Univerzita Pardubice Fakulta chemicko-technologická. Fotostabilita amorfních chalkogenidů systému Ge-As-Se

Univerzita Pardubice Fakulta chemicko-technologická Katedra obecné a anorganické chemie

Fotostabilita amorfních chalkogenidů systému Ge-As-Se Diplomová práce

Autor práce: Bc. Petra Hawlová Vedoucí práce: doc. Ing. Petr Němec, Ph.D. 2012

University of Pardubice Faculty of chemical technology Department of general and inorganic chemistry

Photostability of amorphous chalcogenides from Ge-As-Se system Thesis

Autor: Bc. Petra Hawlová Supervisor: doc. Ing. Petr Němec, Ph.D. 2012

Prohlašuji: Tuto práci jsem vypracovala samostatně. Veškeré literární prameny a informace, které jsem v práci využila, jsou uvedeny v seznamu použité literatury. Byla jsem seznámena s tím, že se na mojí práci vztahují práva a povinnosti vyplývající ze zákona č. 121/2000 Sb., autorský zákon, zejména se skutečností, že Univerzita Pardubice má právo na uzavření licenční smlouvy o užití této práce jako školního díla podle § 60 odst. 1 autorského zákona, a s tím, že pokud dojde k užití této práce mnou nebo bude poskytnuta licence o užití jinému subjektu, je Univerzita Pardubice oprávněna ode mne požadovat přiměřený příspěvek na úhradu nákladů, které na vytvoření díla vynaložila, a ta podle okolností až do jejich skutečné výše. Souhlasím s prezenčním zpřístupněním své práce v Univerzitní knihovně. V Pardubicích dne 29. 4. 2012 Petra Hawlová

Poděkování: Děkuji panu doc. Ing. Petrovi Němcovi, Ph.D. za trpělivost, odborné vedení a pomoc při experimentálním vypracování diplomové práce. Také chci poděkovat svým rodičům za hmotnou i nehmotnou podporu při studiu na této škole.

Obsah 1. Souhrn...........................................................................................................................8 Abstract.................................................................................................................................9 2. Úvod ............................................................................................................................10 3. Teoretická část ...........................................................................................................11 3.1. Chalkogenidová skla............................................................................................11 3.2. Opticky indukované jevy .....................................................................................13 3.2.1. Ireverzibilní fotoindukované změny ............................................................15 3.2.2. Reverzibilní fotoindukované změny ............................................................16 3.3. Systém Ge-As-Se.................................................................................................17 3.4. Chalkogenidové vrstvy připravené technikou pulzní laserové depozice .............24 4. Experimentální část ...................................................................................................30 4.1. Příprava studovaného materiálu...........................................................................30 4.1.1. Syntéza objemového skla.............................................................................30 4.1.2. Příprava tenkých vrstvev .............................................................................30 4.1.3. Expozice a temperace ..................................................................................31 4.2. Použité experimentální metody ...........................................................................31 4.2.1. Skenovací elektronový mikroskop s energiově-disperzním rentgenovým analyzátorem ................................................................................................................31 4.2.2. Ramanova spektroskopie .............................................................................32 4.2.3. Rentgenová difrakce (XRD) ........................................................................32 4.2.4. Mikroskopie atomárních sil (AFM) .............................................................33 4.2.5. Elipsometrie .................................................................................................33 4.2.5.1 Vyhodnocení elipsometrických dat .........................................................34 4.2.5.2 Experimentální podmínky spektrální elipsometrie ..................................36 5. Experimentální výsledky a diskuze ..........................................................................38 5.1.1. Složení a struktura skel ................................................................................38 5.1.2. Elipsometrická data......................................................................................43 5.1.2.1 Tenké vrstvy Ge10As30Se60 ......................................................................46 5.1.2.2 Tenké vrstvy Ge10As35Se55 ......................................................................49 5.1.2.3 Tenké vrstvy Ge10As40Se50 ......................................................................51 5.1.2.4 Tenké vrstvy Ge15As30Se55 ......................................................................53 5.1.2.5 Tenké vrstvy Ge20As20Se60 ......................................................................55 5.1.2.6 Objemové vzorky.....................................................................................59 6. Závěr ...........................................................................................................................61 7. Seznam literatury.......................................................................................................63 8. Údaje pro knihovnickou databázi ............................................................................67

1. Souhrn Tato diplomová práce se zabývá přípravou a studiem fyzikálně-chemických vlastností objemových skel a tenkých vrstev systému Ge-As-Se připraveným metodou pulzní laserové depozice. Pro určení fotoindukovaných změn byly tenké vrstvy o složení Ge10As30Se60, Ge10As35Se55, Ge10As40Se50, Ge15As30Se55, a Ge20As20Se60 exponovány při vlnových délkách 660 nm a složení Ge10As30Se60 a Ge20As20Se60 byly navíc exponovány při 593 nm. Temperace byla provedena pod teplotou skelného přechodu. K charakterizaci složení a studiu morfologie objemových skel a tenkých vrstev byl použit

skenovací

elektronový

mikroskop

s energiově-disperzním

rentgenovým

analyzátorem. Struktura objemových skel a tenkých vrstev byla popsána pomocí Ramanovy spektroskopie. Pomocí spektrální elipsometrie s proměnným úhlem dopadu byly na tenkých vrstvách studovány reverzibilní a ireverzibilní fotoindukované jevy s cílem určit optické funkce. Z výsledků vyplývá, že slibným složením, které vykazovalo fotostabilní optické parametry (při expozici zářením o vlnové délce 660 nm) je Ge20As20Se60. Tyto tenké vrstvy jsou potenciálně využitelné v optice.

8

Abstract This thesis focused on the preparation and the study of some physico-chemical properties of selected bulk glass and thin films of Ge-As-Se system prepared by pulsed laser deposition. In order to determine of photo-induced changes, thin films of the composition Ge10As30Se60, Ge10As35Se55, Ge10As40Se50, Ge15As30Se55, and Ge20As20Se60 were exposed at 660 nm and composition Ge10As30Se60 and Ge20As20Se60 were also exposed at 593 nm. Thin films were annealed below their glass transition temperature. Scanning electron microscope with energy dispersive x-ray analyzer was used for the characterization of the morphology and chemical the composition of the bulk glasses and thin films. The structure of bulk glasses and thin films were studied by Raman spectroscopy. In prepared thin films, reversible and irreversible photoinduced phenomena were studied using variable angle spectroscopic ellipsometry in order to determine their optical function. The results show that promising composition, which showed a photostable optical parameters (exposure to radiation of wavelength 660 nm) is Ge20As20Se60. These thin films are potentially applicable in optics.

9

2. Úvod První zmínka o neoxidových sklech je z roku 1870. Intenzivní výzkum v oblasti chalkogenidových skel započal v padesátých letech 20. století. Výzkum je zaměřen na studium fyzikálně-chemických vlastností, metody přípravy a jejich využití v technické praxi. Chalkogenidová skla jsou materiály s významnými fyzikálně-chemickými vlastnostmi, mají např. vysokou optickou propustnost v infračervené části spektra, vysoký index lomu a jsou polovodivé. Oblast jejich využití je v optice, elektronice, optoelektronice apod. Studiem chalkogenidových skel se zabývá i Katedra obecné a anorganické chemie na Fakultě chemicko–technologické v Pardubicích. Předložená diplomová práce je členěna do dvou logických celků. V první části se práce zabývá přípravou a vlastnostmi chalkogenidových skel a amorfních chalkogenidů, měřením optických vlastností s důrazem na spektrální elipsometrii s proměnným úhlem dopadu. V druhé části jsou diskutovány výsledky měření optických vlastností amorfních tenkých vrstev systému Ge-As-Se připravených pulzní laserovou depozicí s cílem identifikovat fotostabilní kompozice v tomto systému.

10

3. Teoretická část 3.1. Chalkogenidová skla Chalkogenidová skla (CHS) a amorfní chalkogenidy (AC) jsou sloučeniny obsahující jeden nebo více prvků z VI-A skupiny periodické soustavy prvků, konkrétně S, Se a Te, tím se řadí mezi skla neoxidová. Tyto sloučeniny mohou být jednosložkové (S, Se), binární (S-Te, Ge-Se, As-S, apod.), ternární (Ge-As-Se, Ge-Te-Se, atd.) i vícesložkové (Ge-Te-Sb-S a jiné). V chalkogenidových sklech a amorfních chalkogenidech se atomy chalkogenů nejčastěji kombinují s prvky IV-A a V-A skupiny periodické soustavy prvků. CHS jsou za normálních podmínek stabilní, nejsou rozpustná ve vodě ani v organických rozpouštědlech. Méně stabilní jsou v alkalických roztocích. Chemická stabilita chalkogenidových skel roste v řadě S–Se–Te, což je dáno vzrůstajícím kovovým charakterem. Prvky jako je Si nebo Ge také zvyšují stabilitu chalkogenidů (ve struktuře vytváří tetraedry) [1]. Obecně se CHS považují za polovodiče, protože šířka zakázaného pásu energií (Eg) je okolo 2 eV, přičemž za polovodiče jsou považovány materiály s Eg ~ 1-3 eV. Eg klesá v řadě S–Se–Te. Na základě rozdílu elektronegativit zúčastněných atomů patří CHS mezi sloučeniny s kovalentním charakterem vazby. CHS mají vyšší hustotu než skla oxidová, naproti tomu mikrotvrdost i mechanická pevnost jsou podstatně nižší. Mezi významné vlastnosti CHS patří široká oblast propustnosti v oblasti infračervené části spektra a vysoký index lomu [1]. Chalkogenidy jako objemová skla se nejčastěji připravují roztavením a následným ochlazením taveniny. Ampule pro tavení jsou grafitové nebo křemenné, které jsou využívány častěji. Do křemenné ampule se naváží jednotlivé prvky vysoké čistoty (99,999% a lepší) a ampule se poté evakuuje na tlak přibližně 10-6 Torr, aby při syntéze nedocházelo k reakci s kyslíkem. Evakuovaná ampule se zataví a vloží do rotační nebo kývací elektrické pece, ve které je ampule zahřívána dokud nevznikne homogenní tavenina [2]. Teplota tavení se volí dle nejvýše tající složky. Ampule s homogenní taveninou je následně rychle ochlazena (při pomalém chlazení by docházelo k nukleaci a růstu krystalizačních zárodků). Pro chlazení se využívá vzduch, voda nebo chladící roztok. Další možností přípravy AC je srážení: jde o speciální rozkladné reakce, při kterých vzniká amorfní nebo nerozpustný prášek. Takto lze připravit v amorfním stavu jen několik složení

11

(například As2S3, As2S5, Sb2S3, Sb2S5, GeS2), která lze připravit rozkladem vodných roztoků s H2S. Tenké vrstvy AC se připravují různými technikami. Termické napařování je založeno na rychlé kondenzaci par napařovaného materiálu na substrátu. Elektronová nebo laserová depozice používá elektronový nebo laserový paprsek ke vzniku plazmatu, touto technikou lze připravit i velmi tenké vrstvy. Mžikové napařování využívá volný pád roztavených částic. Katodové naprašování využívá ionizace částic argonu v elektrickém poli, které dopadají na terč. Dalšími technikami jsou spin coating, magnetronové naprašování a další. V této diplomové práci byla použita technika pulzní laserové depozice (PLD), která bude detailněji popsána v kapitole 3.4. Nečistoty v CHS ovlivňují stabilitu sklovitého stavu, ale některé příměsi jsou žádoucí, protože zvyšují elektrickou vodivost (např.: Ag, Cu, Tl, Mn). V CHS je vysoce nežádoucí přítomnost kyslíku a některých přechodných kovů. K jejich odstranění je možno využít močoviny. CHS je spolu s močovinou uzavřeno v ampuli, která je zahřívána. Močovina se rozkládá na oxid uhelnatý a amoniak. Oxid uhelnatý reaguje s přítomným kyslíkem na oxid uhličitý a amoniak reaguje s kovy za vzniku nitridů. Močovina se při zahřívání rozkládá dle následujících rovnic: T (700-800 °C)

CO(NH2)2 → CO + NH3 + ½H2

(1)

T (800-1000 °C)

CO(NH2)2 → CO + N2 + 2H2.

(2)

Tato metoda je vhodná pro systémy S-As, Se-As, As-Te, Ge-As-Te, As-Se-Te [1]. V současnosti mají CHS využití v řadě aplikací. Díky fotoindukovaným změnám fyzikálně-chemických vlastností je lze využít pro záznam informací, ve fotolitografii [3-5] nebo pro přípravu optoelektronických prvků. Záznam do vrstev optických disků (DVD) je založen na fotoindukované krystalizaci a amorfizaci [6]. Tenká vrstva chalkogenidu v datovém disku bez dat je krystalická, působením laseru při zápisu dat (pro DVD modrý laser) dochází k lokálnímu zahřátí a následné amorfizaci. Amorfní a krystalická forma tenké vrstvy chalkogenidu se od sebe liší svými optickými vlastnostmi: indexem lomu a reflektivitou. Vhodné systémy pro tuto aplikaci jsou např. Ge-Sb-Te a Ge-Te, ve kterých může být doba krystalizace menší než 30ns.

12

CHS mohou být použity jako rezist v různých litografických aplikacích. Rychlost rozpouštění v alkalických rozpouštědlech lze ovlivnit expozicí resp. temperací. Poměr rychlosti leptání exponované a neexponované vrstvy lze například ovlivnit dotací stříbrem, které je v alkalických roztocích prakticky nerozpustné. Podle podmínek procesu litografie (složení leptacího roztoku, sorpce povrchově aktivních látek) lze připravit fotorezisty pozitivní či negativní. Při expozici tenké vrstvy přes masky s extrémně vysokým rozlišením je možné dosáhnout rozlišení až několik desítek nanometrů [7]. Díky propustnosti v infračervené oblasti se CHS využívají pro výrobu optických komponent infračervených kamer nebo jako na optická vlákna pro vedení signálu v infračervené oblasti spektra. CHS jsou vhodné i pro aplikace v optických a optoelektronických prvcích, např. vlnovody, difrakční mřížky, optické obvody [8] a další. Další využití AC je v xerografii, fotovoltaice, rentgenografii, laserových tiskárnách [1] atd.

3.2. Opticky indukované jevy Opticky indukované jevy neboli fotoindukované efekty jsou změny elektronové struktury, atomové struktury a fyzikálně-chemických vlastností materiálu vyvolané expozicí zářením vhodné vlnové délky. Fotoindukované jevy jsou unikátní pro AC, tyto jevy nebyly pozorovány jak u krystalických látek, tak ani u amorfních polovodičů IV. a V. skupiny periodické soustavy prvků [9]. Prvním krokem je expozice, kdy daný materiál je ozařován světelným zdrojem vhodné energie a intenzity. Dochází k interakci mezi exponovaným materiálem a zářením, které může být různého druhu, např.: ultrafialové, viditelné, blízké infračervené, gama nebo rentgenové záření, dále lze na daný materiál působit i jinými vnějšími faktory jako je elektrické či magnetické pole, teplota, tlak, působení za pomoci částic (elektrony, neutrony) atd. V důsledku expozice lze pozorovat změny fyzikálně-chemických vlastností např. změny v elektrické vodivosti, hustotě [10], mikrotvrdosti [11], objemu a tloušťce (fotoexpanze a fotokontrakce) [12, 13], chemické reaktivitě [14], indexu lomu [15] atd. Expozicí lze přeorientovat chemické vazby, indukovat krystalizaci nebo amorfizaci [16, 17] a dochází i k posunu fundamentální krátkovlnné absorpční hrany [1, 18]. Po ukončení expozice dochází k relaxaci materiálu, která může trvat od pikosekund po několik let. Doba relaxace závisí na struktuře, relaxační teplotě, vlnové délce a na zdroji záření [2, 19].

13

V AC (tenké vrstvy, sklovité vzorky) dochází ke změnám struktury pomocí vhodného záření nebo temperací. Fotoindukované jevy jsou často spojené se změnami elektronové hustoty a vznikem defektních stavů. Tyto opticky excitované stavy mohou mít po relaxaci za následek změny v atomové struktuře. Změny atomové struktury mohou vést k rozsáhlejším strukturním změnám a důsledkem je i změna fyzikálně-chemických vlastností. Existence fotoindukovaných jevů v chalkogenidech je způsobena dvouvazností atomů chalkogenů a vazebné úhly mezi dvěma vazbami chalkogenů (S, Se) jsou obvykle v rozmezí 90-109° [20], což umožňuje flexibilitu a snadnou deformovatelnost vazebných úhlů. Dalším předpokladem je vytváření „chybných“ homopolárních vazeb „wrong bonds“ (např.: As-As, Ge-Ge) v chalkogenech, pniktogenech (As, Sb a částečně Bi) a prvcích ze IV. skupiny (Si, Ge). Obecně lze tyto vazby zapsat jako M-M, kde M představuje metaloid nebo kov [21] a energie těchto vazeb je blízká energii vazeb heteroatomových M-C, kde C představuje chalkogen. Energie nutná pro opticky indukovanou reakci je nižší než v oxidových materiálech: h i , Ii , T 2(M  C )  (M  M )  (C  C ) ,

(3)

kde hνi je energie dopadajícího světla, Ii je intenzita dopadajícího světla (i = 1,2 pro přímou nebo zpětnou reakci) a T je teplota. AC mají relativně vysoký „volný objem“, který umožňuje flexibilitu celého systému [22]. U systémů s vysokým „volným objemem“ byly pozorovány nejintenzivnější fotoindukované změny [23, 24]. V tabulce 1 jsou vypsány některé fotoindukované jevy pro chalkogenidová skla vyvolané buď pomocí částic, nebo za pomoci tepelného toku.

14

Fotoindukované jevy

S

Se

polymerizace ○

□

tmavnutí ○

○

Te

Fotony

□

fluidita ○ expanze ○

○

Fotony a tepelným tokem anizotropie ○

○

krystalizace □

○

Tepelným tokem fázové změny

○

Tab. 1 Vybrané fotoindukované jevy pro sloučeniny S, Se a Te. Kurzívou jsou zapsané ireverzibilní změny. Kroužky představují intenzivnější změny než čtverce [2].

Fotoindukované jevy v AC lze rozdělit na ireverzibilní a reverzibilní [25]. 3.2.1. Ireverzibilní fotoindukované změny Pro amorfní a sklovité chalkogenidy jsou ireverzibilní fotoindukované změny struktury a vlastností pozorovány po expozici čerstvě připravených vrstev. Tyto vrstvy jsou unikátní svou strukturou, kterou nelze obnovit žádným dalším zpracováním vrstvy. Ireverzibilně dochází k fotoindukované oxidaci nebo hydrolýze, procesu krystalizace či amorfizace, fotoindukovanému rozpouštění, měknutí a tvrdnutí, změnám indexu lomu, optické propustnosti apod. Během přípravy tenkých vrstev mají páry/plazma relativně vysokou teplotu a může docházet nejen k disociaci na fragmenty o menší molekulové hmotnosti, ale také ke vzniku iontů, neutrálů i volných elektronů v závislosti na použité depoziční metodě. Páry/plazma kondenzují na studený substrát a vzniká tenká vrstva, která může obsahovat nano-oblasti s odlišným složením. Struktura panenských vrstev je závislá na podmínkách přípravy. Při expozici panenských vrstev může docházet k chemické reakci mezi fragmenty a výsledkem je chemická homogenizace. Homogenizace čerstvě připravených vrstev lze též dosáhnout temperací blízko teploty skelného přechodu (Tg), kdy jsou atomy a strukturní jednotky pohyblivější, a proto se struktura temperovaných vrstev liší od struktury

15

panenských vrstev [2]. Tg lze definovat takto: Tg je střed (průsečík směrnic) teplotního intervalu skelného přechodu. Skelným přechodem je nazýván zaoblený zlom na křivce závislosti objemu na teplotě, tento zlom je hranicí mezi kapalným a tuhým stavem látky. Tg není konstantou neboť závisí na rychlosti chlazení. Expozice panenských tenkých vrstev jsou často spojené s posunem fundamentální absorpční hrany. Absorpční hrana se posouvá buď směrem k vyšším hodnotám vlnových délek, jedná se o fototmavnutí neboli červený posun (pozorováno např. u systému As-S [26]), nebo se absorpční hrana posouvá směrem k nižším hodnotám vlnových délek a nazývá se fotosvětláním neboli modrý posun (studováno v systému Ge-S [27]). Tyto jevy lze vysvětlit pomocí Eg závislého na složení jednotlivých systémů. Eg systému As-S pro stechiometrické složení (As2S3) se nachází v minimu [28], naopak je tomu u systému Ge-S, kde Eg je pro stechiometrické složení (GeS2) v maximu [29]. Při expozici dochází ke vzniku heteropolárních vazeb a snižuje se počet homopolárních vazeb. Dochází k lokálnímu stechiometrickému uspořádání, jehož důsledkem je fototmavnutí nebo fotosvětlání. Při krystalizaci vyvolané absorpcí světla s energií, která je blízká energii optické šířky zakázaného pásu energií, dochází k zeslabení chemických vazeb. Energie nutná k překonání energetické bariéry nukleace je dodána pomocí zdroje záření a následuje růst krystalů. Nezbytný čas pro ireverzibilní krystalizaci může být velmi krátký (přibližně 10-9 s), proto se tohoto efektu využívá v optických pamětích, jak již bylo uvedeno v kapitole 3.1. [2]. 3.2.2. Reverzibilní fotoindukované změny Mezi reverzibilní fotoindukované změny řadíme krystalizaci, amorfizaci, změny viskozity a drsnosti, změny optické propustnosti, posun absorpční hrany, změny objemu a tloušťky vrstvy a další. Reverzibilní změny jsou pozorovány v objemových materiálech, v temperovaných tenkých vrstvách a nejsou pozorovány v krystalických chalkogenidech. Ozářením temperovaných vrstev mohou být vyvolány změny struktury a fyzikálněchemických vlastností. Původní stav je možné obnovit relaxací (temperováním) při teplotě blízké Tg a po dobu obvykle delší než 60 minut. Při reverzibilních fotoindukovaných změnách dochází zejména k fototmavnutí, reverzibilní fotosvětlání je vzácné [2].

16

Mechanismus reverzibilních fotoindukovaných jevů je studován z různých pohledů. Některé předpokládají redistribuci chemických vazeb, další jsou fenomenologické (koordinačně-konfigurační), u kterých jsou fotoindukované jevy spojeny se změnami poloh atomů ve struktuře vrstvy.

3.3. Systém Ge-As-Se Objemová skla a amorfní tenké vrstvy ternárního (nebo také pseudo-binárního) systému Ge-As-Se mají velmi zajímavé vlastnosti, mezi které patří široká oblast sklotvornosti (viz. Obr. 1), relativně snadná syntéza objemového materiálu a velký rozsah teploty skelné transformace [30].

0,0

1,0

0,2

0,8

0,4

As

Se

0,6

0,6

0,4

0,8

0,2

oblast sklotvornosti

1,0 0,0

0,2

0,4

Ge

0,6

0,8

1,0

0,0

Obr. 1 Ternární diagram systému Ge-As-Se s oblastí sklotvornosti [31]. V diagramu jsou vyznačena i jednotlivá složení studovaná v této práci.

Další předností je vysoký index lomu, jednotlivé komponenty mají rovněž blízké hodnoty elektronegativit, čímž se blíží ideálnímu kovalentnímu systému [32]. Objemová skla složení Ge33As12Se55 (AMTIR-1) je vyráběno firmou Amorphous Materials, Inc. v Garlandu a Texasu [33]. Další objemová skla jsou vyráběna v Belgii firmou Umicore (GASIR) a v Německu firmou Vitron (IG). V objemových vzorcích byla struktura skel Ge-As-Se zkoumána pomocí Ramanovy spektroskopie, rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS) a nukleární kvadrupólové

17

rezonance [34-36]. Ramanova spektra skel Ge-As-Se se složením GexAsySe100-x-y (viz. Obr. 2) ukazují dominantní pás s maximem při vlnočtu 193 cm-1, který souvisí s vibracemi vazeb Ge-Se v tetraedrech GeSe4: tyto vazby mají nejvyšší energii ze všech vazeb možných v systému Ge-As-Se. Při zvyšování obsahu germania dochází k mírnému posunu u uvedeného pásu Ramanových spekter do oblastí vyšších vlnočtů. Ramanovský pás vyskytující se při 230 cm-1 odpovídá vazbám As-Se v pyramidách AsSe3, tento pás není zřetelný u vzorků s vysokým obsahem germania. Pás odpovídající vibracím vazeb Se-Se se nachází v oblasti 250 - 300 cm-1. Vazby Ge-Ge se nachází ve strukturních jednotkách Se3Ge-GeSe3, v Ramanových spektrech je tento pás v oblasti 170-180 cm-1. Vibrační pás náležející vazbám As-As lze najít při vlnočtu 100 cm-1 [37] a pás odpovídající vibracím vazeb Ge-As se vyskytuje při vlnočtu 130 cm-1.

Obr. 2 Ramanova spektra některých skel systému GexAsySe100-x-y [34].

Podle [36] jsou ve sklech s obecným vzorcem GexAsySe100-x-y upřednostňovány vazby Ge-Se a As-Se před vazbami Ge-Ge a As-As. Termické vlastnosti objemových skel Ge-As-Se byly měřeny pomocí diferenciální skenovací kalorimetrie (DSC) [38-40]. Detailně bylo studováno sklo složení Ge22As20Se58. Bylo zjištěno, že se vzrůstající rychlostí zahřívání vzrůstá intenzita píku Tg a dochází k mírnému posunu Tg k vyšším teplotám (viz. Obr. 3), tudíž Tg je závislá na rychlosti ohřevu a není konstantní pro sklo o složení Ge22As20Se58.

18

Obr. 3 DSC křivky skla Ge22As20Se58 pro různé rychlosti ohřevu [38].

Je známé, že hodnota Tg je závislá na složení. Pokud k selenu, který má koordinační číslo (k.č.) 2 přidáme prvek s vyšším koordinačním číslem (pro Ge je k.č. 4 a pro As je k.č. 3), tak vzroste hodnota Tg. Na obrázku 4 je zobrazena závislost Tg na složení vyjádřená pomocí MCN pro pět vzorků. Střední koordinační číslo (MCN – „mean coordination number“) je definováno jako průměrný počet kovalentních vazeb na atom [32] nebo jako součet koncentrací jednotlivých prvků, násobených jejich kovalentním koordinačním číslem [30]. Z grafické závislosti Tg na MCN je patrné, že Tg se zvyšujícím se MCN lineárně vzrůstá.

Obr. 4 Grafická závislost Tg na MCN [38].

Nelineární index lomu (n2) a nelineární absorpce byly měřeny technikou „Z-scan“ [41-43]. Pokud je v systému Ge-Se germánium nahrazeno arzenem, dochází ke zvýšení hodnoty nelineárního indexu lomu (pro Ge20Se80 je n2 = 13x10-18 m2W-1 a pro

19

Ge10As10Se80 je n2 = 22x10-18 m2.W-1), taktéž je tomu i v případě náhrady selenu arzenem (pro Ge10Se90 je n2 = 16x10-18 m2.W-1 a pro Ge10As10Se80 je n2 = 22x10-18 m2.W-1). Potenciální využití mají tato skla v telekomunikaci jako optické spínače. Srovnání nelineárního indexu lomu selenidů, sulfidů a oxidů je na obrázku 5. Je patrné, že selenidy mají nejvyšší n2. Oxidy mají proti selenidům n2 až o dva řády nižší a mezi sulfidy a selenidy je rozdíl n2 ~10-20x10-18 m2W-1.

Obr. 5 Srovnání nelineárního indexu lomu selenidů, sulfidů a oxidů.

Pro studium nanofázové separace v systému Ge-As-Se byly použity rentgenová difrakční analýza a skenovací elektronový mikroskop (SEM) [44]. Bylo ukázáno, že skla s podstechiometrickým množství selenu podléhají nanofázové separaci. Z pohledu středního koordinačního čísla (MCN), je nanofázová separace významnější u skel s MCN vyšším než 2,64. V práci [45] je studována změna fyzikálních vlastností s chemickým složením. Studované vzorky měli stejné MCN (hodnota MCN byla 2,5) a jejich vlastnosti se v závislosti na složení měnily velmi málo. Struktura tenkých vrstev Ge-As-Se byla také zjišťována pomocí Ramanovy spektroskopie [46]. V tenkých vrstvách byly nalezeny vibrace vazeb příslušných tetraedrům GeSe4, dále byly popsány strukturní jednotky Se3Ge-GeSe3. V oblasti 239-300 cm-1 je několik slabých pásů 239, 250 a 305 cm-1, které odpovídají klastrům As2Se3. V práci [9] jsou Ramanova spektra interpretována odlišným způsobem, popisují přítomnost vibrací vazeb odpovídající tetraedrům GeSe4, pyramidám AsSe3, strukturním jednotkám As4Se3, As4Se4 a vazbám Ge-Ge. Stabilita optické šířky zakázaného pásu energií tenkých vrstev Ge-As-Se byla zkoumána v práci [47]. Tenké vrstvy byly připraveny termickým napařováním. Obecné složení bylo Gex(As2Se3)1-x (x = 0,038 – 0,167) a (GeSe2)x(As2Se3)1-y (y = 0,038 – 0,167).

20

Nejvyšší stabilitu optické šířky zakázaného pásu energií po ozáření elektrony (6,5 MeV) a temperaci při teplotě (Tg – 25°C) mělo složení Ge0,167(As2Se3)0,833. Porovnáním vlastností některých tenkých vrstev systému Ge-As-Se připravených technikou PLD a termickým napařování se zabývá článek [48]. Při použití techniky PLD ukazují připravené tenké vrstvy velmi podobné složení s použitými terči. Naproti tomu termické napařování ukazuje odlišné složení tenkých filmů a použitých terčů. U termického napařování také záleží na teplotě substrátu při depozici, při teplotě 190 °C jsou tenké vrstvy podobnější složení terče. Při teplotách nižších jsou tenké vrstvy obohacené arzenem. Nelineární index lomu a nelineární absorpční koeficient tenkých vrstev Ge-As-Se byly měřeny pomocí metody „Z-scan“ [33]. Z výsledků vyplývá, že vzorek o složení Ge33As12Se55 má 8krát vyšší nelineární index lomu (n2 = 22x10-18 m2W-1), než je tomu u As2S3. Tento materiál je tak vhodný k potenciálnímu využití v ultrarychlých optických zařízeních. V pracích [49, 50] bylo studováno možné využití tenkých vrstev systému Ge-As-Se v oblasti optických vlnovodů. V práci [49] byly zkoumány vlnovody složení Ge5As34Se61 (s optickými ztrátami 3,5-6,4 dB.cm-1) a v článku [50] vzorek AMTIR-1 (s optickými ztrátami 0,3 dB.cm-1). Naměřené optické ztráty vlnovodů se od sebe řádově liší, což je dáno způsobem přípravy vlnovodů. V práci [49] byla použita technika magnetronového naprašování, zatímco v práci [50] byla použita technika pulzní laserové depozice, která vytváří tenké vrstvy vysoké kvality a složení tenké vrstvy odpovídá složení terče. Bulla [30] uvádí, že podle teorie Philipse [51], Thorpeho [52] a Tanaky [53] je index lomu a Eg (objemových vzorků i tenkých vrstev připravených termickým napařováním) funkcí MCN. Obrázek 6 a 7 ukazují grafické závislosti těchto vlastností na MCN. Thorpeho teorie navíc uvádí, že při MCN = 2,4 nastává fázový přechod mezi „pružným“ (floppy) a „pevným“ (rigid) systémem. V oblasti s MCN< 2,4 má systém jak „pružné“ i „pevné“ oblasti, ale v oblasti MCN> 2,4 existuje pouze „pevný“ systém.

21

Obr. 6 Grafická závislost lineárního indexu lomu (měřeného při vlnové délce 1550 nm) na MCN pro systém Ge-As-Se [30].

Grafickou závislost indexu lomu objemových vzorků systému Ge-As-Se lze rozdělit na tři oblasti. V první oblasti pro složení 2,2 ≤ MCN ≤ 2,4 index lomu vzrůstá až k maximu 2,73 při MCN = 2,4. Druhá část pro MCN ~ 2,4 až 2,64 má klesající tendenci indexu lomu, minimum (2,54) dosáhne při MCN ~ 2,65. V poslední části pro skla s MCN > 2,7 index lomu opět vzrůstá. U tenkých vrstev je grafická závislost podobná maximum indexu lomu je 2,72 pro MCN ~ 2,4 a minimum (~ 2,61) má index lomu pro MCN ~ 2,65. Největší rozdíl v grafické závislosti indexu lomu na MCN pro objemové vzorky a tenké vrstvy je v oblasti MCN 2,4 až 2,6. Obecně mají tenké vrstvy vyšší hodnoty indexu lomu než objemové vzorky.

Obr. 7 Grafická závislost optické šířky zakázaného pásu energií (Eg) na MCN pro systém Ge-As-Se [30].

22

V grafické závislosti Eg na MCN u objemových vzorků systému Ge-As-Se je hodnota Eg v minimu (1,72 eV) pro MCN ~ 2,4. V oblasti MCN od 2,4 po 2,7 vzrůstá Eg až na hodnotu 1,96 eV a za hodnotou MCN = 2,8 rychle klesá. Tenké vrstvy mají proti objemovým vzorkům nižší hodnoty Eg, kromě oblasti 2,4 < MCN ≤ 2,63, ve které jsou hodnoty Eg podobné. Minimum (1,74 eV) bylo nalezeno pro MCN ~ 2,4 maximum (1,83 eV) pro MCN ~ 2,45. U binárního systému As-Se je typickým jevem reverzibilní i ireverzibilní fototmavnutí [54], naproti tomu ireverzibilní fotosvětlání je typické pro systém Ge-Se [55, 56]. Reverzibilní fotosvětlání je vzácný jev. Fototmavnutí a fotosvětlání by mohlo být pro určité složení systému Ge-As-Se kompenzováno a takové složení by tedy mohlo být fotostabilní. Práce [19] uvádí první pokusy o nalezení fotostabilních tenkých vrstev systému GexAs45-xSe55 (x = 0, 10, 20 a 33). V návaznosti na uvedenou práci bylo pro studium v rámci této diplomové práce vybráno složení Ge10As35Se55, které je dle [19] ireverzibilně fotostabilní. Autoři použili termické napařování a opomněli zjistit reálné chemické složení připravených vrstev. Tato fakta nás přiměla k tomu, abychom se pokusili precizně ověřit publikovaná data na vzorcích a rozšířit znalosti i o oblast fotoindukovaných reverzibilních dějů. Kromě složení Ge10As35Se55 byly v této diplomové práci studovány i další tenké vrstvy (složení je uvedeno v Tab. 2) připravené technikou PLD.

23

Chemické složení

MCN

Ge10As30Se60

2,5

Ge10As35Se65

2,55

Ge10As40Se50

2,6

Ge15As30Se55

2,6

Ge20As20Se60

2,6

Tab. 2 Studovaná chemická složení a jejich střední koordinační číslo.

3.4. Chalkogenidové vrstvy připravené technikou pulzní laserové depozice Tenké vrstvy chalkogenidů lze připravit různými metodami některé byly vyjmenovány v kapitole 3.1. V této práci byla použita technika PLD, která se využívá k přípravě tenkých vrstev a je vhodná i pro přípravu multivrstev [57]. PLD lze považovat za jednu z nejjednodušších a nejuniverzálnějších metod pro přípravu tenkých vrstev. Schéma experimentálního uspořádání, které se obvykle používá při PLD, je znázorněno na obrázku 8. Základem systému je vakuová komora, ve které jsou umístěny držáky terče a substrátu. Laserový svazek je před vstupem do vakuové komory veden soustavou optických prvků (čočky, clony, zrcadla, laserová okénka), pomocí kterých je svazek směrován na povrch terče. Výhodou tohoto uspořádání je značná flexibilita, která umožňuje přípravu tenkých vrstev požadovaných fyzikálně-chemických parametrů. Systém lze přizpůsobit různým režimům depozice (např. změnou geometrických parametrů depozice, intenzity laseru, rychlosti depozice, změny tlaku v komoře, depozice v reaktivní atmosféře různých druhů plynů, atd.) [25].

24

Obr. 8 Schéma experimentálního uspořádání PLD.

Lasery běžně používané pro přípravu tenkých vrstev pomocí PLD jsou excimerové s energií pulzu od 0,1 do několika Joulů s opakovací frekvencí do 100 Hz nebo pevnolátkové pracující v infračervené, viditelné nebo ultrafialové oblasti spektra. V principu lze pro laserovou depozici použít i kontinuální lasery (např. CO2 lasery). Přehled konkrétních příkladů používaných laserů je v tabulce 3. Typ laseru

Vlnová délka (nm)

Energie (eV)

F2

157

7,90

ArF

193

6,43

KrF

248

5

XeCl

308

4,02

XeF

351

3,53

YAG: Nd3+

266, 355, 532, 1064

4,66; 3,50; 2,33; 1,17

Al2O3: Ti3+

680 - 1100

1,82 – 1,13

Excimerové

Pevnolátkové

Tab. 3 Příklady laserů používaných pro PLD [25].

Působením laserových pulzů dochází ke zvýšení teploty na povrchu materiálu, následnému roztavení a odpaření materiálu terče z povrchu s následnou emisí materiálu. Tvoří se plazma neboli „plasma plume“, který expanduje do vakua. Vysoká teplota

25

povrchu terče (teplota je řádově tisíce K) umožní odpaření materiálu bez ohledu na jeho teplotu tání. Určit teplotu na povrchu terče je obtížné, dochází k velkým chybám ve stanovení. Protože energie laserového pulzu je vyšší než energie jednotlivých chemických vazeb, dochází k přerušení chemických vazeb na povrchu materiálu. Materiál je atomizován a odpařován nezávisle na jeho těkavosti (parciálním tlaku par), což je výhodou PLD. Pulzy dodaná energie je dostatečná pro vytvoření tenkých vrstev AC, ale lze připravit tenké vrstvy i dalších materiálů, například: kovů [58], uhlíku [59], karbidů [60], diamantu [61], silicidů [62], nitridů [63], oxidů [64], ferroelektrik [65] a dalších. Interakce laserových pulzů s materiálem terče je komplexní proces, který zahrnuje absorpci světla, procesy (primární) tepelné, hydrodynamické a kondenzační a různé sekundární procesy. Plazma vytvořené z odpařeného materiálu terče obsahuje ionty (řada iontů má díky vysokým teplotám neobvyklá oxidační čísla), elektrony, klastry atomů a molekul, fragmenty a mikroskopické částice materiálu terče (pevné nebo roztavené). K další ionizaci může dojít při použití delších laserových pulzů, protože vytvořené plazma dále absorbuje energii laserového svazku, tudíž také dochází ke zvyšování teploty plazmatu. Pro omezení interakce se volí úhel dopadajícího svazku menší než 90° (obvykle 45°). Následně dochází k depozici materiálu na povrch substrátu ve formě tenké vrstvy. Obrázek 9 znázorňuje interakci laserového pulzu s materiálem terče [66].

Obr. 9 Interakce 30ns laserového pulzu s materiálem na povrchu terče.

Tenké vrstvy připravené klasickými technikami (spin coating, termické napařování ve vakuu, iontové a magnetronové naprašování, atd.) jsou často nehomogenní a mají odlišné složení ve srovnání s původním materiálem. Příčinou je rozdílná těkavost komponent materiálu terče. Příprava tenkých vrstev pomocí PLD je často proces téměř stechiometrický. Tento fakt je považován za velkou výhodu PLD metody. Každý pulz

26

odpaří tenkou povrchovou vrstvu nezávislé na tenzi par jednotlivých složek materiálu terče, protože teplota povrchu terče je vyšší než 3000 K [67]. PLD obvykle používá hodnoty plošných výkonů ~108 W.cm-2.puls-1 a doba pulzu se pohybuje řádově v jednotkách až desítkách nanosekund. Pro PLD mohou být použity i kratší pulzy (pikosekundové či femtosekundové lasery) s plošným výkonem dosahujícím řádově 1016 W.cm-2. Kinetická energie částic plazmatu dosahuje řádu keV a rychlost částic je 104-105 m.s-1. Vysoká rychlost i kinetická energie částic jsou faktory, které ovlivňují kvalitu deponovaných vrstev a jsou také příčinou zvýšené hustoty deponovaných vrstev a ostrého přechodu indexu lomu mezi deponovanou vrstvou a substrátem [68]. Rychlost růstu tenkých vrstev lze regulovat vhodným nastavením systému pro PLD. Tenké vrstvy AC připravené pomocí PLD mohou mít relativně vysokou rychlost růstu (vrstva o tloušťce 1μm může být připravena během několika minut). Při velmi vysokých rychlostech růstu se mohou tvořit defekty a nehomogenity, které jsou způsobeny podpovrchovým varem, rozstřikováním mikroskopických částic materiálu nebo v důsledku prudkých změn tlaku v okolí rostoucí tenké vrstvy. K rozstřikování materiálu dochází při PLD u většiny materiálů, výjimkou jsou materiály s vysokou tenzí par nebo vysokou tepelnou vodivostí. Těmto jevům zabraňuje použití pulzů o nižší energii [25]. PLD má přes svou univerzálnost také několik nevýhod. První nevýhodou je obtížná příprava vrstev o stejnoměrné tloušťce na větší ploše, která je způsobena vysokou směrovostí plazmatu vznikajícího při PLD. Tato nevýhoda může být vyřešena několika způsoby: „off-axis“ technikou, PLD s rotací terče a posuvem nebo rotací substrátu, rastrováním terče laserovým svazkem, použití terčů se speciální geometrií, eventuálně kombinací uvedených metod. Při „off-axis“ (Obr. 10a) technice je osa rotujícího substrátu mimo osu vznikající plazmy. Při použití PLD s rotací nebo posuvem (Obr. 10b) je rotující substrát posunován dopředu a dozadu v jednom směru pomocí počítačově řízeného posuvu a v případě rastrovací PLD techniky je poloha dopadu laserového svazku na terč řízena počítačově řízeným zrcadlem. Obrázek 11 zobrazuje normalizovaný profil tloušťky vrstev připravených pomocí výše uvedených metod [69].

27

Obr. 10 Schéma a) „off-axis“ b) rotačně translační PLD.

Obr. 11 Porovnání profilu tloušťky tenkých vrstev [70].

Dalším problémem PLD je tvorba nehomogenit v deponované vrstvě i na jejím povrchu. Velikost, charakter a množství nehomogenit je závislé na parametrech PLD. Nehomogenity se při PLD vytváří různými mechanismy [71]: -

tepelné a mechanické šoky indukované laserovými pulzy způsobují uvolnění mikroskopických částic terče

-

rychlá expanze přehřátého materiálu vzniklého těsně pod povrchem terče dříve, než dojde k dosažení dostatečné teploty pro odpaření povrchové vrstvy

28

-

pokud dojde k přesycení par nad terčem, může odpařený materiál kondenzovat v prostoru mezi terčem a substrátem (k tomuto jevu dochází zvláště při použití vyšších tlaků při depozici).

Nejjednodušším způsobem eliminace je změna parametrů PLD (např. snížení energie laseru). Další možností je použití různých mechanických zařízení nebo vhodného geometrického uspořádání (např. „off-axis“ geometrie substrátu a terče, vzdálenost substrátu od terče, různé filtry a clony, atd.). Jedním z dalších faktorů ovlivňující velikost a počet nehomogenit na nebo v tenké vrstvě je vlnová délka použitého laseru. Tenké vrstvy bez přítomnosti nehomogenit je možné připravit PLD z roztaveného terče. Nevýhodou této metody je omezený počet materiálů, které mají při teplotě tání nebo teplotě vyšší nízkou tenzi par [25].

29

4. Experimentální část 4.1. Příprava studovaného materiálu 4.1.1. Syntéza objemového skla Objemová skla systému Ge-As-Se byla připravena navážením vysoce čistých prvků (5-6 N) do vyčištěných křemenných ampulí. Poté byly křemenné ampule evakuovány a odtaveny od vakuového systému. Vlastní syntéza byla prováděna v elektrické odporové peci při teplotě ~ 850°C po dobu 12 hodin. Po ochlazení byla objemová skla žíhána při teplotě o 10°C nižší, než je jejich teplota skelného přechodu. Z těchto objemových skel byly připraveny terče pro přípravu tenkých vrstev. 4.1.2. Příprava tenkých vrstev Tenké vrstvy systému Ge-As-Se byly připraveny pomocí PLD s použitím KrF excimerového laseru (LAMBDA PHYSIK COMPex 102). Vlnová délka laserových pulsů byla 248 nm, jednotlivé pulsy měly konstantní energii 300 ± 3 mJ.puls -1 a doba trvání pulsu byla 30 ns. Plošná hustota energie pulsů byla ~2,6 J.cm-2. Laserové pulsy dopadající na terč měly opakovací frekvenci 20 Hz. Doba trvání depozice se pohybovala od 480 do 900 sekund. Vrstvy byly deponovány při pokojové teplotě ve vakuové komoře se zbytkovým tlakem ~2–4x10-4 Pa. Depozice byla prováděna technikou „off-axis“ s rotujícím terčem i substráty. Terč byl umístěn planparalelně k substrátům ve vzdálenosti 5 cm. Jako substráty byly použity destičky z křemíku a chemicky vyčištěná mikroskopická skla. Samotné čištění probíhalo následovně: -

smáčení v lučavce královské po dobu 24 hodin,

-

opláchnutí destilovanou vodou,

-

čištění horkou vodou se saponátem,

-

důkladné opláchnutí redestilovanou vodou,

-

opláchnutí izopropylalkoholem,

-

osušení v odstředivce.

Substráty byly nařezány na velikost ~1,5 x 1 cm a před depozicí byly znovu vyčištěny: -

10 minut byly substráty ve vodě se saponátem v ultrazvukové vaničce,

-

poté byly omyty destilovanou vodou a propanolem,

30

-

následovalo 10 minut v ultrazvukové vaničce v čistém propanolu

-

a nakonec byly substráty osušeny horkovzdušnou pistolí (450 – 500°C).

4.1.3. Expozice a temperace Připravené tenké vrstvy byly exponovány laserovou diodou s vlnovou délkou 660 nm zářením o intenzitě ~160 mW.cm-2 a další vybraná složení (Ge20As20Se60 a Ge10As30Se60) laserem s vlnovou délkou 593 nm zářením o intenzitě ~160 mW.cm-2 po dobu 120 minut. Expozice byla prováděna v inertní atmosféře dusíku. Exponovány byly panenské vrstvy i temperované vrstvy. Temperace byla prováděna v inertní atmosféře argonu po dobu 120 minut při teplotě o 20 °C nižší, než je teplota skelného přechodu objemového skla.

4.2. Použité experimentální metody 4.2.1. Skenovací elektronový mikroskop s energiově-disperzním rentgenovým analyzátorem Tato metoda je založena na spojení elektronového mikroskopu s lokální rentgenovou

analýzou.

V

elektronovém

mikroskopu

jsou

elektrony

urychlovány elektrickým polem a fokusovány na povrch vzorku. Povrch vzorku je snímán po řádcích, ze kterých se skládá obraz vzorku. Elektronový mikroskop může být skenovací (SEM – urychlovací napětí je 0,1 – 30 kV) nebo transmisní (TEM – urychlovací napětí je 100 – 400 kV). TEM získává obraz vzorku za pomoci elektronů, které vzorkem projdou (vzorek musí být velmi tenký). SEM využívá k zobrazení vzorku sekundární (přinášejí informace z povrchové vrstvy vzorku, do hloubky více než několik nanometrů se nemohou dostat) a zpětně odražené elektrony (z odražených elektronů lze získat informaci o složení vzorků, protože počet odražených elektronů je závislý na protonovém čísle), zároveň dochází k rastrování povrchu vzorku. Morfologie tenkých vrstev byla zjištěna za použití skenovacího elektronového mikroskopu (SEM, SEOL JSM 6301F). Kvantitativní analýza složení vzorků objemového skla i tenkých vrstev byla provedena pomocí SEM s energiově-disperzním rentgenovým analyzátorem (JSM 6400-OXFORD Link INCA).

31

4.2.2. Ramanova spektroskopie Ramanova spektroskopie je metoda založená na změně polarizovatelnosti. Zdroj záření je monochromatický (z oblasti vlnových délek 300 – 1064 nm). Záření ze zdroje může vzorkem projít, rozptýleno a může dojít i k absorpci záření vzorkem. Ramanova spektroskopie využívá k detekci rozptýleného záření. Rozptyl záření je elastický a neelastický. U elastického rozptylu (Rayleighova rozptylu) dochází k rozptylu fotonů o stejné vlnové délce, jako má zdroj záření (konkrétně 10-4 primárních fotonů se elasticky rozptýlí). Rayleighova linie je u Ramanových spekter filtrována. U neelastického rozptylu dochází k rozptylu fotonů o vlnové délce vyšší (Stokesovy fotony) nebo nižší (antiStokesovy fotony), než byla vlnová délka fotonů ze zdroje záření. Neelasticky se rozptýlí 10-8 fotonů, což je důvodem pro použití velmi citlivých detektorů, protože právě tyto fotony se využívají pro získání Ramanových spekter. Ramanova spektra jsou tvořena ze dvou symetrických pásů, které odpovídají Stokesovým a anti-Stokesovým liniím. Struktura daného materiálu se posuzuje podle polohy pásů jednotlivých vibračních stavů na ose energií. Ramanova spektra byla měřena na mikro-Ramanovském spektrometru HR800 (Horiba Scientific/Jobin Yvon) při pokojové teplotě. Jako zdroj záření byla použita laserová dioda o vlnové délce 785 nm. Intenzita záření byla snížena filtry, tak aby bylo vyloučeno, že v průběhu měření dojde ke změnám vzorku v důsledku absorpce budícího záření. 4.2.3. Rentgenová difrakce (XRD) Při dopadu rentgenového záření na látku dochází k rozptylu a následné interferenci. Všechny atomy látky (krystalu), které jsou ve dráze rentgenova záření, jej rozptylují současně. Interference se navzájem ruší nebo spojují. Intenzita rozptýleného záření závisí na druhu a uspořádání atomů. XRD poskytuje informace o struktuře. V krystalech lze zjistit rozměry elementární buňky, uspořádání atomů a symetrii krystalu. V této práci nás zajímalo, zda byly vzorky amorfní. Pro měření byl použit difraktometr D8-Advance (Bruker AXS, Germany), vlnová délka záření odpovídala přechodu CuKα, měření probíhalo při pokojové teplotě a úhlech 5 – 65° s krokem 0,02°.

32

4.2.4. Mikroskopie atomárních sil (AFM) AFM je založena na mapování rozložení atomárních sil na povrchu vzorku. Povrch vzorku mapuje velmi ostrý hrot umístěný na konci pružného nosníku, nosník se ohýbá díky působení meziatomárních sil. V této práci byl pro studium povrchu tenkých vrstev použit poklepový režim AFM. Měření probíhalo na AFM (Solver NEXT, NT-MDT). 4.2.5. Elipsometrie Elipsometrie je metoda založená na změně polarizace lineárně či elipticky polarizovaného světla způsobené odrazem od studovaného materiálu. Měří se spektrální závislosti elipsometrických parametrů Δ (fázový posun) a Ψ (poměr amplitud dvou polarizovaných kolmých vln po odrazu od vzorku). Elipsometrie [72] slouží ke zjišťování optických vlastností materiálů (jak objemových vzorků, tak tenkých vrstev) např.: index lomu, Eg, extinkční koeficient, tloušťka tenkých vrstev. Dále lze tuto metodu využít ke zjištění povrchové a mezipovrchové nerovnosti, stupně zakrystalování, koncentrace slitin a dopantů a další. V následujících odstavcích jsou popsány základní prvky experimentálního uspořádání elipsometru [73]. Nejpoužívanější zdroje záření jsou lasery a obloukové lampy. Lasery vydávají záření o jedné vlnové délce a používají se v elipsometrii SWE („single wavelength ellipsometers“). Výhodou laseru je zaměření paprsku na malý bod na vzorku. Obloukové lampy poskytují širokou oblast vlnových délek a používají se ve spektrální elipsometrii (SE). Obloukové lampy obtížněji zaměřují světelný paprsek na malý bod. Polarizátor je optický prvek, který mění světelný paprsek do stavu se známou polarizací (pro elipsometrii se využívá lineární a eliptický polarizovaný stav). Polarizátor, který se nachází mezi vzorkem a detektorem se nazývá analyzátor. Analyzátor určuje polarizovaný stav paprsku po odrazu od povrchu vzorku. Monochromátor slouží k dělení záření na jednotlivé vlnové délky, pokud není použit zdroj záření, který vyzařuje záření jedné vlnové délky. Nejjednodušší monochromátor je hranol (například pro viditelné a ultrafialové spektrum se používá hranol z křemenného skla). Používanější monochromátory jsou difrakční mřížky, které pracují na principu difrakce.

33

K vyhodnocení polarizovaného stavu paprsku se využívá detektorů. Tři základní typy využívané v elipsometrii jsou fotonásobič, polovodičové diody a CCD pole („chargecoupled device“). Elipsometrie má mnoho způsobů uspořádání. Nejstarší metodou je „Null“ elipsometrie, která je velice přesná, ale zařízení má velké rozměry. Vývoj elipsometrie umožnil začlenit do uspořádání plynule rotující prvky. Rotující prvek je buď polarizátor, nebo analyzátor.

Obr. 12 Schématické znázornění elipsometrie s rotujícím analyzátorem.

Na obrázku 12 světelný paprsek prochází přes polarizátor a v oblasti A je lineárně polarizován. Po odrazu od vzorku se polarizace mění na eliptickou (oblast B) a po průchodu rotujícím analyzátorem je v oblasti C opět lineárně polarizován [74]. Existuje také modulační elipsometrie. Pomocí elipsometrie byly v této práci studovány optické vlastnosti objemových skel a tenkých vrstev systému Ge-As-Se. Měření bylo provedeno na spektrálním elipsometru s rotujícím analyzátorem a proměnným úhlem dopadu; experimentální podmínky jsou uvedeny v kap. 4.2.5.2. 4.2.5.1 Vyhodnocení elipsometrických dat Cílem vyhodnocení elipsometrických dat je získání optických konstant, tloušťky nebo jiných vlastností. Analýza dat se skládá z mnoha kroků, ve zjednodušené podobě je postup následující: -

změření tenké vrstvy na elipsometru za účelem získání experimentálních dat,

-

v softwaru pro elipsometr vybrat vhodný, jednoduchý model pro opticky propustnou oblast spektrální závislosti (např. Ψ na vlnové délce),

-

v této oblasti generovat data a provést fit,

34

-

zvolit model pro naměřená data z celé spektrální oblasti,

-

a pro získání výsledků znovu generovat data a provést fit.

Experimentální data jsou porovnávána s vygenerovanými hodnotami za použití srovnávací funkce. Odchylku experimentálních dat od modelových dat určuje střední kvadratická chyba (MSE - „mean square error“), snahou je dosažení co nejnižší hodnoty MSE.

1 MSE  2N  M

 Ψ mod  Ψ exp  i exp i    Ψ,i i 1   N

2

  Δimod  Δiexp       Δ,expi   

2

  , (4)  

kde index i označuje každou jednotlivou vlnovou délku a úhel dopadu, N je celkový počet párů (Ψ, Δ), M je celkový počet fitovaných parametrů, σ odpovídá standardní odchylce, indexy „exp“ a „mod“ označují experimentální a vypočítané hodnoty. Při vyhodnocování naměřených dat z elipsometru byly v této diplomové práci použity modely Cauchy a Codyho-Lorentze (CL). Cauchyho model byl použit pro spektrální oblast, ve které byly tenké vrstvy opticky propustné, a CL model byl použit pro analýzu dat v celé měřené spektrální oblasti. Cauchyho model se používá pro získání indexu lomu v propustné oblasti a je popsán rovnicí: n ( )  A 

B C ,  2 4

(5)

kde λ je vlnová délka v μm a A, B, C jsou Cauchyho parametry, extinkční koeficient (k), buď je k = 0, nebo odpovídá slabé Urbachově absorpci [54]. Urbachovu absorpci (absorpci v Urbachově hraně) lze charakterizovat mírnějším růstem s exponenciálním průběhem. Absorpce probíhá v lokalizovaných energetických stavech u hran vodivostního a valenčního pásu, které zasahují do zakázaného pásu energií a vytváří tzv. chvosty. Vznik chvostů valenčního a vodivostního pásu souvisí se ztrátou uspořádání na dlouhou vzdálenost [75]. Model CL se používá pro získání optických vlastností (Eg, n, k, a další) amorfních polovodičů, jak v propustné oblasti, tak v oblasti slabé i silné absorpce. Imaginární část dielektrické funkce ε 2CL je v CL modelu popsána pomocí rovnice [54]:

35

 2CL

 E1  E  E t   0  E  Et ; ;  exp E E U     2n( E ).k ( E )   2 E  E gopt AE 0 E G ( E ) L( E )  ;  opt 2 2 2 2 2 2 2 E  E  E E  E   E g P 0 















E  Et ,

(6)

kde G(E zastupuje funkci popisující absorpci u hrany pásu empirickým vztahem G(E)∞[(E-Egopt)2/(E-Egopt)2+EP2] a L(E) je Lorentzův oscilátor. Egopt značí optickou šířku zakázaného

pásu

energií,

Et

je

energie

odlišující

mezipásovou

absorpci

a

absorpci Urbachovu, EU odpovídá Urbachově energii. E1 je definována tak, aby při energii E = Et: E1 = EtL(Et)G(Et) byla zachována kontinuita ε2. Ep je energie, která odděluje náběh absorpce (pro E<(EP + Egopt)) od chování klasického oscilátoru (pro E>(EP + Egopt)) (funkce Lorentzova oscilátoru absorpci nepopisuje). Parametry A, E0 a Г popisují amplitudu, rezonanční energii a šířku Lorentzova oscilátoru. Reálná část dielektrické funkce

1 (E)  n 2 (E)  k 2 (E)

je

získána

Kramers-Kronigovou

transformací

ε 2(E)

[9].

Připomínáme, že dielektrická funkce je komplexní veličina, která se skládá z reálné části ε 1 a imaginární části ε 2. Hodnoty indexu lomu a extinkčního koeficientu lze snadno získat z následujících vztahů:

n( E ) 

 

2 1

  22



 1 / 2

k (E) 

 

2 1

  22



 1 / 2

12

12

 

(7)

 .

(8)

12

12

4.2.5.2 Experimentální podmínky spektrální elipsometrie Pomocí spektrální elipsometrie s proměnným úhlem dopadu (VASE, J. A. Woollam Co., Inc., obrázek 13) byly proměřeny tenké vrstvy a terče systému Ge-As-Se ve spektrální oblasti 300-2300 nm s krokem vlnové délky 10 nm (tenké vrstvy) a 20 nm (objemový vzorek) a úhly dopadu 50°, 60° a 70°.

36

Obr. 13 Spektrální elipsometr s proměnným úhlem dopadu (V-VASE) od firmy J. A. Wollam Co, Inc.

Optické funkce amorfních chalkogenidů byly získány pomocí CL modelu. Pro vyhodnocení experimentálních elipsometrických dat byl použit model, který byl složen ze tří částí (obr. 14). Spodní vrstvu tvořil substrát z mikroskopického skla (jehož optické parametry byly modelovány předem z elipsometrických dat měřených na samotném mikroskopickém skle), následující vrstva byla vlastní tenká vrstva amorfního chalkogenidu (popsána CL modelem), poslední část byla tvořena vrstvou korespondující s povrchovou nerovností tenké vrstvy. Povrchová nerovnost byla simulována pomocí aproximace efektivním médiem, která předpokládá, že povrchová vrstva je tvořena z 50 % materiálem tenké vrstvy a z 50 % vakancemi.

2 Povrchová nerovnost

1,474 nm

1 Tenká vrstva

836,586 nm

0 Substrát

1 mm

Obr. 14 Model použitý pro experimentální elipsometrická data.

37

5. Experimentální výsledky a diskuze Cílem této diplomové práce byla příprava objemových skel systémů Ge10As30Se60, Ge10As35Se55, Ge10As40Se50, Ge15As30Se55, a Ge20As20Se60, ze kterých byly pomocí PLD připraveny tenké vrstvy. U těchto tenkých vrstev byla určena struktura, složení a dále byly studovány reverzibilní i ireverzibilní fotoindukované jevy. 5.1.1. Složení a struktura skel Z výsledků rentgenové difrakce vyplývá, že připravené tenké vrstvy systému GeAsSe jsou amorfní. Tenké vrstvy byly dále studovány pomocí AFM. Skeny byly provedeny na ploše 100 µm2 (10x10 µm). Obrázky 15,16 a 17 ukazují, že vrstvy jsou hladké, bez nehomogenit, kapek.

Obr. 15 Povrch panenské vrstvy Ge20As20Se60.

38

Obr. 16 Povrch temperované vrstvy Ge20As20Se60.

Obr. 17 Povrch temperované a exponované vrstvy Ge10As30Se60.

39

Složení objemových skel a tenkých vrstev byla určena pomocí SEM spojeným s energiově-disperzním rentgenovým analyzátorem. Tabulka 4. zobrazuje zastoupení jednotlivých prvků v materiálu v atomových procentech a tloušťku, jež byla v případě tenké vrstvy stanovena z výsledků spektrální elipsometrie. Experimentální chyba při určení chemického složení činí 0,5 at. %. Složení

Forma vzorku

tloušťka Ge (at. %) As (at. %) Se (at. %)

objemový vzorek

1,6 mm

9,7

29,2

61,1

tenká vrstva

640 nm

10,6

28,2

61,2

objemový vzorek

1,2 mm

10,1

34,0

55,9

tenká vrstva

750 nm

10,2

34,9

54,9

objemový vzorek

1,6 mm

10,0

39,2

50,8

tenká vrstva

720 nm

10,6

36,5

52,9

objemový vzorek

1,6 mm

15,3

29,3

55,4

tenká vrstva

610 nm

15,0

28,0

57,0

objemový vzorek

1,9 mm

20,5

19,0

60,5

tenká vrstva

1000 nm

19,9

20,6

59,5

Ge10As30Se60

Ge10As35Se55

Ge10As40Se50

Ge15As30Se55

Ge20As20Se60

Tab. 4 Chemické složení objemových skel a tenkých vrstev a tloušťka.

Reálné složení objemového skla i tenkých vrstev se výrazně neliší od teoretického složení, maximální rozdíl mezi teoretickým a reálným složením je ~3 at. %. Porovnáním chemického složení objemového skla a tenkých vrstev lze soudit, že změny ve složení jsou zanedbatelné a depoziční proces lze charakterizovat jako děj zachovávající stechiometrické složení materiálu. V práci [19] bylo předpokládáno, že složení tenkých vrstev při nízké rychlosti depozice (~1 nm.s-1) bude blízké složení objemového skla. Tento předpoklad však bohužel nebyl autory experimentálně potvrzen [19]. Morfologie připravených tenkých vrstev získané pomocí SEM je ilustrována obrázkem 18. Z obrázku 18 je zřejmé, že připravené tenké vrstvy jsou homogenní, povrch je hladký, bez trhlin a mikrokapiček, přítomny nejsou ani jiné defekty, které by snižovaly

40

kvalitu připravených vrstev. Uvedená fakta ukazují na vhodnost použití depoziční techniky pro přípravu studovaných tenkých vrstev.

Obr. 18 Morfologie tenkých vrstev Ge10As30Se60,Ge10As35Se55, Ge10As40Se50, Ge15As30Se55 a Ge20As20Se60 pomocí metody SEM.

Struktura tenkých vrstev i objemových vzorků byla studována Ramanovou spektroskopií. Ramanova spektra jsou uvedena na obrázku 19.

41

b

Intenzita (a.u.)

Intenzita (a.u.)

a

Ge20As20Se60 Ge15As30Se55

100

150

200

250

Ge20As20Se60

Ge15As30Se55

Ge10As30Se60

Ge10As30Se60

Ge10As35Se55

Ge10As35Se55

Ge10As40Se50

Ge10As40Se50

300

350

100

400

150

200

250

300

350

Vlnočet (cm ) -1

Vlnočet (cm ) -1

Obr. 19 Ramanova spektra objemových vzorků skel Ge-As-Se (a) a odpovídajících tenkých vrstev připravených metodou PLD po temperaci (b).

Ramanova spektra objemových vzorků a odpovídajících temperovaných tenkých vrstev mají podobný průběh. Spektru dominuje široký pás nacházející se v oblasti ~170– 320 cm-1. Tento pás obsahuje několik důležitých vlnočtů ~193–198, ~215, ~224–229 a ~238 cm-1. Ramanův pás v oblasti ~193-198 cm-1 odpovídá tetraedrům GeSe4 (tetraedry jsou propojené pomocí rohů), vibrace při ~215 cm-1 vznikají díky sdílení hran tetraedrů GeSe4. Široký Ramanovský pás s maximem v oblasti ~224–229 cm-1 souvisí s vibracemi pyramid AsSe3. Při vlnočtu ~238 cm-1 dochází k vibracím strukturních jednotek As4Se3. Další vibrační pásy jsou při vlnočtech 196 cm -1 a 256 cm-1. První z nich opět souvisí s GeSe4 tetraedry a druhý pás je skrytý díky překryvu vibrací AsSe3 pyramid. Není vyloučena ani přítomnost vibrací molekul As4Se4, jejich nejvýznamnější pásy se vyskytují při vlnočtech 248 a 190 cm-1. Vibrace vazeb Ge-Ge jsou při vlnočtu ~270 cm-1.

42

400

a

panenská vrstva panenská, exponovaná vrstva temperovná vrstva temperovaná, exponovaná vrstva

b

Intenzita (a.u)

Intenzita(a.u)

panenská vrstva panenská, exponovaná vrstva temperovaná vrstva temperovaná, exponovaná vrstva

100

150

200

250

300

350

100

400

150

200

250

300

350

Vlnočet(cm )

Vlnočet (cm )

-1

-1

Obr. 20 Ramanova spektra tenkých vrstev a) Ge10As35Se55 a b) Ge20As20Se60 v různém stavu.

Na obrázku 20a) jsou změny ve struktuře vlivem expozice nebo temperace zanedbatelné. Na obrázku 20b) došlo ke zvýšení intenzity Ramanovského pásu v oblasti ~193–198 cm-1 vlivem temperace a zároveň díky temperaci došlo ke snížení intenzity v oblasti ~170–185 cm-1. Důvodem jsou strukturní změny Ge-Ge vazeb a GeSe4 tetraedrů ve strukturních jednotkách Ge-GemSe4-m (m=1,2,3,4) nebo Ge2Se6. Expozice panenských vrstev nemá žádný vliv na změnu struktury vybraných tenkých vrstev systému Ge-As-Se. 5.1.2. Elipsometrická data Příklad spektrálních závislostí elipsometrických parametrů Δ a Ψ pro tři různé úhly dopadu (50°, 60° a 70°) ukazují obrázky 21 a 22. Obrázky 21 a 22 zobrazují naměřená experimentální data pro dané úhly dopadu a tato data jsou porovnána s daty vypočtenými na základě modelu popsaného v kapitole 4.2.5.1. Je zřejmé, že vypočtená a experimentální data jsou ve velmi dobré shodě, což ukazuje na správnost použitého modelu.

43

400

Generated and Experimental 40 Model Fit Exp E 50° Exp E 60° Exp E 70°

 in degrees

30

20

10

0 0

500

1000 1500 Wavelength (nm)

2000

2500

Obr. 21 Spektrální závislost Ψ na vlnové délce pro úhly dopadu 50°, 60° a 70° (panenská tenká vrstva Ge10As35Se55).

Generated and Experimental 300

 in degrees

200

100

0

-100 0

Model Fit Exp E 50° Exp E 60° Exp E 70°

500

1000 1500 Wavelength (nm)

2000

Obr. 22 Spektrální závislost Δ pro úhly dopadu 50°, 60° a 70° (panenská tenká vrstva Ge 10As35Se55).

44

2500

Modelováním deseti parametrů (rovnice 6) lze určit základní optické funkce tenkých vrstev v širokém spektrálním rozsahu. Příklad vypočteného souborů parametrů je uveden v tabulce 5. Amplituda A je číslo bezrozměrné, jednotky parametrů od E0 až po EU jsou elektronvolty, další popisy parametrů byly již uvedeny u rovnice 6. Parametry t2 a t1odpovídají tloušťkám vrstev uvedených na obrázku 14 (hodnoty jsou uvedeny v nanometrech) a poslední parametr tuni ukazuje stejnorodost tloušťky („thickes uniformity“) v %. MSE = 5,005 A

57,728±0,513

E0

4,9603±0,0372

Г

6,6165±0,188

Egopt

1,6935±0,00896

EP

0,91537±0,0183

Et

0,24807±0,0477

EU

0,10743±0,0027

t2

836,586±0,531

t1

1,474±0,095

tuni

1,3212±0,0555

Tab. 5 Vypočtené parametry pro určení optických funkcí tenkých vrstev složení Ge 10As35Se55.

Pro studium fotoindukovaných změn optických funkcí bylo použito dvou souborů vzorků tenkých vrstev. Ireverzibilní fotoindukované jevy byly zkoumány na prvním souboru tenkých vrstev, které byly exponovány laserovým zářením vlnové délky 660 nm o intenzitě ~160 mW.cm-2 a u vzorků tenkých vrstev Ge20As20Se60 a Ge10As30Se60 byl ještě použit laser o vlnové délce 593 nm a intenzitě ~160 mW.cm-2. Expozice byla prováděna 2 hodiny. Reverzibilní fotoindukované změny byly studovány na druhých vzorcích, které byly relaxovány žíháním při teplotě T = Tg-20°C po dobu dvou hodin a následně exponovány při stejných podmínkách jako v případě vzorků studovaných za účelem ireverzibilních fotoindukovaných změn. Grafické znázornění spektrálních závislostí indexu lomu n a extinkčního koeficientu k bude blíže popsáno v následujících kapitolách.

45

5.1.2.1 Tenké vrstvy Ge10As30Se60

3,3


3,2

Index lomu

3,1 3,0 2,9 2,8 2,7 2,6 300

600

900

1200

1500

1800

2100

Vlnová délka (nm)

Obr. 23 Závislost indexu lomu na vlnové délce tenkých vrstev Ge10As30Se60 (expozice laserovou diodou 660 nm).

1,6


1,4

Extinkční koeficient

1,2 1,0 0,8 0,6 0,4 0,2 0,0 300

600

900

1200

1500

1800

2100

Vlnová délka (nm)

Obr. 24 Závislost extinkčního koeficientu na vlnové délce tenkých vrstev Ge10As30Se60 (expozice laserovou diodou 660 nm).

46

Z obrázků 23 a 24 je patrné, že index lomu v oblasti propustnosti studovaného materiálu klesá a extinkční koeficient limituje k nule, tyto vrstvy byly exponovány laserovou diodou o vlnové délce 660 nm. Po expozici panenské vrstvy došlo ke snížení indexu lomu Δn (1550 nm) = 0,02, pokles indexu lomu je doprovázen zvýšením hodnoty optické šířky zakázaného pásu energií (Egopt), ΔEgopt = 0,07 eV. Po temperaci a expozici temperovaného vzorku nedochází ke změně indexu lomu a Egopt se po expozici temperovaného vzorku snížil opět o ΔEgopt = 0,07 eV. Na obrázku 24 došlo k mírnému posunu strmé části spektrální závislosti extinkčního koeficientu jak pro panenskou exponovanou, tak i temperovanou vrstvu směrem k nižším hodnotám vlnové délky.

3,3


3,2

Index lomu

3,1 3,0 2,9 2,8 2,7 2,6 300

600

900

1200

1500

1800

2100

Vlnová délka (nm)

Obr. 25 Závislost indexu lomu na vlnové délce tenkých vrstev Ge10As30Se60 (expozice laserem 593 nm).

47

1,6


1,4


1,2 1,0 0,8 0,6 0,4 0,2 0,0 300

600

900

1200

1500

1800

2100

Vlnová délka (nm)

Obr. 26 Závislost extinkčního koeficientu na vlnové délce tenkých vrstev Ge10As30Se60 (expozice laserem 593 nm).

Z obrázků 25 a 26 opět vidíme, že index lomu v oblasti propustnosti studovaného materiálu klesá a extinkční koeficient limituje k nule, tyto vrstvy byly exponovány laserem o vlnové délce 593 nm. Po expozici panenské vrstvy došlo ke snížení indexu lomu Δn (1550 nm) = 0,02, pokles indexu lomu je doprovázen zvýšením hodnoty Egopt, ΔEgopt = 0,03 eV. Po expozici temperovaného vzorku dochází ke zvýšení indexu lomu oproti temperovanému vzorku Δn (1550 nm) = 0,02 a Egopt se expozicí temperovaného vzorku snížila o ΔEgopt = 0,11 eV. Na obrázku 26 došlo k mírnému posunu strmé části spektrální závislosti extinkčního koeficientu jak pro panenskou exponovanou, tak i temperovanou vrstvu směrem k nižším hodnotám vlnové délky. Tabulka 6 dokládá veškeré hodnoty indexu lomu a Egopt pro tenké vrstvy o složení Ge10As30Se60, jejichž tloušťka byla pro vzorky exponované laserovou diodou (660 nm) ~570 nm a pro vzorky exponované laserem (593 nm) ~530 nm. Z výsledků uvedených v tabulce 6 vyplývá, že při použití laserové diody 660 nm nedochází ke změnám v indexu lomu temperované a exponované vrstvě a hodnota Egopt se snížila o 0,07 eV a tenké vrstvy Ge10As30Se60 můžeme zařadit mezi fotostabilní. Při použití laseru o vlnové délce 593 nm se fotostabilita neprokázala.

48

Ge10As30Se60 – laserová dioda 660 nm panenská vrstva

n (1550 nm) Egopt

(eV)

temperovaná vrstva

neexponovaná

exponovaná

neexponovaná

exponovaná

2,64

2,62

2,62

2,62

1,74

1,81

1,88

1,81

Ge10As30Se60 – laser 593 nm n (1550 nm)

2,65

2,63

2,61

2,63

Egopt (eV)

1,76

1,79

1,90

1,79

Tab. 6 Přehled indexu lomu a optické šířky zakázaného pásu energií pro složení Ge10As30Se60 (experimentální chyba při stanovení hodnot Egopt byla ±0,01 eV).


3,3


3,2

Index lomu

3,1 3,0 2,9 2,8 2,7 2,6 2,5 300

600

900

1200

1500

1800

2100

Vlnová délka (nm)


49

1,6


1,4


1,2 1,0 0,8 0,6 0,4 0,2 0,0 300

600

900

1200

1500

1800

2100

Vlnová délka (nm)


Na obrázcích 27 a 28 index lomu v oblasti propustnosti studovaného materiálu klesá a extinkční koeficient limituje k nule. Expozice byla provedena laserovou diodou o vlnové délce 660 nm. Obrázek 27 ukazuje snížení indexu lomu Δn (1550 nm) = 0,05 po expozici panenské vrstvy, pokles indexu lomu je doprovázen zvýšením hodnoty E gopt, ΔEgopt = 0,07 eV. Exponovaný temperovaný vzorek má vyšší indexu lomu oproti temperovanému vzorku Δn (1550 nm) = 0,02 a Egopt se expozicí temperovaného vzorku snížila o ΔEgopt = 0,05 eV. Obrázek 28 zobrazuje mírný posun strmé části spektrální závislosti extinkčního koeficientu směrem k nižším hodnotám vlnové délky pro temperované a exponované vzorky. V tabulce 7 jsou uvedeny veškeré hodnoty indexu lomu a Egopt pro tenké vrstvy o složení Ge10As35Se55, jejichž tloušťka byla ~760 nm. Z uvedených výsledků vyplývá, že tenké vrstvy Ge10As35Se55 nejsou zcela fotostabilní. Tento fakt je v rozporu s publikovanými daty [19].

50


n (1550 nm) Egopt

(eV)

temperovaná vrstva

neexponovaná

exponovaná

neexponovaná

exponovaná

2,68

2,63

2,59

2,61

1,69

1,76

1,82

1,77



3,4


3,3

Index lomu

3,2 3,1 3,0 2,9 2,8 2,7 2,6 300

600

900

1200

1500

1800

2100

Vlnová délka (nm)


51

1,6


1,4


1,2 1,0 0,8 0,6 0,4 0,2 0,0 300

600

900

1200

1500

1800

2100

Vlnová délka (nm)


Obrázky 29 a 30 mají opět stejný průběh, index lomu v oblasti propustnosti studovaného materiálu klesá a extinkční koeficient limituje k nule. Expozice byla provedena laserovou diodou o vlnové délce 660 nm. Na obrázku 29 došlo po expozici panenské vrstvy ke snížení indexu lomu Δn (1550 nm) = 0,06, pokles indexu lomu je doprovázen zvýšením hodnoty Egopt, ΔEgopt = 0,09 eV. Po expozici temperovaného vzorku dochází ke zvýšení indexu lomu oproti temperovanému vzorku Δn (1550 nm) = 0,02 a Egopt se expozicí temperovaného vzorku snížila o ΔEgopt = 0,09 eV. Spektrální závislost extinkčního koeficientu uvedená na obrázku 30 ukazuje mírný posun strmé části směrem k nižším hodnotám vlnové délky, jak pro panenské exponované vrstvy, tak i pro temperované vrstvy. V tabulce 8 jsou uvedeny veškeré hodnoty indexu lomu a Egopt pro tenké vrstvy o složení Ge10As40Se50, jejichž tloušťka byla ~630 nm. Z uvedených výsledků vyplývá, že ani tenké vrstvy Ge10As40Se50 nejsou zcela fotostabilní.

52

Ge10As40Se50 – laserová dioda 660 nm panenská vrstva neexponovaná

exponovaná

neexponovaná

exponovaná

2,75

2,69

2,66

2,68

1,66

1,75

1,80

1,71

n (1550 nm) Egopt

temperovaná vrstva

(eV)



3,4 3,3


3,2

Index lomu

3,1 3,0 2,9 2,8 2,7 2,6 300

600

900

1200

1500

1800

2100

Vlnová délka (nm)


53

1,6


1,4


1,2 1,0 0,8 0,6 0,4 0,2 0,0 300

600

900

1200

1500

1800

2100

Vlnová délka (nm)


Index lomu (Obr. 31) v oblasti propustnosti studovaného materiálu klesá a extinkční koeficient (Obr. 32) limituje k nule, tyto vrstvy byly exponovány laserovou diodou o vlnové délce 660 nm. Na obrázku 31 po expozici panenské vrstvy došlo ke snížení indexu lomu Δn (1550 nm) = 0,05, pokles indexu lomu je doprovázen zvýšením hodnoty Egopt, ΔEgopt = 0,14 eV. Po expozici temperovaného vzorku dochází ke zvýšení indexu lomu oproti temperovanému vzorku Δn (1550 nm) = 0,01, ale Egopt se expozicí temperovaného vzorku snížila o ΔEgopt = 0,09 eV. Mírný posun extinkčního koeficientu je patrný na obrázku 32. V tabulce 9 jsou uvedeny veškeré hodnoty indexu lomu a Egopt pro tenké vrstvy o složení Ge10As35Se55, jejichž tloušťka byla ~540 nm. Lze konstatovat, že tenké vrstvy Ge15As30Se55 nevykazují zcela fotostabilní optické parametry.

54


n (1550 nm) Egopt

(eV)

temperovaná vrstva

neexponovaná

exponovaná

neexponovaná

exponovaná

2,68

2,63

2,59

2,60

1,65

1,79

1,89

1,80



3,2


3,1

Index lomu

3,0 2,9 2,8 2,7 2,6 2,5 300

600

900

1200

1500

1800

2100

Vlnová délka (nm)


55

1,4


1,2


1,0 0,8 0,6 0,4 0,2 0,0 300

600

900

1200

1500

1800

2100

Vlnová délka (nm)


Na obrázcích 33 a 34 index lomu v oblasti propustnosti studovaného materiálu klesá a extinkční koeficient limituje k nule, tyto vrstvy byly exponovány laserovou diodou o vlnové délce 660 nm. Po expozici panenské vrstvy došlo ke snížení indexu lomu Δn (1550 nm) = 0,04, pokles indexu lomu je doprovázen zvýšením Egopt, ΔEgopt = 0,06 eV. Po temperaci a expozici temperovaného vzorku nedochází ke změně indexu lomu a E gopt se po expozici temperovaného vzorku snížila zanedbatelně. Na obrázku 34 došlo k mírnému posunu strmé části spektrální závislosti extinkčního koeficientu pro panenskou exponovanou vrstvu směrem k vyšším hodnotám vlnové délky, po temperaci se strmá část spektrální závislosti extinkčního koeficientu vrátila zpět k hodnotě vlnové délky pro panenskou vrstvu a ani expozicí temperovaného vzorku nedošlo k posunu spektrální závislosti.

56

3,2


3,1

Index lomu

3,0 2,9 2,8 2,7 2,6 2,5 300

600

900

1200

1500

1800

2100

Vlnová délka (nm)

Obr. 35 Závislost indexu lomu na vlnové délce tenkých vrstev Ge20As20Se60 (expozice laserem 593 nm).

1,4



1,2 1,0 0,8 0,6 0,4 0,2 0,0 300

600

900

1200

1500

1800

2100

Vlnová délka (nm)

Obr. 36 Závislost extinkčního koeficientu na vlnové délce tenkých vrstev Ge20As20Se60 (expozice laserem 593 nm).

Z obrázků 35 a 36 vidíme, že index lomu v oblasti propustnosti studovaného materiálu klesá a extinkční koeficient limituje k nule. Expozice byly provedeny laserem o vlnové délce 593 nm. Exponovaná panenská vrstva má nižší indexu lomu Δn (1550 nm) =

57

0,06 oproti panenské vrstvě, pokles indexu lomu je doprovázen zvýšením hodnoty Egopt, ΔEgopt = 0,04 eV. Po expozici temperovaného vzorku dochází k zanedbatelnému zvýšení indexu lomu oproti temperovanému vzorku (Δn (1550 nm) = 0,01), ale Egopt se expozicí temperovaného vzorku snížila o ΔEgopt = 0,21 eV. Na obrázku 36 došlo k mírnému posunu strmé části spektrální závislosti extinkčního koeficientu jak pro panenskou exponovanou, tak i temperovanou vrstvu směrem k nižším hodnotám vlnové délky. Tabulka 10 dokládá veškeré hodnoty indexu lomu a Egopt pro tenké vrstvy o složení Ge10As30Se60, jejichž tloušťka byla pro vzorky exponované laserovou diodou (660 nm) ~520 nm a pro vzorky exponované laserem (593 nm) ~480 nm. Z výsledků uvedených v tabulce 10 vyplývá, že při expozici laserovou diodou o vlnové délce 660 nm tenké vrstvy Ge20As20Se60 (temperované a exponované) prokazují fotostabilitu, ale pokud použijeme záření o vlnové délce 593 nm, tak vrstvy nevykazují zcela fotostabilní optické parametry. Důvodem získání odlišných výsledků při použití různých vlnových délek je hodnota Eg materiálu, která je blíže vlnové délce 593 nm než 660 nm.


n (1550 nm) Egopt

(eV)

temperovaná vrstva

neexponovaná

exponovaná

neexponovaná

exponovaná

2,58

2,54

2,53

2,53

1,82

1,88

1,99

1,98

Ge20As20Se60 – laser 593 nm n (1550 nm)

2,60

2,54

2,53

2,54

Egopt (eV)

1,81

1,85

2,02

1,81


58

5.1.2.6 Objemové vzorky

3,4

Ge10As30Se60

3,3

Ge10As35Se55

3,2

Ge10As40Se50 Ge15As30Se55

Index lomu

3,1

Ge20As20Se60

3,0 2,9 2,8 2,7 2,6 2,5 300

600

900

1200

1500

1800

2100

Vlnová délka (nm)

Obr. 37 Spektrální závislost indexu lomu pro objemové vzorky systému Ge-As-Se.

1,8

Ge10As30Se60

1,6

Ge10As35Se55


1,4

Ge10As40Se50

1,2

Ge15As30Se55

1,0

Ge20As20Se60

0,8 0,6 0,4 0,2 0,0 300

600

900

1200

1500

1800

2100

Vlnová délka (nm)

Obr. 38 Spektrální závislost extinkčního koeficientu pro objemové vzorky systému Ge-As-Se.

59

Spektrální závislost indexu lomu (Obr. 37) a extinkčního koeficientu (Obr. 38) zobrazuje optické funkce s podobným chováním objemových vzorků a jim odpovídajících tenkých vrstev. Připravené tenké vrstvy se v optických funkcích prakticky neliší od objemových vzorků, tento fakt potvrzuje správnost použití PLD jako metody pro přípravu tenkých vrstev. Pro porovnání s indexy lomu jednotlivých tenkých vrstev (viz. kapitoly 5.1.2.1 – 5.1.2.5) jsou v tabulce 11 uvedeny indexy lomu objemových vzorků. Ge10As30Se60 Ge10As35Se55 Ge10As40Se50 Ge15As30Se55 Ge20As20Se60

složení n (1550 nm)

2,66

2,67

2,68

Tab. 11 Indexy lomu pro objemové vzorky.

60

2,61

2,55

6. Závěr V předložené diplomové práci byla studována fotostabilita na tenkých vrstvách vzorků systému Ge-As-Se. Konkrétně byly připraveny tenké vrstvy o složení Ge10As30Se60, Ge10As35Se55, Ge10As40Se50, Ge15As30Se55, a Ge20As20Se60 pomocí metody pulzní laserové depozice. Připravené tenké vrstvy byly exponovány laserovou diodou vlnové délky 660 nm s intenzitou záření ~160 mW.cm-2 a složení Ge20As20Se60 a Ge10As30Se60 byla navíc exponována laserem s vlnovou délkou 593 nm zářením o intenzitě ~160 mW.cm-2. Temperace byly prováděny v inertní atmosféře argonu po dobu 120 minut při teplotě o 20°C nižší, než je teplota skelného přechodu objemového skla. Pomocí

skenovacího

elektronového

mikroskopu

s energiově-disperzním

rentgenovým analyzátorem byla provedena kvantitativní analýza a zjištěna morfologie tenkých vrstev. Složení tenkých vrstev bylo v dobré shodě s použitými objemovými skly a povrch tenkých vrstev byl hladký, neobsahoval mikrokapičky ani trhliny. Z Ramanových spekter byla zjištěna struktura objemových skel a temperovaných tenkých vrstev. Spektra objemových skel i tenkých vrstev jsou podobná a ve struktuře se objevují strukturní jednotky GeSe4, AsSe3, As4Se3 a přítomny jsou také vazby Ge-Ge. Rentgenovou difrakcí bylo potvrzeno, že tenké vrstvy jsou amorfní a mikroskopií atomárních sil, že vrstvy jsou hladké, bez nehomogenit a kapek. Metodou VASE byla studována fotostabilita, jak v reverzibilním, tak ireverzibilním režimu. Bylo prokázáno, že při použití laserové diody vlnové délky 660 nm tenké vrstvy složení Ge10As35Se55, Ge10As40Se50, Ge15As30Se55 nejsou zcela fotostabilní. Dochází k rozdílům v indexu lomu a extinkčního koeficientu exponovaných i temperovaných vrstev. Vzorky Ge10As30Se60 a Ge20As20Se60 při expozici laserovou diodou 660 nm prokázali fotostabilitu. Po temperaci a expozici docházelo pouze k minimálním změnám indexu lomu a extinkčního koeficientu. Při použití laseru o vlnové délce 593 nm nevykazovaly vzorky Ge20As20Se60 a Ge10As30Se60 zcela fotostabilní optické parametry. Rozdíly byly v indexu lomu i extinkčním koeficientu. V budoucnosti se studium bude zabývat tenkými vrstvami o složení Ge20As20Se60 a Ge10As30Se60 exponované za použití záření dalších vlnových délek a hledáním dalších

61

vhodných tenkých vrstev, jak systému Ge-As-Se, tak i dalších systémů, jež by byly zcela fotostabilní.

62

7. Seznam literatury [1]

M. A. Popescu, ed., Non crystalline chalcogenides, Kluwer academic, 2000.

[2]

A. V. Kolobov, ed., Photo-induced metastability in amorphous semiconductors, VILEY-VCH GmbH and Co. KGaA, 2003.

[3]

K. V. A. A. R. Barik, R. Naik, R. Ganesan, G. Yang, D. Zhao, H. Jain a K. Shimakawa, Optics express 19 (2011)

[4]

S. B. F. Xia, H. Wang, W. Hua, H. Zeng, X. Zhang a G. Chen, Journal of noncrystalline solids 354 (2008)

[5]

M. A. Abdel-Rahim, M. M. Hafiz, M. M. El-Nahass a A. M. Shamekh, Physica B 387 (2007) 383.

[6]

S. R. Ovshinsky, Journal of Non-Crystalline solids 141 (1992) 200.

[7]

S. R. Elliott, Materials science and technology, VCH Weineheim, 1991.

[8]

H. Hisakuni a K. Tanaka., Science 270 (1995) 974.

[9]

P. Němec, S. Zhang, V. Nazabal, K. Fedus, G. Boudebs, A. Moreac, M. Cathelinaud a X.-H. Zhang., Optics Express 18 (2010) 22944.

[10]

K. Tanaka, Journal of Non-Crystalline Solids 35& (1980) 1023.

[11]

V. Pamukchieva a E. Savova., Thin Solid Films 347 (1999) 226.

[12]

D. Arsova, V. Pamukchieva, E. Vateva a E. Skordeva., Journal of Material Science - Materials in Electronics 14 (2003) 835.

[13]

P. Loeffler, T. Schwarz, H. Sautter a D. Lezal., Journal of Non-Crystalline Solids 234 (1998) 526.

[14]

S. R. Elliot, Journal of Non-Crystalline Solids 81 (1986) 71.

[15]

J. Teteris, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials 4 (2002) 687.

[16]

V. Lyubin, M. Klebanov, M. Mitkova a T. Petkova, Journal of Non-Crystalline Solids 230 (1998) 739.

[17]

V. I. Mikla a I. P. Mikhalko., Journal of Non-Crystalline Solids 180 (1995) 236.

[18]

M. Frumar, A. P. Firth a A. E. Owen., Journal of Non-Crystalline Solids 59-6 (1983) 921.

[19]

G. Yang, H. S. Jain, A. T. Ganjoo, D. H. Zhao, Y. S. Xu, H. D. Zeng a G. R. Chen, Optics Express 16 (2008) 10565.

63

[20]

Y. Kuzukawa, A. Ganjoo, K. Shimakawa a Y. Ikeda., Philosophical Magazine BPhysics of Condensed Matter Statistical Mechanics Electronic Optical and Magnetic Propeties 79 (1999) 249.

[21]

K. Tanaka, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials 4 (2002) 505.

[22]

R. Zallen, The Physics of Amorphous Solid, John Willey, New York, 1983.

[23]

M. Vlček a M. Frumar., Journal of Non-Crystalline Solids 97-98 (1987) 1223.

[24]

M. Vlček, M. Frumar a A. Vidourek., Journal of Non-Crystalline Solids 90 (1987) 513.

[25]

P. Němec, ed., Příspěvek ke studiu chalkogenidových skel a amorfních chalkogenidových tenkých vrstev, Univerzita Pardubice, 2005.

[26]

M. Frumar, Z. Černošek, J. Jedelský, B. Frumarová a T. Wágner., Journal of Optoelectronics and Advanced Materials 3 (2001) 177.

[27]

Q. M. Liu a F. X. Gan., Matterials Letters 53 (2002) 411.

[28]

K. Tanaka, Thin Solid Films 66 (1980) 271.

[29]

A. V. Kolobov, B. T. Kolomietz, V. M. Lyubin, N. Sebastian, M. A. Tagirdzhanov a T. Haito., Fizika Tverdogo Tela 24 (1982) 1062.

[30]

D. A. P. Bulla, R. P. Wang, A. Prasad, A. V. Rode, S. J. Madden a B. LutherDavies, Applied Physics a-Materials Science & Processing 96 (2009) 615.

[31]

Z. U. Borisova, ed., Glassy Semiconductors, Plenum, New York, 1981.

[32]

L. Calvez, Z. Y. Yang a P. Lucas, Physical Review Letters 101 (2008) 177402.

[33]

A. Zakery a M. Hatami, Journal of Optical Society of America B 22 (2005) 591.

[34]

C. Zha, R. Wang, A. Smith, A. Prasad, R. A. Jarvis a B. Luther-Davies, J. Mater Sci: Mater Electron 18 (2007) 389.

[35]

R. P. Wang, A. V. Rode, D. Y. Choi a B. Luther-Davies, Journal of Applied Physics 103 (2008) 083537.

[36]

E. Mammadov a P. C. Taylor, Journal of Non-Crystalline Solids 354 (2008) 2732.

[37]

V. S. Vassilev, Z. G. Ivanova, L. Aljihmani, E. Cernoskova a Z. Cernosek, Materials Letters 59 (2005) 85.

[38]

R. P. Wang, C. J. Zha, A. V. Rode a S. J. Madden, J. Mater Sci: Mater Electron 18 (2007) 419.

[39]

A. Prasad, C. J. Zha, R. P. Wang, A. Smith, S. Madden a B. Luther-Davies, Optics Express 6 (2008) 2804.

64

[40]

Y. Wang, P. Boolchand a M. Micoulaut, Europhysics Letters 52 (2000) 633.

[41]

C. Quémard, F. Smektala, V. Couderc, A. Barthélémy a J. Lucas, Journal of Physics and Chemistry of Solids 62 (2001) 1435.

[42]

F. Smektala, C. Quemard, L. Leneindre, J. Lucas, A. Barthélémy a C. D. Angelis, Journal of Non-Crystalline Solids 239 (1998) 139.

[43]

J. T. Gopinath, M. Soljačić, E. P. Ippen, V. N. Fuflyigin, W. A. King a M. Shurgalin, Journal of Applied Physics 96 (2004) 6931.

[44]

F. Xia, S. Baccaro, W. Wang, L. Pilloni, X. Zhang, H. Zeng a G. Chen, Journal of Non-Crystalline Solids 354 (2008) 1137.

[45]

R. P. Wang, D. Bulla, A. Smith, T. Wang a B. Luther-Davies., Journal of Applied Physics 109 (2011) 023517.

[46]

R.P. Wang , A.V. Rode, S.J. Madden, C.J. Zha, R.A. Jarvis a B. Luther-Davies, Journal of Non-Crystalline Solids 353 (2007) 950.

[47]

N. D. Savchenko, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials 4 (2002) 41.

[48]

R.A. Jarvis , R.P. Wang, A.V. Rode, C. Zha a B. Luther-Davies, Journal of NonCrystalline Solids 353 (2007) 947.

[49]

D.A. Turnbull, J.S. Sanghera, V.Q. Nguyen a I. D. Aggarwal, Materials Letters 58 (2003) 51.

[50]

D. Y.Choi, S. Madden, A. Rode, R. Wang a B. Luther-Davies, Applied Physics Letters 91 (2007) 011115.

[51]

J. C. Phillips, Journal of Non-Crystalline Solids 34 (1979) 153.

[52]

M. F. Thorpe, Journal of Non-Crystalline Solids 57 (1983) 355.

[53]

K. Tanaka, Physical Review B 39 (1989) 1270.

[54]

P. Němec, V. Nazabal a M. Frumar., Journal of Applied Physics 106(2) (2009) 023509.

[55]

E. Sleeckx, L. Tichy, P. Nagels a R. Callaerts., Journal of Non-Crystalline Solids 198-200 (1996) 723.

[56]

E. Vateva, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials 9 (2007) 3108.

[57]

S. M. Green a et. al., PLD of thin films, J. Wiley, Intersci. Publ., New York, 1994.

[58]

V. M. Kozhevin, D. A. Yavsin, V. M. Kouznetsov, V. M. Busov, V. M. Mikushkin, S. Y. Nikonov, S. A. Gurevich a A. Kolobov., Journal of Vacuum Science and Technology B 18 (2000) 1402.

65

[59]

X. M. Tian, M. Rusop, Y. Hayashi, T. Soga, T. Jimbo a M. Umeno., Solar Energy Materials and Solar Cells 77 (2003) 105.

[60]

C. Tan, X. L. Wu, S. S. Deng, G. S. Huang, X. N. Liu a X. M. Bao, Physics Letters A 310 (2003) 236.

[61]

A. S. Loir, F. Garrelie, J. L. Subtil, F. Goutaland, M. Belin, R. Le Harzic, C. Donnet, Y. Ouerdane, F. Rogemond a P. Laporte., Applied Surface Science 208 (2003) 553.

[62]

A. Narazaki, T. Sato, Y. Kawaguchi a H. Niino., Applied Surface Science 208 (2003) 52.

[63]

A. Gupta, H. Wang, A. Kvit, G. Duscher a J. Narayan., Journal of Applied Physics 93 (2003) 5210.

[64]

H. Wang, Y. Zhu a P. P. Ong., Journal of Crystal Growth 220 (2000) 554.

[65]

S. Surthi, S. Kotru a R. K. Pandey., Journal of Materials Science Letters 22 (2003) 591.

[66]

P. Němec a M. Frumar., Journal of Optoelectronics and Advanced Materials 5 (2003) 1047.

[67]

A. Gupta, PLD of thin Films, J. Willey, Intersci. Publ., New York, 1994.

[68]

M. Frumar, B. Frumarová, P. Němec, T. Wágner, J. Jedelský a M. Hrdlička, Journal of Non-Crystalline Solids 11 (2006) 544.

[69]

M. Frumar , P. Němec , B. Frumarová a T. Wágner, Vol. 2, INOE Publishing House, 2005.

[70]

J. A. Greer, PLD of thin Films, J. Willey, Intersci. Publ., New York, 1994.

[71]

J. T. Cheung, PLD of thin films, J. Wiley, Intersci. Publ., New York, 1994.

[72]

J. C. Lindon, G. E. Trauter, and J. L. Holenes., Academic Press, London, 2001.

[73]

H. Fujiwara, ed., Spectroscopic Ellipsometry: Principles and Applications, John Wiley & Sons, 2007.

[74]

H. G. Tompkins a W. A. McGahan, Spectroscopic ellipsometry and reflectometry, John Wiley and sons, inc., Canada, 1999.

[75]

G. J. Adriaenssens, in Encyclopedia of Materials: Sience and Technology, Elsevier Science Ltd., 2001, p. 283.

66

8. Údaje pro knihovnickou databázi Název práce

Fotostabilita amorfních chalkogenidů systému Ge-As-Se Photstability of amorphous chacogenides from Ge-As-Se system

Autor práce

Bc. Petra Hawlová

Vedoucí práce

doc. Ing. Petr Němec, Ph.D.

Rok obhajoby

2012

Anotace

Diplomová práce se zabývá přípravou a studiem objemových skel a tenkých vrstev systému Ge-As-Se. Tenké vrstvy byly připraveny technikou pulzní laserové depozice. Připravené tenké vrstvy byly studovány pomocí skenovacího elektronového mikroskopu s energiově-disperzním rentgenovým analyzátorem, Ramanovou spektroskopií, rentgenovou difrakcí a mikroskopií atomárních sil. Pomocí spektrální elipsometrie s proměnným úhlem dopadu byly studovány reverzibilní a ireverzibilní fotoindukované jevy.

Klíčová slova

amorfní

chalkogenidy,

Ge-As-Se,

fotoindukované

jevy,

fotostabilita, pulzní laserová depozice, spektrální elipsometrie

67

Univerzita Pardubice Fakulta chemicko-technologická. Fotostabilita amorfních chalkogenidů systému Ge-As-Se

Recommend Documents