Oddˇelen´ı fyzik´aln´ıch praktik pˇri Kabinetu v´yuky obecn´e fyziky MFF UK
PRAKTIKUM . . . ´ Uloha ˇc. p p p p p p p p p p p p p p p N´ azev: p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p Pracoval: p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p stud. skup. p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p dne p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p Odevzdal dne: p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p
Moˇzn´y poˇcet bod˚ u Pr´ ace pˇri mˇeˇren´ı
0–5
Teoretick´ a ˇc´ ast
0–1
V´ysledky mˇeˇren´ı
0–8
Diskuse v´ysledk˚ u
0–4
Z´ avˇer
0–1
Seznam pouˇzit´e literatury
0–1
Celkem
max. 20
Posuzoval: p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p dne p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p
Udˇelen´y poˇcet bod˚ u
Pracovn´ı u ´ koly 1. Zmˇeˇrte voltamp´erov´e a svˇeteln´e charakteristiky pˇripraven´ ych luminiscenˇcn´ıch diod v propustn´em smˇeru a urˇcete, z jak´eho materi´ alu jsou jednotliv´e diody zhotoveny. 2. Ze zmˇeˇren´ ych V-A charakteristik urˇcete pro jednotliv´e diody statick´ y odpor Rd , dynamick´ y odpor Rdi , hodnotu konstanty n a prahov´e napˇet´ı U ∗ . 3. Zmˇeˇrte charakteristiky fototranzistoru pˇri tˇrech r˚ uzn´ ych hladin´ach osvˇetlen´ı. Urˇcete zisk fototranzistoru. 4. Namˇeˇren´e charakteristiky zpracujte graficky. Nezapomeˇ nte na graf log(IF ) vs. UF .
1
Teoretick´ aˇ c´ ast
1.1
Luminiscenˇ cn´ı diody a jejich V-A a svˇ eteln´ a charakteristika
Luminiscenˇcn´ı (LED = Light Emitting Diode) dioda je polovodiˇcov´a souˇc´astka s PN pˇrechodem (spojen´ı polovodiˇce typu P a typu N), u n´ıˇz se v zapojen´ı v propustn´em smˇeru uplatˇ nuje elektroluminiscenˇcn´ı jev, emise foton˚ u z oblasti PN pˇrechodu. Bl´ıˇze o polovodiˇc´ıch a PN pˇrechodu viz. [1]. Voltamp´erov´ a charakteristika LED diody, tedy z´avislost proudu I proch´azej´ıc´ıho diodou (PN pˇrechodem) na pˇriloˇzen´em napˇet´ı U , se za pˇredpokladu, ˇze U ≥ 100 mV a z´aroveˇ n U IRS (RS je s´eriov´ y odpor diody), d´ a popsat pˇribliˇznˇe vztahem [2] eU , (1) I = I0 exp nkT kde I0 je zbytkov´ y proud pˇri nulov´em napˇet´ı, e n´ aboj elektronu, k Boltzmannova konstanta, T absolutn´ı teplota a n je d´ ano tvarem, technologi´ı v´ yroby, materi´ alem ad. PN pˇrechodu. Charakterizuje tak mechanizmus transportu n´ aboje pˇrechodem. Definice statick´eho s´eriov´eho odporu v pracovn´ım bodˇe U0 , I0 1 Rd =
U0 I0
(2)
a s´eriov´eho dynamick´eho odporu Rdi
dU . = dI I0
(3)
Z pˇredch´ azej´ıc´ıch vztah˚ u pak vypl´ yv´ a pro dynamick´ y odpor Rdi = Rd
nkT . eU0
(4)
Logaritmov´ an´ı rovnice (1) m˚ uˇzeme z´ıskat i n jako n=
e 1 e U1 − U2 = , I 1 kT log I kT C 2
(5)
kde C je smˇernice line´ arn´ı ˇc´ asti grafu z´ avislosti log I na napˇet´ı U 2 . Prahov´e napˇet´ı U ∗ je takov´e napˇet´ı extrapolovan´e z line´arn´ı ˇc´asti V-A charakteristiky, pˇri kter´em doch´az´ı ke zlomu v linearizovan´em pr˚ ubˇehu z´ avislosti proudu tekouc´ıho diodou na napˇet´ı pˇriloˇzen´em na luminiscenˇcn´ı diodu [2, cit.]. Odeˇc´ıt´ ame ho z pr˚ useˇc´ıku pˇr´ımky linearizovan´e ˇc´asti V-A charakteristiky s x-ovou osou grafu. Svˇetelnou charakteristiku diod lze urˇcit pomoc´ı pˇristaven´e fotodiody a mˇeˇren´ım velikosti proudu IΦ , kter´ y proch´ az´ı obvodem fotodiody pˇri jej´ım osv´ıcen´ı. Emitovan´ y svˇeteln´ y tok Φ tak zjiˇsˇtujeme v relativn´ıch jednotk´ ach. 1 Pracovn´ ı 2 Kv˚ uli
bod je d´ an I0 = 20 mA. logaritmov´ an´ı (log znaˇ c´ı pˇrirozen´ y logaritmus) veliˇ ciny s rozmˇ erem je sp´ıˇse vhodnˇ ejˇs´ı log
2
I I0
Obr. 1: Sch´ema pro mˇeˇren´ı charakteristiky fototranzistoru.
1.2
Fototranzistor
Fototranzistor m´ a podobnou konstrukci jako bˇeˇzn´ y tranzistor skl´adaj´ıc´ı se ze tˇr´ı na sebe navazuj´ıc´ıch oblast´ı PNP nebo NPN. K bˇeˇzn´ ym vlastnostem pˇrib´ yv´ a schopnost pohlcovat svˇetlo v oblasti b´aze, ˇc´ımˇz zde vznikaj´ı p´ ary nadbyteˇcn´ ych menˇsinov´ ych nosiˇc˚ u proudu. Ty jsou strh´av´any polem kolektorov´eho pˇrechodu, kde pot´e tvoˇr´ı tzv. prim´ arn´ı fotoproud IΦ , zat´ımco vˇetˇsinov´e nosiˇce z˚ ust´avaj´ı v b´azi a vznik´a tak objemov´ y n´aboj, kter´ y sniˇzuje potenci´ alovou bari´eru emitorov´eho pˇrechodu, a t´ım mohou plnit funkci prim´arn´ıho proudu pˇriv´adˇen´eho do b´ aze. V´ ysledn´ y fotoelektrick´ y proud v kolektoru ICO je pak pˇribliˇznˇe d´an jako ICO = GIΦ ,
(6)
kde G je zisk fototranzistoru. Charakteristika fototranzistoru se mˇeˇr´ı v zapojen´ı na obr. 1, k urˇcen´ı zisku G pouˇzijeme stejn´eho zapojen´ı ale se zkratovan´ ym emitorem s b´az´ı (ˇc´arkovanˇe). Jestliˇze pˇri t´emˇze svˇeteln´em toku Φ a t´emˇze napˇet´ı zmˇeˇr´ıme ICO , pak z (6) lze urˇcit zisk G.
2
V´ ysledky mˇ eˇ ren´ı
2.1
Zpracov´ an´ı
Nen´ı-li uvedeno jinak, chyby nepˇr´ımo mˇeˇren´ ych veliˇcin (f ) poˇc´ıt´am podle [3]: v u 2 uX ∂f t ∆xi . σf (xi ) = ∂xi i
2.2
(7)
V-A charakteristika a svˇ eteln´ a charakteristika LED diod
Pouˇzit´e diody LQ 1131 (ˇcerven´ a) a L-934 LGD (zelen´a) byly pˇres ochrann´ y odpor a miliamp´ermetr ke zjiˇsˇtov´ an´ı proudu I pˇripojeny v propustn´em smˇeru ke stabilizovan´emu zdroji stejnosmˇern´eho napˇet´ı, pˇr´ımo na nich pak paralelnˇe zapojen´ y digit´ aln´ı voltmetr k mˇeˇren´ı pˇriloˇzen´eho napˇet´ı U . Proud generovan´ y na sn´ımac´ı fotodiodˇe IΦ jsem odeˇc´ıtal z pikoamp´ermetru HITACHI. Voltmetr mˇel pˇri pouˇzit´em rozsahu 20 V chybu 0.1 % ± 3 digit, miliamp´ermetr vˇzdy 0.05 % pouˇzit´eho rozsahu (tedy posledn´ı platnou ˇc´ıslici), chybu pikoamp´ermetru HITACHI odhaduji pro hodnoty do 0.200 µA na 0.001 aˇz 0.002 µA, pot´e cca 1 % z namˇeˇren´eho. Jako vztaˇznou hodnotu svˇet. toku Φ0 jsem volil odpov´ıdaj´ıc´ı proudu 1 µA ve fotodiodˇe, jednotliv´a mˇeˇren´ı jsou pak vyj´adˇrena relativnˇe v˚ uˇci Φ0 v procentech. V´ ysledky se nach´ az´ı v tabulce 1, z´ avislosti jsou vyneseny v grafech na obr. 2, 3 a 4. Line´ arn´ı regres´ı posledn´ıch 15 namˇeˇren´ ych hodnot u diody LQ 1131 a 17 u diody L-934 LGD v obecn´em tvaru I = aU + b jsem z´ıskal koeficienty popisu linear. ˇc´asti z´avislosti v grafu na obr. 2. Pro ˇcervenou diodu (LQ 1131) ac = (270 ± 9) mΩ−1 , bc = (−428 ± 14) mA, a pro zelenou diodu (L-934 LGD) az = (53.3 ± 0.3) mΩ−1 , bz = (−102.5 ± 0.6) mA. Dosazen´ım do pˇredpisu I = aU + b a poloˇzen´ım I = 0 mA dost´av´ame prahov´a napˇet´ı Uc∗ = (1.59 ± 0.07) V, Uz∗ = (1.92 ± 0.02) V. 3
Volbou I = I0 = 20 mA dopoˇcteme U0 v pracovn´ım bodˇe diody a podle (2) jej´ı statick´ y s´eriov´ y odpor: Rdc = (83 ± 4) Ω, Rdz = (115 ± 1) Ω.
U [V] 0.575 0.942 1.365 1.401 1.437 1.451 1.474 1.493 1.517 1.535 1.540 1.550 1.560 1.570 1.580 1.597 1.610 1.619 1.625 1.633 1.642 1.651 1.656 1.662 1.664 1.669 1.672 1.675 1.677 1.683 1.687 1.688 − − − − − − − − − − − − − − − −
LQ 1131 I [mA] IΦ [µA] 0 0 0 0 0.021 0.001 0.049 0.002 0.118 0.004 0.167 0.005 0.297 0.010 0.488 0.018 0.892 0.039 1.427 0.073 1.657 0.088 2.19 0.126 2.75 0.169 3.48 0.228 4.44 0.309 6.36 0.481 8.27 0.657 9.80 0.799 11.05 0.915 12.60 1.060 14.75 1.259 16.84 1.453 18.17 1.577 19.84 1.726 20.8 1.796 22.3 1.931 23.3 2.019 24.3 2.099 25.3 2.171 27.1 2.339 28.5 2.440 29.1 2.485 − − − − − − − − − − − − − − − − − − − − − − − − − − − − − − − −
Φ/Φ0 [%] 0 0 0.1 0.2 0.4 0.5 1.0 1.8 3.9 7.3 8.8 12.6 16.9 22.8 30.9 48.1 65.7 79.9 91.5 106.0 125.9 145.3 157.7 172.6 179.6 193.1 201.9 209.9 217.1 233.9 244.0 248.5 − − − − − − − − − − − − − − − −
U [V] 0.829 1.549 1.678 1.705 1.748 1.771 1.789 1.800 1.816 1.822 1.834 1.852 1.870 1.895 1.907 1.923 1.935 1.943 1.954 1.969 1.976 1.990 2.002 2.012 2.024 2.033 2.046 2.054 2.067 2.083 2.092 2.106 2.132 2.148 2.160 2.172 2.197 2.217 2.237 2.259 2.277 2.294 2.323 2.335 2.349 2.370 2.389 2.422
L-934LGD I [mA] IΦ [µA] 0 0.001 0 0.001 0.020 0.001 0.037 0.001 0.101 0.002 0.169 0.002 0.243 0.003 0.310 0.004 0.424 0.005 0.478 0.006 0.598 0.008 0.828 0.011 1.139 0.017 1.652 0.027 1.942 0.033 2.40 0.044 2.75 0.052 2.98 0.059 3.36 0.069 3.87 0.083 4.15 0.091 4.67 0.106 5.12 0.120 5.53 0.132 6.06 0.148 6.42 0.160 7.02 0.178 7.35 0.188 7.97 0.208 8.68 0.230 9.11 0.240 9.81 0.265 11.10 0.304 11.91 0.329 12.55 0.348 13.17 0.366 14.44 0.404 15.48 0.434 16.55 0.465 17.75 0.499 18.72 0.525 19.69 0.550 21.2 0.591 22.0 0.608 22.6 0.627 23.9 0.656 24.9 0.681 26.7 0.724
Φ/Φ0 [%] 0.1 0.1 0.1 0.1 0.2 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.8 1.1 1.7 2.7 3.3 4.4 5.2 5.9 6.9 8.3 9.1 10.6 12.0 13.2 14.8 16.0 17.8 18.8 20.8 23.0 24.0 26.5 30.4 32.9 34.8 36.6 40.4 43.4 46.5 49.9 52.5 55.0 59.1 60.8 62.7 65.6 68.1 72.4
Tabulka 1: Napˇet´ı na diod´ ach U , proch´ azej´ıc´ı proud I, proud generovan´ y na fotodiodˇe IΦ a svˇeteln´ y tok Φ vztaˇzen´ y k hodnotˇe Φ0 odpov´ıdaj´ıc´ı proudu IΦ =1 µA.
4
Obr. 2: Voltamp´erov´ a charakteristika LED diod, linearizovan´a pro nˇekolik posledn´ıch hodnot.
Pro dalˇs´ı zpracov´ an´ı pouˇziji logaritmovan´e hodnoty proudu I tak, jak je zn´azornˇeno v grafu na obr. 3 3 . Ze smˇernice pˇr´ımky popisuj´ıc´ı lin. ˇc´ ast z´ avislosti (line´arn´ı regrese nˇekolika prvn´ıch hodnot, odpov´ıdaj´ıc´ı zahnut´ı e v grafu na obr. 2) C, kterou indetifikuji pomoc´ı (1) jako C = nkT , urˇc´ım nejprve podle (4) dynamick´ y odpor Rd am jako v´ yˇse) Rdi = CU0 (U0 z´ısk´ Rdic = (2.00 ± 0.11) mΩ, Rdiz = (2.26 ± 0.04) mΩ. Nakonec jeˇstˇe dosazen´ım Boltzmannovy konstanty k = 1.38×10−23 J/K a element´arn´ıho n´aboje e = 1.60 × 10−19 C, pˇri odhadnut´e teplotˇe T = 293.15 K spoˇctu dle (5) n nc = (1.56 ± 0.01), nz = (1.77 ± 0.02).
2.3
Fototranzistor
Voltamp´erovou charakteristiku fototranzistoru jsem mˇeˇril v zapojen´ı na obr. 1. Za zdroj napˇet´ı a amp´ermetr z´ aroveˇ n slouˇz´ı pˇr´ıstroj HITACHI, p˚ uvodn´ı stabilizovan´ y zdroj nap´aj´ı LED diodu, kter´a osvˇetluje fototranzistor. Mˇeˇril jsem pˇri tˇrech r˚ uzn´ ych intenzit´ ach osvitu odpov´ıdaj´ıc´ıch postupnˇe velikosti proudu diodou Id = 0.2, 0.4 a 0.6 mA. Pˇr´ıstroj HITACHI dok´ aˇze po spr´ avn´em nastaven´ı s´am krokovˇe zvyˇsovat napˇet´ı U a zmˇeˇren´a data ukl´ adat do bufferu, ze kter´eho se pak pˇreˇctou poˇc´ıtaˇcem. Krok byl volen do 0.2 V po 0.01 V, do 1 V po 0.05 V, v´ yˇse po 0.5 V. Namˇeˇren´ a charakteristika se nach´ az´ı v tabulce 2 a je vynesena v grafu na obr. 5 s koneˇcnou ˇc´ast´ı proloˇzenou pˇr´ımkou. Po zkratov´ an´ı emitoru s b´ az´ı jsem pˇri tˇrech r˚ uzn´ ych napˇet´ıch U a vˇsech tˇrech intenzit´ach osvitu zmˇeˇril prim´ arn´ı fotoproud tranzistorem IΦ a z nich urˇcil zisk tranzistoru G podle (6). Viz. tab. 3. Chybu pikoamp´ermetru pˇri stanoven´ı IΦ odhaduji 5 %. 3 Vhodnˇ ejˇs´ı
by kv˚ uli rozmˇ er˚ um veliˇ cin bylo vztah (1) nejprve dˇ elit I0 , logaritmovat a pot´ e vyn´ aˇset log I/I0 vs. U .
5
Obr. 3: Logaritmoan´e hodnoty proudu proch´ azej´ıc´ıho diodou I v z´avislosti na pˇriloˇzen´em napˇet´ı U proloˇzen´e pˇr´ımkou v poˇc´ ateˇcn´ı line´ arn´ı oblasti.
Obr. 4: Graf svˇeteln´e charakteristiky LED diod.
6
Id [mA] U [V] 0.00 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.10 0.11 0.12 0.13 0.14 0.15 0.16 0.17 0.18 0.19 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50 −
0.200 ICO [µA] 0 0.001 0.015 0.035 0.062 0.100 0.153 0.225 0.323 0.453 0.614 0.821 1.08 1.36 1.68 2.01 2.33 2.65 2.93 3.18 3.29 3.75 3.90 3.89 3.87 3.97 3.94 −
0.400 ICO [µA] 0 0.017 0.070 0.159 0.283 0.457 0.701 1.05 1.51 2.16 2.99 4.04 5.35 6.87 8.55 10.4 12.2 14.0 15.8 17.2 18.4 20.9 21.6 21.5 21.6 21.7 21.8 −
0.600 ICO [µA] 0 0.028 0.173 0.390 0.699 1.13 1.75 2.59 3.73 5.28 7.43 10.0 13.6 17.5 22.0 26.8 31.7 36.4 40.8 44.6 47.7 56.6 58.7 59.5 59.9 60.0 60.2 −
Id [mA] U [V] 0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80 0.85 0.90 0.95 1.00 1.50 2.00 2.50 3.00 3.50 4.00 4.50 5.00 5.50 6.00 6.50 7.00 7.50 8.00 8.50 9.00 9.50 10.00
0.200 ICO [µA] 3.94 3.95 3.95 3.93 3.95 3.98 3.94 3.96 3.93 3.97 4.10 4.16 4.15 4.17 4.22 4.23 4.30 4.29 4.31 4.33 4.38 4.51 4.54 4.65 4.67 4.64 4.52 4.66
0.400 ICO [µA] 21.9 22.0 22.3 22.4 22.4 22.5 22.4 22.6 22.5 22.5 22.6 22.6 23.0 23.2 23.3 23.4 23.5 24.0 24.0 24.3 24.1 24.3 24.5 24.7 24.7 24.9 25.1 25.2
0.600 ICO [µA] 60.3 60.1 60.1 60.2 60.3 60.2 60.3 60.5 60.5 60.3 61.2 61.9 62.7 63.3 64.4 64.9 65.5 65.8 66.4 67.3 67.8 68.1 68.3 68.9 69.4 69.1 69.4 67.8
Tabulka 2: Proud luminiscenˇcn´ı diodou Id , napˇet´ı kolektor-emitor U na fototranzistoru a kolektorov´ y proud ICO .
Obr. 5: Graf V-A charakteristiky fototranzistoru pˇri r˚ uzn´em osvˇetlen´ı.
7
U [V] 4.00 5.00 6.00 4.00 5.00 6.00 4.00 5.00 6.00
ICO [mA] IΦ [nA] Id = 0.200 mA 4.23 26 4.29 26 4.33 26 Id = 0.400mA 2.34 97 2.40 97 2.43 97 Id = 0.600 mA 6.49 200 6.58 210 6.73 210
G 163 ± 7 165 ± 7 166 ± 7 242 ± 13 247 ± 13 250 ± 13 325 ± 17 314 ± 15 321 ± 16
Tabulka 3: Napˇet´ı U , proud kolektoru ICO , fotoproud IΦ a odpov´ıdaj´ıc´ı zisk fototranzistoru G.
Pr˚ umˇern´ y zisk pˇri jednotliv´ ych proudech Id G0.2 = (164 ± 7), G0.4 = (256 ± 13), G0.6 = (320 ± 16).
2.4
Materi´ al diod
Porovn´ an´ım zjiˇstˇen´ ych parametr˚ u s [4] zjiˇsˇtuji, ˇze zelen´a dioda oznaˇcen´a jako L-934 LGD odpov´ıd´a pˇr´ımo sv´ ym ˇ katalogov´ ym u ´daj˚ um, v´ yrobn´ı materi´ al je pouze GaP bez pˇr´ımˇesi arzenu. Cerven´ a L 1131 naopak nejsp´ıˇse obsahuje pˇr´ımˇesi jak arzenu tak fosforu ovˇsem s vˇetˇs´ım zastoupen´ım arzenu, tedy GaAsP.
3
Diskuse v´ ysledk˚ u
Zmˇeˇren´e charakteristiky diod dobˇre odpov´ıdaj´ı hrubˇe pˇredpokl´adan´emu pr˚ ubˇehu (nikoli teoretick´emu (1)). Problematiˇctˇejˇs´ı je vybrat vhodnou ˇc´ ast dat k linearizaci, a to jak pˇri urˇcov´an´ı prahov´ ych napˇet´ı tak ve vynesen´e z´ avislosti logaritmovan´eho proudu. Statistick´ a chyba (smˇer. odchylka z rozpylu dat) line´arn´ı regrese je dokonce relativnˇe vˇetˇs´ı neˇz chyby zp˚ usoben´e mˇeˇr´ıc´ımi pˇr´ıstroji, kter´e se pohybuj´ı v ˇr´adech desetin aˇz jednoho procenta (s v´ yjimkou napˇr. nulov´ ych bod˚ u, kdy proudy odeˇc´ıtan´e na pikoamp´ermetru HITACHI jsou extr´emnˇe mal´e). Na obr. 3 je tak´e vidˇet, jak se obˇe charakteristiky odkl´anˇej´ı od teoretick´e exponenci´aln´ı z´avislosti, u zelen´e diody nav´ıc dosti znaˇcnˇe. V grafu charakteristiky fototranzistoru na obr. 5 je patrn´e, ˇze oblast nasycen´ı, kdy pˇredpokl´ad´ame takˇrka konstantn´ı proud pˇri zmˇen´ ach napˇet´ı (asi od 1 V), nem´a u ´plnˇe ide´aln´ı pr˚ ubˇeh. Form´alnˇe byla tato ˇc´ast proloˇzena (nebo sp´ıˇse vyplnˇena) pˇr´ımkou. Stanoven´ı zisku tranzistoru z aritmetick´eho pr˚ umˇeru dat pˇri nˇekolika napˇet´ıch U je ale d´ıky tomu trochu diskutabiln´ı. Vhodnˇejˇs´ı by asi bylo br´at zisky zvl´aˇsˇt, pro kaˇzdou hodnotu napˇet´ı jeden specifick´ y.
4
Z´ avˇ er
Byla promˇeˇrena voltamp´erov´ a a svˇeteln´ a charakteristika LED diod L 1131 a L-934 LGD v propustn´em smˇeru, tabulka 1, grafy na obr. 2, 3 a 4. Z nich pot´e byly stanoveny nˇekter´e parametry diod (c - ˇcerven´a L 1131, z - zelen´ a L-934 LGD). Prahov´e napˇet´ı: Uc∗ = (1.59 ± 0.07) V,
Uz∗ = (1.92 ± 0.02) V,
statick´ y s´eriov´ y odpor v pracovn´ım bodˇe: Rdc = (83 ± 4) Ω,
Rdz = (115 ± 1) Ω,
dynamick´ y odpor: Rdic = (2.00 ± 0.11) mΩ,
Rdiz = (2.26 ± 0.04) mΩ,
a hodnota konstanty n: nc = (1.56 ± 0.01),
nz = (1.77 ± 0.02). 8
Zmˇeˇrena byla tak´e charakteristika fototranzistoru pˇri tˇrech r˚ uzn´ ych hladin´ach osvˇetlen´ı, tabulka 2, graf na obr. 5. Jej´ı pomoc´ı pak zjiˇstˇen jeho zisk pˇri jednotliv´ ych hladin´ach osvˇetlen´ı, viz. tab. 3: G0.2 = (164 ± 7),
G0.4 = (256 ± 13),
G0.6 = (320 ± 16).
Reference [1] Stud. text, praktikum III: Kvantov´ a optika a optoel., http://physics.mff.cuni.cz/vyuka/zfp/ [2] Stud. text, praktikum III: Charakteristiky optoel. souˇc´astek, http://physics.mff.cuni.cz/vyuka/zfp/ [3] Englich J.: Zpracov´ an´ı v´ ysledk˚ u fyzik´aln´ıch mˇeˇren´ı, 1999, http://physics.mff.cuni.cz/to.en/vyuka/zfp [4] J. Lu: T-1 (3 mm) Low Current LED Lamps, Kingbright Corp., 2001, http://html.alldatasheet.com/html-pdf/117983/KINGBRIGHT/L-934LGD/601/1/L-934LGD.html
9