2.9. Függelék 2.9.1 Betűszavak (akronimok) 1 AES Auger elektronspektroszkópia ("Auger Electron Spectroscopy"); elektrongerjesztésen és az Auger elektronok detektálásán alapuló felületvizsgálati módszer, rétegeltávolítással kombinálva mélységi profilok is nyerhetők. BiCMOS IC-technológia
mind bipoláris, mind CMOS eszközöket kombináló
CMOS komplementer ("Complementary"), azaz p-csatornás, PMOS, ("Metal-Oxide-Semiconductor") és n-csatornás, NMOS, tranzisztor-párokból álló inverter DRAM dinamikus véletlen hozzáférésű memória "Dynamic Random Access Memory" DWB szeletek szilárdfázisú "hegesztése" ("Direct Wafer Bonding"), elsősorban a SOI-technológia alkalmazza, ilyenkor a két Siszeletet egy SiO2-réteggel elszigetelten hegesztik; 2.2.6. FA annealing") FP
kemencében való hőkezelés rövidítése ("Furnace Frenkel-pár (rácshiba, vakancia-rácsközi atom pár)
IBAD Ionbesugárzás kíséretében végzett vákuumpárologtatás ("Ion Beam Assisted Deposition"); 2.7.3. IBIA Amorf-kristályos átmenet eltolása az amorf réteg javára a rétegen áthatoló ionbesugárzás segítségével; 2.4.3.1. IBIEC Kristályos anyag felületén lévő (tetszőlegesen létrehozott) amorf réteg epitaxiás visszanövekedése a rétegen áthatoló ionbesugárzás segítségével; 2.4.3.1. IC Circuit")
integrált áramkörök általános rövidítése ("Integrated
KFKI MTA Központi Fizikai Kutató Intézet; 1992-ben formálisan megszűnt, öt független intézetté alakult. 1
A vastag betűvel szedett betűszavak külön is szerepelnek, a fejezetszám jelzi, hogy részletesebb információ is található a tárgyról. 452
Részlet Giber János, Vargáné Josepovits Katalin, Gyulai József, Biró László Péter: Diffúzió és implantáció szilárdtestekben (Egyetemi tankönyv, Műegytemi Kiadó, 1997) könyvből
LSS-elmélet Lindhard-Scharff- Schiott elmélete az ionok behatolására; 2.2.1. MNOS "Metal-Nitride-Oxide-Semiconductor" (értsd Si3N4 és SiO2 kettős dielektrikummal szigetelt) technológia. A nitrid kiválóan gátolja a szennyezések diffúzióját. MOS Fém-Oxid-Félvezető, más néven unipoláris tranzisztor ("Metal-Oxide-Semiconductor") NMOS
n-csatornás MOS-tranzisztor
PMOS
p-csatornás MOS-tranzisztor
RBS Rutherford visszaszórásos vizsgálati módszer ("Rutherford Backscattering Spectrometry"), RED Diffúzió (általában) sugárzás jelenlétében ("Radiation Enhanced Diffusion"); 2.2.5. RTA, RTP (Halogén)lámpás hőkezelés, ill. rétegnövesztés ("Rapid Thermal Annealing, - Processing"), tartama a 10s-tartomány innen a "gyors" jelző SEM Microscope")
Pásztázó elektronmikorszkóp ("Scanning Electron
SIMOX A SOI-technológia egyik jelentős alapanyaga ("Separation by IMplanted Oxygen"); 2.2.6. SIMS Szekundér ion tömegspektrometria ("Secondary Ion Mass Spectrometry") SOI Dielektromos szigetelésű eszközök/technológiák neve ("Silicon-On-Insulator") SOS Zafíron epitaxiásan növesztett Si-kristály ("SiliconOn-Sapphire"); a SOI egy fajtája, ma már a költséges volta miatt kiszorulóban van. SPEG Szilárdfázisú epitaxiás növesztés ("Solid Phase Epitaxial Growth", SPE-ként is) TED A hőkezelések elején fellépő nemkívánatos diffúzió ("Transient Enhanced Diffusion") TEM Transzmisssziós elektronmikroszkóp ("Transmisssion Electron Microscope") 453 Részlet Giber János, Vargáné Josepovits Katalin, Gyulai József, Biró László Péter: Diffúzió és implantáció szilárdtestekben (Egyetemi tankönyv, Műegytemi Kiadó, 1997) könyvből
TRIM szimulációja
A behatoló ion okozta folyamatok Monte-Carlo elvű ("TRansmisssion of Ions through Matter")
UHV vacuum")
Ultranagy vákuum, 10-9 mbar és alatta ("Ultrahigh
ULSI A mai legnagyobb bonyolultságú áramkörök neve ("Ultra Large Scale Integration"); 0,5 µm-nél kisebb vonalszélességű technológiákkal készülnek. UPS Spectroscopy")
Ultraibolya fotoelektronspektroszkópia ("UV Photon
VLSI A 2 - 0,5 µm-es vonalszélességű technológiákkal készült áramkörök neve ("Very Large Scale Integration") XTEM Keresztmetszeti TEM ("Cross-sectional TEM"); mindkét oldaláról maratott mintán végzett TEM vizsgálat. Szemben a merőlegesen vékonyított mintán, rátekintéses ("plane view") módon készült felvétellel, mélységskálát is ad.
454 Részlet Giber János, Vargáné Josepovits Katalin, Gyulai József, Biró László Péter: Diffúzió és implantáció szilárdtestekben (Egyetemi tankönyv, Műegytemi Kiadó, 1997) könyvből
2.9.2. A lassú kaszkád porlódás (Kelly [1984], "Slow Cascade Sputtering", 2.2.2.) A 2.2.3.1. fejezetben foglalkozunk az implantált atomok mélységi eloszlásával. Ott szerepel a Pearson eloszlások ismertetése is. Itt hasonlóan járunk el. Winterbon et al. (1970) adta meg azt az integrálegyenletet, amely az ion-szilárdtest kölcsönhatáskor egyrészt a szilárdtestben előre, másrészt visszafelé mutató momentumok által létrehozott eseményekkel számol. Továbbá, ugyanaz az egyenlet alkalmazható mind az atomok, mind a rácshibák eloszlásának leírására. Most ez utóbbiakkal foglalkozunk. A folyamatot a negyedik momentum mélységéig (<x>, <x>2,...) szokták tárgyalni (a momentumok jelöléseiben - ahol egyértelmű - alkalmazkodunk a 2.2.3.1. fejezet jelöléseihez). E momentumok behelyettesíthetők egy 1D-Edgeworth sorfejtésbe (pl. Cramér [1946]), amelynek fő eleme egy Gauss-eloszlás. A 2.2.3.1. jelölésével analóg jelöléssel, a nukleáris energialeadás ("n" index) differenciális eloszlása így írható:
f ndiffer . ( x)dx =
dx exp − ξ 2n × 2πσ p ,n
(
)
,
Γ 1 × 1 − Γn 3ξ n − ξ 3n + n 15ξ 2n − 10ξ 4n + ξ 6n 72 6 2.10.1.
(
)
(
)
ahol ξ ≡ (x - <x>)/σp,n. Tegyük fel, hogy 2.2.36. független a mélységtől. Ekkor E1 helyettesíthető E1fndiffer.(x)dx-szel, ahol fndiffer.(x)dx az (x,x+dx) között a kristálynak a nukleáris folyamatokban átadott energia differenciális eloszlásfüggvénye. Legyen továbbá U a felületi kötési energia. Ha 2.10.1-et behelyettesítjük 2.2.36-ba és integrálunk E0' szerint U/cos2θ'-tól ∞-ig, valamint θ' szerint 0 és π/2 között, továbbá, ha dx helyett a λ atomi távolságot és x = 0 helyettesítünk, a lassú kaszkádok okozta porlódási együtthatóra a következő adódik:
455 Részlet Giber János, Vargáné Josepovits Katalin, Gyulai József, Biró László Péter: Diffúzió és implantáció szilárdtestekben (Egyetemi tankönyv, Műegytemi Kiadó, 1997) könyvből
S kaszk . = (1 / Φ)
∞
∫
π/ 2
∫
U /cos 2 θ ′ 0
(
)
H ′ E1f ndiffer . ( 0)λ, E ′0 dE ′0 cos θ ′dθ ,
= 4,2λ2 E1f ndiffer . ( 0)λ / U
, 2.2.37
atom / ion
ahol Φ az ionfluxus és λ nm-ben mérendő. Ez az eredmény egyébként alkalmazható az ütközéses implantáció leírására is.
456 Részlet Giber János, Vargáné Josepovits Katalin, Gyulai József, Biró László Péter: Diffúzió és implantáció szilárdtestekben (Egyetemi tankönyv, Műegytemi Kiadó, 1997) könyvből
