Budapesti Muszaki ˝ és Gazdaságtudományi Egyetem Villamosmérnöki és Informatikai Kar
CMOS-kompatibilis kapacitív páraérzékelo˝ Doktori értekezés tézisfüzete
Szerz˝o:
Témavezet˝o:
Juhász László okleveles villamosmérnök Dr. Mizsei János egyetemi tanár MTA doktora
Elektronikus Eszközök Tanszéke Budapest, 2013.
1. Bevezetés Az ipari és mez˝ogazdasági folyamatoktól kezdve a mukincsek ˝ védelmén át, egészen mindennapi életünkig, a leveg˝o nedvességtartalma fontos szerepet játszik. Számos területen elengedhetetlen ennek mérése és adott korlátok között tartása. Jellemzésére többféle mennyiség használatos, melyek mérésére különféle elven muköd˝ ˝ o eszközök léteznek. A változatos alkalmazási területek eltér˝o igényeket támasztanak az érzékel˝okkel szemben, teret adva új érzékel˝o rétegekkel, szerkezetekkel és eszközökkel kapcsolatos kutatás-fejlesztésnek. A pontosság, stabilitás, válaszid˝o és élettartam javítása mellett nagy hangsúlyt kap a méret, a fogyasztás és az ár csökkentése. A leveg˝oben pára formájában megtalálható víz adszorpciója és abszorpciója igen sokféle fizikai jelenségben nyilvánul meg. Hatására megváltozhatnak egyes anyagok dielektromos tulajdonságai, ami pl. a kapacitív páraérzékel˝ok muködésének ˝ alapja. Változhat az (egyenáramú) ellenállás is az ionos vezetés megváltozása miatt. A víz felületi adszorpciója hatással lehet félvezet˝o rétegek felületi tiltott energiasáv görbületére (barrier-effektus), ami módosítja mind az egyenáramú, mind a váltóáramú vezet˝oképességet. MEMS1 -eszközökben megnövekedhet az érzékelésre kialakított mozgórészek tömege, vagy változhat a membránon kialakított vékonyrétegek mechanikai feszültsége. SAW2 -eszközökben a felületi haladó hullámok fázissebessége változik a megkötött vízmolekulák miatt. Az említett eszközök lényegi részét jelent˝o érzékel˝orétegek kutatása rendkívül aktív terület. Számos (szervetlen) szigetel˝o és félvezet˝o anyag, szerves polimerek, az említettekb˝ol készült kompozitok és nanostruktúrák felhasználását vizsgálják erre a célra. Sok esetben el˝oszeretettel alkalmaznak pórusos anyagokat. A jelenleg legelterjedtebben használt anyagcsoport a polimerek. Kapacitív érzékel˝okben széles körben használt ilyen anyag a poliimid. Ezek élettartama elvben korlátozott, ugyanis a szerkezetük nedvesség hatására maradandóan megváltozik. A pórusos fém-oxidokból nagy felület-térfogat arányú rétegek, ezek segítségével pedig kiváló érzékenységu˝ eszközök alakíthatók ki. A széles körben használt els˝o kerámiák egyike az alumínium-oxid, amelynek a pórusos tulajdonságai az alumínium anódos oxidálása során elvben jól beállíthatók. Stabil, magas h˝omérsékleten is muköd˝ ˝ o érzékel˝ok készíthet˝ok bel˝ole. 1 Micro-Electro-Mechanical 2 Surface
System, mikro-elektromechanikai rendszer Acoustic Wave, felületi akusztikus hullámú
2
2. A kutatások célkituzései ˝ A mai elvárásoknak leginkább megfelel˝o, legkorszerubb ˝ megoldást páraérzékel˝ok esetében is a mikrorendszer formájában történ˝o megvalósítás jelenti. Ennek megfelel˝oen, a célkituzés ˝ kezdett˝ol fogva olyan rétegkialakítási eljárások, rétegszerkezetek és ezeken alapuló integrált páraérzékel˝o eszköz kidolgozása volt, amelyek kompatibilisek a tömeggyártásban használatos CMOS3 integrált áramköri technológiai folyamatokkal. Az irodalmi adatok alapján érzékenység, stabilitás és integrálhatóság szempontjából egyaránt ígéretes pórusos alumínium-oxidra esett a választás az érzékel˝oréteg szerepének betöltésére. Ezen réteg alkalmazása kézenfekv˝ové teszi a kapacitív elvu˝ érzékel˝okonstrukciót, amely kapcsolástechnikailag illeszkedik a CMOS-elektronikához, valamint a dielektromos állandó csekély h˝omérsékletfüggéséb˝ol adódóan, stabilabb eszközt eredményezhet. A kituzött ˝ célok olyan eljárás kidolgozását igényelték, amellyel a klasszikus CMOS-technológia alumínium fémezés rétegb˝ol el˝oállítható a pórusos alumínium-oxid érzékel˝oréteg. A stabil rétegkialakítási eljárások mellett olyan CMOS-kompatibilis, kapacitív rétegszerkezetek megvalósítása volt szükséges, amelyek a kívánatos területfoglalás mellett (maximum néhány mm2 ) is kell˝oen érzékenyek ahhoz, hogy az átalakított jel ugyanazon chipre integrált elektronikával jól kezelhet˝o legyen. Ezekre alapozva olyan CMOS-kompatibilis páraérzékel˝o eszköz létrehozása volt a célom, amelyben a regeneráló futést ˝ és h˝omérsékletmérést lehet˝ové tev˝o elemek integráltan valósulnak meg.
3. Felhasznált eszközök és vizsgálati módszerek Munkám technológiai hátterét a BME Elektronikus Eszközök Tanszéke V2 épületben található Félvezet˝o Laboratóriuma adta (amely régi formájában megszunt, ˝ a Q épületbe költözésekor megújult és kismértékben b˝ovült). A páraérzékel˝o eszköz megvalósításához kidolgozott eljárásom huszonhárom – önmagában is összetett – munkafolyamatból tev˝odik össze, melynek végrehajtása során a Félvezet˝o Laboratórium minden berendezését felhasználtam (komplett fotolitográfia és nedveskémiai eszközpark, magash˝omérsékletu˝ folyamatokhoz szükséges cs˝okemencék és gázrendszer, vákuumg˝ozöl˝o, katódporlasztó, szeletdaraboló és tokozó berendezések, mikrohuzalköt˝o), 3 Complementary
Metal–Oxide–Semiconductor, komplementer fém–oxid–félvezet˝o
3
továbbá és a speciális anódikus oxidációhoz új kísérleti elrendezést állítottam össze. Munkám egyes szakaszaiban küls˝o laboratóriumok segítségét is igénybe vettem a felhasznált eszközök körének szélesítéséhez. Az MFA4 Mikrotechnológia Osztály munkatársai vákuumg˝ozöléssel, porlasztással és fotomaszk készítésével, a HWU5 MISEC laboratóriumának munkatársai MEMS-laboratóriumuk infrastruktúrájának rendelkezésre bocsátásával (fotolitográfia, elektronsugaras g˝ozölés, galvanizálás) nyújtottak segítséget. Az általam el˝oállított rétegeket az többféle módszerrel vizsgáltam: mechanikai profilométerrel végeztem a rétegvastagságok mérését, optikai mikroszkóppal ellen˝oriztem a fotolitográfiával kialakított ábrákat és a rétegek homogenitását, pásztázó elektronmikroszkóppal (SEM) volt lehetséges az alumínium-oxid pórusosságának vizsgálata és atomer˝o mikroszkóppal (AFM) a felületi érdességének meghatározása. A kidolgozott érzékel˝o rétegszerkezetek és az érzékel˝o eszközök vizsgálatát alapvet˝oen az érzékenységi karakterisztikák felvétele jelentette (kapacitás a relatív páratartalom függvényében), melyekhez kalibrált relatív páratartalmú környezetre volt szükség. Munkám során telített sóoldatokat alkalmazó fixpontos módszert és klímakamrás vizsgálatokat is alkalmaztam. Az érzékel˝ok kapacitásának (és párhuzamos veszteségi ellenállásának) mérését LC-mér˝ovel, kés˝obb precíziós LCR-mér˝ovel végeztem. A C p –R p helyettesít˝okép és a mér˝ofrekvencia megválasztását el˝ozetes méresekkel támasztottam alá. A klímakamrás módszer esetében vizsgálható volt a környezeti h˝omérséklet érzékenységre gyakorolt hatása. A beépített futéssel ˝ rendelkez˝o páraérzékel˝o eszköz esetén lehetségessé vált a környezethez képest megemelt chiph˝omérséklet, valamint a regeneráló kifutés ˝ hatásának megismerése.
4. A kutatómunka új tudományos eredményei Munkám során új, CMOS-kompatibilis rétegkialakítási eljárásokat és rétegszerkezeteket dolgoztam ki integrált páraérzékel˝ok céljaira. Ezekre támaszkodva új, CMOS-kompatibilis páraérzékel˝o eszközt valósítottam meg. Az eredményeket három tézis és hét altézis formájában mutatom be. 4 MTA
TTK MFA : Magyar Tudományos Akadémia, Természettudományi Kutatóközpont, Muszaki ˝ Fizikai és Anyagtudományi Intézet 5 Heriot-Watt University, Edinburgh, Egyesült Királyság
4
1. tézis. CMOS kompatibilis rétegkialakítási eljárások integrált páraérzékelokhöz ˝ Új eljárásokat dolgoztam ki, amelyekkel leválasztott alumínium vékonyrétegb˝ol nanopórusos alumínium-oxid alakítható ki és munkálható meg CMOS-kompatibilis szilícium szelettechnológiával, integrált páraérzékel˝o eszköz céljaira [J1], [C1–C4]. Az elektronikával egy chipre integrálás egyik kulcskérdése a kialakított réteg olyan módon végzett megmunkálása, hogy az illeszkedjen az áramköri részek rajzolatához. A rajzolatkialakításra két megközelítést alkalmaztam (1. ábra): az egyik a klasszikus fotolitográfiai lépéssorozat nedveskémiai marószer alkalmazásával, a másik az alumínium réteg szelektív (csak a kívánt helyeken végbemen˝o) anódikus oxidációja és a fennmaradó fémréteg szelektív marószerrel történ˝o eltávolítása. Az el˝obbihez a fotoreziszttel és a szeleten már kialakított rétegekkel biztonságosan együtt használható alumínium-oxid marási eljárásra, az utóbbihoz az elektrokémiai oxidáció idejére megfelel˝o védelmet biztosító megoldásra volt szükség.
Anódikus oxidáció, majd az alumínium-oxid marása
Szelektív anódikus oxidáció, majd a megmaradó alumínium (szelektív) marása Si
SiO2
Al
Pórusos Al2 O3
Fotoreziszt
1. ábra. Az alumínium-oxid rétegek megmunkálásához alkalmazott kétféle megközelítés vázlata
1.1 altézis. Nedveskémiai marást alkalmazó eljárást dolgoztam ki, amellyel oxidált szilícium szelet teljes felületén nanopórusos alumínium-oxid vékonyréteg, majd abból a kívánt alakzat valósítható meg. A nanopórusos réteget kialakító elektrokémiai oxidáció során maga az oxidálódó alumíniumréteg tölti be a hozzávezetés szerepét, vezet˝oképes segédréteg alkalmazása nélkül, a szelet kerülete mentén kialakított, fotoreziszttel védett sáv segítségével.
5
1.2 altézis. Szelektív anódikus oxidációs eljárást dolgoztam ki, amellyel a kívánt alakzatnak megfelel˝o nanopórusos alumínium-oxid vékonyréteg hozható létre. A nanopórusos réteget kialakító elektrokémiai oxidáció során a kiindulási alumíniumréteg fotoreziszttel védett része elektromos hozzávezetésként szolgál, majd szelektív, nedveskémiai alumíniummaróval eltávolítható újabb fotolitográfiai lépés nélkül. Pásztázó elektronmikroszkópos felvételek segítségével megállapítottam, hogy a szelektív marási lépésben, a marószer a pórusok és a réteg pórusosságának növekedését okozza. A réteg tulajdonságainak ilyen jellegu˝ megváltozása kedvez˝oen befolyásolhatja az erre alapuló rétegszerkezetek és eszközök páraérzékenységét. A fotoreziszt védelem hatásossága a 2. ábrán, pórus- és a pórusosságnövekedése a 3. ábrán látható.
200 nm 2. ábra. Ugyanazon minta három különböz˝o pontjáról készült SEM-felvételek (InLens SEdetektor, 5 kV). A bal oldali a fotoreziszttel nem védett, a középs˝o az aláoxidációval érintett, a jobb oldali pedig a fotoreziszttel védett területr˝ol készült (nincsenek pórusok).
50 nm 3. ábra. Szelektív alumíniummaró hatása a pórusos alumínium-oxid rétegre. SEM-felvételek (InLens SE-detektor, 5 kV gyorsítófeszültség). Referencia-minta (bal oldalon) és az alumíniummaróval, szelektív oxidációt követ˝o marás során érintkezett minta (jobb oldalon).
6
2. tézis. CMOS kompatibilis rétegszerkezetek páraérzékelokhöz ˝ Az els˝o tézisben kifejtett eljárások felhasználásával új, CMOS technológiával kompatibilis, kapacitív, síkelektródás páraérzékel˝o rétegszerkezeteket dolgoztam ki, amelyekben az érzékel˝oréteg szerepét nanopórusos alumínium-oxid vékonyréteg tölti be. Mérésekkel kimutattam, hogy a rétegszerkezetek 0–100% relatív páratartalom (RH) tartományban érzékenyek, karakterisztikájuk nemlineáris, átlagos érzékenységük eléri a 15 pF/RH% (65% RH alatt átlagosan 3,8 pF/RH%, felette 35,7 pF/RH%) értéket. Az elért érzékenység a kereskedelmi forgalomban lév˝o diszkrét, kapacitív szenzorok adatlapjain megadottaknál egy nagyságrenddel nagyobb [J1, J2], [C1–C3]. 2.1 altézis. Nedveskémiai marás segítségével, új, ultravékony palládium/palládiumoxid–pórusos alumínium-oxid–szilícium-dioxid–er˝osen adalékolt szilícium rétegszerkezeten alapuló, kapacitív, síkelektródás elrendezést valósítottam meg. A rétegszerkezet CMOS-technológiai lépéssor részeként, illetve azt kiegészít˝o lépésekkel megvalósítható, így integrált páraérzékel˝o alapjául szolgálhat. Kimutattam, hogy az ultravékony fels˝o elektróda h˝okezelés hatására agglomerálódik és ezzel el˝osegíti a porlasztásos leválasztás közben lezárt pórusok felszabadulását. Az 2.1 altézisben leírt rétegszerkezet felépítése a 4. ábrán látható. A rétegek szétválasztása a jobb áttekinthet˝oséget szolgálja.
a)
Si
SiO2
b)
Al
Pórusos Al2 O3
c)
Pd pórusos Al2 O3 -rétegen
4. ábra. Ultravékony fels˝o vezet˝oréteggel kialakított rétegszerkezet bemutatása : a) felülnézeti kép, és a bejelölt vonal mentén készült keresztmetszeti rajz; b) funkcionálisan is elkülönül˝o részek szétválasztása; c) az érzékelés szempontjából hatásos rész. A négyzet alakú chipek élhossza 2 mm, az érzékel˝ofelület 1 mm2 , az ábrázolt rétegvastagságok nem méretarányosak.
7
2.2 altézis. Szelektív anódikus oxidáció segítségével, új, rácsozatos (arany–réz– titán) fémezés–pórusos alumínium-oxid–titán rétegszerkezeten alapuló, kapacitív, síkelektródás elrendezést valósítottam meg passzivált felületu˝ szilícium szeleten. A rétegszerkezet a CMOS-technológiai lépéssort kiegészít˝o lépésekkel megvalósítható, így integrált páraérzékel˝o alapjául szolgálhat. A 2.2 altézisben leírt rétegszerkezet felépítését az 5. ábra, közelít˝o karakterisztikáját a 6. ábra mutatja be.
a)
Si
b)
Ti
SiO2
Al
c)
Cu
Pórusos Al2 O3
Au
Kapacitás [pF]
5. ábra. Rácsozatos fels˝o elektródával kialakított rétegszerkezet bemutatása: a) felülnézeti kép, és a bejelölt vonal mentén készült keresztmetszeti rajz; b) funkcionálisan is elkülönül˝o részek szétválasztása ; c) az érzékelés szempontjából hatásos rész. A chipek 2,3×2,3 mm-esek, az érzékel˝ofelület 1 mm2 , az ábrázolt rétegvastagságok nem méretarányosak.
1500 1000 500 0
0
10
20
30
50
40
60
70
80
90
100
Relatív páratartalom [%] 6. ábra. Fixpontos módszerrel mért kapacitás–RH karakterisztikák 25°C-on. A pontozott vonal a mért karakterisztikapontok eloszlásának tendenciáját jelöli.
8
3. tézis. CMOS-kompatibilis páraérzékelo˝ eszköz Megvalósítottam egy új, CMOS-kompatibilisen integrálható, futhet˝ ˝ o, kapacitív, síkelektródás páraérzékel˝o eszközt. A futést ˝ és a h˝omérséklet mérését, szabályozását a második tézispontban bemutatott palládium/palládium-oxid elektródás érzékel˝o rétegszerkezet alatt kialakított pn átmenet teszi lehet˝ové. A megvalósított eszköz sorozatgyártásra alkalmas módon tokozható [J1–J3], [C1, C2]. A 7. ábrán látható a funkcionális vizsgálatokhoz tokozott eszköz kikötési rajza, fotója és ipari tokozási eljáráshoz átdolgozott rajzolatú változata.
a)
2 mm
b)
c)
7. ábra. Bal oldalon az integrált fut˝ ˝ o-h˝omér˝o diódával kialakított páraérzékel˝o eszköz kikötési rajza (bond plan) és fotója, jobb oldalon a módosult rajzolat szerint elkészült eszköz látható.
3.1 altézis. Mérésekkel igazoltam, hogy az érzékel˝oréteg alatt kialakított pn átmenet alkalmas a páraérzékel˝o eszköz reprodukálható kifutésére, ˝ így megszüntethet˝o a muködés ˝ során a kapacitás értékében kialakuló ofszet. Az eszköz kialakításának köszönhet˝oen a kifutés ˝ mérési körülmények között is elvégezhet˝o. 3.2 altézis. Mérésekkel kimutattam, hogy az érzékel˝oréteg alatt kialakított pn átmenet alkalmas az eszköz h˝omérsékletének kívánt értéken tartására, és a h˝omérséklet emelésével csökkenthet˝o az érzékel˝o eszköz hiszterézise. 3.3 altézis. Mérésekkel kimutattam, hogy az érzékel˝o eszköz tipikus válaszideje <6 s, így versenyképes a jelenleg széles körben elterjedt polimer alapú érzékel˝okkel, melyek esetében ez az érték 8 s vagy annál nagyobb érték. A 8. ábrán megfigyelhet˝ok a különböz˝o chiph˝omérsékletek mellett felvett karakterisztikák. A 0% RH-nál feltüntetett karakterisztikapontok az egyes méréssorozatok közötti elvégzett kifutés ˝ reprodukálhatóságát támasztják alá. A 3.2 altézisben leírt hiszteréziscsökkenést a 9. ábra mutatja be (a jobb összehasonlíthatóság érdekében normált karakterisztikákon). A válaszid˝o mérése a 10. ábrán látható. 9
25°C 40°C 50°C
Kapacitás [pF]
250
200
150
0
10
20
30
50 60 70 40 Relatív páratartalom [%]
80
90
100
8. ábra. Egy integrált fut˝ ˝ o-h˝omér˝o diódával kialakított páraérzékel˝o eszköz klímakamrában (25°C-on), különböz˝o chiph˝omérsékletek mellett mért kapacitás–páratartalom karakterisztikái
100 25°C 29°C 35°C
Kapacitásváltozás [%]
80
60
40
20
0
0
10
20
30
50 60 70 40 Relatív páratartalom [%]
80
90
100
9. ábra. Egy mintán, különböz˝o chiph˝omérsékletek mellett mért érzékenységi karakterisztikák és azok hiszterézise 25°C állandó környezeti h˝omérséklet mellett
10
100 80
60
60
63%
40
40
Relatív páratartalom [%]
Végérték [%]
80
20 20 0
τ 0
5
10
20
15
25
30
Id˝o [s] 10. ábra. Válaszid˝o mérése során regisztrált kapacitásváltozás és a vizsgált eszköz érzékenységi karakterisztikája alapján számított szenzorválasz (RH%) az id˝o függvényében
5. Az eredmények hasznosítása A kidolgozott rétegkialakítási eljárások és rétegszerkezetek CMOS technológiával kompatibilisek, így alapját képezhetik tömeggyártásban készül˝o érzékel˝ok gyártástechnológiájának. A megvalósított, integrált érzékel˝o eszköz és annak ipari tokozási eljárásához optimalizált változata egy-egy további lépés ebben az irányban. A kimutatott érzékenység és el˝onyös dinamikus viselkedés, a kifutés ˝ és folyamatos futés ˝ hatásai alátámasztják a megoldás el˝onyeit, annak gyakorlati hasznosíthatóságát. A kutatás-fejlesztési munka a PATENT EU FP6 és a BelAmI német-magyar bilaterális projektek keretében, majd az SE2A ENIAC projekthez kapcsolódóan vált lehet˝ové és jutott el a jelenlegi eredményekig, mindegyik sikeréhez egy apró szelettel hozzájárult. Az utolsó fázisához kapcsolódóan kiolvasó elektronika és demonstrációs eszköz készült tanszékünkön moduláramkör formájában. A tapasztalatok alapján megkezd˝odött az integrált áramköri kivitel koncepciójának kidolgozása, el˝okészítve egy lehetséges CMOS-MEMS demonstrátor megvalósítását.
11
Tézisekhez kapcsolódó publikációk Folyóiratcikkek [J1] V. Timár-Horváth, L. Juhász, A. Vass-Várnai, and G. Perlaky. Usage of Porous Al2 O3 Layers for RH Sensing. Microsystem Technologies, 14(7) :1081–1086, 2008. [J2] L. Juhász and J. Mizsei. Humidity sensor structures with thin film porous alumina for on-chip integration. Thin Solid Films, 517(22):6198– 6201, 2009. [J3] L. Juhász and J. Mizsei. A simple humidity sensor with thin film porous alumina and integrated heating. Procedia Engineering, 5 :701–704, 2010.
Konferenciacikkek [C1] V. Timár-Horváth, L. Juhász, A. Vass-Várnai, and G. Perlaky. Usage of Porous Al2 O3 Layers for RH Sensing. In K. Chakrabarty, B. Courtois, E. Jung, V. Kempe, and R. Laur, editors, Proceedings of the Symposium on Design, Test, Integration and Packaging of MEMS/MOEMS (DTIP’07), pages 372–376, Stresa, Italy, 25-27 April, 2007. EDA Publishing. [C2] L. Juhász, A. Vass-Várnai, Cs. Dominkovics, and V. Timár-Horváth. Porous Al2 O3 Layers for Capacitive RH Sensors. In K. Hadjiivanov, V. Valtchev, S. Mintova, and G. Vayssilov, editors, Advanced Microand Mesoporous Materials, volume 1 of Topics in Chemistry and Material Science, pages 209–220, Sofia, 2008. Heron Press. [C3] L. Juhász, A. Vass-Várnai, V. Timár-Horváth, M. P. Y. Desmulliez, and R. S. Dhariwal. Porous Alumina Based Capacitive MEMS RH Sensor. In Victor M. Bright, Tarik Bourouina, Bernard Courtois, Marc Desmulliez, Jean Michel Karam, and Gou-Jen Wang, editors, Collection of Papers Presented at the Symposium on Design, Test, Integration and Packaging of MEMS/MOEMS (DTIP’08), pages 381–385, Nice, France, 9-11 April, 2008. EDA Publishing. 12
[C4] L. Juhász, L. Oláh, and J. Mizsei. Patterning of Porous Alumina for Integrated Humidity Sensors. In Tarik Bourouina, Bernard Courtois, Reza Ghodssi, Jean Michel Karam, Aurelio Soma, and Hsiharng Yang, editors, Collection of Papers Presented at the Symposium on Design, Test, Integration and Packaging of MEMS/MOEMS (DTIP’09), pages 219–222, Rome, Italy, 1-3 April, 2009. EDA Publishing.
Tézisekhez szorosan nem kapcsolódó publikációk [N1] P. Sági, B. Plesz, L. Juhász, and V. Timár-Horváth. Design of the Heliotrex Sun-Tracking System. In Péter Kiss, Ádám Székely, and Bálint Németh, editors, IYCE 2007. International Youth Conference on Energetics, pages 1–6, Paper 409., Budapest, Hungary, 31 May-2 June, 2007. [N2] V. Timár-Horváth, B. Plesz, L. Juhász, and J. Mizsei. Education of Microelectronics Technology at the Department of Electron Devices of Budapest University of Technology and Economics. In Proceedings of The 7th European Workshop on Microelectronics Education (EWME’08), pages 102–103, Budapest, Hungary, 28-30 May, 2008. EDA Publishing. [N3] B. Plesz, L. Juhász, and J. Mizsei. Feasibility Study of a CMOSCompatible Integrated Solar Photovoltaic Cell Array. In Bernard Courtois, Jean Michel Karam, Ryutaro Maeda, Pascal Nouet, Peter Schneider, and Hsiharng Yang, editors, Collection of Papers Presented at the Symposium on Design, Test, Integration and Packaging of MEMS/MOEMS (DTIP’10), pages 403–406, Sevilla, Spain, 5-7 May 2010. EDA Publishing. [N4] V. Horváth-Timár, J. Mizsei, and L. Juhász. A new concept in solar cell related education at the Department of Electron Devices of the Budapest University of Technology and Economics. In V. Benda, editor, Proceedings of the 5th International Workshop on Teaching in Photovoltaics (IWTPV’10), pages 30–33, Prague, Czech Republic, 25-26 March 2010. [N5] Székely Vladimír, Kollár Ern˝o, Somlay Gergely, Szabó Péter Gábor, Juhász László, Rencz Márta, Vass-Várnai András. Statikus TIM teszter tervezése. Híradástechnika, LXVI(1) :37–46, 2011.
13
