední port a na druhé straně rezistor 100 Ω. Tato konstrukce zlepšuje vlastnosti z hlediska izolace mezi porty 2 a 3. Simulace navrženého děliče v Ansoft Designer ukazuje velikost odbočení 3,05 dB a vstupní i výstupní odrazy jsou velmi dobré. Velikost izolace mezi porty 2 a 3 bude ve skutečnosti nižší.

75


Obr. 89.:

Schéma s hodnotami pro simulaci.

Obr. 90.:

Simulace děliče.

Simulací Wilkinsonova děliče byly zjištěny následující hodnoty: Odrazy na branách: Dělení výkonu: Izolace mezi porty 2 a 3:

S11 < -60 dB S22 < -50 dB S31 = 3,05 dB S32 < -50 dB

76


8

Mikrovlnná vysílací část

Mikrovlnná vysílací část transvertoru začíná výstupním portem směšovače (RF) a končí výstupním konektorem SMA. Úkolem této části je dostatečně zesílit žádaný signál ze směšovače. Žádaný signál je omezen dostatečně selektivními filtry.

8.1 Návrh vysílacího řetězce Na výstupním portu směšovače naměříme signál lokálního oscilátoru pronikajícího na výstupní port (RF), dále součtovou a rozdílovou složku oscilátoru (LO) a mezifrekvenčního signálu (IF). Jediný signál, který je pro nás na výstupním portu směšovače užitečný, je součet LO a IF signálu. Tento signál je nutné vybrat a zároveň potlačit ostatní signály na výstupu směšovače. K tomuto úkolu je hned za směšovač zařazen hrníčkový dutinový filtr. Za ním následuje rozdělení cesty na RX a TX. Jelikož za směšovačem máme zařazeny samé pasivní prvky, které signál jen zeslabí, je namístě zařadit do cesty aktivní prvek pro zesílení úrovně signálu. Zde se nabízí použití MMIC zesilovače, jež vyžaduje jen minimum přídavných prvků, a který je vnitřně přizpůsoben k impedanci blízké 50 Ω. Následuje další selektivní filtr pro potlačení signálu oscilátoru a zrcadlového signálu. Zde by měl být signál dostatečně vyfiltrován a následuje koncový zesilovací stupeň. Ten je složen ze dvou MMIC zesilovačů v kaskádě pro získání většího zisku. Při základní úvaze v návrhu zesilovacího stupně máme dva vstupní parametry. Výstupní signál ze směšovače nechť je -10 dBm. Požadovaný výstupní výkon vysílače uvažujme větší jak 20 dBm. Vložený útlum filtru známe z předchozího měření, počítáme 3 dB. Útlum Wilkinsonova děliče počítáme 3 dB. Zisk prvního MMIC zesilovače nechť je 13 dB a zisky výstupních zesilovačů 14 dB. Výpočet celého řetězce je na obr. 91.

Obr. 91.:

Výpočet zisku vysílací mikrovlnné části.

Při této konfiguraci jsou předpokládany: Výstupní výkon: Zisk celého řetězce:

POUT > 20 dBm (22 dBm) G = 32 dB.

77


8.2 Výběr aktivních prvků První zesilovací stupeň má mít zisk alespoň 13 dB. Na tuto pozici jsem zvolil MMIC zesilovač firmy Hittite HMC311ST89. Parametry tohoto zesilovače jsou následující:

Obr. 92.:

Elektrické parametry MMIC zesilovače podle katalogového listu.

Obvod je v pouzdře SOT-89. Maximální napájecí napětí je 7 V. Z tabulky plyne, že zisk na našem kmitočtu je minimálně 12,5 dB, typicky 14,5 dB. Tento zesilovač vyžaduje minimální počet přídavných prvků. Doporučené zapojení je na obr. 93.

Obr. 93.:

Doporučené zapojení MMIC zesilovače HMC311ST89.

Na místě koncového stupně je dvojice integrovaných zesilovačů HMC407MS8G také od firmy Hittite. Tento zesilovač je konstruován pro kmitočtový rozsah 5 – 7 GHz. V tomto rozsahu je vnitřně přizpůsoben k impedanci 50 Ω. Základní elektrické vlastnosti jsou na obr. 94.

78


Obr. 94.:

Elektrické parametry výkonového MMIC zesilovače.

Zisk na námi uvažovaném kmitočtu je typicky 15 dB při napájecím napětí 5 V. Doporučené zapojení výrobce je na obr. 95.

Obr. 95.:

Popis vývodů a doporučené zapojení filtračních kapacit.

Z tohoto zapojení plyne, že obvod je vnitřně stejnosměrně oddělen. Nejsou tedy potřeba žádné vazební kapacity. Zesilovač nepotřebuje žádné externí obvody předpětí. Důležité je pouze dobré vysokofrekvenční blokování napájecích cest a stabilní napájecí napětí. Zesilovač má poměrně velký klidový proud. Důvodem tohoto faktu je to, že jsou určeny pro systém WLAN, kde se používají vícestavové modulace. Ty využívají nejen amplitudy, ale i fáze vysílaného signálu. Průchod takto modulovaného signálu zesilovačem vyžaduje dobrou linearitu při zesílení. V opačném případě dojde k poškození modulovaného signálu, například k fázovému posunutí bodů konstalačního diagramu.

8.3 Simulace koncového stupně Zvolené zesilovače jsou vnitřně impedančně přizpůsobené. S použitím s2p parametrů výrobce byla provedena simulace v programu Ansoft designer. Do simulace byly zahrnuty mikropásková vedení propojující oba zesilovače a první stupeň s hrníčkovým filtrem. Na výstupu druhého zesilovače je směrová odbočnice pro měření výstupního výkonu.

79


Obr. 96.:

Schéma simulace s mikropáskovými vedeními.

Výsledek simulace je na obr. 96. Ze simulace plyne: Zisk dvoustupňového zesilovače: Vstupní odraz: Výstupní odraz:

G ≈ 27 dB S11 ≈ -10 dB S22 ≈ -14 dB

Tyto hodnoty nejsou ideální, ale jsou v souladu s hodnotami udávanými výrobcem.

Obr. 97.:

Simulace impedančního přizpůsobení a zisku.

8.4 Směrová odbočnice Je vhodné mít určité povědomí o tom, zda-li mikrovlnný vysílač produkuje nějaký výstupní výkon. Je možné ho detekovat například na výstupu pomocí externí směrové odbočnice, kde by bylo možné měřit i výkon odražený z antény, a nebo se spokojíme pouze s informativním měřením přímo v transvertoru. Pro tento účel je za výstupním tranzistorem umístěna směrová odbočnice, která

80


z výstupního výkonu odbočí dostatečnou úroveň signálu. Tu posléze detekujeme na mikrovlnné detekční diodě. Směrová odbočnice je založena na principu vzájemně vázaných vedení. Skládá se obvykle ze čtvrtvlnného úseku vázaných vedení a čtyř bran. Do brány Port 2 vstupuje signál o výkonu P1, prochází čtvrtvlnným vedením a je zeslaben o hodnotu vloženého útlumu směrové odbočnice. Tento zeslabený signál je na bráně Port 1. Vložený útlum má hodnotu:

[dB]

(8.1)

Zároveň se na bráně Port 3 objeví vstupní signál zeslabený o hodnotu vazebního útlumu směrové odbočnice. Vazební útlum je definován:

[dB]

(8.2)

Při návrhu jsem počítal s výstupním výkonem až 26 dBm. Pro detekování výkonu na mikrovlnné diodě jsem uvažoval hodnotu 0 dBm odpovídající udanému výkonu. To znamená velikost odbočení směrové vazby přibližně 26 dB. V programu Ansoft Designer jsem si sestavil jednoduchý směrový člen pomocí vázaných mikropáskových vedení na materiálu Arlon N25. Tento člen je na obr. 98.

Obr. 98.:

Simulace vazebního členu.

81


Obr. 99.:

Výsledek simulace vazebního členu.

Ze simulace na obr. 99 vyplývá, že: Vazební útlum směrové odbočnice: Vstupní odraz směrové odbočnice:

8.4.1

C = 23,6 dB S11 < -40 dB

Detekce výstupního výkonu

Odbočený výkon na Portu 3 směrové odbočnice z obr.98 má stejný kmitočet, jako průchozí signál. Pro jednoduchý přehled o výstupním výkonu je nutné signál převést na stejnosměrný a ten je poté možné jednoduše měřit milivoltmetrem. K tomuto účelu se používají diodové detektory. Zjednodušeně si to můžeme představit jako usměrnění vf signálu. K těmto účelům se vyrábějí speciální mikrovlnné detekční diody. Nové planární technologie, aplikované na galium-arzenidové polovodičové struktury, umožnily výrobu vysokofrekvenčních detekčních a směšovacích diod zcela nových kvalit. Diody se vyrábějí pod označením Schottkyho PDB diody (PDB = „planar doped barrier“) a jsou použitelné do frekvencí přibližně 50 GHz. Mají malý rozptyl parametrů, snesou i krátkodobé výkonové přetížení a při nulovém předpětí („zero bias“) mají tvar voltampérové charakteristiky vhodný pro kvadratické detektory. Převodová charakteristika detektoru je definována jako závislost výstupního stejnosměrného napětí na vstupním vysokofrekvenčním výkonu. Tato závislost je nelineární a závisí na mnoha činitelích. Obecně ji lze vyjádřit vztahem: (8.3)

Činitel γ je napěťová citlivost detektoru.

82


V určité části převodové charakteristiky nakreslené v logaritmickém měřítku se mění sklon přímek, kterými jsou proloženy lineární úseky V-A charakteristiky diody. V oblasti mezi kvadratickou a lineární částí charakteristiky leží tzv. bod zlomu. Jeho pozice na charakteristice je definována vstupním výkonem, který je o daný počet dB vyšší než výkon odečtený na přímce prodlužující lineární úsek kvadratické charakteristiky, pro stejné výstupní stejnosměrné napětí detektoru. Bývá v rozsahu −30 až −15 dBm, pro rozdíl výkonů ∆ = 0,3 až 1 dB.

Obr. 100.: Schéma vazebního členu s diodovým detektorem..

Z měření na transvertoru bylo zjištěno: Detekované napětí pro POTU = 200 mW (32 dBm):

Udet = 220 mV

83


Obvod mezifrekvence

9

Začíná přizpůsobovacím článkem na IF portu směšovače. Ten je popsán v kapitole Směšovač. Hlavním úkolem mezifrekvenční části je ochránit směšovač před zničení přebuzením a také možností nastavení správné a maximální úrovně budícího IF signálu. Pro přepínání RX a TX cesty je použito obyčejné relé do plošného spoje, které parametry vyhoví našim požadavkům. Ty jsou: -

dostatečná izolace mezi sepnutým a rozepnutým portem, malý průchozí útlum, dostatečně rychlé přepnutí.

Toto relé je ovládáno napájecím napětím TX cesty, je tedy spínané při vysílání. TX cesta obsahuje zatěžovací odpor 50 Ω / 2W ze strany vysílače, rezistor 560 Ω sériově pro snížení napětí (vložení útlumu) a trimru pro nastavení optimálního budícího výkonu. RX cesta obsahuje trimr pro nastavení úrovně přijímaného signálu. Tento trimr má uplatnění při vysokém zisku mikrovlnné části. To je případ, je-li před transvertor předřazen předzesilovač – LNA. Antiparalelně zapojené diody chrání směšovač v případě, že by relé nepřeplo a výkon IF vysílače by procházel RX cestou bez většího útlumu.

Obr. 101.: Mezifrekvenční část.

84


Obr. 102.: Simulace mezifrekvenční přijímací cesty

Obr. 103.: Simulace mezifrekvenční vysílací cesty

Hodnoty vypočítané simulací: Průchozí útlum TX cesty při střední poloze trimru R17: Průchozí útlum TX cesty při minimálním útlumu trimru R17: Průchozí útlum RX cesty při minimálním útlumu trimru R18: Vstupní a výstupní odraz:

85

ATX ≈ 25 dB ATX ≈ 20 dB ARX = 0,5 dB S11, S22 < -20 dB


10 Obvody napájení Obvody stejnosměrného napájení jsou nedílnou součástí zařízení. Každá aktivní součástka vyžaduje určité napájecí napětí, které je buď dáno výrobcem, nebo použitým pracovním bodem. Trvalé napětí o konstantní úrovni vyžaduje lokální oscilátor složený z násobiče kmitočtu. Přijímač a vysílač vyžadují napětí řízené podle RX a TX stavu, případně trvalé záporné napětí pro nastavení pracovního bodu vstupního GaAs FET tranzistoru. Toto napětí je připojeno trvale z důvodu ochrany tranzistoru. Na obr. 104 je katalogové zapojení obvodu ICL 7660, který tvoří stejnosměrný měnič napětí. Přivedené vstupní napětí + 5 V je měničem převedeno na – 5 V. Výstupní záporné napětí je nutné dobře filtrovat. Obvod funguje na principu frekvenčního měniče a v případě, že nebude napětí vyfiltrováno, dojde k cyklické změně pracovního bodu a to má vliv například na intermodulační odolnost. Odporový dělič R1 společně s trimrem R5 umožňuje měnit napětí v rozsahu několika mV do přibližně – 1 V.

Obr. 104.: Obvod záporného stejnosměrného předpětí.

Napájení mikrovlnných obvodů lze provést přes vysokoimpedanční úsek vedení dlouhý λ/4, ten tvoří napájecí tlumivku, obr. 105. Vedení dlouhé λ/4 je známé jako impedanční transformátor. Je-li na konci vedení zkrat, je na vstupu nekonečná impedance. Pokud tuto impedanci připojíme k impedanci blízké 50 Ω, nedojde k jejímu ovlivnění. Tlumivka je vysokofrekvenčně uzemněna kapacitou. Pracuje na principu transformace impedance. Tato kapacita nemusí být veliká, avšak musí být kvalitní. Proto se na vysokých kmitočtech realizuje jako “praporek“ dlouhý opět λ/4. Klasické SMD kondenzátory nemají takovou jakost. Za touto tlumivkou obvykle následuje malý rezistor a poté blokovací SMD kondenzátor. Uvedená konfigurace vyhovuje i jako blokování na nižších kmitočtech.

86


Obr. 105.: Vysokofrekvenční blokování. [2]

V základním blokovém schématu, na začátku této práce, je naznačeno, že stejnosměrné napájení pro přijímací a vysílací část je přepínáno podle provozu. Znamená to, že v čase příjmu je napájena přijímací část a vysílací je nenapájena. Při vysílání je situace opačná. Trvale napájeny jsou jen MMIC zesilovač před směšovačem v části LO a vstupní GaAs FET transistor má přivedeno záporné předpětí pro nastavení pracovního bodu. Tranzistor Q1 slouží k přepínání + 5 V při příjmu a Q2 při vysílání. Jelikož je odběr vysílací části větší, je tranzistor Q2 zvolen jako výkonnější. Vyhovuje FET tranzistor s kanálem typu P. Při uzemnění báze tranzistoru se stane vodivým a tranzistor Q1 je naopak rozepnut. Úbytky napětí na stabilizátorech jsou rozloženy postupně na více stabilizátorů. První IC10 stabilizuje vstupní napětí na 8 V, které je použito i pro napájení LO části. IC7 stabilizuje napětí na 5 V pro přijímací a IC9 pro vysílací část. Bohužel se jedná o lineární stabilizátory, kde jsou úbytky napětí přeměněny na teplo. S výhodou by bylo lepší použít spínané stabilizátory pro zvětšení účinnosti zařízení. Tyto stabilizátory by ovšem bylo nutné ošetřit proti pronikání kmitočtu měniče do VF částí zařízení a tím k degradaci parametrů.

Obr. 106.: Stejnosměrné napájení.

Obr. 106 představuje připojení stejnosměrného napájení k VF částem. Levá část znázorňuje obvod nastavení předpětí vstupního GaAs FET tranzistoru. Napětí se nastavuje trimrem R11 a je

87


přivedeno přes vysokofrekvenční mikropáskovou tlumivku s blokovacím praporkem. Napětí UDS musí být podle katalogového listu omezeno na maximální hodnotu + 3 V. Po překročení této hodnoty může dojít k poškození tranzistoru. Napětí je omezeno zenerovou diodou D2. MMIC zesilovače Hittite HMC 320 vyžadují napájecí napětí + 3 V. Napětí je opět omezeno zenerovou diodou a úbytky na rezistorech. Napětí jsou filtrována kondenzátory s kapacitoru 1 nF, případně 1 µF. Pravá část je napájení vysílací části. MMIC zesilovače HMC 407 jsou napájeny + 5 V s omezením přes diodu D 7, limitní napětí těchto MMIC zesilovačů je 5,5 V. Zesilovač za směšovačem, mezi filtry, je napájen přímo 5 V přes ochranný rezistor R19 s hodnotou 10 Ω.

Obr. 107.: Schéma připojení ss napětí k zesilovacím stupňům.

88


11 Návrh plošného spoje Návrh plošného spoje byl proveden v programu Eagle CAD soft. Celkové schéma mikrovlnné části transvertoru je na obr. 110. Strana součástek navrženého plošného spoje je na obr. 108. Deska plošného spoje je realizována z materiálu Arlon 25N tloušťky 1,524 mm s Er = 3,38.

Obr. 108.: Deska plošného spoje, pohled zespod.

Osazení součástek je na obr. 109. Některé součástky jsou z vrchní strany, jako například hrníčkové filtry, stabilizátory napětí, atd.

Obr. 109.: Deska plošného spoje, pohled na osazení.

89


Obr. 110.: Schéma transvertoru.

90


Pohled na osazený transvertor:

Obr. 111.: Fotka osazeného transvertoru.

Celkový pohled na část transvertoru shora:

Obr. 112.: Fotka transvertoru.

91


12 Měření na realizovaném transvertoru Použité přístroje pro měření realizovaného vzorku transvertoru: Spektrální analyzátor: Generátor: Měřič výkonu: Útlumové články:

Rohde&Schwarz FSL-6 Synthesized signal generátor HP-8672A Powermeter Boonton 4220 + Power sensor Boonton 51100 MCL BW-N20W5 20 dB, BW-N10W5 10 dB

Na mezifrekvenčním kmitočtu byla použita radiostanice Yaesu FT-817 s IF kmitočtem 146 MHz.

12.1 Proměření přijímací mikrovlnné části Po osazení součástek transvertoru jsem změřil přijímací mikrovlnnou část. Zkalibrovaným spektrálním analyzátorem s generátorem byla proměřena cesta od vstupního SMA po vstupní port směšovače RF. Zisk zesilovače je omezen selektivním filtrem, který udává tvar kmitočtové charakteristiky. Podle obr. 113 je zisk na kmitočtu 5760 MHz více jak 29 dB. Potlačení zrcadlového kmitočtu je více jak 25 dB. I na tomto kmitočtu však přijímací řetězec vykazuje zisk přes 4 dB. Nad kmitočtem 5,9 GHz je zisk menší jak 0 dB.

Obr. 113.: Měření mikrovlnné přijímací části.

92


12.2 Proměření mikrovlnné vysílací části Měření mikrovlnné vysílací cesty je na obr. 114. Podle tohoto měření je zisk TX cesty 30 dB a potlačení zrcadlového kmitočtu lepší jak 46 dB. Předpokládaný zisk podle simulace byl 32 dB. Do předpokladu jsem se celkem trefil. Potlačení zrcadlového kmitočtu je dáno dvěma hrníčkovými filtry s velkou selektivitou. Toto potlačení je pro naše účely dostatečné.

Obr. 114.: Měření vysílací mikrovlnné části.

Na obrázcích 115. a 116. je výstupní spektrum mikrovlnného signálu měřené spektrálním analyzátorem na výstupním SMA konektoru. Z prvního obrázku jsou patrné všechny tři signály: kmitočet oscilátoru, zrcadlový kmitočet a náš kmitočet 5760 MHz. Při měření byl mezifrekvenční vysílač naladěn na kmitočet 146.0 MHz. Nejsilnější spektrální čára o úrovni 22 dBm je výstupní výkon požadovaného signálu. O 40 dB je potlačen signál oscilátoru a o 49 dB signál zrcadlového kmitočtu.

Z měření vyplývá: Výstupní výkon: Potlačení oscilátoru: Potlačení zrcadlového kmitočtu:

POUT = 22,1 dBm ΔPLO = 40,5 dB ΔPmirr = 49,6 dB

Po optimalizaci koncového stupně: Výstupní výkon: Potlačení oscilátoru: Potlačení zrcadlového kmitočtu:

POUT = 26,1 dBm ΔPLO = 51,6 dB ΔPmirr = 59,7 dB

93


Obr. 115.: Výstupní spektrum vysílače transvertoru.

Na druhém obrázku je patrnější vyšší úroveň výstupního výkonu požadovaného kmitočtu 5760 MHz a větší potlačení ostatních signálů. Toho bylo dosaženo doladěním výstupního MMIC zesilovače přidáním měděného praporku o rozměrech 5 x 5 mm poblíž výstupního SMA konektoru. Výstupní výkon 26 dBm odpovídá přibližně 400 mW výkonu na impedanci 50 Ω.

Obr. 116.: Výstupní spektrum vysílače transvertoru po optimalizaci.

94


Z naměřených hodnot můžeme vypočítat účinnost vysílacího řetězce. Jelikož známe výstupní výkon, potřebujeme vypočítat stejnosměrný příkon: VF výkon: Napájecí napětí: Klidový proud: Proud při vysílání:

PVF = 400 mW UTX = 5 V Istb = 0,35 A ITX = 0,80 A

Stejnosměrný příkon při klidových proudech: (12.1)

Stejnosměrný příkon při vysílání a výstupním výkonu POUT = 400 mW: (12.2)

Účinnost vysílače: (12.3)

Z výpočtu vychází účinnost vysílací části pouze 10 %. Tato hodnota je velmi malá a je dána především poměrem klidových proudů a přírůstku proudů potřebných k získání vysílacího výkonu 400 mW. Příkon zesilovačů 1,75 W je jen pro nastavení pracovních bodů. To je věc daná výrobci použitých MMIC zesilovačů. Ty jsou navrženy pro práci v lineárním režimu, a proto je i odebíraný klidový proud větší. Jejich hlavní užití je dnes v systémech WLAN, kde se používají vícestavové modulace, které potřebují maximální linearitu zesilovačů pro zajištění co nejmenšího zkreslení při průchodu.

95


12.3 Proměření obvodu mezifrekvence Zde je proměřena přijímačová cesta mezifrekvenčního řetězce. Obsahuje přepínací relé, odporový trimr pro regulaci přijímací úrovně a přizpůsobovací článek směšovače. Z měření na obr. 117 je vidět, že průchozí útlum je 1,96 dB. Filtr u směšovače omezuje třetí harmonickou mezifrekvenčního signálu o více jak 11 dB. Nižší kmitočty jsou potlačeny více.

Obr. 117.: Měření mezifrekvenčního obvodu.

12.4 Vliv spodního víčka Při měření realizovaného transvertoru bylo zjištěno, že při zavíčkování spodní strany boxu dochází k oscilacím jak přijímače, tak vysílače. Tyto oscilace jsou nejspíš způsobeny vznikem vazby mezi vstupy a výstupy MMIC zesilovačů. Tyto zesilovače mají v kaskádním zapojení velký zisk a uzavřením boxu vzniká nad plošným spojem dutina, která se může chovat jako vlnovod či rezonátor. Řešením problému je použití speciální tlumící hmoty, která se nalepí na spodní víčko. V praxi postačí nalepení tlumící hmoty pouze nad zesilovače a tím zvětšit izolaci mezi vstupy a výstupy.

96


13 Porovnání výsledků V této práci jsme na jednu stranu navrhovali a simulovali obvody a celé zařízení, v druhé části měřili realizovaný vzorek. Závěrem provedu diskuzi mezi rozdíly simulace a měření.

Přijímací část parametr Zisk

silumace [ dB ] 40,2

měření [ dB ] 29,9

rozdíl [ dB ] -10,3

Tab. 1: Porovnání mikrovlnné přijímací části.

Konverzní zisk RX parametr Zisk

silumace [ dB ] 26

měření [ dB ] 18

rozdíl [ dB ] -8

Tab. 2: Porovnání konverzního zisku přijímací části.

Vysílací část parametr Zisk Výst. výkon

silumace [ dB(m) ] 32 22

měření [ dB(m) ] 30,7 22

rozdíl [ dB ] -1,3 0

Tab. 3: Porovnání vysílací části.

Z porovnání jistě vyplývá, že simulace počítají velmi „optimisticky“. Uvažují ve výpočtech nejlepší hodnoty, jako například nejvyšší udávaný zisk, a proto jsou simulované parametry lepší než-li ty naměřené. Přijímací mikrovlnná část vykazuje rozdíl 10,3 dB, konverzní zisk je horší o 8 dB a vysílací část má zisk menší o 1,3 dB. Výstupní výkon je stejný, jako předpokládala simulace. Důvodem může být větší výstupní výkon ze směšovače, než je předpokládáno ve výpočtu. I přes rozdíly mezi simulací a měřením jsou hodnoty dostatečné a splňují zadané požadavky.

97


Závěr Úkolem této práce bylo teoreticky rozebrat postup řešení zadaní. Rozdělení na dílčí části a návrh jejich řešení. Zaměřil jsem se na problematiku základního oscilátoru, na možná řešení, na vlastnosti oscilátorů a srovnání s našimi požadavky. Tímto postupem byl vybrán a navržen krystalový oscilátor, který tvoří část nazvanou základní oscilátor. Dalším krokem bylo vyřešení problému, jak získat kmitočet potřebný pro směšovač. Byl tak navržen násobič kmitočtu, který se skládá z aktivních násobících stupňů. U těchto stupňů byly vypočítány pracovní body tranzistorů a následně provedeno měření. Násobící stupně jsou odděleny pásmovými filtry. Pásmové filtry byly realizovány jako dvě rezonanční cívky volně vázané v rezonančním boxu. Tyto filtry se nazývají helixové. Na výstupu násobiče byl použit vysoce selektivní filtr s rezonanční dutinou, jedná se o hrníčkový filtr. U realizovaných filtrů bylo provedeno měření a diskuze s očekávanými vlastnostmi. Pásmové filtry splňují požadavky. Celý navržený řetězec oscilátoru splňuje požadavky na čistotu výstupního spektra i na výstupní výkonovou úroveň, a pro zvýšení stability kmitočtu by bylo možné oscilátor doplnit o některou z uvedených možností, která by vedla ke zlepšení. Výběr směšovače je další podstatná část. Po rozboru možností realizace bylo přistoupeno k použití dvojitě vyváženého diodového směšovače integrovaného v pouzdru MSOT8. Následoval návrh přijímací mikrovlnné části. Pomocí programu Ansoft Designer bylo navrženo impedanční přizpůsobení vstupního tranzistoru. Důraz byl kladen na získání minimálního šumového čísla. Následují monolitické integrované zesilovače s dobrým ziskem a šumovým číslem. Tyto obvody jsou vnitřně impedančně přizpůsobeny. Podle simulace má být zisk přijímací mikrovlnné části 40,2 dB. Změřený zisk na realizovaném transvertoru je 29,9 dB, rozdíl činí 10,3 dB v prospěch simulace. Konverzní zisk přijímače, čili zisk včetně směšovače a mezifrekvenčních obvodů, byl změřen na 18 dB. Simulací byl vypočten na 26 dB. Je tedy opět menší, zde o 8 dB. Vysílací mikrovlnná část zesiluje signál ze směšovače na potřebnou výstupní úroveň z transvertoru. Výstupní výkon jsme uvažovali alespoň 20 dBm. V této části je zařazen druhý selektivní filtr, který omezí signál oscilátoru a zrcadlový kmitočet. Simulací řetězce s MMIC zesilovači byl vypočten zisk 32 dB. Podle měření má zesilovač zisk 30,7 dB. Rozdíl je 1,3 dB. Výstupní výkon byl změřen 22 dBm. Při pokusu o doladění výstupního koncového zesilovače byl naměřen výstupní výkon až 26 dBm. Potlačení lokálního oscilátoru je lepší jak 40 dB, resp. 51 dB po doladění PA. Potlačení zrcadlového kmitočtu je lepší jak 49 dB, resp. 59 dB. Tyto hodnoty jsou dostatečné. Samostatnou část tvoří napájecí obvody, stabilizátory potřebných napětí a záporného předpětí. Mezifrekvenční obvod ochraňuje směšovač před zničením, umožňuje nastavit optimální úroveň buzení směšovače a případně úroveň přijímaného signálu. Díky této práci jsem se blíže seznámil s postupem návrhu a simulací mikrovlnných obvodů. Využil jsem moderní integrované součástky a ověřil jejich jednoduchou aplikaci do mikrovlnných obvodů.

98


Seznam zkratek RX

Přijímač

TX

Vysílač

LO

Lokální oscilátor

IF

Mezifrekvenční kmitočet

SSB

Signál s jedním postranním pásmem

PLL

Obvod fázového detektoru

YIG

Rezonátor z feromagnetického materiálu

DRO

Dielektrický rezonátor

VCO

Napětím řízený oscilátor

PWM Pulsně šířková modulace GSP

Satelitní systém přesného času a určování polohy

BW

Šířka pásma

Q

Jakost

MMIC Monolitický integrovaný obvod (zesilovač), (Monolithic Microwave Integrated Circuit) PPS

Puls za sekundu

VCXO Napětím řízený oscilátor s krystalem IM

Intermodulační odolnost

dBm

Výkonová úroveň vztažená k 1 mW.

99


Literatura [1]

HANUS, S.; SVAČINA, J.: Vysokofrekvenční a mikrovlnná technika. Brno: Skripta FEKT VUT v Brně, 2002. 210 s. ISBN 80-214-2222-X.

[2]

VÁGNER, P.: PLL syntetizátor v pásmu X. Diplomová páce, Brno 2005

[3]

CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES, AN1035: “Design Considerations for a Ku-Band DRO in Digital Communication Systems”

[4]

DOBEŠ,J.; KOLEKTIV: Amatérská radiotechnika a elektronika *2.díl+. Praha: tiskárna Naše vojsko, n.p. v Praze 1986; 28-092-86

[5]

DOBEŠ,J.; KOLEKTIV: Amatérská radiotechnika a elektronika *3.díl+. Praha: tiskárna Naše vojsko, n.p. v Praze 1988; 28-098-88

[6]

WADE,P.: Pipe-cap filters revisited. 2008, http://www.w1ghz.org

[7]

MILLER,J.: Simple GPS stabilized 10MHz oscillator. 2007 Dec 30, www.jrmiller.demon.co.uk

[8]

SUMMERS,H.: GPS frequency reference. 2007, http://www.hanssummers.com

[9]

KUTÍN, P.: Lokální oscilátor konvertoru pro pásmo 24 GHz. Diplomová páce, Brno 2002

[10]

BIOLEK, D.;HÁJEK, K.;KRTIČKA, A.: Analogové elektrické obvody. Brno: Skripta FEKT VUT v Brně, 2007.

[11]

NITSCHKE,U.: 60°OCXO dy DF9LN (90-140 MHz). Dostupné na adrese: http://www.dl6nci.de/ocxo.htm

[12]

ŠVÁBENÍK, P.: Synchronizace času pomocí GPS. Diplomová páce, Brno 2010

[13]

SKYWORKS, AN1008: Coaxial resonators for VCO applications. Trans-Tech, March 2007

[14]

JUGES,D.: Pipe Cap Filters for Microwave Applications. Dostupné na adrese: http://www.ko4bb.com/

[15]

KUHNE,M.: KIT 5,7 GHz 57 G2. Dostupné na adrese: http://www.kuhne-electronic.de

[16]

DOAKKAEW,D.: SINGLE-BALANCED DIODE MIXER USING DEFECTED GROUND STRUCTURE FOR WIRELESS APPLICATIONS. SIRINDHORN INTERNATIONAL THAI-GERMAN GRADUATE SCHOOL OF ENGINEERING. 2006. ISBN 974-1908-46-6

[17]

Katalogové listy Hittite. HMC 407, HMC 311, HMC 218, HMC 313, HMC 320. Dostupné na adrese: http://www.hittite.com

100


[18]

GREENMAN, M.: Simple GPS disciplined reference. Dostupné na adrese: http://www.qsl.net/zl1bpu/

[19]

DANEK, K. Moderní rádiový přijímač. Praha: BEN - technická literatura, 2005.

[20]

The ARRL Handbook for Radio Communications. Newington: ARRL Publisher, 2003.

[21]

KUHNE,M.: Transverter for5.7 GHz. Technical reports: DUBUS 3/1991

[22]

Katalogový list firmy NEC : NE32584C: ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET

[23]

ŠÍR,P.: Radioamatérské konstrukce pro mikrovlnná pásma. Nakladatelství BEN, ISBN 80-7300-014-8, Praha 2001

101


Přílohy Vyrobený a postříbřený plošný spoj včetně prokovů, postříbřených hrníčků a budících antének

102


Možné zlepšení: 5,7 GHz LNA, G = 16,5 dB, NF = 1,1 dB

103


Možné zlepšení: 5,7 GHz POUT > 1 W

104

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. MIKROVLNNÝ TRANSVERTOR Z 5760 MHz NA 146 MHz

Recommend Documents