Pokroky matematiky, fyziky a astronomie
Recense Pokroky matematiky, fyziky a astronomie, Vol. 5 (1960), No. 4, 501--506
Persistent URL: http://dml.cz/dmlcz/137006
Terms of use: © Jednota českých matematiků a fyziků, 1960 Institute of Mathematics of the Academy of Sciences of the Czech Republic provides access to digitized documents strictly for personal use. Each copy of any part of this document must contain these Terms of use. This paper has been digitized, optimized for electronic delivery and stamped with digital signature within the project DML-CZ: The Czech Digital Mathematics Library http://project.dml.cz
Pokroky matematiky, fysiky a astronomie, ročník V, číslo 4
RECENSE
Prof. dr. V á c l a v P e t r ž i l k a
Metody pro detekci a registraci jaderného záření Nakladatelství ČSAV, Praha, 1959. 260 stran, 24 tabulek, 184 obrázků. Cena 29,— Kčs za výtisk v plátěné vazbě. Kniha vznikla z přednášek, které její autor konal na Karlově universitě pro normální posluchače i pro účastníky nástavbových kursů jaderné fysiky. Text vyšel před tím ve formě skript vydaných fakultou technické a jaderné fysiky. Kniha chce přispět k rychlé mu zavádění metod, které jakýmkoli způsobem využívají radioaktivních isotopů. Po pisuje zařízení a metody, kterých se dnes používá k měření jaderného záření v nejrůzněj ších oborech vědy, techniky, lékařství a zemědělství. Klade si za hlavní úkol pomoci popisem fysikami podstaty těchto metod všem pracovníkům z tohoto oboru v jejich každodenní práci a shrnuje poznatky, které jsou jinak dosud v literatuře značně rozptý leny. Probírá po fysikální stránce metody a naše i sovětské přístroje používané při práci s radioaktivními isotopy. V p r v n í ú v o d n í k a p i t o l e autor ukazuje, že dnes je v laboratoři možno vyvolávat a sledovat interakce všech známých elementárních částic s atomovými jádry. Při ně kterých z těchto interakcí vznikají umělé radioaktivní látky, které rozšiřují obor při rozených radioaktivních látek známých již z dřívějška. Při výzkumu a při využití všech těchto radioaktivních látek je třeba detegovat a registrovat jaderné záření. Děje se to na základě charakteristických účinků, kterými se radioaktivní záření projevuje při průchodu různými látkami. Na tom jsou pak založeny různé detektory a indikátory záření. Vzhledem k tomu, že indikátory a detektory jaderného záření jsou založeny na účincích tohoto záření na různé látky, je v d r u h é k a p i t o l e souborně probráno vzájemné půso bení jaderného záření s hmotou (ztráty energie těžkých částic a beta paprsků, průlet záření gamma hmotou atd.), ionisace plynu jaderným zářením a luminiscence pevných i kapalných látek vyvolaná účinkem jaderného záření. Po této všeobecné kapitole, která shrnuje základní znalosti, které by měl každý čtenář při studiu následujících kapitol ovládat, je v dalších kapitolách podán specielní popis přístrojů a metod pro detekci a pro registraci jaderného záření a je tam zároveň uveden návod ke zpracování získaných výsledků. T ř e t í k a p i t o l a jedná o využití nasyceného ionisačního proudu v různých typech ionisačních komůrek. Probírá statické ionisační komůrky a různé metody jejich použití (vybíjení nebo nabíjení přes elektrometr, měření proudu nebo spádu napětí na odporu paralelním k ionisační komůrce, kompensační metodu s indukovaným nábojem nebo s proudem opačného směru), dále ionisační komůrky impulsní a ionisační komůrky pro detekci neutronů. Ve č t v r t é k a p i t o l e autor přechází k proporcionálním počítačům, jichž funkce je podmíněna proporcionální oblastí ionisace plynů. Podává jejich princip a teorii a uvádí poznámky k jejich použití. P á t á k a p i t o l a probírá Geigerovy-Mullerovy počítače a metody pro detekci radio aktivního záření těmito počítači. Uvádí funkci Geigerových-Múllerových počítačů a různé jejich typy i elektronkové zapojení pro tyto počítače. K a p i t o l a š e s t á se týká jiskrových počítačů, u nichž jiskrový výboj doprovázející průlet těžké částice (na příklad částice alfa) plynem za normálního tlaku slouží k její detekci. Výhodou těchto počítačů je, že doba jejich impulsu je velmi krátká, řádově 10~9 sekundy. To je výhodou proti Geigerovým-Múllerovým počítačům, u nichž ionisace rázem nastává teprve v okamžiku, kdy elektrony dospějí k anodě počítače, což trvá 501
10 -8 až 10~7 sek. Protože kromě toho jsou impulsy u jiskrových počítačů viditelné, je možno v počítači určit místo, kde tyto impulsy vznikly, což představuje velkou výhodu těchto počítačů. V s e d m é k a p i t o l e jsou popsány krystalové počítače, jichž funkce je založena na ionisaci vyvolané radioaktivním zářením v krystalech. Krystaly určitých látek vložené mezi dvěma elektrodami do elektrického pole za vhodných fysikálních podmínek reagují na dopad radioaktivního záření tak, že na elektrodách vznikají elektrické impulsy, které se dají po zesílení pozorovat nebo registrovat některým ze známých způsobů (telefonem, počítačem telefonních hovorů, Geigerovým-Múllerovýn počítačem atd). K a p i t o l a o s m á probírá scintilační počítače, které detegují částice nebo fotony jader ného záření tím způsobem, že registrují fotony luminiscenčního záření vyvolaného částicí nebo fotonem pozorovaného záření ve vhodném scintilátoru. Počítače tyto docházejí v poslední době stále většího rozšíření a těší se stále rostoucímu zájmu. V textu je podán jejich popis a probrán způsob registrace jaderného záření jejich užitím. Dále jsou zde probrány nejběžnější pevné i kapalné scintilátory. D e v á t á k a p i t o l a popisuje počítače Čerenkovovy využívající Čerenkovova záření. Kniha^popisuje objev, vznik a podstatu tohoto záření, jeho vlastnosti a metody použí vající Čerenkovova záření k detekci a k registraci jaderného záření. D e s á t á k a p i t o l a uvádí některé měřicí metody a způsoby detekce a registrace jader ného záření. Popisuje elektrické obvody a elektronková zapojení vhodná pro různé de tektory záření. Popisuje zejména koincidenční a antikoincidenční metodu, relativní a absolutní stanovení aktivity záření beta a gamma, stanovení absorpčního koeficientu a energie těchto druhů záření, zařízení pro registraci pulsů vyvolaných jaderným zářením, zejména reduktory a integrátory pulsů, dále fotonásobiče a zesilovače používané pro scintilační počítače. J e d e n á c t á k a p i t o l a probírá vyhodnocování veličin charakterisujících jaderné zá ření a dává návod pro odhad chyb při měřeních provedených metodami probranými v předcházejících kapitolách. Protože se jedná o děje statistické, je nutno při zpracování měřením získaných výsledků užít statistických metod, jichž základy autor v této kapitole probírá. Uvádí Bernoulliovo binomické rozložení, rozptyl, jeho charakterisování střední a střední kvadratickou odchylkou, Poissonovo rozložení a řadu dalších statistických pojmů. D v a n á c t á k a p i t o l a popisuje fotografické a jaderné emulse a jejich využití ke studiu jaderného a kosmického záření. Uvádí některá praktická užití fotografických emulsí pro indikaci jaderného záření. Dále probírá jaderné emulse,které využívají jevu, že jaderné částice pohybující se fotografickou emulsí způsobují svými ionisačními účinky uvolňo vání zrnéček stříbra z jeho sloučenin, čímž vzniká latentní obraz dráhy takové částice. Probírá dnes užívané typy jaderných emulsí, zpracování a prohlížení jaderných emulsí a metody pro zjišťování vlastností nabitých částic užitím jaderných emulsí. Metoda tato byla během posledních desíti let vypracována k vysoké dokonalosti a také autor knihy pomocí ní dosáhl pozoruhodných výsledků. T ř i n á c t á k a p i t o l a uvádí užití mlžných komor. Podává jejich princip a uvádí jak starší typ mlžné komory expansní, tak i novější typ mlžné komory difusní. Probírá pak metody pro zjišťování vlastností nabitých částic pomocí těchto komor. Č t r n á c t á k a p i t o l a probírá bublinkovou komoru. Komora tato je založena na jevu který pozoroval poprvé M. Glaser. Nabité částice proletující kapalinou ve vhodném te pelném a tlakovém stavu za sebou ponechávají sled bublinek naplněných parami kapaliny. Tento jev vedl ke konstrukci bublinkové komory pro studium jaderného záření, které jsou při studiu jaderného záření v mnohém směru výhodnější, než komory mlžné. Autor popisuje princip i konstrukci těchto komor i jejich užití. V závěru kniha obsahuje řadu tabulek potřebných pro použití metod probíraných v knize, velmi podrobný soupis literatury a podrobný rejstřík. Kniha neobsahuje pojed nání o jaderné spektroskopii, která by sama vyžadovala samostatné knihy, takže by ne mohla být v recensované knize probrána v potřebném rozsahu. Kniha je psána jasně a srozumitelně a jistě velmi dobře splní úkol, který si uložila. Je na ní patrno, že její autor má nejen značné odborné znalosti, ale i bohaté pedagogické zkušenosti. Výběr látky je proveden velmi šťastně, takže kniha bude jistě velmi užiteč nou pomůckou pro všechny, kdož přijdou s metodami v knize uvedenými do styku. Bude užitečnou studijní pomůckou nejen pro posluchače vysokých škol, ale i pro četné odbor níky, kteří přicházejí s radioaktivním zářením do styku. K. Šoler 502
J. K r e m p a s k ý
Základy fyziky a techniky polovodiěov Slovenské vydavatelstvo technickej literatury, 1960. 192 stran, 132 obrázků, 9 tabulek. Cena 12,60 Kčs za vázaný výtisk. Polovodiče prodělaly v posledních létech rychlý vývoj a pronikly velmi rychle také do praxe. To způsobilo, že i u nás vyšla řada knih a brožur probírajících problematiku polovodičů a výrobků z nich zhotovených. Mezi ně patří i recensovaná kniha, která plní tento úkol velmi dobře, jež j e určena především pro středně technické kádry, ale j e vhodná i pro všechny ostatní zájemce o tento nový obor. Probírá z fysikálního hlediska celou problematiku polovodičů i s fysikálními jevy, které v nich probíhají a jsou základem jejich užití. Celá kniha j e rozdělena do čtyř větších samostatných oddílů, které se opět člení dále. P r v n í o d d í l jedná o fysice polovodičů. Jeho první všeobecná část probírá nejprve isolovaný atom a jeho stavbu, vykládá význam kvantových čísel a přechází pak na strukturu pevných látek. Objasňuje základní t y p y chemických vazeb a uvádí pásmové spektrum pevných látek. Na základě toho pak vysvětluje rozdíl mezi kovy, isolátory a polovodiči. Dále vykládá fysikální základ elektronové a děrové vodivosti. Uvádí pak základní typy elektronových i děrových polovodičů, jichž elektrická vodivost j e působena poruchami nebo nečistotami, které působí jako donory nebo jako akceptory elektronů a zesilují tak vodivost jednoho typu a naopak zeslabují vodivost typu opačného. Vyvo zuje pak základní matematické vztahy pro elektronovou i děrovou vodivost a pro difusi elektronů i děr. V závěru této úvodní partie konečně probírá některé polovodiče s různým mocenstvím iontů určitého prvku, iontové polovodiče, centra F a polarony. Druhá část prvního fysikálního oddílu se nejprve zabývá Hallovým jevem. Uvádí jeho podstatu a odvozuje základní vztah pro Hallovu konstantu. Obrací se pak k jevům na rozhraní polovodiče a kovu. Ukazuje, že zde vzniká kontaktní potenciál a hradlová vrstva, která j e základem usměrňovacího jevu na tomto rozhraní. Přechází pak k diodové teorii usměrňování na kontaktu kov-polovodič a vyvozuje základní vztah pro statickou cha rakteristiku kontaktu. Ukazuje pak, ža základem usměrňovačů i transistorů j e p-n pře chod, vykládá jeho podstatu a podává jeho matematickou teorii. Probírá pak zesilovací jev v polovodičích, který j e základem transistorů. Zmiňuje se o tepelné vodistivo a o ter moelektrických jevech v polovodičích, přechází k jevům fotoelektrickým a k jevům pod míněným magnetickým polem (jev Hallův a Ettinghausenův). Konečně krátce uvádí i jevy fotomagnetické a ferromagnetický, seigenttoelektrický a piezoelektrický jev v polo vodičích. Dnes se využívá zejména ferritů, které vykazují ferromagnetické vlastnosti, ale vlivem svého velkého specifického odporu mají pouze nepatrné ztráty působené víři vými proudy, takže mohou výhradně nahradit kovy v oblastech, kde se pracuje s poměrně vysokými frekvencemi (ferritové antény, vychylovací cívky televisorů, paměťové obvody počítacích strojů). D r u h ý o d d í l knihy jedná o technologii a o vlastnostech nejdůležitějších polovodičů. Prvá jeho část probírá přípravu vzorku. Protože běžně používané chemické metody ne dovolují připravit materiál v technologii polovodičů požadované čistoty (10~ 3 —10~ 4 % nečistot), byly k přípravě těchto materiálů vyvinuty metody fysikální. Nejběžnější z nich je zónová tavba, která j e založena na různé rozpustnosti atomů nečistoty v pevné a v te kuté fázi určitého materiálů. Vzorky se čistí tak, že se vzorkem postupně posunuje roz tavená oblast základního materiálu (tzv. zóna). Tím se postupně roztavuje další a další část materiálu a stejný objem materiálu současně znovu krystaluje. Nečistoty při tom většinou přecházejí do roztavené zóny a přenášejí se tak na konec vzorku. Jsou však také materiály, u nichž je tomu naopak. Efektivnost čištění zónovou tavbou j e vyjádřena konstantou segregace, která j e rovna poměru koncentrace atomů nečistot v pevné a v ka palné fási. Účinnost čištění se zvyšuje několikerým opakováním zónové tavby, přičemž při jediném pracovním procesu může vzorkem probíhat současně několik zón za sebou. Z vyčištěného materiálu se vyrábí monokrystaly a to bud metodou směrového chlazení nebo metodou Czochralského (pomocí zárodkového krystalu) nebo konečně kombinací obou uvedených metod. Monokrystaly se často již při své výrobě hned opatřují vhodnými přechody. Přechody n-n nebo p-p se v čistém monokrystalu nejsnáze zhotoví tak, že se do některé roztavené zóny nasype vhodné množství příměsi a v průběhu tavení se pak skokem změní rychlost jeho růstu nebo rychlost otáčení krystalu. Tím se změní i konstanta segre gace a ve vykrystalované oblasti vznikne skok v koncentraci nositelů náboje. Při výrobě 503
p-n přechodů se v praxi používá dvou různých metod. Při prvé metodě se vhodná příměs vpravuje do polovodivého materiálu již přímo při jeho výrobě. Při vytahování mono krystalu se pak do taveniny přimísí nejprve vhodné množství příměsi působící vodivost t y p u n, po chvíli pak takové množství příměsi působící vodivost t y p u p, aby koncentrací převažovala nad původní příměsí. Dobré přechody je při této metodě možno vyrobiti také tak, že se vhodným zařízením roztaví pouze povrch monokrystalu, potom se do něho vpraví určitá příměs a látka se pak pomalu ochlazuje. Při ochlazování monokrystal opět vykrystaluje v tvaru, který měl před roztavením. Při druhé metodě se do hotového mono krystalu vpravují určité příměsi difusí atomů příměsi nebo bombardováním monokrystalu atd. Zásadně jsou při tom dvě možnosti: 1. Na povrchu monokrystalu se vytvoří tenká vrstvička příměsi, na příklad roztave ním kapky india na germaniu typu n zahřátím na teplotu tání india. Atomy india di fundují do germania a vytvářejí materiál s vodivostí typu p. Koncentrace atomů příměsi při tom závisí na konstantě difuse a na teplotě. 2. Na monokrystalu germania se vytvoří tenounká vrstvička příměsi galvanicky nebo napařením. Po určité době se uvnitř krystalu vytvoří určitá objemová hustota těchto dodatečně nanesených atomů a způsobí opačnou vodivost této části vzorku. Tam, kde z daného materiálu není možno hotovit monokrystaly, užívá se stlačeného prášku (tab letky), spékaného (sintrovaného) prášku nebo napařené vrstvy. Druhá část druhého oddílu probírá polovodičové prvky a polovodičové sloučeniny. Jsou to v prvé řadě germanium a křemík, jichž strukturu i vlastnosti kniha podrobně probírá, dále selen, kysličníky kovů, selenidy a teluridy kovů a celá řada dalších polovo dičů jako karbid křemíku, indiumantimonid, indiumarsenid atd. T ř e t í o d d í l knihy shrnuje základní fysikální metody pro měření charakteristických veličin polovodivých materiálů. Nejprve probírá metody pro měření elektrické vodivosti materiálu pomocí dvou sond a kompensátoru, metodou čtyř sond a pomocí střídavého proudu. Dále se obrací k metodám pro měření koncentrace volných elektronů a děr a jejich pohyblivosti, které vycházejí z měření elektrické vodivosti a z Hallovy konstanty. Dále uvádí metody pro měření aktivační energie, termoelektrických veličin, fot o vodivosti a tepelné vodivosti. Měrné metody jsou při tom probrány dosti podrobně, takže na zá kladě údajů v knize uvedených je možno měření skutečně provést. Č t v r t ý o d d í l knihy jedná o technickém použití polovodičů. Rozpadá se opět na dvě části. První část probírá polovodičové výrobky. Uvádí polovodičové odpory, zejména termistory (tepelně závislé polovodičové odpory) a jejich užití, fotoelektrické odpory (fotostory), polovodičová zařízení založená na vnějším fotoelektrickém jevu, nelineární polovodičové odpory (varistory) a jejich zapojení a užití. Dále probírá polovodičové diody, zejména nízkofrekventní usměrňovače (selenové, kuproxové, germaniové a kře míkové), vysokofrekventní polovodičové usměrňovače a praktické užití různých typů polovodičových usměrňovačů. Přechází pak k polovodičovým triodám (transistorům). Definuje proudový zesilovací koeficient a statický proudový zesilovací koeficient, na pěťový zesilovací koeficient, výkonový zesilovací činitel a kritickou frekvenci signálu. Uvádí pak nejdůležitější typy transistorů hrotových i plošných (legované, tažené, p-n-i-p transistory a difusní plošné transistory) i speciální transistory, z nichž se dnes zavádějí zejména transistor s jedním p-n přechodem a s řídící kovovou elektrodou a tran sistor s jedním plošným přechodem a dvěma kovovými hroty (spacistor). Kniha pak probírá transistor jako prvek elektrického obvodu, zejména jeho náhradní schéma, různé možné způsoby jeho zapojení (zejména zapojení do kaskád), jejich výhody a nevýhody a současné jejich použití. V druhé části čtvrtého oddílu uvádí autor polovodičové zdroje energie. Jsou to zejména generátory založené na Hallově jevu, dále generátory založené na termoelektrickém jevu (termogenerátory a termoelektrické polovodičové chladničky), polovodičové zdroje za ložené na fotoelektrickém jevu (fotočlánky, fotodiody a fototransistory, sluneční baterie, atomové baterie) a různé druhy luminoforů. V dodatku pak autor krátce uvádí další vyhlídky polovodičů a krátce shrnuje současný stav teorie polovodičů. Kniha zpracovává problematiku polovodičů lehkým a srozumitelným, ale současně přesným způsobem a využívá při tom nejnovějších vědeckých a technických poznatků. Proto se velmi dobře hodí pro technické pracovníky, učitele i žáky výběrových i prů myslových a vysokých škol technického směru. Některé kapitoly užívající metod vyšší matematiky (diferenciální a integrální počet) jsou označeny hvězdičkou. Ostatní text mohou bez zvláštních potíží studovat i ti, kdož metody vyšší matematiky neovládají, pokud znají základní pojmy z nauky o elektřině, protože tyto partie nepředpokládají 504
prostudování kapitol označených hvězdičkou. Látka je zpracována tak, aby čtenář měl možnost získat přehled o celé problematice polovodičů. Základní jevy se snaží vyložit co nejnázorněji, avšak vždy v souhlase s logicky bezvadnou, ale někdy málo názornou a poměrně složitou teorií. Kniha obsahuje dosti podrobný soupis literatury a podrobný rejstřík, který usnadňuje přehled. J e proto velmi dobrou pomůckou a o její hodnotě svědčí nejlépe to, že brzy po jejím vydání je již celý její náklad téměř rozebrán. K. Šoler
Jaroslav
Karlovský
Polovodičové súčiastky v technickej praxi Bratislava, 1959, Slovenské vydavatelstvo techn. literatury. 454 stran, 199 obrázků, 9 tabulek, 3 přílohy. Cena 26,60 Kčs za vázaný výtisk. Kniha je určena pro střední a vyšší technické kádry pracující ve všech odvětvích slaboproudé elektrotechniky a elektroniky. Podává souborně všechny základní poznatky o polovodičích a o polovodičových součástkách, jež se u nás vyrábějí nebo v dohledné době budou vyrábět. Zaujímá asi tak střední místo mezi čistě vědeckou nebo odbornou publikací a mezi populárními příručkami, které u nás dosud vyšly. Z matematiky a z fy siky předpokládá základní znalosti, které b y měli mít absolventi jedenáctiletek nebo absolventi průmyslových škol. Z elektroniky předpokládá základní znalosti o elektron kových zesilovačích. Celá kniha je rozdělena na šest částí. V p r v é č á s t i autor podává krátce teorii polovodičů. Probírá vedení elektřiny v polo vodičích a jeho podstatu. Objasňuje elektronovou a děrovou vodivost, její mechanismus a její výklad pomocí pásového modelu. Dále uvádí p-n přechody, povrchové jevy u polo vodičů, transistorový jev, termoelektrické jevy, fotoelektrické jevy a jejich výklad. Všude jsou uvedeny také základní vztahy mezi jednotlivými veličinami a jejich mate matická formulace. Tato část končí dosti podrobným popisem metod, pomocí nichž se určují základní parametry pólo vodivých materiálů. D r u h á č á s t popisuje technologii výroby polovodičů. Jedná zejména o přípravě čistého germania a křemíku, popisuje fyzikální metody užívané při jejich čištění a uvádí popis přípravy monokrystalů z těchto látek. T ř e t í č á s t probírá polovodičové usměrňovače. Popisuje hrotové diody germaniové i křemíkové a jejich vlastnosti a parametry, dále probírá směšovací a detekční diody pro centimetrové vlny, spojkové diody a usměrňovače a jejich vlastnosti. Č t v r t á č á s t je věnována polovodičovým zesilovačům. Popisuje transistorový jev, základní zapojení transistorů, probírá náhradní schéma zapojení transistorů, stabilisaci jejich pracovního bodu, technologii a konstrukční podrobnosti o výrobě transistorů. Po té probírá metody sloužící k proměřování základních parametrů transistorů, zejména jejich zesilovacího činitele a jejich charakteristik a šumu. Dále probírá praktická zapojení užívající transistorů. Uvádí jednoduchý a dvojčinný nízkofrekventní zesilovač, vysoko frekventní zesilovač, oscilátor, detektor, automatický vyrovnávač citlivosti a směšovač s transistory. Ukazuje, že transistor může sloužit také jako spínací prvek nebo jako transvertor, který mění nízké stejnosměrné napětí v napětí vyšší. J e zde uvedeno také zapojení transistorových přijímačů. V p á t é č á s t i kniha probírá značně podrobně termistory a jejich užití a termoelek trické články. Jako termistor označujeme polovodičové ohmické oopory s velkým zápor ným tepelným součinitelem odporu. Podle účelu, kterému mají sloužit, se vyrábějí termi story perličkové, tyčinkové nebo destičkové, zvlášť citlivé jsou termistory vakuové. Zvláštním typem jsou termistory nepřímo žhavené, jichž teplota se reguluje pomocným žhavícím vinutím z odporového drátu. V této kapitole je uvedena také technologie vý roby termistorů, jsou zde udány běžné typy termistorů, které se u nás vyrábějí a jejich charakteristiky. Tato část uvádí dále metody k proměřování základních parametrů a charakteristik termistorů a jejich využití k měření teploty, k regulaci teploty, jako wattmetrů a bolometrů, v přístrojích na měření elektrického proudu a napětí, k stabili saci napětí, v ochranných a zpoždovacích obvodech a v elektronice. Po té se obrací k termoelektrickým generátorům. Uvádí nejprve základní poznatky o přeměně tepelné energie v energii elektrickou, údaje o konstrukci a použití termoelektrických generátorů a baterií, o termoelektrickém chlazení a ohřevu. Ukazuje pak, kde a jak je možno k růz ným účelům termoelektrického ochlazování a ohřevu užít. 505
Š e s t á , poslední část jedná o termoelektrických fotonkách založených na vnitřním fotoelektrickóm jevu. Popisuje fotoelektrické odpory, fotodiody, fototransistory a jejich užití. Kniha je opatřena podrobným rejstříkem a řadou tabulek se základními údaji o ger maniu a o křemíku, s přehledem československých a některých zahraničních diod a tran sistorů, termistorů a polovodičových fotonek. Za každou částí knihy je uveden podrobný soupis naší i zahraniční literatury. Přiložené tabulky doplňují údaje až do současné doby. Kniha je psána jasně a srozumitelně. Vedle populárního výkladu základních jevů obsahuje i jejich matematickou formulaci, potřebné číselné údaje, charakteristiky a para metry, takže umožňuje skutečné technické využití uváděných materiálů. Cenné je zvláště to, že data se týkají materiálů, které jsou u nás dostupné. Velkou předností knihy je t o , že shrnuje celkem vše, co je z oboru polovodičů známo a neomezuje se pouze na věci zajímající radioamatéry a elektroniky. To umoňuje využití popisovaných pólo vodivých materiálů ve všech oborech techniky. Kniha je proto velmi cennou pomůckou pro všechny kde již v oboru polovodičů pracují anebo se s tímto oborem chtějí brzy v plné šíři seznámit. K. Soler
506
