PEMBUATAN PENGUAT PENDORONG GENERATOR RF SIKLOTRON PROTON DECY-13 MENGGUNAKAN LDMOS BLF578

Volume 13, Januari 2012

ISSN 1411-1349

PEMBUATAN PENGUAT PENDORONG GENERATOR RF SIKLOTRON PROTON DECY-13 MENGGUNAKAN LDMOS BLF578 Prajitno, Slamet Santosa Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan, BATAN Jl.Babarsari Kotak Pos 6101 Ykbb, Yogyakarta 55281 e-mail: [email protected], [email protected]

ABSTRAK PEMBUATAN PENGUAT PENDORONG GENERATOR RF SIKLOTRON PROTON DECY-13 MENGGUNAKAN LDMOS BLF578. Telah dilakukan pembuatan penguat pendorong generator RF untuk siklotron proton 13MeV. Generator RF akan digunakan sebagai sumber tegangan pemercepat bolak-balik siklotron DECY-13 rancangan PTAPB-BATAN. Berdasarkan dokumen rancangan dasar siklotron Decy-13 yang telah dibuat, sumber tegangan bolak-balik bekerja pada frekuensi 77,667 MHz dengan daya RF ±10 kW. Pada penelitian sebelumnya telah selesai dibuat RF exciter menggunakan teknik Direct Digital Synthesizer (DDS). Agar exciter dapat mendorong penguat daya RF diperlukan penguat pendorong yang keluarannya mampu untuk mengendalikan keluaran daya RF yang diharapkan. Penguat pendorong RF yang saat ini banyak digunakan untuk aplikasi akselerator adalah teknologi transistor LDMOS. Setelah membandingkan beberapa tipe transistor LDMOS prototip yang telah selesai dibuat dipilih menggunakan transistor LDMOS tipe BLF578. Hasil pengujian penguat pendorong dengan tegangan kerja 42 Vdc dan keluaran daya RF 400 W, diperlukan arus 15,3 A dan daya pendorong 1,4 W. Setelah dilakukan perhitungan data hasil pengujian, diperoleh nilai koefisien korelasi linier antara masukan dan keluaran R2=0,992, power gain 23,98 – 24,88, power-added efficiency 62 % dan disipasi panas tertinggi 270 W. Dari hasil pengujian dapat disimpulkan bahwa prototip sudah berfungsi dan hasilnya sesuai yang diharapkan, namun pendingin transistor BLF578 masih perlu disempurnakan agar saat dioperasikan, panas yang ditimbulkan masih dalam batas aman. Kata kunci: LDMOS, Penguat pendorong RF, generator RF, Siklotron

ABSTRACT DRIVER STAGE RF AMPLIFIER MANUFACTURE FOR DECY-13 PROTON CYCLOTRON USING LDMOS BLF578. Driver stage of the RF generator for 13MeV proton cyclotron has been manufactured. RF generator will be used as a source of alternating voltage accelerating of DECY-13 cyclotron which is has been designing by PTAPB-BATAN. Based on the basic design documents that has been made, the Decy13 accelerating frequency will work at 77.667 MHz with RF power of ±10 kW. At the previous research it was manufactured an RF exciter using Direct Digital Synthesizer (DDS). In order exciter can drive RF power amplifier, a driver stage amplifier is required, which is output should be able to control the RF power output that is expected. RF driver amplifier that currently widely used for accelerator applications is LDMOS transistor technology. After comparing several types of LDMOS transistor prototypes that have been manufactured, it is selected using type of LDMOS transistors BLF578. Test results with a working voltage of the driving amplifier 42 Vdc and output RF power 400 W, it is required DC current of 15.3 A and driving power 1.4 W. After calculating the data of test results, it is obtained a linear correlation coefficient value between input and output with R2 = 0.992, power gain of 23.98 to 24.88, power-added efficiency 62% and the highest heat dissipation of 270 W. From the test results it can be concluded that the prototype of driver stage RF amplifier is already functioning and the results are as expected, but the cooling of transistors BLF578 still need to be refined in order the generated heat during it operation still within limits. Keywords: LDMOS, RF driver amplifier, RF generation, Cyclotron

PENDAHULUAN

D

ECY-13 adalah siklotron proton dengan energi 13 MeV yang akan dibangun di Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan. Salah satu bagian penting yang akan dibuat adalah sumber tegangan bolak-balik yang dibangkitkan oleh sistem Radio Frequency (RF). Pada penelitian yang

dilakukan sebelumnya telah berhasil dibuat prototip pembangkit sinyal RF menggunakan teknik Direct Digital Synthesizer (DDS). Prototip pembangkit sinyal RF keluaran dayanya dapat diatur dari 0 sampai maksimum 10 watt dan mempunyai jangkauan frekuensi yang dibatasi oleh band pass filter 76,325 - 78,821 MHz.[1]

PEMBUATAN PENGUAT PENDORONG GENERATOR RF SIKLOTRON PROTON DECY-13 MENGGUNAKAN LDMOS BLF578 Prajitno, dkk

37

ISSN 1411-11349

DDS RF exciter R 1 Watt 10

V Volume 13, Janu uari 2012

Pen nguat pendorong MOS LDM 300 Watt W

Penguat Daya RF 10 kW

RF Out

Gambar 1. Blok B diagram sistem RF unttuk siklotron DECY-13. D Sum mber tegangann bolak-balikk ini digunakan untuk mem mpercepat ioon negatip seecara periodiik. Agar siklotron dapat meengeluarkan energi e 13 MeV V, sistem RF R yang akkan dibuat harus dappat mengeluarkkan daya ±10 kW[2]. Sistem m RF terdiri daari DDS RF exciter, e penguuat pendoronng dan penguuat daya, seperrti ditampilkann pada Gambaar 1. Pennguat daya RF F direncanakann menggunakaan tabung eleektron jenis trriode tipe 3CX X15000A7 dan sesuai denngan data sheeet yang dikeeluarkan pabrrik EIMAC [3] agar dapat menghasilkan m d daya RF 10 kW W memerlukaan masukan daya d RF ±3000 watt, sehinggga antara DD DS RF exciterr dengan pennguat daya RF R diperlukann penguat penddorong yang berfungsi b untuuk menguatkaan sinyal keluuaran DDS RF R exciter aggar mampu meendorong pengguat daya RF sehingga dappat diperoleh daya d keluaran RF sesuai yanng diharapkann. Padda saat ini teknologi t sollid state untuuk penguat RF R berkembanng sangat cepat dan menjaadi populer unntuk aplikasi akselerator. Transistor RF R Laterally Diffused Metal–Oxide– M –Semiconducttor (LDMOS) adalah merrupakan stanndar teknoloogi pilihan dallam aplikasi industri i karenna: kemampuaan daya yang sangat baguss, penguatan (gain), (g efisiensi, liniaritas, keandalan daan harga muurah. Transisttor LDMOS juga devaiss pilihan dalam d aplikaasi akseleratorr dikarenakann persyaratan tambahan yanng penting sepperti ruggedneess dan resistaansi termal[4]. Olehh karena ituu pada makkalah ini akan dibahas pembuatan dan penguujian penguuat pendorong generator RF siklotrron DECY-13 menggunakkan teknologgi transistor LDMOS tippe BLF578 yang y banyak digunakan untuk aplikaasi broadcast dan industri. Teknologii LDMOS Struuktur dasar LDMOSFET T diilustrasikaan pada Gam mbar 2. Sepperti FET paada umumnyya, LDMOSFE ET merupakann devais dengan tiga terminnal yaitu gate, drain, dan source. Subsstratnya terbuuat dari silikoon tipe-n. Drrain dan source merupakan daerah denngan doping N+. Akan tetapi, berbedda dengan MOSFET biasaa, pada LDM MOSFET daerah +) berada paada daerah P yang didopinng source (N+ secara lateeral. Doping P ini dimaaksudkan untuuk 38

meniingkatkan gainn RF dan menncegah punch--through pada tegangan draain-source, VDDS, tinggi.

Gambar 2. Struktur dasarr LDMOSFET T. Prinsip kerrja transistor dapat dipahaami dari Gamb bar 2. Sepeerti FET padda umumnyaa, kerja LDM MOS didasarkaan pada penggaturan arus drain d ke sourcce oleh teganngan gate. P Pada tegangaan gatesourcce, VGS, noll, source daan drain merupakan saling terhubung samb bungan p-nn yang mem mbelakangi. Hanya H arus bocor yang g dapat meng galir dari drrain ke sourcce. Jika VGSS positif diberrikan, lapisann inversi perrmukaan atau u kanal diben ntuk pada daeerah p sehinggga source daan drain terhu ubung oleh kaanal n konduuksi. Ketika teegangan drain n-source, VDS diberikan, aruus akan meng galir dari drain n ke sourcee. Konduktannsi kanal ini dapat dimo odulasikan denngan mengubaah-ubah VGS. Jika VDS keecil diberikann, arus akan mengalir m dari drain d ke sourrce melalui kaanal konduksii. Kanal bertin ndak sebagai resistor dan arus drain sebanding dengan VDS. Ini merupakan daerah linieer. Jika tegan ngan drain meningkat, m akaan dicapai suatu titik dimaana lebar kanaal menjadi nol, disebut titik k pinchoff. Pada P titik pinnch- off, aruss drain-sourcee relatif konsttan. Arus draain sebagai fuungsi VDS ditu unjukkan pada Gambar 3.

Prosiding P Pertemuan dan Pressentasi Ilmiah Teknologi T Akseelerator dan Aplikasinya Vol. 13, Januari 2012 : 37 - 44

Volume 13, Januari 20012

ISSN N 1411-1349

Bahan B 1. 2. 3. 4. 5. 6. Gambaar 3.

Kurvaa karakteristikk I-V FET secara s umum m.

Transiistor BLF578 B BLF578 adaalah transistorr RF daya tinggi paling modern jenis LDMOS yanng dapat digunnakan untuk aplikasi a industtri. Transistor dapat dioperaasikan dengann mode pulsaa sampai 12200 W padaa catu tegangaan 50 V. Kareena aplikasi unntuk industri adalah a operasii kontinyu, maka m penguat harus h dioptim malkan untuk operasi o pada daya d lebih renndah. Rangkaiian ini diatur untuk operaasi 43 volt yang membeerikan efisienssi tinggi dan direkomendas d sikan keluarann daya dibatasi pada 800 watt w saja, keecuali kondisi lain sangat mendukung seperti s suhu ruuangan dan VSWR V yang baaik. Ukuran heatsink h harus sesuai supayaa heat transferr dari badan transistor t ke sirip s pendinginn bisa maksim mal dan untukk membantu perambatan panas digunakkan compound yang baik seperti s dowcoorning 340 serrta penggunaaan fan bloweer air flow suupaya suhu traansistor terjagga. B Bentuk fisikk transitor LDMOS L BL LF578 seperti ditampilkann pada Gambar 4, dengan [5] keteranngan sebagai berikut b :

Keeterangan : 1. Drain 1 2. Drain 2 3. Gate 1 4. Gate 2 5. Source Gambaar 4. Bentukk fisik dan sim mbol transistorr LDMO OS BLF578.

TATA A KERJA

Transistor LDMO OS BLF578 beserta penduukungnya yaittu kapasitor, resistor r dan indukktor Moduul catu daya sw witching 45Vdc d Moduul mikrokontrooller Atmega1 16 Trafo dan modul caatu daya 12Vdc d Trafo dan modul caatu daya 24Vdc d Magnnetic contactorr

Alat A penelitiann 1. DDS exciter 10 wattt 2. Oscillloscope 3. Bird RF Directionnal Thruline Wattmeter Modeel 43 4. Dumm my Load Resisstor 50 Ω 5. Digitaal Multimeter Sanwa PC-10 00 6. Solderring Iron 7. SMD rework stationn Skema S Penguaat RF Pendorrong Skema penguat R RF pendoron ng seperti ditampilkan paada Gambar 5 dibagi meenjadi lima bagian yaitu : input i balun, input matching g, transistor LDMOS, L outpuut matching dan output ballun[6]. Balun berfungsi sebaggai pembagi ddaya dan mem mbuat sinyal dibagi keluar dari fase unntuk pasangan n transistor. Sebelum penddorong daya R RF masuk kee transistor, nput matchingg mengubah impedansi 25 2 Ω pada in keluaran baluun ke impeedansi input transistor. Jaaringan outpput-matching kemudian mengubah im mpedansi keluuaran dari trransistor ke 25 2 Ω untuk dikonvrsi ke keluaran tuunggal berakh hir dengan output balunn. Pada umumnya impedansi masukan/kelua m aran dari transsistor pada su uatu tingkat daya akan berrada di kisarran yang rend dah 1-3 Ω. Sebuah jalur microstrip m cukkup panjang antara a balun dan chip dappat membanntu untuk mewujudkan m im mpedansi yanng tepat pada posisi penalaaan (tuning) dan nilai kapassitor selama opptimasi daya. Susunan S Pengguat RF Pen ndorong Gen nerator RF Siklotron S DEC CY-13 Pembuaatan penguat R RF pendorong generator RF R untuk siklootron DECY-113 dibuat deng gan susunan seeperti terlihatt pada Gambbar 6 yang terdiri t dari: modul m penguat RF LDM MOS BLF57 78, resistor attenuasi RF F, directionnal couplerr, modul mikrokontroler m r Atmega16 lengkap den ngan panel LCD, L catu daya switchinng 48Vdc dan n pengatur teegangan catu daya transittor BLF578 yang dapat diatur dari 22 – 45 Vdc.

Bahan dan Alat Pen nelitian B Bahan dan alat yang digunakan dalam d penelitiian pembuataan penguat RF R pendoronng ini adalah sebagai berikuut: PEMBU UATAN PENGU UAT PENDORO ONG GENERAT TOR RF SIKLOT TRON PROTON N DECY-13 ME ENGGUNAKAN N LDMOS BLF5 578 Prajitno, dkk

39

ISSN 1411-11349

V Volume 13, Janu uari 2012

Gambar 5. Skeema penguat RF R kelas AB.

LCD Panel 162AD LMB1

Trip/Alarm m Drv. pw wr Aruus

Atmeega16 Penam mpil & Sistem m Trip

Forward Reflect

Tegangaan Suhu

RF input Switchinng Power Suppply Eaton n apr48 48 Vdc

Atenuuasi RF F

Penguaat RF Klas AB A Transistor LDMOSL BLF5 578

Direectional Cooupler

RF out

Pengaturr Catu Daya 22 - 45 Vdc

p 3000 watt. Gambarr 6. Blok diagrram penguat pendorong Pengujian n Penguat RF F Pendorong Generator RF R Siklotron DECY-13 Penngujian penguuat RF pendoorong dilakukaan dengan meemberi masukkan sinyal RF berasal dari RF R DDS exciteer yang daya RF keluarannnya dapat diattur dari 0 – 100 watt, seperti ditampilkan pada p Gambar 7. Penguat RF R pendorongg daya keluaarannya diukkur menggunakkan Bird RF Directioonal Thrulinne Wattmeter Model 43 dan d sebagai beban b keluaran digantikan dengan resisttor yang impedansinya sesuuai dengan keluaran pengguat RF peendorong yaiitu dummy ressistor 50 Ω.

40

HAS SIL DAN PEMBAHA P ASAN Prototip penguat penddorong generaator RF untuk k siklotron DECY-13 ttelah selesai dibuat dengan tata letak modul m elektroonik sebagai teertampil pada Gambar 8. Modul-m modul elektroonik dan komponen lain yang y telah diinnstal adalah : 1. Modul M penguuat RF mennggunakan trransistor LDMOS L BLF F578 2. Resistor R atenuuasi 3. Blower B pendinngin 4. Catu C daya swiitching 48 Vdcc

Prosiding P Pertemuan dan Pressentasi Ilmiah Teknologi T Akseelerator dan Aplikasinya Vol. 13, Januari 2012 : 37 - 44

Volume 13, Januari 2012

ISSN 1411-1349

5.

Modul pengatur tegangan catu daya transitor BLF578 6. Trafo catu daya blower 7. Catu daya 12 Vdc 8. Modul mikrokontroler Atmega16 9. Panel LCD LMB162AD 10. Kipas penghisap udara Panel depan prototip penguat pendorong generator RF seperti terlihat pada Gambar 9, terdapat tombol, knop, konektor, tampilan LCD dan LED dengan penjelasan fungsi sebagai berikut: 1. Switch ON/OFF RF DDS Exciter

Penguat RF Pendorong LDMOS-BLF578

2. 3. 4. 5.

6.

Tombol reset trip Tombol untuk pemilihan menu operasi Liquid Crystal Display (LCD) untuk menampilkan frekuensi Indikator trip: - CURR (arus penguat RF) - VDD (tegangan penguat RF) - REFL (Refected power) - TEMP (suhu pendingin penguat RF) dan - Tombol reset. Konektor DB-9 untuk komunikasi data serial komputer.

Bird RF Directional Thruline Wattmeter Model 43

50 Ω Dummy Resistor

Gambar 7. Blok diagram pengujian penguat RF pendorong.

Gambar 8. Tata letak penguat pendorong.

Gambar 9. Tampilan panel depan prototip penguat RF pendorong. PEMBUATAN PENGUAT PENDORONG GENERATOR RF SIKLOTRON PROTON DECY-13 MENGGUNAKAN LDMOS BLF578 Prajitno, dkk

41

ISSN 1411-1349

Volume 13, Januari 2012

Keluaran Daya RF [W]

Pada Gambar 10 ditampilkan keluaran daya RF pada frekuensi 77,667 MHz sebagai fungsi masukan daya RF (watt). Meskipun penguat pendorong yang telah dibuat secara teoritis mampu mengeluarkan daya RF sampai dengan 800 watt, tetapi untuk keamanan pada pengujian ini dibatasi pada daya keluaran RF 400 watt. Dari data grafik Gambar 5 telah dilakukan perhitungan dan diperoleh persaman regresi linier y = 310,6x - 22,73 dengan R2 = 0,992 sehingga dapat disimpulkankan bahwa antara masukan dan keluaran daya RF mempunyai korelasi yang sangat kuat.

LDMOS transistor BLF578 Rev.02 4 Feb. 2010”, yang mana dinyatakan bahwa power gain BLF578 minimum 24 dan tipikal-nya adalah 25. 25.00 Gain [dB]

Pengujian Masukan dan Keluaran Daya RF

24.50 24.00 23.50 0

500 400

Gambar 11. Penguatan daya vs keluaran daya RF.

y = 310.6x ‐ 22.73 R² = 0.992

300

Pengujian Power Added Efficiency (PAE) Sebagai Fungsi Keluaran Daya RF

200 100

Power-added efficiency (PAE) dapat diartikan sebagai efisiensi dari jaringan untuk mengubah daya masukan DC ke sejumlah daya keluaran RF yang tersisa setelah kontribusi langsung dari masukan daya RF dihilangkan[7].

0 0

0.5

1

1.5

Masukan Daya RF [W]

Gambar 10. Masukan vs keluaran daya RF.

η

Pengujian Penguatan Daya (power gain) Sebagai Fungsi Keluaran Daya RF Power gain dihitung dengan persamaan[6] : 10 LOG

),

[1]

Keterangan : : daya keluaran RF POUT PIN : daya masukan RF grafik power gain sebagai fungsi keluaran daya RF ditampilkan pada Gambar 11. Dari hasil pengukuran dan perhitungan diperoleh power gain penguat pendorong dengan rentang gain 23,98 – 24,88. Hasil ini sesuai dengan “Product data sheet Power

PAE [%]

50 100 150 200 250 300 350 Keluaran daya RF [W]

100 %

Keterangan : POUT : daya keluaran RF PIN : daya masukan RF PDC : daya masukan DC

[2]

= VDC × IDC

Dari hasil pengujian diperoleh PAE lebih besar dari 60 %, seperti ditampilkan pada Gambar 12 pada keluaran daya RF 400 watt diperoleh PAE 62 %. Hasil ini cukup memuaskan, meskipun masih harus ditingkatkan karena “Product data sheet Power LDMOS transistor BLF578” dinyatakan bahwa PAE 70 %.

70 60 50 40 30 20 10 0 0

50

100

150

200

250

300

350

400

Keluaran daya RF [W] Gambar 12. Power added efficiency (PAE) sebagai fungsi keluaran daya RF

42

Prosiding Pertemuan dan Presentasi Ilmiah Teknologi Akselerator dan Aplikasinya Vol. 13, Januari 2012 : 37 - 44

Disipasi Daya RF [W]

Volume 13, Januari 20012

ISSN N 1411-1349

300 275 250 225 200 175 150 125 100 75 50 25 0 0

50

100 0

150 200 250 0 Keluaran Daya RF [W]

300

350

Gambar 133. Disipasi daaya panas sebaagai fungsi kelluaran daya R RF. Pengujjian Disipasii Daya Panaas Sebagai Fungsi F Keluarran Daya RF D Disipasi daaya panas mengguunakan persam maan :

(Pdiss)

dihhitung [3]

Keteranngan : : masukan tegangan VDC t transsistor LDMOS S IDC : arus yang ditarik oleh trransistor LDM MOS PIN-RF : daya masuukan RF POUT-RFF : daya keluaaran RF P data hasil pengujian daan perhitungann Pdiss Plot versus keluaran dayya RF ditampiilkan pada Gaambar 13, dissipasi tertingggi untuk keluaran daya RF F 400 watt adalah a 270 watt. Oleh karena itu perlu diperhaatikan apakah pendingin yaang sudah terppasang dapat memenuhi syarat kareena luasan flens pendinggin BLF578 adalah a 4,25 cm m2. Modull Mikrokontroler ATmegaa16 Perangkat lunak unntuk menduukung MLAB. Atmegaa16 dikembangkan mengggunakan VM VMLA AB (Visual Micro M Lab) adaalah sebuah virtual v protypiing IDE yang meenggabungkann IDE, Assembbler, Compileer, Debugger, dan simu ulator serta dapat d mensim mulasikan harrdware (kompponen elektronnik). mikrokontroller ATmeega16 Modul digunakkan untuk akkuisisi data parameter opperasi penguaat RF pendoorong yaitu: forward power, p reflecteed power, teggangan DC, arus a DC, maasukan daya RF R dan suhhu pendingin LDMOS serta mengirrim data akuuisisi secara serial. Paraameter operasii tersebut ditampilkan d pada LCD dan dibandiingkan dengann suatu nilai sebagai s batas aman. a Apabilaa salah satu dari d parameteer operasi meelebihi nilai baatas aman akkan menyebabbkan trip dann catu tegangaan DC akan mati m (off). Conntoh tampilann suhu

pendingin padaa LCD sepertti pada Gambaar 14. Suhu pendingin terukkur 30,8 0C dan maksimum m suhu yang diperbolehkan 55,0 0C, oleeh karena itu u jika suhu teerukur ≥55 0C maka mikrokontrroler akan sinyal trip yang mengakib mengeluarkan m batkan catu daya mati.

mpilan suhu peendingin. Gambar 144. Contoh tam

KESIMPUL K LAN Telah selesai dibuuat penguat pendorong siklotron generator R RF untuk DECY-13 teknologi trannsistor LDMO menggunakan m OS BLF578. Penguat P pendoorong RF telaah diuji dengaan tegangan kerja 42 volt, masukan m dayaa RF mulai 0,1–1,3 0 watt dan diperoleh keluaran daya RF 25–400 watt. Pada keluaran dayaa 400 watt penguat RF pendorong menarik m arus 15,3 A. Data hasil h penguujian setelah h dihitung diperoleh: nillai koefisien korelasi lin nier antara masukan m dan keluaran k R2 = 0,992, powerr gain 23,98 – 24,88, Poweer-added efficciency 62 % dan d disipasi panas tertinggii 270 W. Untuk menghindari m ppanas yang beerlebih pada pendingin trannsistor LDM MOS BLF578 8 dipasang detektor suhuu LM-35 yaang digunakaan sebagai masukan m sistem m pengaman ddan telah terujji pada suhu ≥ 55 0C akan teerjadi trip. Meskipuun prototip suudah berhasil dibuat dan hasilnya sesuaai yang diharrapkan, tetapii pendingin trransistor BLF F578 masih peerlu disempurrnakan agar

PEMBU UATAN PENGU UAT PENDORO ONG GENERAT TOR RF SIKLOT TRON PROTON N DECY-13 ME ENGGUNAKAN N LDMOS BLF5 578 Prajitno, dkk

43

ISSN 1411-1349

Volume 13, Januari 2012

pada saat dioperasikan secara kontinyu panas yang ditimbulkan masih dalam batas aman. 7.

UCAPAN TERIMA KASIH Dengan selesainya pembuatan prototip penguat pendorong generator RF ini, disampaikan ucapan terima kasih yang sebesar-besarnya kepada rekan-rekan komunitas IQED khususnya Sdr. Wardhana N., Iwan dan Agus atas masukan dan ideide dalam merealisasikan prototip penguat pendorong.

DAFTAR PUSTAKA 1.

2.

3.

4.

5. 6.

44

PRAJITNO, “Pembuatan dan Analisis Exciter Generator RF Untuk Siklotron Proton DECY13”, Jurnal Iptek Nuklir GANENDRA, Volume 14 Nomor 2 (2011) 111 – 121 J.S.CHAI, “New Design And Development Of 13 MeV PET Cyclotron In KOREA”, Proceedings of Particle Accelerator Conference, New York, (1999) 3137 – 3139 3CX15000A7 EIMAC Data Sheet, CPI MPP Division, Eimac Operations, 607 Hansen Way, Palo Alto, CA 94303 www.cpii.com diunduh tanggal 05 Januari 2011 S.J.C.H. THEEUWEN, W.J.A.M. SNEIJERS, J.G.E. KLAPPE, J.A.M. DE BOET, “High Voltage RF LDMOS Technology for Broadcast Applications”, European Microwave Week Conference 2008, EuMIC02-2, 46, (2008) 1279 – 1284 NXP SEMICONDUCTORS, “Power LDMOS Transistor BLF578”, Product Data Sheet Rev.02, 4 Feb. 2010 TSUNG-CHI YU, DKK, “The Development of High Power Solid-State Amplifier In

NSRRC”, Proceedings of IPAC’10, Kyoto, Japan, (2010) 3993 – 3995 IULIAN ROSU, RF Power Amplifiers, , YO3DAC / VA3IUL, http://www.qsl.net/va3iul Diunduh tanggal 15 Agustus 2011.

TANYA JAWAB Frida Iswinning Diah ¾ Kontribusi disipasi panas terbesar di bagian mana? Dan untuk kedepannya bagian atau komponen mana yang akan dioptimasi? Prajitno 9 Disipasi panas yang paling besar pada flen dari transistor LDMOS yang luasannya hanya 4,5 cm2 meskipun sudah disalurkan pada pendingin alumunium dan dihembus blower. Ke depan sedang didesain pendingin dengan menambah luasan plat alumunium dan memperbesar aliran udara untuk menghembuskan udara. Edi Trijono ¾ Bagaimana mengatasi panas yang timbul pada Transistor LDMOS padahal pengujian bahan tahap simulasi walaupun bebannya sudah disamakan dengan bahan sesungguhnya tetapi pada kenyataannya antara simulasi dengan prakteknya berbeda. Dan apa sudah dipikirkan desain pendingin yang sesuai dengan desain yang sudah dilakukan sekarang ini? Prajitno 9 Beban sudah disesuaikan dengan impedansi kabel coaxial yaitu 50 Ω. Desain pendingin yang baru sedang dilakukan agar mampu untuk mendinginkan transistor LDMOS yang harus menanggung disipasi panas ∞ 270 watt.

Prosiding Pertemuan dan Presentasi Ilmiah Teknologi Akselerator dan Aplikasinya Vol. 13, Januari 2012 : 37 - 44