Többrétegű struktúrák technológiai modellezése DR.
T A R N A Y
DR.
DROZDY
K Á L M Á N -
íj
DR. M A S S Z I
FERENC
GYŐZŐ*
B M E Elektronikus Eszközök Tanszéke * M T A K ö z p o n t i Fizikai K u t a t ó Intézet Mikroelektronikai K u t a t ó Intézete
ÖSSZEFOGLALÁS A cikk bemutatja a S T E P (Silicon Technology Evaluation Program) félvezető technológiai szimulációs programrendszer továbbfejlesz tésében legutóbb elért eredményeket. A program jelenleg már mo dellezi a SÍ/SÍO2 struktúránál bonyolultabb, például polisziliciumot és szilíciumnitridet is tartalmazó többrétegű struktúrákban leját szódó adaléktranszportot. Ennek megoldása a több határfelülettel rendelkező többrétegű struktúrák, valamint az oxidációs és nitridálási folyamatok irodalomból ismert modellezési módszereinek ki terjesztését igényelte. A cikk bemutatja a probléma megoldására ki dolgozott új algoritmust, mely az eddig ismertekkel szemben több rétegű struktúrák esetén az időben eltolódó határfelületekkel is biz tosítja a megoldás konvergenciáját. ( fa )
lé Bevezetés Az elmúlt években az egyre bonyolultabb elrende zésű és vertikális s t r u k t ú r á j ú L S I és V L S I á r a m k ö r ö k tervezésének minden fázisa egyre t ö b b és t ö b b szá mítógépes segítséget igényelt. A különböző á r a m k ö r i és logikai szimulációs, valamint hibaszimulációs programok mellett megjelentek a technológiai folya matok szimulációs vizsgálatára alkalmas programok is. E programok közül ú t t ö r ő n e k t e k i n t h e t ő a Stanford Egyetem I n t e g r á l t Á r a m k ö r i L a b o r a t ó r i u m á ban D u t t o n , Hansen és Antoniadis által kidolgozott S U P R E M (Stanford University Process Engineering Models) program, melynek első változata 1977-ben készült el [1]. A technológiai szimulációs programok k a l fizikailag megalapozott, vagy formális modellek alapján vizsgálni lehet a különböző rétegleválasztási és növesztési, m a r a t á s i és adalékolási folyamatokat. A programok jelentős segítséget tudnak n y ú j t a n i a technológia optimalizálásában és a kialakítandó s t r u k t ú r a elektromos paramétereinek (négyzetes el lenállások, küszöbfeszültség stb.) k í v á n t értékre való beállításában. A technológiai szimulációs progra mok egy- vagy kétdimenziós vizsgálatok elvégzésére alkalmazhatók. Az M T A K ö z p o n t i Fizikai K u t a t ó Intézetével e g y ü t t m ű k ö d v e a B M E Elektronikus Eszközök Tan székén 1978-ban k e z d t ü k el a STEP (Silicon Techno logy Evaluation Program) technológiai szimulációs programrendszer kidolgozásával kapcsolatos kuta t á s o k a t [2]. M u n k á n k előrehaladtával eredményeink ről t ö b b közleményben is beszámoltunk [3], [4], [5], [6]. A STEP programot olyan i r á n y b a n fejlesztettük t o v á b b , hogy a szilícium/szilícium-dioxid k é t r é t e g ű s t r u k t ú r á n á l bonyolultabb, p l . Si0 -polySi-Si0 2
DR. TARNAY KÁLMÁN 1952-ben szerzett okleve let a BME Villamosmér nöki Karán. 1961-ben megvédett műszaki egye temi doktori értekezésé ben a tunneldiódák el méletével foglalkozott, 1967-ben kandidátusi fokozatot szerzett a tér vezérelt eszközök kap csolóüzemű működését tárgyaló disszertációjá val. 1983-ban az Uppsa-
pes legyen modellezni. Ennek megoldása a t ö b b ha tárfelülettel rendelkező többrétegű s t r u k t ú r á k , vala m i n t az oxidációs és nitridálási folyamatok irodalom ból ismert modellezési módszereinek kiterjesztését igényelte. (A nitridálással kapcsolatos programfej lesztést a B M E Elméleti Villamosságtan Tanszékről dr. Zombory László és dr. Veszély Gyula végezte.) A t ö b b határfelülettel rendelkező s t r u k t ú r á k esetén az irodalomból ismert parciális differenciál-egyenlet rendszer megoldó módszerekkel nem lehetett a meg oldás konvergenciáját m e g b í z h a t ó a n elérni, ezért egy — közbenső határfeltételekkel számoló — új algo ritmust dolgoztunk k i , amely a megfelelően megvá lasztott közbenső határfeltételekkel a többrétegű s t r u k t ú r a esetében időben eltolódó határfelületek nél is biztosítja a megoldás konvergenciáját. Jelen közleményben az elméleti alapok áttekintése u t á n e m u n k á n a k egy olyan részletét mutatjuk be, amely az oxidációs folyamat közben egyre h á t r á b b tolódó Si/Si0 határfelület elmozdulásával és az azon á t történő adalékvándorlással kapcsolatos. Az 1. á b r á n l á t h a t ó egy t ö b b r é t e g ű s t r u k t ú r a . 2
poly-Si S±ö_
2
aaalékolfc Si
Si N -Si 3
lai Egyetem Matematikai és Fizikai Szekciója a félvezető eszközök model lezése terén elért eredmé nyeiért díszdoktorává vá lasztotta. Jelenleg a BME Elektronikus Eszközök Tanszékének tanszékve zető docense. A HTE Fél vezető Eszközök és Integ rált Áramkörök Szakosz tályának elnöke, a HTE Elnökségének tagja. Tag ja több akadémiai és MTESZ bizottságnak.
4
s t r u k t ú r á k b a n lejátszódó a d a l é k t r a n s z p o r t o t is k é Beérkezett: 1983. V I . 6.
504
!H885-1]
1. ábra. Többrétegű s t r u k t ú r a Híradástechnika
XXXIV.
évfolyam 1983. 11. szám
2. A technológiai szimuláció főbb funkciói és alapösszefüggései Az integrált á r a m k ö r i s t r u k t ú r á k előállításakor az alábbi technológiai m ű v e l e t e k e t a l k a l m a z z á k :
Mstlllll
a) Nem magas hőmérsékleten végzett m ű v e l e t e k — Oxid- és nitridrétegek leválasztása — Poliszilícium leválasztás — Ionimplantáció — Maratás DR. MASSZI FERENC
b) Magas hőmérsékleten végzett műveletek — — — — — — —
Predepozíció Behajtás Oxidáció Nitridálás Epitaxiális rétegleválasztás Poliszilícium leválasztás Maratás
A magas hőmérsékleten végzett műveletek végzése s o r á n a szilíciumban, az oxid- és nitrid-, valamint poliszilíciumrétegekben levő adalékok az adott r é tegen belül diffúzió k ö v e t k e z t é b e n m e g v á l t o z t a t j á k eloszlásukat, t o v á b b á a határfelületen a d a l é k t r a n s z port lép fel. Az adalékeloszlás időbeli v á l t o z á s á t a ^ L ^ - d i v J ,
(1)
J^-gradCAQ
(2)
DR.
1976-ban szerzett kitün tetéses oklevelet a BME Villamosmérnöki Karán. 1978-ban megvédett mű szaki egyetemi doktori disszertációjának témá ja a félvezető memória elemek számítógépes mo dellezése volt. Oklevelé nek megszerzése óta a BME Elektronikus Esz közök Tanszékén dolgo zik, jelenleg adjunktus ként. Kutatási területe: félvezető struktúrák mo dellezése, számítógépes tervezés. A HTE Félve zető Eszközök és In tegrált Áramkörök Szak osztályának titkára.
es Fick-egyenletek írják le. A Fick-egyenletekben: C, az i'-ik adalék koncentrációja, G, az í-ik adalék forrássűrűsége ( p l . intersticiális->-szubsztitucionális á t m e n e t , clustering stb.), Ji az i-ik adalék fluxusa, D , az í-ik adalék diffúziós állandója. A Fick-egyenletekből s z á r m a z t a t h a t ó — egyes adalékokra felírt — parciális differenciálegyenlete ket a diffúziós állandók k ö z ö t t i kapcsolat csatolja. A diffúziós állandók ugyanis erősebb, vagy gyengébb függést mutatnak az anyagban jelenlevő valamennyi adalék koncentrációjától. Annak érdekében, hogy az eloszlásokban a fellépő szakadások m i a t t i matematikai p r o b l é m á k a t el le hessen kerülni, célszerű olyan megoldó algoritmust al kalmazni, melyben az adott adalékra v o n a t k o z ó dif ferenciálegyenletet minden rétegre egymástól füg getlenül írjuk fel, és az egyes rétegek k ö z ö t t i J:=h
DROZDY GYŐZŐ
1978-ban szerzett okleve let a BME Villamosmér nöki Kar műszaki fizika ágazatán. Diplomatervé vel elnyerte a HTE kü löndíját a diplomaterv pályázaton. A KFKI dolgozójaként nappali szakmérnökképzésben vett részt és 1980-ban szak mérnöki oklevelet szerzett. 1981-ben megvédett mű szaki egyetemi doktori disszertációjának témája az ionimplantáció szá mítógépi modellezése volt. Jelenleg tudományos munkatárs a KFKI-ban és másodállásü tanárse géd a BME Elektronikus Eszközök Tanszéken.
E b b ő l a határfelületi fluxusból nyerhetjük a parciális differenciálegyenlet határfeltételeit. A magas hőmérsékletű folyamatok a S i 0 / S i , va lamint a Si0 /poliSi határfelületen oxidáló közeg je lenlétében a határfelület eltolódását is előidézik. Ez a határfelület-eltolódás a 2
2
J
E=- ox(Qxy
a C
Si)
( ) 4
járulékos adalékfluxussal í r h a t ó le, ahol v az oxidáció sebessége, oc a Si—Si0 t é r f o g a t a r á n y (áz egységnyi térfo g a t ú szilíciumból keletkező szilíciumdioxid tér fogata). ox
2
Megjegyezzük, hogy ilyenkor nem az adalékok á r a m -
(3)
határfelületi fluxus segítségével s z á m o l u n k (lásd 2. ábra), ahol hi az í-ik adalékra v o n a t k o z ó felületi transzporttényező, 5 az z'-ik adalékra és az adott határfelületre vo natkozó egyensúlyi szegregációs állandó, C adalókkoncentráció a határfelület bal oldalán, C adalékkoncentráció a határfelület jobb olda lán. (
r
|H885-2|
2
Híradástechnika
XXXIV.
évfolyam 1983. 11. szám
2. ábra. Határfelületi transzport
505
lásáról van szó, hanem t u l a j d o n k é p p e n a határfelület halad á t az adalékokon. Elemi számításokkal k i m u t a t h a t ó , hogy az oxi dáció sebessége (az oxidrétegben lineárisan csökkenő oxigénkoncentráció feltételezésével) f«(0=-
x(0 '
(5)
ahol v (0) az oxidáció kezdeti sebessége zérus oxidré teg vastagság esetén, z (t) az oxidréteg vastagsága az adott időpilla natban, d az oxidáció viszonyait leíró, hosszúság dimen ziójú mennyiség. ox
ox
/S-szoros mennyiségű szilíciumnitrid j ö n létre. Ennek megfelelően az oxidban, illetve nitridben a.-Ax, i l letve fl-Ax osztásközt alkalmazunk. Az adalékkon centrációk értékét a Ax osztásközű részek közepére vonatkoztatjuk, illetőleg az oxidrétegben az a-zlx, a nitridrétegben pedig a (i-Ax részek közepére. A szegregációs összefüggés (3) konzisztens értelmezése érdekében a Si0 /Si, illetve b á r m i l y e n m á s h a t á r felület esetén a határfelület m i n d k é t oldalán fél m é retű cellákkal számolunk. 2
A következőkben a szilícium oxidálásának folya m a t á t szimuláló algoritmust vizsgáljuk, megjegyezve, hogy megfontolásaink érvényesek nitridálás esetén, t o v á b b á az egykristályos szilícium helyett poliszilícium alkalmazásakor is. Az oxidációs folyamat modelljét a 3. á b r á n t ü n t e t t ü k fel. A megoldás során a At időlépésközt úgy választjuk meg, hogy az éppen Ax vastagságú szilí cium oxidálásához szükséges időt jelentse. í g y az időlépésköz az oxidáció szimulációja során változik, mivel az oxidáció sebessége az egyre vastagabb oxidréteg k ö v e t k e z t é b e n csökken, ennek megfelelően egyre nagyobb időlépésköz adódik. Ez az időlépés köz növekedés a diffúziós egyenletek megoldásának pontosságát nem csökkenti, mert a diffúzió során az eloszlásfüggvények egyre s i m á b b a k k á válnak. ox
A fenti összefüggésekben szereplő mennyiségek h ő mérsékletfüggőek, és feltételezzük, hogy hőmérséklet függésük az Y(T) = Yje
kT
(6)
egyetlen aktiválási energiájú Arrhenius összefüggés sel jellemezhető. Ebben az összefüggésben W a folyamat aktiválási energiája, T a folyamat hőmérséklete, k a Boltzmann állandó, Y„ az X mennyiség aszimptotikus értéke. Nem t é r ü n k k i részletesen a diffúziós állandók hő mérséklet-, orientáció- és adalékfüggéseire, valamint az oxidáló közeg diffúziós állandót befolyásoló h a t á sára. Ezen h a t á s o k leírására megfelelő modellek ta lálhatók a STEP programban.
Az ábra szerinti esetben a határfelület az z-ik és az í + l - i k elemi cellák k ö z ö t t helyezkedik el. Az elő zőekben elmondottak szerint t e h á t a határfelülettől balra helyezkedik el az utolsó, fél méretű szilícium dioxid cella, melyben az adalékkoncentráció C,, a határfelület jobb oldalán van az első — ugyancsak fél méretű — szilícium cella, melyben az adalék koncentráció C , és ezt k ö v e t i a következő, egész m é r e t ű szilícium cella, melyben az adalékkoncent ráció C . i+1
( + 2
3. Megold
At idő elteltével, amikor egy cellányi (Ax vastag ságú) szilíciumréteg oxidálódik, a határfelület Ax értékkel tolódik jobbra modellünk szerint. í g y a ha tárfelülettől — jobbra t a l á l h a t ó fél szilícium cella az előző ál lapot C adalékkoncentrációjú cellájának jobb oldali fele, melyben most az adalékkoncent/ + 2
A
2C
E l ő t t e
Utána
3. ábra. Az oxidációs folyamat modellje egy cellányi szilícium oxidálása előtt és u t á n
506
Híradástechnika
XXXIV.
évfolyam 1983. 11. szám
ráció a határfelületi fluxus k ö v e t k e z t é b e n az eredetitől eltérő, C - értékű. — A balra levő fél cella az a szilícium-dioxid fél cella, mely az előző állapot C -es szilícium cel lájának bal oldali feléből keletkezett oxidot tartalmazza, ebben az adalékkoncentráció azon ban a szilícium és szilícium-dioxid eltérő térfo gata, valamint a határfelületi fluxus k ö v e t k e z t é b e n C ~ t ő l eltér, é r t é k é t a k ö v e t k e z ő k b e n í + r g y e l jelöljük. + 2
Ezekben az összefüggésekben az u mennyiség a ha tárfelületi fluxustól függ:
i+2
c
— Ennek bal oldali szomszédja egy olyan egész m é retű szilícium-dioxid cella, mely részben az előző állapot C adalékkoncentrációjú szilícium fél cellájának oxidációjából, részben pedig az előző állapot Ci adalékkoncentrációjú fél oxidcellá jából j ö t t létre, ebben most az a d a l é k k o n c e n t ráció C' . m
t
Az algoritmus főbb lépései a k ö v e t k e z ő k : 1. Kiszámítja a Ax vastagságú szilícium-dioxid ré teg létrehozásához szükséges időt, Ax
(7)
ahol p é r t é k é t a hőmérséklet, az oxidréteg vastagsága, az oxidáló réteg és szilícium anyagi jellemzői h a t á r o z z á k meg. Meghatározza valamennyi adalék k o n c e n t r á cióját az i - i k , i + l - i k , i + 2 - i k sorszámú cellák ra a szegregáció és a At idő alatti szilícium dioxid határfelület eltolódását figyelembe véve, elhanyagolva viszont az ezek k ö z ö t t a cellák k ö z ö t t i diffúziós a d a l é k t r a n s z p o r t o t . A h a t á r felület áthelyeződik az i - i k és i + l - i k cellák k ö z ö t t i helyzetéből az i + l - i k és i + 2 - i k cellák közé.
(12)
3i>„
í+2
A leírt algoritmus arra is alkalmas, hogy a szimu láció során figyelembe vegye az oxidnövekedés sebes ségének adalékkoncentrációtól való függését is. Az algoritmus alkalmazásánál a felhasználó részére a k v a n t á l t oxidnövekedés okozhat p r o b l é m á k a t . Az eb ből származó nehézségek azonban az e g y é b k é n t alap értelmezésben automatikusan számítódó időlépés köz, vagy pedig a Ax érték megfelelő megválasztásá val kiküszöbölhetők. 1. táblázat A kísérleti szelet technológiai leírása 1. T = 9 8 0 °C elődiffúzió, f = 40 perc Bór felületi koncentráció: 10 ° [l/cm*] 2. T=1150 °C behajtás, száraz oxidáló t = 2 óra 2
közegben,
S T E P / S E K C
33/05/17
CN
e x
ox
Előállítja az egyes határfelületek k ö z ö t t i anyag részekben a m e g v á l t o z o t t határfelületeknek megfelelően az egyes adalékokra v o n a t k o z ó par ciális differenciálegyenletek megoldását. A ha tárfelületeken á t ebben a megoldási fázisban zérus az a d a l é k t r a n s z p o r t . A megoldás olyan At időlépésközzel történik, amely a differenciál egyenlet kellő pontosságú megoldását biztosít ja, és melynek At egész számú többszöröse. Ha az oxidáció ideje még nem telt le, vagyis ox
t+At ^t . ox
1. .. GT IRTI LD E D YSSTI E= PO . 0P 2R*ODBPATFHE =L A7 D. 6A
2. . SUBST 0RNT=111,,ELEM=P,C0NC=3.5E15 3. .PLOT TOTL=Y^CMIN=1*/N0EC=7,WIND-8 A. .PRINT T0TL=Y,HEAE=r S. .COMMENT EL0DIFFUZI0 6. .STEP TYPE=PBEP/TIM£=40,EL£M=E/C0NC=1E20/TEMP=?B5 7. . C O W M E N T B E H A J T Á S 3. .STEP TYPE=0XID,T£MP=115 0,TI«E=12C,M0DL=DRYO ' 9. • END 0.
1
4. ábra. Az 1. t á b l á z a t b a n megadott technológia STEP bemeneti nyelven történő leírása
sic PHÜEaFSUÜAÍ
8EWMTA9 STEP
2
s r m AT f O s í f i s í e
U-í,?5CO CPU t I K E ; 2 »Ut OXtDVTIOH I S í«t OXIGÉH
TCTAL STEP T I M E - KB.OS IBITIÍL TEHPeMTOSS =1150.00 a x i s E rmcessss « 0.227S
LIJIESS S X I M esoiííji S A I S P A R A 3 0 L I C OXIDÉ GÍOWTB fiSlB » • i t l í GP.OÜÍH PSESSUBS *
akkor visszatérünk l-re. A 2. pontban szereplő koncentrációértékek a részle tes számítás mellőzésével:
SHICÍ» MFFUSICtí CCEFFICIE8T
(10)
C
i+2
C-
+ 2
Híradástechnika
—5-
XXXIV.
+ S+ U
(11)
évfolyam 1983. 11. szám
C.
HKSWBMimiTS Bicaos*«2/«tNUT£ •WOSfUEBES
* X I
SESREGHTtOR tOEfFICIEllT
t I I
TKANSPORT COEFFICIENT
SOROM
I
S.9M3SS0-C7 I
2.5621SS0-D3 I
Í.747372D~01 I
2.7Í333Í0-02 I
PHOSPHOB
I
1.EM215U-CS I
2.5303,180-C3. I
l.OOOOOOBtOl I
8.C80Í74Í-02 I
5.Í0C00O
s+ u
O.OŰO* 1.0000)3
OXXÍE PIFFtíSSOR COEFFICIESI
JlmtlIOB OEPtH
(9)
HMBtSS MSCSoss
ojrns
0
(8)
B
S T W AT I 4 s 5 * i »
1,V.3 5BS
HICBOIS
X i
I t
S8EET KESISTÍBCB 59.5 C.«02E»04
owrsfsaííae OUHS/SSUAKS
5. ábra. A szimulációs program által nyomtatott eredmény egy része, a 4. á b r á n megadott technológiára vonatkozóan Az 1. t á b l á z a t b a n leírt technológiához t a r t o z ó STEP bemeneti nyelven megadott technológiai leírás a 4. á b r á n , az e r e d m é n y e k pedig az 5. és 6. á b r á n
507
l á t h a t ó k . A 6. á b r á n összehasonlításként e r e d m é n y e k e t is f e l t ü n t e t t ü n k . H ' Í P / S E B C
kísérleti
A szerzők köszönettel tartoznak az M T A K F K I Mikro elektronikai K u t a t ó Intézetének a STEP program k i fejlesztésének t á m o g a t á s á é r t , dr. Zombory László nak és dr. Veszély G y u l á n a k , a B M E Elméleti V i l l a m o s s á g t a n Tanszék docenseinek a nitridálási algo ritmussal kapcsolatos programfejlesztési m u n k á k el végzéséért, valamint L e Hoang M a i aspiránsnak a kísérleti m u n k á k elvégzéséért.
C N
STEP PROEAfELADAT BEHAJTÁS STEP
2 ,
TCTAt STEP T I P E « 1 2 0 . 0 0 HINUTSS
PLOT CF NET I M p L i t l ' T r
COMCENTRATXOh V S . CEPTB
CCíCSSÍHAtrCM «4
15
15
t
£ i I J I
Z I z X I I I I I
X X X X £ 1 X I I
X s s £ I X X X X
I T I 1 I X I I I
I r i i i i £ X I
X X z X X M X 2 X
X %
I I I I I I I I I
X X z I T I X I I
1 $
£ í
I I I I I I I I L I I X X X T I
*
I I I I I
• *
*>
I z X t ft» * 1 X I I X
X X X
I X I I I I I X I
I I X X X 3 X X I
I I X I I 1 l
* 't 1í 1* 11v )* i
X X I I X I
I I I I I I I
fr *
ip
X
z
X X X X
—
*a
x X X I X I X I I
—«—
pp
*-
J* * X 1 1 I I I 1 I X I
3
X X < X I X MM...-. X X X X X X I
6. áöra. A szimulált adalékprofil ős a m é r t profil össze vetése. Az ábrán +-szal jelöltük az oxidban számolt adalékkoncentrációt, *-gal a szilíciumban számoltat, o -rel pedig feltüntettük a m é r t pontokat
508
IRODALOM
X
I X X X I X
t i» k * * b » '<• »
1
ATOJfS/CO
38
1
X x I I I I
aflö
Köszönetnyilvánítás
[1] Antoniadis, D . A.—Hansen, S. E. — Dutton, R. W.: S U P R E M — I I . Program for IC Process Modelling and Simulation. Technical Report No. 5019—2, Stanford Electronics Laboratories, June 1978. [2] K. Tarnay—F. Masszi—J. Mizsei—P. Baji—T. Rang—G. Drozdy—B. Kovács: Silicon planar technology process modelling. 3rd International Symposium on Electronics Technology, Balaton füred, 16—18 May 1979, lecture and proceedings. [3] dr. Tarnay Kálmán—dr. Masszi Ferenc—Mizsei János —Baji Pál—Rang, Toomas—Drozdy Győző: Szilícium planár technológiai eljárás számítógépes szimulációja. Finommechanika—Mikrotechnika, X V I I I . évf. 9. szám, pp. 257-260 (1979. szeptem ber). [4] K. Tarnay-J. Mizsei—F. Masszi—P. Baji—B. Kovács —T. Rang—G. Drozdy: Silicon Integrated Circuit Fabrication Process Modelling and Simula tion. Periodica Polytechnica Electrical Engineering, Vol. 24, No. 1 - 2 , pp. 3 5 - 3 7 (1980). Magyar nyelven: Híradástechnika, X X X . évf. 12. szám, pp. 327-328 (1979). [5] Dr. Tarnay Kálmán—dr. Drozdy Győző—dr. Masszi Ferenc—Baji Pál—dr. Toomas Rang—dr. Mizsei János—Kovács Balázs: A STEP félvezető-tech nológiai szimulációs program. Mérés és Automatika, Vol. 29, No. 12, pp. 4 6 0 - 4 6 4 (1981). [6] K. Tarnay: Modeling of semiconductor structures and devices. Physica Scripta, Vol. 24, pp. 446 — 455 (1981).
Híradástechnika
XXXIV.
évfolyam 1983. 11. szám
