Optimasi Parameter Tekanan Deposisi untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode HWC PECVD Amiruddin Supu1), I Wayan Sukarjita1), Fakhruddin1), Suryani Arsyad Fitri2), Toto Winata3), dan Sukirno3) 1) Program Studi Fisika, Jurusan Pendidikan Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Fakultas Keguruan dan Ilmu Pendidikan, Universitas Nusa Cendana, Kupang 2) Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Sriwijaya, Palembang 3) Laboratorium Fismatel, Program Studi Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Institut Teknologi Bandung e-mail:
[email protected] Diterima 25 Agustus 2008, disetujui untuk dipublikasikan 9 Desember 2008 Abstrak Metode HWC PECVD (Hot Wire Cell Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) telah berhasil dikembangkan untuk menumbuhkan lapisan tipis mikrokristal silikon terhidrogenasi (µc-Si:H). Lapisan tipis µc-Si:H ditumbuhkan di atas gelas corning 7059 pada temperatur filamen 1000 oC. Gas silan (SiH4) 10% dalam gas hidrogen (H2) digunakan sebagai sumber gas. Dalam metode hot wire cell PECVD, gas reaktan didekomposisi dengan filamen tungsten panas yang diletakkan di luar kedua elektroda dan paralel dengan sistem gas masukan. Dari hasil karakterisasi diperoleh bahwa laju deposisi meningkat dari 1,45 Å/s sampai 1,56 Å/s dengan meningkatnya tekanan deposisi dari 700 mTorr sampai 1100 mTorr. Dari hasil foto SEM dan spektrum XRD memperlihatkan adanya transisi amorf ke mikrokristal pada tekanan deposisi 1000 mTorr. Transisi amorf ke mikrokristal ditandai dengan berkurangnya fasa amorf dan adanya puncak difraksi pada orientasi kristal istimewa <111>. Konduktivitas gelap dan terang lapisan tipis µc-Si:H yang diperoleh sebesar 1,27 x 10-5 S cm-1 dan 2,12 x 10-3 S cm-1. Kata Kunci: HWC PECVD; Konduktivitas; µc-Si:H; dan Orientasi kristal. Abstract The Hot Wire Cell PECVD method has been developed and successfully applied to grow the hydrogenated microcrystalline silicon (µc-Si:H) thin films. The µc-Si:H thin films were grown on the 7059 corning glass at a filament temperature of 1000 oC. Ten percents silane (SiH4) gas diluted in hydrogen (H2) gas was used as gas source. In the hot wire cell PECVD method, reactant gases are decomposed as a result of reaction with a heated filament. The filament was placed parallelly with inlet gas system and outside of electrodes. The characterization results exhibited that the deposition rate increased from 1,45 Å/s to 1,56 Å/s with increasing the deposition pressure from 700 mTorr to 1100 mTorr. The SEM image and the XRD spectrum exhibited the transition of amorphous to microcrystalline silicon at an deposition pressure of 1000 mTorr. The transition of amorphous to microcrystalline was indicated by the reduction of amorphous parts and the appearance of peak diffraction at <111> preferential crystal orientation. The dark and photo conductivities of the obtained µc-Si:H thin films was 1,2 x10-5 S cm-1 and 2,12 x 10-3 S cm-1, respectively. Keywords: Conductivity; Crystal orientation; Hot Wire Cell PECVD; and µc-Si:H. dua elektroda sejajar. Sistem reaktor seperti ini disebut Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) atau Glow Discharge. Frekuensi gelombang radio yang digunakan adalah 13,56 MHz. Dalam proses deposisi, teknik PECVD melibatkan beberapa parameter yang mempengaruhi distribusi hidrogen dalam lapisan yang dipandang sebagai faktor yang menyebabkan terjadinya degradasi sifat listrik lapisan tipis a-Si:H (Santos dkk., 1991). Selain itu, beberapa reaksi fasa gas memungkinkan terbentuknya ikatan silan-silan yang tinggi dalam plasma rf, dan tumbukan dari ion-ion berenergi tinggi sehingga menambah jumlah cacat dalam lapisan. Oleh karena itu diperlukan teknik baru untuk menumbuhkan
1. Pendahuluan Lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi (aSi:H) dapat dideposisi dengan beberapa teknik, seperti rf dan dc glow discharge, photo-CVD, ion-cluster beam dan sputtering. Radio frequency (rf) glow discharge dan photo-CVD merupakan teknik deposisi lapisan tipis a-Si:H yang umum digunakan dengan kualitas lapisan yang tinggi. Sistem deposisi plasma untuk menumbuhkan material silikon amorf pertama kali dikembangkan oleh Chittick dan kawan-kawan dengan menggunakan sistem rf induktif, di mana plasma terjadi akibat adanya induksi kumparan (Street, 1991). Dalam pengembangan reaktor selanjutnya, digunakan konfigurasi dioda, di mana plasma terbentuk di antara 102
103 JURNAL MATEMATIKA DAN SAINS, DESEMBER 2008, VOL. 13 NO. 4
material a-Si:H dengan kandungan hidrogen yang rendah. Teknik baru yang dikembangkan beberapa tahun terakhir ini adalah teknik Hot Wire Chemical Vapor Deposition (Hot Wire CVD), yaitu metode CVD yang dibantu dengan filamen panas (Broguira dkk., 1995; 1996; Doyle dkk., 1988; Heintze dkk., 1996; Michael, 1996). Dengan teknik baru ini, lapisan tipis yang dihasilkan mempunyai kualitas yang relatif lebih baik akibat dekomposisi silan pada permukaan filamen panas (Mahan dan Vanecek 1991; Wu dkk., 1996). Selain itu teknik ini melibatkan parameter-parameter deposisi yang relatif sedikit sehingga mudah dikontrol. Proses penumbuhan lapisan tipis melibatkan radikalradikal sederhana yang dilepaskan dari permukaan filamen panas. Di samping beberapa kelebihan yang dimiliki oleh metode Hot Wire CVD seperti yang disebutkan di atas, juga terdapat beberapa kekurangan, yaitu: (1) lapisan tipis yang dihasilkan tidak memperlihatkan korelasi simetrik antara parameter-parameter deposisi dengan sifat optik dan listrik lapisan tipis yang dihasilkan; (2) lapisan tipis yang dihasilkan dengan kandungan hidrogen rendah (CH<4%) mempunyai konduktivitas yang relatif sama dengan lapisan tipis yang dihasilkan dengan PECVD yang kandungan hidrogennya besar (CH>15%); dan (3) konduktivitas lapisan tidak uniform. Wang dan kawan-kawan (1998) telah meneliti sifat listrik (konduktivitas gelap) dari lapisan tipis a-Si:H yang ditumbuhkan dengan teknik Hot Wire CVD di atas substrat isolator, yaitu corning 7059 glass, diperoleh informasi bahwa untuk sampel yang sama, konduktivitas gelapnya berbeda sekitar lima orde untuk setiap lokasi yang berbeda dalam sampel. Ini menunjukkan bahwa sifat listrik lapisan tipis yang ditumbuhkan tidak uniform. Untuk mengatasi kelemahan metode Hot Wire CVD, metode PECVD dikembangkan menjadi metode Hot Wire PECVD (Hot Wire Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Metode Hot Wire PECVD adalah metode PECVD yang ditambahkan filamen panas antara kedua elektroda dan berada tepat di atas substrat. Dengan metode Hot Wire PECVD, gas reaktan didekomposisi oleh filamen panas dan daya rf yang secara efektif akan meningkatkan laju dekomposisi gas reaktan. Jadi dengan metode ini diharapkan diperoleh kandungan hidrogen yang rendah dengan konduktivitas yang tinggi. Dalam studi ini lapisan tipis a-Si:H ditumbuhkan dengan metode baru HWC PECVD (Hot Wire Cell Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Metode Hot Wire Cell PECVD mempunyai konfigurasi yang berbeda dari metode Hot Wire PECVD konvensional, di mana filamen diletakkan paralel dengan sistem gas masukan. Dengan menggunakan metode HWC PECVD transisi amorf
(a-Si:H) ke mikrokristal silikon (µc-Si:H) diamati melalui optimasi parameter tekanan deposisi. 2. Metode Lapisan tipis mikrokristal silikon (µc-Si:H) ditumbuhkan dengan metode HWC PECVD. Metode HWC PECVD adalah metode PECVD yang ditambahkan dengan filamen panas. Perbedaan yang signifikan antara HWC PECVD dengan Hot Wire PECVD konvensional terletak pada rancangan filamennya. Dalam metode Hot Wire PECVD filamen diletakkan di antara kedua elektroda dan berada tepat di atas substrat sedangkan dalam metode HWC PECVD, filamen diletakkan paralel dengan sistem gas masukan dan berada di luar kedua elektroda. Tungsten wire berdiameter 1,2 mm digunakan sebagai filamen. Filamen berupa gulungan dengan diameter 5,0 mm dan panjang 20 mm, disusun paralel dengan sistem gas masukan. Jarak antara filamen dan elektroda adalah 10 mm. Filamen dipanaskan dengan suplai daya listrik secara langsung dan dipertahankan konstan selama eksperimen berlangsung. Skema sistem HWC PECVD diperlihatkan pada Gambar 1.
Gambar 1. Sistem reaktor HWC PECVD. Lapisan tipis µc-Si:H ditumbuhkan di atas gelas corning 7059. Gas silan (SiH4) 10% dalam gas hidrogen (H2) digunakan sebagai sumber gas. Amiruddin dan kawan-kawan (2004) melaporkan bahwa dengan menggunakan metode HWC PECVD, lapisan tipis a-Si:H yang berkualitas baik diperoleh pada temperatur substrat 275 oC, tekanan deposisi 900 mTorr, temperatur filamen 800 oC dan laju aliran gas 50 sccm. Berdasarkan hasil yang diperoleh Amiruddin dan kawan-kawan di atas, parameter deposisi dalam studi ini seperti diperlihatkan dalam Tabel-1.
Supu, dkk., Optimasi Parameter Tekanan Deposisi untuk Penumbuhan Lapisan 104
Tabel 1. Parameter penumbuhan untuk optimasi tekanan deposisi HWC PECVD 110 Watt 700 - 1100 mTorr 50 sccm 1000 oC 275 oC
3. Hasil dan Diskusi
Lapisan tipis µc-Si:H yang telah ditumbuhkan dikarakterisasi untuk mengamati sifat optik dan listrik maupun struktur lapisannya. Spektrum UV-Vis digunakan untuk menentukan laju deposisi dan celah pita optik. X-ray diffraction (XRD) digunakan untuk menentukan fasa kristal dari lapisan. Scanning electron microscopy (SEM) digunakan untuk melihat morfologi permukaan. Konduktivitas diukur dengan metode dua titik (coplanar) dengan menggunakan elektrometer Keithley 617. Laju deposisi lapisan yang telah ditumbuhkan ditentukan dengan menggunakan data hasil pengukuran ketebalan lapisan dan lama deposisi. Perhitungan ketebalan dilakukan menggunakan data transmitansi yang diperoleh dari hasil pengukuran UV-Vis dengan persamaan sebagai berikut (Swanepoel, 1983):
d di mana :
=
λ1 λ2 2 ( λ1 n2 − λ2 n1 ) λ n
(1)
= panjang gelombang = indeks bias lapisan tipis a-Si:H
Transparansi suatu lapisan dapat digambarkan secara kuantitatif dengan besarnya celah pita optik lapisan tersebut, oleh karena itu penentuan celah pita optik dapat dilakukan dengan melakukan perhitungan terhadap data pengukuran transparansi yang diukur menggunakan UV-Vis. Metode perhitungan celah pita optik lapisan tipis a-Si:H yang populer digunakan adalah metode touch plot (Takahashi dan Konagai, 1986). Penentuan celah pita optik dengan metode touch plot dilakukan dengan menarik garis secara ekstrapolasi pada daerah linier dari grafik hubungan antara (αhν) 1/2 dengan (hν) hingga memotong sumbu energi. Perpotongan antara hasil ekstrapolasi dengan sumbu energi inilah yang menunjukkan celah pita optik. Pengukuran konduktivitas gelap (dark conductivity) dan konduktivitas terang (photoconductivity) lapisan tipis a-Si:H dilakukan dengan metode dua titik (coplanar). Pada pengukuran
Gambar 2 memperlihatkan laju deposisi sebagai fungsi dari tekanan deposisi dari lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan metode Hot Wire Cell PECVD. Dari gambar terlihat bahwa laju deposisi meningkat dengan meningkatnya tekanan deposisi. Peningkatan ini disebabkan oleh berkurangnya jalan bebas rata-rata sehingga meningkatkan tumbukan antar partikel dalam plasma yang berakibat pada meningkatnya konversi silan. Peningkatan efisiensi dekomposisi silan mengakibatkan fluks radikal atom yang mencapai substrat meningkat dan berakibat meningkatnya laju deposisi. Hasil ini sama dengan yang diperoleh oleh peneliti sebelumnya. Selain itu, peneliti lain juga melaporkan bahwa laju deposisi maksimum ditentukan oleh tekanan deposisi (Broguira dkk., 1995). Laju deposisi lapisan tipis yang ditumbuhkan meningkat dari 1,45 Å/detik sampai 1,56 Å/detik dengan meningkatnya tekanan deposisi dari 700 mTorr sampai 1100 mTorr. Peningkatan ini disebabkan oleh berkurangnya jalan bebas rata-rata sehingga meningkatkan tumbukan antar partikel dalam plasma yang berakibat pada meningkatnya konversi silan. Peningkatan efisiensi dekomposisi silan mengakibatkan fluks radikal atom yang mencapai substrat meningkat dan berakibat meningkatnya laju deposisi. 1.7
Deposisi (Å/s) Laju Laju Deosisi (Å/s)
Parameter Penumbuhan Daya radio frekuensi (rf) Tekanan deposisi Laju aliran gas Temperatur filamen Temperatur substrat
konduktivitas terang, lampu Xenon 24 Volt dan 250 Watt digunakan sebagai sumber cahaya. Jarak antara lapisan tipis yang diukur dengan lampu adalah 22 cm, dengan intensitas penyinaran pada jarak tersebut adalah 29 mW cm-2. Sedangkan fotosensitivitas ditentukan berdasarkan hasil perbandingan konduktivitas terang dengan konduktivitas gelap.
1.6
1.5
1.4
1.3 600
700
800
900
1000
1100
1200
TekananDeposisi Deposisi (mTorr) Tekanan (mTorr)
Gambar 2. Laju deposisi sebagai fungsi tekanan deposisi dari lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan metode HWC PECVD.
105 JURNAL MATEMATIKA DAN SAINS, DESEMBER 2008, VOL. 13 NO. 4
Gambar 3. Foto SEM morfologi permukaan lapisan tipis yang dideposisi dengan HWC PECVD pada tekanan deposisi (A) 700 mTorr, (B) 800 mTorr, (C) 900 mTorr, dan (D) 1100 mTorr.
Gambar 4. Foto SEM penampang lintang lapisan tipis yang dideposisi dengan HWC PECVD pada tekanan deposisi (A) 700 mTorr, (B) 800 mTorr, (C) 900 mTorr, dan (D) 1100 mTorr.
Supu, dkk., Optimasi Parameter Tekanan Deposisi untuk Penumbuhan Lapisan 106
Lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan pada tekanan deposisi 900 mTorr memperlihatkan adanya puncak difraksi pada sudut 2 theta 28,45o, 47,30o 56,12o dan 69,14o yang merupakan karakteristik dari fasa kristal. Jadi lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan HWC PECVD pada tekanan deposisi 900 mTorr berstruktur mikrokristal dengan orientasi kristal <111>, <220>, <311> dan <400>. Orientasi kristal istimewa terjadi pada arah <111>. Ini berarti bahwa lapisan tipis µc-Si:H telah berhasil ditumbuhkan dengan metode HWC PECVD pada tekanan deposisi 900 mTorr.
Konduktivitas (S/cm) Konduktivitas (S/cm)
10-1 10-2
Terang
10-3 10-4 Gelap 10-5 10-6 10-7 600
700
800
900
1000
1100
1200
Tekanan Deposisi Tekanan Deposisi (mTorr) (mTorr) Gambar 6. Konduktivitas sebagai fungsi tekanan deposisi lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan metode HWC PECVD. 104
Fotosensitivitas Fotosensitivitas
Gambar 3 dan Gambar 4 memperlihatkan foto SEM morfologi dan penampang lintang lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan metode HWC PECVD pada tekanan deposisi (A) 700 mTorr, (B) 800 mTorr, (C) 900 mTorr, dan (D) 1100 mTorr. Dari gambar terlihat bahwa morfologi permukaan lapisan berubah dengan berubahnya tekanan deposisi. Lapisan yang ditumbuhkan pada tekanan deposisi 900 mTorr memperlihatkan adanya butiran-butiran kristal yang tersebar di permukaan film. Ini menunjukkan bahwa lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan HWC PECVD pada tekanan deposisi 900 mTorr berstruktur mikrokristal. Hasil ini sesuai dengan hasil pengukuran XRD seperti pada Gambar 5B yang memperlihatkan adanya puncak difraksi pada sudut 2 theta 28,45o, 47,30o, 56,12o dan 69,14o yang merupakan karakteristik dari fasa kristal. Gambar 5 memperlihatkan spektrum XRD dari lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan metode HWC PECVD pada tekanan deposisi (A) 800 mTorr, (B) 900 mTorr, dan (C) 1100 mTorr. Dari gambar terlihat bahwa struktur lapisan tipis yang dihasilkan dipengaruhi secara signifikan oleh tekanan deposisi. Lapisan yang ditumbuhkan pada tekanan deposisi (A) 800 mTorr, (B) 900 mTorr, dan (C) 1100 mTorr memperlihatkan adanya spektrum XRD yang lebar pada sudut 2 theta 10o sampai 40o yang merupakan karakteristik dari fasa amorf. Puncak intensitas spektrum XRD pada sudut 2 theta 10o sampai 40o untuk lapisan tipis yang ditumbuhkan pada tekanan 900 mTorr lebih rendah dari lapisan tipis yang ditumbuhkan pada tekanan 800 dan 1100 mTorr. Ini mengindikasikan bahwa sifat amorf dari lapisan yang ditumbuhkan pada tekanan 900 mTorr lebih rendah. Rendahnya fasa amorf ini disebabkan oleh meningkatnya ikatan Si-Si yang ditandai dengan meningkatnya konduktivitas dan menurunnya fotosensitivitas lapisan seperti terlihat pada Gambar 6 dan Gambar 7.
103
102
101 600
700
800
900
1000
1100
1200
Tekanan Deposisi (mTorr) Tekanan Deposisi (mTorr) <111> <311>
Gambar 7. Fotosensitivitas sebagai fungsi tekanan deposisi lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan metode HWC PECVD.
<400>
Intensitas (a.u) Intensitas (a.u)
<220>
C
B
A
10
20
30
40
50
60
70
80
2 Theta 2 Theta ((º) ) o
Gambar 5. Spektrum XRD lapisan tipis yang dideposisi dengan HWC PECVD pada tekanan deposisi (A) 800 mTorr, (B) 900 mTorr, dan (C) 1100 mTorr.
Konduktivitas sebagai fungsi tekanan deposisi lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan HWC PECVD diperlihatkan pada Gambar 6. Dari gambar terlihat bahwa konduktivitas gelap meningkat dari 1,48 x 10-6 Scm-1 sampai 1,27 x 10-5 Scm-1 dengan meningkatnya tekanan deposisi dari 700 mTorr sampai 900 mTorr. Konduktivitas terang meningkat dari 1,34x10-3 Scm-1 sampai 2,12 x 10-3 Scm-1 dengan meningkatnya tekanan deposisi dari 700 mTorr sampai 900 mTorr. Peningkatan konduktivitas gelap maupun terang ini disebabkan oleh meningkatnya ikatan Si-Si dan berkurangnya kandungan hidrogen dalam lapisan. Pada
107 JURNAL MATEMATIKA DAN SAINS, DESEMBER 2008, VOL. 13 NO. 4
tekanan yang tinggi proses penumbuhan dipengaruhi oleh meningkatnya laju reaksi fasa gas dan lamanya gas berada dalam reaktor. Selain itu pada tekanan yang tinggi konsentrasi hidrogen dalam reaktor menjadi tinggi yang berakibat pada meningkatnya konversi silan menjadi radikal yang lebih sederhana yang dengan sendirinya akan meningkatkan ikatan Si-Si yang diiringi dengan berkurangnya kandungan hidrogen dalam lapisan. Hal ini sesuai dengan hasil pengukuran celah pita optik seperti yang diperlihatkan pada Gambar 8. Konduktivitas gelap dan terang tertinggi (1,27 x 10-5 Scm-1 dan 2,12 x 10-3 Scm-1) diperoleh pada tekanan deposisi 900 mTorr. Lapisan yang ditumbuhkan pada tekanan deposisi 900 mTorr dengan konduktivitas tertinggi adalah berstruktur mikrokristal seperti terlihat pada pengukuran XRD. Hal ini sesuai juga dengan hasil perhitungan fotosensitivitas yang terlihat pada Gambar 7, di mana lapisan yang berstruktur mikrokristal memiliki fotosensitivitas (1,67 x 102) yang lebih rendah dari lapisan yang berstruktur amorf.
Optik(eV) (eV) CelahCelah PutaPita Optik
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5 600
700
800
900
1000
1100
1200
Tekanan (mTorr) TekananDeposisi Deposisi (mTorr) Gambar 8. Celah pita optik sebagai fungsi tekanan deposisi dari lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan metode HWC PECVD. Celah pita optik sebagai fungsi dari tekanan deposisi lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan metode HWC PECVD diperlihatkan pada Gambar 8. Dari gambar terlihat bahwa celah pita optik menurun dari 1,75 eV sampai 1,61 eV seiring dengan meningkatnya tekanan deposisi dari 700 mTorr sampai 900 mTorr. Penurunan celah pita optik ini disebabkan oleh berkurangnya kandungan hidrogen dalam lapisan. Pada tekanan yang tinggi, konsentrasi hidrogen yang tinggi dalam chamber akan meningkatkan konversi silan yang dengan sendirinya akan meningkatkan ikatan Si-Si yang diiringi dengan berkurangnya kandungan hidrogen dalam lapisan. Meningkatnya ikatan Si-Si dalam lapisan akan meningkatkan konduktivitas lapisan (seperti terlihat pada Gambar 6).
4. Kesimpulan Lapisan tipis µc-Si:H telah berhasil ditumbuhkan dengan mengoptimasi parameter tekanan deposisi menggunakan metode HWC PECVD. Spektrum XRD memperlihatkan adanya perubahan struktur dari amorf ke mikrokristal pada tekanan deposisi 900 mTorr. Orientasi kristal istimewa dari lapisan tipis µc-Si:H terjadi pada arah <111>. Lapisan tipis µc-Si:H yang diperoleh memiliki celah pita optik, konduktivitas gelap dan terang masing-masing 1,61 eV, 1,27 x 10-5 Scm-1 dan 2,12 x 10-3 Scm-1 dengan laju deposisi 1.52 Å/s. Fotosensitivitas lapisan tipis µc-Si:H yang diperoleh sebesar 1,67 x 102 . Ucapan Terima kasih Penulis mengucapkan terima kasih kepada Direktorat Penelitian dan Pengabdian Kepada Masyarakat Dirjen DIKTI atas dana penelitiannya melalui Proyek Hibah Bersaing sehingga penelitian ini dapat terlaksana. Daftar Pustaka Amiruddin, S., I. Usman, Mursal, T. Winata, Sukirno and M. Barmawi, 2004, Growth Study of aSi:H Thin Films by Hot Wire Cell PECVD Method, Asian J. Energy Environ, 5:1, 47-58. Broguira, P., J. P. Conde, S. Arekat, and V. Chu, 1995, Low Filament Temperature Deposition of aSi:H by Hot Wire Chemical Vapor Deposition, J. Appl. Phys., 78:6, 3776-3783. Broguira, P., J. P. Conde, S. Arekat, and V. Chu, 1996, Amorphous and Microcrystalline Silicon Films Deposited by Hot Wire Chemical Vapor Deposition at Filament Temperature Between 1500 and 1900 ºC, J. Appl. Phys., 79:11, 8748-8760. Doyle, J., R. Robertson, G. H. Lin, M. Z. He, and A. Gallagher, 1988, Production of High Quality Amorphous Silicon Films by Evaporative Silane Surface Decomposition, J. Appl. Phys,. 64:6, 3215-3223. Heintze, M., R. Zedlitz, H. N. Wanka, and M. B. Scubert, 1996, Amorphous and Microcrystalline Silikon by Hot Wire Chemical Vapor Deposition , J. Apply Phys., 79:5, 26992706. Mahan, A., H., and M. Vanecek, 1991, in Amorphous Silicon Materials and Solar Cells, edited by B. L. Stafford, Amer. Inst. Phy. Conf. Proc,. 234, 195. Michael, H., 1996, Amorphous Silicon Technology1995, Material Research Society, Symposium Proceedings, 377, Pittsburgh.
Supu, dkk., Optimasi Parameter Tekanan Deposisi untuk Penumbuhan Lapisan 108
Santos, P. V., N. M. Johnson, and R. A. Street, 1991, Light-Enhanced Hydrogen Motion in a-Si:H, Phys. Rev. Lett., 67, 2686-2689. Street, R. A., 1991, Hydrogenated Amorphous Silicon, Cambridge University Press, London. Swanepoel, R., 1983, Determination of the Thickness and Optical Constants of Amorphous Silicon, J. Phys. E : Sci. Instrument, 16:12, 1214-1222. Takahashi, K., and M. Konagai, 1986, Amorphous Silicon Solar Cells, Nort Oxpord Academic, London.
Wang, Q., B. P. Neslon, E. Iwaniczko, A. H. Mahan, R. S. Crandall, and J. Benner, 1998, The Influence of Charge Effect on the Growth of Hydrogenated Amorphous Silicon by the Hot Wire Chemical Vapor Deposition Technique, The 2nd World Conference and Exhibition on Photovoltaic Solar Energy Conversion, Vienna, Austria. Wu, Y., J. T. Stephen, D. X. Handayani, J. M. Rutland, R. S. Crandall, and A. H. Mahan, 1996, New Hydrogen Distribution in a-Si:H: An NMR Study, Phys. Rev. Lett., 77, 2049-2052.
