Procesory pro vestavné aplikace přehled, bloky

Procesory pro vestavné aplikace – přehled, bloky

v. 2015 A4M38AVS ČVUT- FEL, katedra měření,

A4M38AVS, 2015, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha

1

Procesor pro vestavné aplikace- mikrořadič, struktura


mikroprocesor CPU

paměť programu

paměť dat vnější zařízení

vst.- výst. V/V

řídicí sběrnice

progr. řadiče datová sběrnice

adresová sběrnice

Procesorové jádro paměť programu ROM paměť dat - operační paměť ( R/W – čtení- zápis) Možné bloky: Generátor hodinového signálu Reset genrátor - dohlížecí obvody Periferní obvody (čítače, komunikační řadiče UART, USART, ETHERNET, USB, Sériová rozhraní SPI, IIC Bus ADC, DAC, analogové komparátory Obvod reálného času - RTC Blok řízení napájení, vnitřní regulátor napětí

požadavky činností 2

Typy pamětí – podle uchování obsahu Dělení pamětí podle uchování informace po vypnutí napájení: Volatilní paměti – Volatile memory – obsah se po vypnutí napájení ztratí Nevolatilní – „Pevné“- paměti Nonvolatile memory - obsah zachován při vypnutí napájení Dělení pamětí podle způsobu použití RWM Read Write Memory – paměť pro zápis a čtení ( typicky jako datová paměť), jejich obsah se při činnosti procesoru obvykle mění Varianty RWM ( SRAM, DRAM, FIFO, dvoubránová,..) ROM Read Only Memory – paměť s pevným obsahem, který se nemění (typicky jako paměť programu nebo konstant, které jsou dány („napevno“), obsah je zadán technologicky – maskami propojení při jejich výrobě – proto také označení Mask ROM ROM typické použití- jako paměť programu mikrořadiče pro vestavný systém vyráběného ve velkých seríích PROM Programmable ROM – použití vychází z ROM, avšak její obsah může uživatel nějakým způsobem nastavit (naprogramovat) jednou programovatelné OTP (One Time Programmable) PROM Mazatelné programovatelné paměti EPROM, EEPROM, FLASH A4M38AVS, 2015, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha

3

Typy pamětí – podle způsobu přístupu Paměť synchronní, asynchronní Asynchronní paměť- okamžiky čtení, nebo zápisu jsou určeny okamžiky hran řídicích signálů, které mohou přicházet asynchronně- podle požadavku systému Asynchronní SRAM, ROM, NOR FLASH DRAM (staré typy DRAM), FIFO Synchronní paměť- veškerá činnost se děje v rytmu stálého hodinového signálu Synchronní SRAM, Synchronní NOR FLASH,DRAM - SDRAM, DDR, FIFO


4

Nevolatilní paměti NOR FLASH Paměti FLASH- NOR – jako interní, příp. externí paměti programu, čtení kódu přímo při vykonávání, náhodný (libovolný) přístup paměťový tranzistor MOS, plovoucí hradlo – floating gate, informace ve formě - náboj na plov. hradle náboj je – náboj není tranzistor při čtení vede – nevede Rychlé programování – přivedení náboje na plov. hradlo „horkými elektrony“ – velká intenzita proudu IDS C kanálem tranzistoru – v pam. matici,trvání desítky mikrosekund na Bajt W Programování v režimu Byte programming – může se programovat po jednotlivých bajtech (předem W vymazaná paměť) Mazání, mazání – tunelováním – pomalý proces – trvání milisekundy, pouze – buď celá paměť (bulk erase), případně celý blok (sector erase)

0

řídící hradlo

G

plovoucí hradlo

izolant D

S n+

n+

N kanál

P substrát.

výst. obvod TC0

C1

TC1

0

TF00

TF01

1

TF10

TF11 B0

B1

První paměti FLASH byly určeny jako alternativa EPROM- programování a mazání pouze ve specializovaném přístroji – programátoru „Programmer“. Pro programování a mazání bylo zapotřebí zvýšené napětí + 12 V Ohledne programátorů- viz přiklady na www.elnec.sk A4M38AVS, 2015, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha

5

Nevolatilní paměti NOR FLASH jako paměť mikrořadiče Podobné paměti NOR FLASH – použity jako paměť programu v 8- bitových mikrořadičích AT89C51, AT89C52, AT89C2051,..( 89C51 devítka – značí přítomnost paměti FLASH) Programování je možné v paralelní formě pouze s využitím zvýšeného programovacího napětí + 12 V) (Paralelní programování- data a adresy se na mikrořadič přivádějí v paralelní formě) Postupný vývoj- úprava pamětí NOR FLASH – nábojová pumpa na čipu, programování pouze s využitím standarních napě´tových úrovní a napájení. ICP- In Circuit Programmable – možnost programovat paměť FLASH mikrořadiče zapájeného v obvodu. Typicky se využívá sériového rozhraní- obvykle SPI (Serial Peripheral Interface), Např. AT89S51, AT89S8252,…. (89S51 zde značí možnost sériového programování v obvodu) IAP –In Application Programmable FLASH NOR na čipu mikrořadiče – je možno programovat i uživatelským programem. IAP - také In Application Programming (STM32F207 – cvičení), použití jako paměť uživ. konstant. Situace u současných mikrořadičů s jádrem ARM Cortex- M3 (M4, M0,.) - pro vestavné aplikace – typicky paměť NOR FLASH s možností IAP. Program BOOT Loader- umístěn A4M38AVS, 2015, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha

6

Nevolatilní paměti NOR FLASH jako paměť mikrořadiče Využití IAP - modifikace části FLASH – uložení uživatelských konstant a dat. (Kalibrační konstanty přístroje, jazyková lokalizace přístroje) Využití IAP - ve spolupráci s programem BOOT LOADER V paměti ROM na čipu mikrořadiče umístěn zavaděč, který se aktivuje zvláštním nastavením pinů (u STM32 – piny BOOT 0, BOOT 1) ve spolupráci s nadřazeným počítačem čte data představující instrukční kód, který ukládá do paměti FLASH a který následně může spustit. Funkce BOOT LOADER – typicky ve spolupráci s rozhraním UART, ale též USB, CAN, IIC BUS, SPI Funkce BOOT implementována v mikrořadičích s jádrem ARM CORTEX - M3 (a dalších CORTEX- M4, CORTEX-M0, ….) snad všech výrobců Paměť NOR FLASH - omezený počet přeprogramování liší se podle výrobce a technologie Typicky 10 000 x až 100 000, (v některých výjimečných případech i jen 1000 !!!) Zohlednit počet možných mazání a zápisů - případě, že se FLASH paměť používá jako paměť procesních dat- poslední naměřené hodnoty. A4M38AVS, 2015, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha

7

Nevolatilní paměti EEPROM EEPROM - elektricky programovatelná a mazatelná paměť, (po jednotlivých bajtech), často na čipu mikrořadiče jako paměť konstant, programování i mazání tunelováním elektronů pomalý proces, (milisekundy), Částečně omezený počet zápisů (a mazání) – podle typu 100- ky tisíc Paměť se před zápisem maže automaticky (pro uživatele to je transparentní) Pokud je na čipu mikrořadiče pam, EEPROM, je přístupná uživateli pro čtení i zápis (Paměť EEPROM – je využita jako paměť telefonních čísel na kartě SIM v mobtelefonu,..) Paměť EEPROM - nyní nejčastěji používané- s malou kapacitou, jako paměť konfiguračních dat, informací o výrobku, pomocné konstanty, ukládání nezávisle na nikrořadiči. Současné EEPROM – typicky se sériovým rozhraním IICBus(24C02,…24C256), SPI (25C256,..) Z hlediska bezpečnosti a spolehlivosti je vhodnější, aby mikrořadič nepřepisoval svou vnitřní paměť FLASH (na čipu mikrořadiče), ale aby využíval externí nevolatilní paměť EEPROM (případně FRAM).


8

Nevolatilní paměti FLASH – varianta NAND Požadavek zvýšení kapacity paměti ( hustoty paměťových buněk) i počtu zápisů a mazání – vývoj paměti FLASH NAND Paměť FLASH NAND - skupina ( typ. 16) paměťových tranzistorů v matici mezi slovním a bitovým vodičem, FLASH NOR pouze jeden paměťový tranzistor FLASH NAND- skupina pam. tranzistorů W0

W1

B0

B1

Paměť FLASH NAND programování i mazání - tunelováním elektronů NAND relativně pomalý náhodný přístup (odezva – uS), rychlý přenos dathromadné čtení- sekvenční přístup Rychlost FLASH NAND ( např. SSD,..) při čtení – dána hromadným paralelním čtením mnoha tisíc paměťových buněk do vnitřní vyrovnávací paměti stránky (RAM), z které se pak data čtou rychle sekvenčně na výstup A4M38AVS, 2015, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha

9

Nevolatilní paměti FLASH NAND Paměť FLASH NAND – pouze jako externí datové paměťové médium (uložení progr. kódu - před vykonáváním se kód musí načíst do operační paměti („Boot“) FLASH NAND relativně pomalý náhodný přístup (odezva – uS), rychlý přenos dathromadné čtení- sekvenční přístup Rychlost FLASH NAND ( např. SSD,..) při čtení – dána hromadným paralelním čtením mnoha tisíc paměťových buněk do vnitřní vyrovnávací paměti stránky (RAM), z které se pak data čtou rychle sekvenčně na výstup FLASH NAND – postupná degradace- poškozování pam. buněk při zápisu, nutná kontrola a potřebná správa chybných bloků uživatelským prog. Viz též též snižování kapacity paměti FLASH NAND na pam. kartě, USB- FLASH,.. (V paměťové kartě – správa chybných bloků zajištěna interně řadičem na kartě) Velké kapacity pamětí GByte,… Paměti FLASH NAND – podstata SSD (Solid State Disk)


10

Nevolatilní paměti FRAM FRAM Ferroelectric RAM – typicky jako paměť konstant (někde jako paměť) programu), velmi rychlé přepisování – jako čtení, výhoda- velký počet zápisůřádově miliony FRAM relativně náročná konstrukce, - relativně malé kapacity, obvykle jednotky - desítky KByte, Použití FRAM jako paměti konstant ve vestavném zařízení Rychlý zápis do FRAM – podobně jako v SRAM Zachování aktuálního obrazu periodicky přepisovaných dat Pří výpadku napájení- není třeba dlouhé doby pro „záchranu“ důležitých dat. např. aktuální nastavení přístroje, poslední změřené hodnoty V některých případech FRAM – jako vnitřní paměť programu (a dat) mikrořadiče – TI- Texas Instruments (některá varianta MSP430)


11

Volatilní paměti (Read / write memory) Read/ write memory Paměti s náhodným (libovolným přístupem RAM), paměti s ( „omezeným“), přístupem – sekvenční - přístup paměti FIFO,… Statické paměti SRAM, Informace zůstává uložena v paměti po dobu přítomnosti napájení bez potřeby „ obsluhy“, Dynamické paměti DRAM- dynamické paměti RAM informace uložena ve formě náboje na paměťovém kapacitoru, paměťová buňka – 1 bit – 1 kapacitor + 1 výběrový tranzistor MOS (paměť „postupně zapomíná, je nutno informaci ze všech buněk periodicky přečíst a obnovit) Potřebné periodické obnovování informace s intervalem řádu zlomek sekundy SDRAM – synchronní paměť DRAM


12

Volatilní paměti (Read / write memory) SRAM SRAM – statické paměť RAM Statická paměť – informace zůstane uložená v paměti po celou dobu, pokud je připojeno napájení, bez potřeby jakékoliv formy obnovování informace Informace - uložena ve bistabilním klopném obvodu. Pam. buňka, 1 bit – 6 tranzistorů, SRAM - v mikrořadiči jako vnitřní paměť, (operační paměť), obvykle jako paměť dat

Ucc /B

B T3

T4

W

T6

T5 T1

T2

Pokud se z SRAM nečte – má v klidu velmi malý proudový odběr. Možnost uchování obsahu i při sníženém napájecím napětí - režim v klidu STAND BY SRAM v mikrořadiči může být využita i jako rychlá paměť programu Rychlost SRAM je vyšší, než je rychlost FLASH High speed USB Řadič Cy7C68013A – jádro 8- bitového mikroproc. -8051 (Mikr. s 8051 - obvykle pam. prog. v NOR FLASH) Rychlé SRAM 16kByte na čipu Cy7C68013 - jako pam. prog. Boot programu z ext. sériové EEPROM 24C256 (32 kByte, rozhraní IIC Bus) Podobně – signálových procesorů BOOT programu z externí sériové FLASH s rozhraním SPI do rychlé vnitřní SRAM A4M38AVS, 2015, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha

13

Dynamické paměti DRAM - dynamická pamět RAM Informace uložena ve formě náboje na paměťovém kapacitoru CP , pam. buňka 1 kapacitor CP + 1 tranzistor MOS – T1 Kapacita CP malá, hluboko pod 1 pF

W

řízení zap. B

CP řízení

T1 snímací zes.

čtecí a zapis. zesil. C

DI/O

Vybíjení kapacitoru - potřebné periodické obnovování informace (refresh) s intervalem řádu zlomek sekundy SDRAM – synchronní paměť DRAM Čtení, zápis se děje pouze synchronně s vnějším hodinovým signálem SDRAM – synchronous dynamic RAM s každou náběžnou hranou CLK, DDR Double Data Rate – s každou (tedy náběžnou i spádovou hranou) (synchronní systém - analogie- cesta metrem, mohu nastoupit a odjet jen v okamžiku daném rytmem dopravy např. Dejvická- 21:00, 21:10, 21:20, ale nemohu odjet ve 21:15)


14

Procesor pro vestavné aplikace- mikrořadič

mikroprocesor CPU

paměť programu

paměť dat vnější zařízení

vst.- výst. V/V


řídicí sběrnice

progr. řadiče datová sběrnice

adresová sběrnice

Mikroprocesor -historický vývoj Intel 4004 Mikroprocesor, Intel 8008 8- bitový Intel 8080 – široce rozšířený 8- bit.mikroproc. Jednočipový mikropočítač – Intel 8048 Single chip microcomputer (později označované jako microcontroller (8048 zcela odlišná instr. sada od 8080) 8048 ROM – pam. progr. RAM- pam,. dat. vstupy – výstupy čítač, přerušení

požadavky činností 15

Mikroprocesory pro vestavné aplikace 8051 – rysy Intel 8051, paměť ROM 4 kByte, paměť RAM 128 Byte, UART, řadič přerušení,2x čítač Modifikace Intel 8052 ROM 8 Kbyte, RAM 256 Byte, 3x čítač Varianta Intel 8751 EPROM 4 kBbyte UV zářením mazatelná paměť EPROM Velké rozšíření řady 8051), zkráceně ´51 U Intel – označeno MCS51 Microcomputer set 51) Firma Atmel AT89C51, AT89C52, První uživatel jádra ´51 po Intel Hromadné rozšíření, příhodná cena, paměť FLASH – programovatelná externě – v přístroji – „ programátor“


16

Mikroprocesory pro vestavné aplikace – rysy 8051 – vývoj stále používaná architektura, Firma Zilog v r 2013 nově začala používat také ve svým mikrořadičích Paradox – Zilog má dlohou dobu ( pře 30 let)vlastní architekturu mikrořadiče Z8 Z8 -lepší , než 8051 Další uživatelé jádra ´51 Silicon laboratories, Microchip, NXP, Texas Instruments, řada čínských výrobců Doplnění řadou výkonných poeriferi, ADC, DAC, čítače,.. ( uroveń periferií značně přerostla úroveń vlastního jádra)( „turbo Trabant“ Proč 8051 ? dostupné nástroje,překladače,.. Integrace ´51 architektury do SoC – system on a chip (Texas Instruments, Infineon,…) Vhodné pro aplikace nenáročné na výpočetní výkon ( Intel architeltura I80C196 ( označené jako MCS96) 16- bitová, pokročilejší, (vhodná pro překladač C) oproti 8051, historicky zapadla, stará ´51 se vyrábí – technický paradox. A4M38AVS, 2015, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha

17

Mikroprocesory pro vestavné aplikace – rysy Široké spektrum procesorů pro vestavné aplikace od 4 – bitových po 32 – bitové Historický typ – jádro 8051, stále využívané desítkami výrobců Atmel AT89C 51,… jiná řada Atmel AVR, AT Mega www.atmel.com Motorola – Freeescale rodina 68HC08, (68HCS908,…) rodina 68HCS12 a vyšší typy ST Microelectronics STM8 8- bitový proc. firma Microchip , procesory PIC, 8- bitové mikrořadiče – relativně nízký výpočetní výkon, Instrukce násobení 8x8 bitů, u některých typů 16x 16 bitů Jednoduché komunikační řadiče UART, USART Moderní specializované 8- bitové mikrořadiče- rozhraní CAN, LIN, někdy USB


18

STM8S105 Mikrořadič, jednočipový mikropočítač pro vestavné aplikace 8- bitový obdobné periferie jako vyšší procesory I2C, SPI, ADC, PWM, Čítače


19

Mikroprocesory pro vestavné aplikace – 16 bit. 16 – bitové mikrořadiče Siemens, (Infineon) 80C166,.. Texas Instruments MSP430 16 bitový proc., nízká spotřeba, www.ti.com japonské firmy Fujitsu, Nes, Renesas, 8, 16 bitové proc. Signálové procesory Analog Devices, Texas Instruments, Freescale aplikace – jednočipové, nebo i externími sběrnicemi možnost připojení externí SDRAM, možnost oprač. systému ( uCLinux., Linux) Texas Instruments – kombinace DSP a procesoru ARM v jednom pouzdře DSP – viz. příslušná přednáška A4M38AVS


20

Procesory s jádrem ARM pro vestavné aplikace Nyní trend – používat jádro ARM firma ARM www. ARM. COM nejdříve jádro ARM 7, a především, jádro – pro vestavné aplikace – jednočipová varianta ARM Cortex M3, ARM Cortex M0 další typy jádro ARM Cortex M4 (funkce DSP), ARM 9, ARM 11, ARM Cortex A9 vyšší typy - již spolupráce s externími sběrnicemi , připojení SDRAM Externí SDRAM, 32, 64, 256,… a více MByte, portování Linux – procesory s MMU(Memory Management Unit) Omezená verze uCLinux, (procesory bez MMU - např. jádro ARM Cortex M3)


21

Signálové procesory pro vest. aplikace DSP pro vest. aplikace- oproti původní variantám- určeným především pro zpracování audiosignálu – doplněny periferiemi a komunikačními rozhraním- srovnej Analog Device typ ADSP BF533 a typ ADSP504F

ADSP BF533


22

Signálový procesor ADSP BF504 ADSP BF504 F, jádro Blackfin BF5xx, ale doplněno periferiemi pro vestavné aplikace.


23

ADSP BF504F/ BF506F - hlavní rysy Two 32-bit up/down counters with rotary support Eight 32-bit timers/counters with PWM support Two three-phase 16-bit center-based PWM units Two dual-channel, full-duplex synchronous serial ports (SPORTs), supporting eight stereo I2S channels Two Serial Peripheral Interface (SPI) compatible ports Two UARTs with IrDA® support Parallel peripheral interface (PPI), supporting ITU-R 656 video data formats Removable storage interface (RSI) controller for MMC, SD, SDIO, and CE-ATA Internal ADC with 12 channels, 12 bits, and up to 2MSPS Controller Area Network (CAN) controller Two-wire interface (TWI) controller 12 peripheral DMAs, Two memory-to-memory DMA channels Event handler with 52 interrupt inputs 35 general-purpose I/Os (GPIOs), with programmable hysteresis On-chip PLL capable of frequency multiplication A4M38AVS, 2015, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha

24

STM32F10x jako příklad bloků mikrořadiče STM32F1x jako příklad bloků a periferií mikrořadiče pro vestavné aplikace Obdobně uP s jádrem ARM firma NXP, Ti, Sillabs, Infineon, Toshiba,


25

Hlavní bloky procesoru pro vestavné aplikace • • • • • • • • •

• • • •

CPU – vlastní jádro procesoru vnitřní paměť programu (ve formě ROM, Flash nebo SRAM) vnitřní paměť dat – SRAM Generátor hodinového signálu , vnější s XTAL ( krystalem), vnitřní RC – méně přesné – jednotky procent, možná kalibrace resetovací obvod ( Reset, Por,..) dohlížecí obvod Watch dog monitorovací obvod – kontrola napájení, monitorování teploty čipu, zálohování napáj. vybrané SRAM obvod reálného času RTC (Real Time Clock) jednotky čítačů, časovačů, (jednotky PCA – programmable counter array, funkce input capture, output compare, high speed output) ,generátory PWM, vnitřní sběrnice, číslicové vstupně výstupní piny, analogové vstupy, analogové výstupy


26

Hodinový generátor Pro každý procesor- nutný hodinový signál , potřebný hodinový generátor Prostý generátor s XTAL (krystal), pevná frekvence Generátor + děličky pro nižší frekvence, (mikrořadič AT89C51RC2, ,) Generátor s PLL (Phase Locked Loop)), možné programování frekvence hodinového generátoru


27

Obvod PLL pro generování hodinového signálu -PLL- „Phase lock loop“ - obvod fázového závěsu Možno programově nastavit frekvenci hodinového generátoru (Viz výklad na přenášce, jízda dvou cyklistů vedle sebe se zařazeným s rozdílným převodovým stupněm)

PLL- standardně v současných mikrořadičích, možnost dynamicky měnit frekvenci hod. signálu a tak i měnit výkon a proudovou spotřebu Růst frekvence - růst výkonu výpočetního - ale i růst příkonu- elektrického příklad PLL v ADSP BF504F


28

Příklady oscilátorů v STM32 HSE high speed ext. osc. HSI high speed int. osc. LSI low speed int. RC osc. (40 kHz) LSE low speed ext osc. 32768 Hz LSI i LSE (i pro autowake)

Obdobně i jiné mikrořadiče


29

Dohlížecí obvod ADM706 Power supply voltage monitor -ADM706 T VREF = 3,08 V MR manual reset (debounced - ošetřeny odskoky reset. tlačítka) Watchdog timer 1, 6 s reset impuls 200 ms garance /RESET i při UCC = 1V Procesor musí vygenerovat impuls do 1,6 s přivedený na vstup WDI (Watch Dog Input) jinak je resetován -asi zbloudil program a je třeba ukončit jeho činnost

(Analogie- řízení auta, opatření proti usínání řidiče, musí stále na spolujezdce mluvit) A4M38AVS, 2015, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha

30

Dohlížecí obvod ADM706 Generování Reset podle výstupu watch dog, vstupem manual reset


31

Dohlížecí obvod ADM706 Power supply voltage monitor -ADM706 T VREF = 3,08 V MR manual reset ( debounced) watchdog timer 1, 6 s reset impuls 200 ms garance /RESET i při UCC = 1V


32

Dohlížecí obvod ADM691 -

RAM write protection, /CEIN, /CEOUT


33

Reset STM32F1xx Reset procesorů – Uvedení do výchozího stavu po zapnutí napájení Uvedení do výchozího stavu po zásadní chybě (návaznost watch dog) Zastavení procesoru – zamezení nesprávné činnosti Při vnitřní reset- výstup reset signálu pro vnější obvody, výstup typu „Open Drain“


34

Čislicové vstupně – výstupní piny, možné konfigurace V/V piny -konfigurace, Vstupní pin Výstup- pin „Push Pull“, Výstup otevřený kolektor (Open Drain) Pull – up rezistor Pull – down rezistor příklad na STM32F10x Obdobně i u mikrořadičů jiných výrobců


35

Analogové vstupy, převodníky A/D Aproximační převodníky A/D, váhové kapacitory, někdy též sigma delta A/D - obvykle není vnitřní analogový buffer (zesilovač) nutno zajistit buzení, chování – kapacitní zátěž , typ 10 pF, Pozor – rychlé nabití při odběru vzorku, nutný vnější budič nebo blokování vnějším C ( ? podle situace a rychlosti změny vnějšího signálu) U uP, často vnitřní napěťová reference, s band gap, STM 32 nemá vnitřní referenci pro A/D, samostatný vstup. ref. napětí Převodníky A/D a D/A – mají často návaznost na DMA (Direct Memory Access) Rychlé měření, synchronní odběr vzorků bez účasti procesoru


36

Převodníky A/D Přídavné funkce logiky pro práci s převodníky A/D („funkce analog watchdog“ ),měření napětí a porovnání jeho velikosti s nastavenými mezemi- prahy hlídání mezí změřeného napětí , jeden kanál nebo všechny kanály, (horní, nebo dolní mez) Při porušení mezí - vybočení z mezí- signalizace - příznakem, nebo případně přerušení procesoru odlehčení, Monitorování napětí bez programové účasti procesoru, Provedení u STM 32


37

Převodníky D/A 1, 2, někdy i 3 D/A, váhový převodník D/A /(s odporovou síťí) D/A na čipu mikrořadiče – rozlišení typicky do 12 bitů., Někdy též převodníky D/A sigma delta, - audiocodec- externí, pro generování audiosignálu (zvukový signál) Interní převodník D/A na čipu mirořadiče - Generování pevného nebo proměnného napětí, programově ovládané, někdy též pomocí DMA přenos dat z paměti do D/A danou frekvencí


38

Rozhraní pro paměťové karty, SPI Připojení paměťových karet MMC, SD v základním módu – možné pomocí rozhraní SPI ( příp. i prostým programově ovládanými vst. výst. piny) Paměťová karta, adresace po blocích 512 Byte, Je možno pracovat s FAT, ale je možné mít i vlastní formát záznamu (Možnost- atypicky –pro experimenty lineární adresování bloků bez FAT) Doporučení – využívat FAT (File Allocation Table) Pam. karty MMC, SD - možno při zjednodušení připojit i jen pomocí rozhraní SPI, relativně pomalý přenos


39

Rozhraní pro paměťové karty Připojení paměťových karet MMC, SD pomocí specializovaného rozhraní SDIO Rozhraní SDIO- možnost vysokých rychlostí přenosu dat do karty zmikrořadiče 10 MByte /sec a více. Paměťová karta – jako externí paměťové medium pro záznam dat,…


40

Rozhraní pro I2S Připojení audiokodeků (A/D a D/A převodníků pro audiosignály) Jednosměrná synchronní komunikace Rozhraní I2S - typicky v signálových procesorech Nastavení parametrů kodeku, příp. možné pomocí rozhraní I2C Bu (data - prostřednictvím I2S, nastavení I2C Bus)


41

Rozhraní UART UART Universal Synchronous Asynchronous Transceiver Receiver) pro asynchronní komunikaci mikrořadiče – obsahují min. jeden obvod UART (mimo nejjednodušších typů) USART (Universal Synchronous Asynchronous Transceiver Receiver) synchronní přenos UART(často s využitím přenosu prostřednictvím rozhraní RS232) - velmi často využíván ve vestavných zařízeních – pro pomalý přenos dat.


42

Spolupráce procesoru se sběrnicemi Přenos dat po externí sběrnici procesoru- obecně (adresy, data, říd. signály) A15 - A0 , a více adr. sběr. D7 - D0, a více dat. sběr. WR

říd. sig.

RD

A15 A0 MPR D7 D0

A15 A0 pam. blok D7 D0 WR RD

A15 - A0

D7 - D0 WR RD

zápis

čtení ADR

ADR

platná adresa

data z MPR C

/RD data z pam.

platná data tDV

A15 - A0

platná adresa

D8 - D0

platná data Z

WR t

WP

tDWH

platná data


43

Externí sběrnice pro paměti - STM32F2x Čtení na sběrnici STM32F2xx A Address bus D Data bus NEx Chip select NOE Output Enable NWE Write Enable NBL1 Upper Byte Enable NBL0 Lower Byte Enable

Možnost připojit vnější statické paměti SRAM k procesoru N – symbolizuje aktivitu signálu v ve stavu „L“ A4M38AVS, 2015, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha

44

Externí sběrnice STM32F2x - STM32F2x -Zápis na sběrnici STM32F2xx


45

Spolupráce STM32F2xx s externími pamětmi -Možné modifikace chování procesoru STM32F2xx na externí sběrnici pro spolupráci s • SRAM ( Statická) RAM) • PSRAM (Pseudo Static Ram), • paralelní NAND Flash, • paralelní NOR Flash


46

Vnitřní sběrnice STM32


47

Zápis na sběrnici DSP BF 533 Zápis do externí asynchronní SRAM s využitím externích sběrnic ADSP BF533 Podobně mohou být připojeny paměťově mapované výst. brány (registr 74LVC574)


48

Čtení na sběrnici ADSP BF533 Čtení dat z externí asynchronní SRAM s využitím externích sběrnic Obdobně mohou být připojen paměťově mapované vstupní brány - 74LVC245


49

Spolupráce ADSP BF 533 s SDRAM SDRAM Synchronní dynamická RAM CLKOUT – hodinový signál pro synchronizaci spolupráce s SDRAM


50

Desky typu „evaluation board“ Desky pro seznámení s daným procesorem často je součástí dodávky emulátor STM8, vývoj. deska Texas. Insruments -Stelaris


51

Procesory pro vestavné aplikace přehled, bloky

Recommend Documents